JP4889193B2 - Nitride semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体素子に係わり、特に反射性に優れ、且つｐ型半導体層と良好なオーミック接触を得ることができる電極に関する。   The present invention relates to a gallium nitride-based compound semiconductor device, and particularly to an electrode that is excellent in reflectivity and that can obtain good ohmic contact with a p-type semiconductor layer.

従来、透光性基板上にｐ型およびｎ型半導体層を積層させ、同一面側にｐ側電極およびｎ側電極を設けてなる半導体発光素子において、光を透光性基板側から出光させることを目的として、該ｐ側電極あるいはｎ側電極に反射率の高い金属材料を設けている（例えば、特許文献１参照。）。   Conventionally, in a semiconductor light emitting device in which p-type and n-type semiconductor layers are stacked on a translucent substrate and a p-side electrode and an n-side electrode are provided on the same surface, light is emitted from the translucent substrate side. For this purpose, a metal material having high reflectivity is provided on the p-side electrode or the n-side electrode (see, for example, Patent Document 1).

特開２００１−１２７３４３号公報。JP 2001-127343 A.

しかしながら、ｐ型半導体層あるいはｎ型半導体層と上記反射率の高い金属材料との界面において、発光素子から出光しようとする光の一部は金属材料に吸収され、発光素子の光取り出し効率の向上を妨げている。   However, at the interface between the p-type semiconductor layer or the n-type semiconductor layer and the metal material having high reflectivity, part of the light that is emitted from the light-emitting element is absorbed by the metal material, and thus the light extraction efficiency of the light-emitting element is improved. Is hindering.

そこで、本発明は、発光素子における光の吸収を抑制し、発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to suppress light absorption in a light emitting element and improve light extraction efficiency of the light emitting element.

以上の目的を達成するために本発明に係る窒化物半導体発光素子は、ｐ電極と接するｐ型コンタクト層を含むｐ型窒化物半導体層と、ｎ電極を有するｎ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、前記ｐ電極は、前記ｐ型コンタクト層側から順に、前記ｐ型コンタクト層と接し、かつ前記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層の少なくとも一部を被覆し該第一の層からの透過光を反射させる第二の層と、が少なくとも積層され、前記第一の層は、２０００Åの膜厚を有するインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯからなり、前記第二の層は、２０００Åの膜厚を有するアルミニウム（Ａｌ）からなり、前記ｐ型コンタクト層の屈折率が２．５０であり、前記第一の層の屈折率が２．１２であり、前記第一の層は、前記ｐ型コンタクト層よりも屈折率が低いことを特徴とする。
To achieve the above object, a nitride semiconductor light emitting device according to the present invention has a p-type nitride semiconductor layer including a p-type contact layer in contact with a p-electrode, and an n-type nitride semiconductor layer having an n-electrode. In the nitride semiconductor light-emitting device, the p-electrode is formed of a transparent conductive film that is in contact with the p-type contact layer and transmits part of light from the nitride semiconductor light-emitting device in order from the p-type contact layer side. The first layer and at least a second layer that covers at least a portion of the first layer and reflects the transmitted light from the first layer are laminated, and the first layer has a thickness of 2000 mm , ITO is indium tin oxide having a thickness, said second layer is made of aluminum (Al) having a thickness of 2000 Å, refractive index of the p-type contact layer is 2.50, Said first layer A refractive index of 2.12, the first layer is characterized by having a lower refractive index than the p-type contact layer.

また、前記第一の層は、さらにパッド部を有してもよい。また、前記第二の層は、さら
にパッド部を有してもよい。前記第二の層にはパッド部がさらに積層されており、前記第一の層及び前記第二の層は、前記パッド部の中央に前記ｐ型コンタクト層が露出されるように形成された開口部を有し、前記パッド部は、露出された前記ｐ型コンタクト層とオーミック接触せずに接すると共に、前記開口部周辺において前記第二の層と接しているのが好ましい。
Further, the first layer may further include a pad portion. Further, the second layer may further include a pad portion. A pad portion is further laminated on the second layer, and the first layer and the second layer are openings formed so that the p-type contact layer is exposed at the center of the pad portion. Preferably, the pad portion is in contact with the exposed p-type contact layer without being in ohmic contact, and is in contact with the second layer around the opening.

また、前記パッド部は、前記開口部内にて、前記第一の層、前記第二の層、および、前記ｐ型コンタクト層と接しているのが好ましい。
Moreover, it is preferable that the said pad part is in contact with said 1st layer, said 2nd layer, and said p-type contact layer in the said opening part.

また、前記パッド部は、前記第一の層及前記第二の層よりも前記ｐ型コンタクト層との接着性が強いのが好ましい。
The pad portion preferably has higher adhesion to the p-type contact layer than the first layer and the second layer.

本発明は、窒化物半導体発光素子において、ｐ側電極あるいはｎ側電極の材料を発光素子から出光しようとする光に対して反射率の高い金属材料とし、光の吸収を抑制し、発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。   In the nitride semiconductor light emitting device, the material of the p-side electrode or the n-side electrode is made of a metal material having a high reflectance with respect to light that is going to be emitted from the light emitting device, thereby suppressing light absorption. Light extraction efficiency can be improved.

本発明に係るＬＥＤを構成する各半導体層としては種々の窒化物半導体を用いることができる。具体的には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）などにより基板上にＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の半導体を複数形成させたものが好適に用いられる。また、その層構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。また、各層を超格子構造としたり、活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。また、本発明にかかる窒化物半導体発光素子のｐ電極およびｎ電極の形成は、ｐ型窒化物半導体層およびｎ型窒化物半導体層に対し、電極を構成する材料の蒸着、スパッタリング等、通常の気相成膜によって行うことができる。あるいは、蒸着法、スパッタリング法等、それぞれ異なる成膜方法を使い分けて形成することができる。 As each semiconductor layer constituting the LED according to the present invention, various nitride semiconductors can be used. Specifically, In X Al Y Ga 1- XYN (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦) is formed on the substrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like. A semiconductor in which a plurality of semiconductors such as 1) are formed is preferably used. In addition, the layer structure includes a homo structure having a MIS junction, a PIN junction or a PN junction, a hetero structure, or a double hetero structure. Each layer may have a superlattice structure, or may have a single quantum well structure or a multiple quantum well structure in which an active layer is formed in a thin film in which a quantum effect is generated. In addition, the formation of the p electrode and the n electrode of the nitride semiconductor light emitting device according to the present invention is performed by a normal method such as vapor deposition or sputtering of the material constituting the electrode with respect to the p type nitride semiconductor layer and the n type nitride semiconductor layer. It can be performed by vapor deposition. Alternatively, different film formation methods such as vapor deposition and sputtering can be used.

ＬＥＤは、一般的には、特定の基板上に各半導体層を成長させて形成されるが、その際、基板としてサファイア等の絶縁性基板を用いその絶縁性基板を最終的に取り除かない場合、通常、ｐ電極およびｎ電極はいずれも半導体層上の同一面側に形成されることになる。この場合、フェイスアップ実装すなわち半導体層側を視認側に配置し発光された光を半導体層側から取り出すことも可能であるし、フェイスダウン実装すなわち基板側を視認側に配置し発光された光を基板側から取り出すことも可能である。もちろん、最終的に基板を除去した上で、フェイスアップ実装或いはフェイスダウン実装することもできる。なお、基板はサファイアに限定されず、例えば、スピネル、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等、公知の部材を用いることができる。また、基板としてＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等の導電性基板を用いることによりｐ電極及びｎ電極を対向して配置させることもできる。   The LED is generally formed by growing each semiconductor layer on a specific substrate, but when an insulating substrate such as sapphire is used as the substrate and the insulating substrate is not finally removed, Normally, both the p electrode and the n electrode are formed on the same surface side on the semiconductor layer. In this case, it is possible to take out the emitted light from the semiconductor layer side with the face-up mounting, i.e., the semiconductor layer side arranged on the viewing side, or the face-down mounting, i.e., arrange the substrate side on the viewing side, It is also possible to take out from the substrate side. Of course, it is also possible to mount the face up or face down after finally removing the substrate. In addition, a board | substrate is not limited to sapphire, For example, well-known members, such as a spinel, SiC, GaN, GaAs, can be used. Further, by using a conductive substrate such as SiC, GaN, or GaAs as the substrate, the p electrode and the n electrode can be arranged to face each other.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのＬＥＤを例示するものであって、本発明のＬＥＤを以下のものに特定するものではない。さらに、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies an LED for embodying the technical idea of the present invention, and does not specify the LED of the present invention as follows. Further, the size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.

（実施の形態１）
図１、２に基づいて、本実施の形態のＬＥＤについて説明する。本実施の形態のＬＥＤは、図に示すように同一面側にｐ電極およびｎ電極を配置したＬＥＤである。図２は、本実施の形態のＬＥＤを電極配置面側から見た概略図である。また、図１は、本実施の形態におけるＬＥＤの層構成を示す模式的断面図であり、図２のＸ−Ｘ部における断面を表す。 (Embodiment 1)
The LED of the present embodiment will be described based on FIGS. The LED of the present embodiment is an LED in which a p electrode and an n electrode are arranged on the same surface side as shown in the figure. FIG. 2 is a schematic view of the LED of the present embodiment as viewed from the electrode arrangement surface side. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of the LED according to the present embodiment, and shows a cross section taken along line XX in FIG.

図１に示すように、本実施の形態のＬＥＤは、例えば、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ノンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層５、活性層となるＩｎＧａＮ層６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８が、順次積層された層構造を有する。さらに、ＭｇドープＧａＮ層８、ＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ＩｎＧａＮ層６、ＳｉドープＧａＮ層５、ＳｉドープＧａＮ層４が部分的にエッチング等により除去され、ＳｉドープＧａＮ層４の露出面にｎ電極９が形成され、ＭｇドープＧａＮ層８の上面の略全面にｐ電極１０が設けられている。なお、本実施の形態では、特許請求の範囲に記載するｎ型窒化物半導体がｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４に対応し、ｐ型窒化物半導体がｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８に対応している。   As shown in FIG. 1, the LED of the present embodiment has, for example, a GaN buffer layer 2, a non-doped GaN layer 3, a Si-doped GaN layer 4 serving as an n-type contact layer, and an n-type cladding layer on a sapphire substrate 1. The Si-doped GaN layer 5, the InGaN layer 6 serving as an active layer, the Mg-doped AlGaN layer 7 serving as a p-type cladding layer, and the Mg-doped GaN layer 8 serving as a p-type contact layer have a layered structure. Further, the Mg-doped GaN layer 8, the Mg-doped AlGaN layer 7, the InGaN layer 6, the Si-doped GaN layer 5, and the Si-doped GaN layer 4 are partially removed by etching or the like, and an n electrode is formed on the exposed surface of the Si-doped GaN layer 4. 9 is formed, and a p-electrode 10 is provided on substantially the entire upper surface of the Mg-doped GaN layer 8. In this embodiment, the n-type nitride semiconductor described in the claims corresponds to the Si-doped GaN layer 4 serving as the n-type contact layer, and the p-type nitride semiconductor serves as the p-type contact layer. This corresponds to the GaN layer 8.

本実施の形態において、ｐ電極１０は、ＬＥＤからの光を反射させる光反射部１０ａ（以下「ｐ光反射部」と呼ぶこともある。）と、該光反射部１０ａとは別に設けられ、最終的に外部リード電極と接続するために導電性部材が接続されるパッド部１０ｂ（以下「ｐパッド部」という）とからなる。ｐ光反射部１０ａは、ｐ型コンタクト層８側から順に、第１の層１０ａ−１と、ＬＥＤからの光の主波長において、第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２とから少なくとも構成される。ここで、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８より屈折率が低く、ｐ型コンタクト層８からの光の一部が全反射し、他の光は透過させる。また、第１の層１０ａ−１よりも反射率の高い第２の層１０ａ−２は、第一の層１０ａ−１を透過した光を全反射させるような構成とされる。   In the present embodiment, the p-electrode 10 is provided separately from the light reflecting portion 10a that reflects light from the LED (hereinafter also referred to as “p light reflecting portion”) and the light reflecting portion 10a. A pad portion 10b (hereinafter referred to as a “p pad portion”) to which a conductive member is connected in order to be finally connected to the external lead electrode. The p-light reflecting portion 10a includes, in order from the p-type contact layer 8 side, a second layer having a reflectance higher than that of the first layer 10a-1 and the first layer 10a-1 at the dominant wavelength of light from the LED. And at least the layer 10a-2. Here, the first layer 10a-1 has a refractive index lower than that of the p-type contact layer 8, so that a part of the light from the p-type contact layer 8 is totally reflected and other light is transmitted. Further, the second layer 10a-2 having a higher reflectance than the first layer 10a-1 is configured to totally reflect the light transmitted through the first layer 10a-1.

次に、ｐ光反射部１０ａを構成する具体的な材料について説明する。第一の層１０ａ−１は、発光素子からの光の少なくとも一部を透過させる透明導電膜よりなり、例えば、亜鉛、インジウム、スズ、マグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物、より具体的には具体的には、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎの複合酸化物）、ＭｇＯ等で示されるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ等の酸化物を含む抵抗の低い透明導電膜よりなる。さらに、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８に対してＮｉ、Ｃｏ等の金属もしくはその酸化物を介して積層されることが好ましい。このように構成することによって、第一の層１０ａ−１は、ｐ型コンタクト層８とよりオーミック接触しやすくなる。また、第二の層１０ａ−２は、該透明導電膜の少なくとも一部を被覆し、該透明導電膜からの透過光を反射させる金属、合金或いは酸化物から選択された少なくとも一種よりなる。例えば、第二の層１０ａ−２は、アルミニウム、チタン、白金、ロジウム、銀、パラジウム、イリジウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金あるいは酸化物を含む層である。また、ｐパッド部１０ｂは、ｐ型コンタクト層８側から順に、第一の層１０ｂ−１と、第二の層１０ｂ−２とから少なくとも構成される。ここで、第二の層１０ｂ−２は、発光素子からの光の主波長において、第一の層１０ｂ−１よりも反射率の高いことが好ましい。 Next, a specific material constituting the p light reflecting portion 10a will be described. The first layer 10a-1 is made of a transparent conductive film that transmits at least part of light from the light emitting element. For example, the first layer 10a-1 is an oxide containing at least one element selected from the group consisting of zinc, indium, tin, and magnesium. More specifically, an oxide of Zn, In, Sn, Mg, etc. represented by ZnO, In 2 O 3 , SnO 2 , ITO (complex oxide of In and Sn), MgO, etc. It consists of a transparent conductive film with low resistance. Furthermore, the first layer 10a-1 is preferably laminated on the p-type contact layer 8 via a metal such as Ni or Co or an oxide thereof. By configuring in this way, the first layer 10a-1 is more easily in ohmic contact with the p-type contact layer 8. The second layer 10a-2 is made of at least one selected from a metal, an alloy, or an oxide that covers at least a part of the transparent conductive film and reflects transmitted light from the transparent conductive film. For example, the second layer 10a-2 is a layer containing a metal, an alloy, or an oxide containing at least one element selected from the group consisting of aluminum, titanium, platinum, rhodium, silver, palladium, and iridium. The p pad portion 10b is composed of at least a first layer 10b-1 and a second layer 10b-2 in order from the p-type contact layer 8 side. Here, the second layer 10b-2 preferably has a higher reflectance than the first layer 10b-1 at the main wavelength of light from the light emitting element.

本実施の形態において、ｎ電極９は、ｎ型コンタクト層４側から順に、第１の層９−１と、第２の層９−２とから少なくとも構成される。ｎ電極の第１の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、ｎ型コンタクト層４との接着性、接触抵抗、光透過性を総合的に考慮すると、Ｔｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。   In the present embodiment, the n-electrode 9 includes at least a first layer 9-1 and a second layer 9-2 in order from the n-type contact layer 4 side. The material constituting the first layer of the n-electrode is not particularly limited, but Ti, V, Cr, Mn, Co, Zn, Nb, Mo, Ru, Ta, Re, W, Ni, Mg, Zr At least one of In, Sn, and ITO can be preferably used. Among these, considering comprehensively the adhesion to the n-type contact layer 4, contact resistance, and light transmittance, Ti, Nb, ITO, more preferably Ti, Nb, and more preferably Ti can be suitably used. .

また、ｐパッド部１０ｂにおける第１の層１０ｂ−１を構成する材料は、特に限定されるものではないが、ｎ電極の第１の層９−１と同様にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、ｐ光反射部１０ａとの接着性、光透過性を総合的に考慮すると、Ｔｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。   Further, the material constituting the first layer 10b-1 in the p pad portion 10b is not particularly limited, but Ti, V, Cr, Mn, and the like as in the first layer 9-1 of the n-electrode. At least one of Co, Zn, Nb, Mo, Ru, Ta, Re, W, Ni, Mg, Zr, In, Sn, and ITO can be suitably used. Among these, considering comprehensively the adhesiveness and light transmittance with the p-light reflecting portion 10a, Ti, Nb, ITO, more preferably Ti, Nb, and more preferably Ti can be suitably used.

ｎ電極９の第二の層９−２、及びｐ電極１０の第２の層１０ａ−２は、第１の層を透過した光を反射させると共に、第１の層と一体となってより低い接触抵抗が得られる材料が選択される。第２の層は、光を反射させることを主な目的とするので、その膜厚は材料によっても異なるが１００Å以上、より好ましくは１５０Å以上にすることができる。また、膜厚の上限としては、製造効率を考慮して、１００００Å以下が好ましい。なお、第２の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属、合金、あるいは酸化物を好適に用いることができる。その中でも、第１の層との接着性、接触抵抗（特にｎ電極）、光反射性を総合的に考慮すると、Ｒｈ、Ａｌ、Ａｇが特に好ましい。さらに、Ａｌは拡散、Ａｇはマイグレーション等が問題となる可能性があるので、信頼性を加味するとＲｈが最も好ましい。   The second layer 9-2 of the n-electrode 9 and the second layer 10a-2 of the p-electrode 10 reflect the light transmitted through the first layer and are lower together with the first layer. A material that provides contact resistance is selected. The main purpose of the second layer is to reflect light. The thickness of the second layer varies depending on the material, but can be 100 mm or more, more preferably 150 mm or more. Further, the upper limit of the film thickness is preferably 10,000 mm or less in consideration of production efficiency. The material constituting the second layer is not particularly limited, but a metal, an alloy containing at least one element selected from the group consisting of Ag, Rh, Al, Ti, Pt, Pd, and Ir, Or an oxide can be used conveniently. Among these, Rh, Al, and Ag are particularly preferable in view of the adhesiveness with the first layer, contact resistance (particularly, n electrode), and light reflectivity. Further, since diffusion of Al may cause a problem such as migration of Ag, Rh is most preferable in consideration of reliability.

本実施の形態のＬＥＤは、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂが共に同様の構成となっている。このように構成することにより、ｎ電極及びｐパッド部において、光を反射させ光の取り出し効率の向上が期待できると共に、ｎ電極とｐパッド部を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することが可能となる。   In the LED of the present embodiment, both the n electrode 9 and the p pad portion 10b have the same configuration. With this configuration, the n electrode and the p pad portion can reflect light to improve the light extraction efficiency, and the n electrode and the p pad portion can be formed at the same time, thus simplifying the manufacturing process. Can be realized.

また、ｐパッド部１０ｂは、基本的にｐ型コンタクト層８との接触抵抗（オーミック接触）を考慮する必要がないので（ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１がｐ型コンタクト層８とオーミック接触するため、ｐパッド部１０ｂを変化させても接触抵抗にあまり差がでない）、その部材、積層構造をｎ電極と同一にしｎ電極と一括して形成した方が、作業効率等を考慮すると結果的には好ましい。   Further, the p-pad portion 10b basically does not need to consider contact resistance (ohmic contact) with the p-type contact layer 8 (the first layer 10a-1 of the p-light reflecting portion 10a is a p-type contact layer). 8 is in ohmic contact with each other, so there is not much difference in contact resistance even if the p-pad portion 10b is changed). Is preferable as a result.

なお、ここではｎ電極９とｐパッド部１０ｂの双方が、上述したような第１の層及び第２の層を備える構成としたが、少なくとも一方が第１の層及び第２の層を備える構成とすることにより、本件発明の効果を得ることができる。勿論、本実施の形態のように、ｎ電極とｐパッド部の双方を上記構成とすることによりその効果を最大限に得られることは言うまでもない。   Here, both the n-electrode 9 and the p-pad portion 10b are configured to include the first layer and the second layer as described above, but at least one includes the first layer and the second layer. With the configuration, the effect of the present invention can be obtained. Of course, it goes without saying that the effect can be maximized by configuring both the n-electrode and the p-pad portion as described above, as in this embodiment.

また、本実施の形態におけるｐパッド部は、ｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２に設ける構成としたが、本件発明はこれに限定されず、例えば、ｐパッド部１０ｂとｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２とがｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１に対してそれぞれ異なる位置に配置されることにより、ｐパッド部１０ｂをｐ光反射部１０ａの第二の層１０ａ−２に設ける代わりに、ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１上に直接設けられても良い。   Moreover, although the p pad part in this Embodiment was set as the structure provided in the 2nd layer 10a-2 of the p light reflection part 10a, this invention is not limited to this, For example, p pad part 10b and p light The second layer 10a-2 of the reflecting part 10a and the first layer 10a-1 of the p light reflecting part 10a are arranged at different positions, so that the p pad part 10b is replaced with the p light reflecting part 10a. Instead of being provided on the second layer 10a-2, it may be provided directly on the first layer 10a-1 of the p-light reflecting portion 10a.

（実施の形態２）
図３、４に基づいて、本実施の形態のＬＥＤについて説明する。本実施の形態のＬＥＤはｐ電極が実施の形態１のＬＥＤと下記の点で異なる他は、実施の形態１のＬＥＤと同様である。図４は、本実施の形態のＬＥＤを電極配置面側から見た概略図である。また、図３は、本実施の形態のＬＥＤの層構成を示す模式的断面図であり、図４のＸ−Ｘ部における断面を表す。 (Embodiment 2)
The LED of the present embodiment will be described based on FIGS. The LED of the present embodiment is the same as the LED of the first embodiment except that the p-electrode differs from the LED of the first embodiment in the following points. FIG. 4 is a schematic view of the LED of the present embodiment as viewed from the electrode arrangement surface side. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of the LED of the present embodiment, and represents a cross section taken along the line XX of FIG.

本実施の形態のＬＥＤは、ｐ光反射部１０ａとｐパッド部１０ｂが共に、ｐ型コンタクト層８に接している。詳細には、ｐ光反射部１０ａはｐ型コンタクト層８が露出するような開口部を有し、その開口部の露出面にてｐパッド部１０ｂがｐ型コンタクト層８と接している。なお、図４における点線はこの開口部を示すものである。   In the LED of the present embodiment, both the p-light reflecting portion 10 a and the p-pad portion 10 b are in contact with the p-type contact layer 8. Specifically, the p-light reflecting portion 10 a has an opening that exposes the p-type contact layer 8, and the p-pad portion 10 b is in contact with the p-type contact layer 8 on the exposed surface of the opening. In addition, the dotted line in FIG. 4 shows this opening part.

このように構成することにより、例え、ｐ型コンタクト層８とｐ光反射部１０ａとの接着性が弱くても、及び／又はｐ光反射部１０ａに対してｐパッド部１０ｂの接着性が弱くても、ｐパッド部１０ｂをｐ型コンタクト層８に直接配置することができるので、ｐ光反射部１０ａ上にｐパッド部１０ｂを設けるよりも、ｐパッド部１０ｂの剥がれを大幅に軽減することができる。すなわち、本実施の形態は、ｐパッド部１０ｂとｐ型コンタクト層８との接着性が、ｐ光反射部１０ａとｐ型コンタクト層８との接着性、あるいはｐパッド部１０ｂとｐ光反射部１０ａとの接着性の少なくとも一方よりも強い場合に特に有効な構成である。   With this configuration, even if the adhesiveness between the p-type contact layer 8 and the p-light reflecting portion 10a is weak and / or the adhesiveness of the p-pad portion 10b is weak with respect to the p-light reflecting portion 10a. However, since the p-pad portion 10b can be directly arranged on the p-type contact layer 8, peeling of the p-pad portion 10b can be greatly reduced as compared with the case where the p-pad portion 10b is provided on the p-light reflecting portion 10a. Can do. That is, in the present embodiment, the adhesion between the p pad portion 10b and the p-type contact layer 8 is the same as the adhesion between the p light reflection portion 10a and the p type contact layer 8, or the p pad portion 10b and the p light reflection portion. This configuration is particularly effective when it is stronger than at least one of the adhesiveness with 10a.

なお、本実施の形態において、ｐ光反射部１０ａはｐ型コンタクト層８が露出するような開口部を有する構成としたが、本件発明はこれに限定されず、例えば、ｐパッド部１０ｂとｐ光反射部１０ａとがｐ型コンタクト層８に対してそれぞれ異なる位置に配置されることにより、ｐパッド部１０ｂは、ｐ光反射部１０ａの上に設けられる代わりに、ｐ型コンタクト層８に直接設けられても良い。   In the present embodiment, the p light reflecting portion 10a has an opening that exposes the p-type contact layer 8. However, the present invention is not limited to this, and, for example, the p pad portion 10b and the p light reflecting portion 10a. Since the light reflecting portion 10a and the p-type contact layer 8 are arranged at different positions, the p pad portion 10b is directly provided on the p-type contact layer 8 instead of being provided on the p light reflecting portion 10a. It may be provided.

以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。   Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.

図１、２に基づいて、本実施例のＬＥＤについて説明する。本実施例の半導体積層構造は実施の形態１と同様である。なお、図１は、図２のＸ−Ｘ方向における模式的な断面図であり、図２は、本実施例におけるＬＥＤを電極配置面から見た模式的な上面図である。   The LED of this embodiment will be described with reference to FIGS. The semiconductor stacked structure of this example is the same as that of the first embodiment. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view in the XX direction of FIG. 2, and FIG. 2 is a schematic top view of the LED in this example as viewed from the electrode arrangement surface.

本実施例のＬＥＤに設けられるｎ電極９及びｐパッド部１０ｂの第１の層にはＷ、第２の層にはＰｔを用い、ｎ電極及びｐパッド部１０ｂの全体としてはＷ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）とする。なお、本明細書中において「Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ」とは、元素記号の記載順に半導体側から積層することを示し、ｎ電極９においては、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕがそれぞれ図１の９−１、９−２、９−３に対応し、ｐパッド部１０ｂにおいてはＷ／Ｐｔ／Ａｕがそれぞれ図１の１０ｂ−１、１０ｂ−２、１０ｂ−３に対応する。また、本実施例におけるｐ光反射部１０ａは、第一の層１０ａ−１としてＩＴＯ（２０００Å）、および第二の層１０ａ−２としてＡｌ（２０００Å）からなる。ここで、ｐ型コンタクト層８（屈折率は２．５０）と第一の層１０ａ−１であるＩＴＯ（屈折率は２．１２）との界面において、発光の一部が全反射するように構成してある。   W is used for the first layer of the n electrode 9 and the p pad portion 10b provided in the LED of this embodiment, Pt is used for the second layer, and W (200 （) as a whole of the n electrode and the p pad portion 10b. / Pt (2000 cm) / Au (5000 cm). In this specification, “W / Pt / Au” indicates that layers are stacked from the semiconductor side in the order of description of the element symbols. In the n-electrode 9, W / Pt / Au is 9-1 in FIG. 9-2 and 9-3, and in the p pad portion 10b, W / Pt / Au corresponds to 10b-1, 10b-2 and 10b-3 in FIG. The p-light reflecting portion 10a in the present embodiment is made of ITO (2000 （) as the first layer 10a-1 and Al (2000Å) as the second layer 10a-2. Here, at the interface between the p-type contact layer 8 (refractive index is 2.50) and the first layer 10a-1 ITO (refractive index is 2.12), a part of light emission is totally reflected. It is configured.

上記構成中ＰｔはＷがＡｕに、又はＡｕがＷに拡散するのを軽減するためのバリア層として用い、最終層のＡｕは、Ａｕワイヤーを接続しやすくするためである。このように比較的高融点の材料を用いることにより、その前後の部材の拡散を効果的に軽減することができる。   In the above configuration, Pt is used as a barrier layer for reducing the diffusion of W into Au or Au into W, and Au in the final layer is for making it easy to connect the Au wire. Thus, by using a material having a relatively high melting point, diffusion of the members before and after that can be effectively reduced.

本実施例の構成とすることにより、ｐ型コンタクト層８からｐ電極に向かう光のほとんどは、ＩＴＯとＡｌとの界面において全反射され、ＩＴＯを透過する一部の光もＡｌにより全反射される。従って、ｐ型コンタクト層８に直接Ａｌを設けた発光素子と比較して、発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。   With the configuration of this embodiment, most of the light traveling from the p-type contact layer 8 to the p-electrode is totally reflected at the interface between ITO and Al, and part of the light transmitted through the ITO is also totally reflected by Al. The Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting element can be improved as compared with the light emitting element in which Al is directly provided on the p-type contact layer 8.

図３、４に基づいて、本実施例のＬＥＤについて説明する。本実施例のＬＥＤは、以下の点が異なる他は実施例１のＬＥＤと同様に構成する。なお、図３は、図４のＸ−Ｘ方向における模式的な断面図であり、図４は、本実施例におけるＬＥＤを電極配置面から見た模式的な上面図である。   The LED of the present embodiment will be described based on FIGS. The LED of this example is configured in the same manner as the LED of Example 1 except for the following points. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view in the XX direction of FIG. 4, and FIG. 4 is a schematic top view of the LED in this example as viewed from the electrode arrangement surface.

すなわち、ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１としてインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯ（２０００Å）、第二の層１０ａ−２としてＡｌ（２０００Å）を用いる。また、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂとしてＴｉ（６０Å）／Ｒｈ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）を用いている。   That is, ITO (2000 ス ズ), which is indium tin oxide, is used as the first layer 10a-1 of the p-light reflecting portion 10a, and Al (2000Å) is used as the second layer 10a-2. Further, Ti (60 Å) / Rh (200 Å) / Pt (2000 Å) / Au (5000 Å) is used as the n electrode 9 and the p pad portion 10b.

Ｔｉは直下の部材（ｎ電極の場合はｎ型コンタクト層４、ｐ電極の場合は光反射部１０ａ）との密着性、接触抵抗（特にｎ電極の場合）、透光性等を考慮して選択する。Ｒｈを選択する主な理由は、Ｔｉとの密着性、接触抵抗は勿論、窒化物半導体を活性層とする波長３７０〜５００ｎｍの光に対する反射率が良いことである。さらに、ＰｔはＲｈがＡｕに、又はＡｕがＲｈに拡散するのを軽減するためのバリア層として用い、最終層のＡｕは、Ａｕワイヤーを接続しやすくするためである。   Ti takes into consideration the adhesion to the member directly below (n-type contact layer 4 in the case of n electrode, light reflecting portion 10a in the case of p electrode), contact resistance (particularly in the case of n electrode), translucency, etc. select. The main reason for selecting Rh is that it has good reflectivity for light with a wavelength of 370 to 500 nm using a nitride semiconductor as an active layer, as well as adhesion to Ti and contact resistance. Further, Pt is used as a barrier layer for reducing diffusion of Rh into Au or Au into Rh, and Au in the final layer is for making it easy to connect Au wires.

なお、ＲｈはＲｈ単体で、又はＰｔと一体となって、Ａｕ又はＰｔの拡散を軽減するためのバリア層としても機能すると考えられる。このように比較的高融点の材料を複数用いることにより、その前後の部材の拡散を効果的に軽減することができる。ちなみに、Ｔｉの融点は１６６７℃、Ｒｈの融点は１９６０℃、Ｐｔの融点は１７６９℃、Ａｕの融点は１０６４℃である。なお、Ａｕの拡散防止機能は多少落ちるものの、Ｐｔを用いずにＴｉ／Ｒｈ／Ａｕとすることも可能である。   In addition, it is thought that Rh functions as a barrier layer for reducing diffusion of Au or Pt alone or in combination with Pt. By using a plurality of materials having a relatively high melting point in this way, diffusion of members before and after that can be effectively reduced. Incidentally, the melting point of Ti is 1667 ° C., the melting point of Rh is 1960 ° C., the melting point of Pt is 1769 ° C., and the melting point of Au is 1064 ° C. It should be noted that Ti / Rh / Au can be used without using Pt, although the function of preventing diffusion of Au is somewhat reduced.

第１の層としてのＴｉを用いずに、第２の層であるＲｈをｎ型コンタクト層４に直接形成すると、３７０〜５５０ｎｍの光に対する反射率は飛躍的に向上するものの、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗が大きくなり、ＬＥＤとして十分に機能しない。また、Ｔｉを３００Å以上にすると、３７０〜５５０ｎｍの光に対する反射率が低下するばかりか、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗も大きくなってしまう。本願発明者は、このような実験結果をもとに、Ｔｉ／Ｒｈ系においては、Ｔｉの膜厚は１０〜３００Å、好ましくは２０〜２００Å、より好ましくは３０〜１２０Å、さらに好ましくは４０〜８０Å、より好ましくは５０〜７０Åとすることにより、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗と光反射率を両立して得ることができることを見いだした。   When Rh, which is the second layer, is directly formed on the n-type contact layer 4 without using Ti as the first layer, the reflectivity for light of 370 to 550 nm is greatly improved, but the n-type contact layer The contact resistance with 4 becomes large and does not function sufficiently as an LED. Further, when Ti is made 300 mm or more, not only the reflectance for light of 370 to 550 nm is lowered, but also the contact resistance with the n-type contact layer 4 is increased. Based on such experimental results, the inventor of the present application has a Ti film thickness of 10 to 300 mm, preferably 20 to 200 mm, more preferably 30 to 120 mm, and even more preferably 40 to 80 mm in the Ti / Rh system. It was found that the contact resistance with the n-type contact layer 4 and the light reflectivity can be both achieved by setting the thickness to 50 to 70 mm more preferably.

ｐ電極の光反射部にＩＴＯを用いることにより、従来技術と比較して光取り出し効率を大幅に向上させることができる。また、ｐ型コンタクト層８上にＮｉあるいはＮｉＯを介してからＩＴＯを設けることにより、オーミック接触が容易に得られる。このように構成することにより、ｐ型コンタクト層８とｐ電極のオーミック特性を確保しつつ、ＬＥＤからの光を効果的に取り出すことができる。   By using ITO for the light reflecting portion of the p-electrode, the light extraction efficiency can be greatly improved as compared with the prior art. Also, ohmic contact can be easily obtained by providing ITO on the p-type contact layer 8 via Ni or NiO. By comprising in this way, the light from LED can be taken out effectively, ensuring the ohmic characteristic of the p-type contact layer 8 and p electrode.

しかしながら、ＩＴＯは金属からなるｐパッド部１０ｂとの密着性が悪く、このためＩＴＯに直接ｐパッド部１０ｂを設けると後に剥がれが生じてしまう場合がある。本実施例はこのような場合に有効な構成であり、ｐ光反射部１０ａであるＩＴＯは、ｐ型コンタクト層８が露出するような開口部を有する。さらに、該開口部にて、ｐパッド部１０ｂは、ｐ光反射部１０ａの第一の層１０ａ−１、第二の層１０ａ−２およびｐ型コンタクト層８と直接接するように構成されている。つまり、ｐパッド部１０ｂとｐ型コンタクト層８との接着力が、ｐパッド部１０ｂとｐ光反射部１０ａとの接着力及び／又はｐ光反射部１０ａとｐ型コンタクト層８との接着力よりも強いことを特徴としている。また、ｐ光反射部１０ａとｐパッド部１０ｂとは開口部周辺において重複するように接して設けられており、これにより効果的に電流を注入することができる。   However, ITO has poor adhesion to the p-pad portion 10b made of metal. For this reason, if the p-pad portion 10b is directly provided on the ITO, peeling may occur later. This embodiment is effective in such a case, and the ITO that is the p-light reflecting portion 10a has an opening through which the p-type contact layer 8 is exposed. Further, the p pad portion 10b is configured to be in direct contact with the first layer 10a-1, the second layer 10a-2, and the p-type contact layer 8 of the p light reflecting portion 10a at the opening. . That is, the adhesive force between the p pad portion 10b and the p-type contact layer 8 is the adhesive force between the p pad portion 10b and the p light reflecting portion 10a and / or the adhesive force between the p light reflecting portion 10a and the p type contact layer 8. It is characterized by being stronger. Further, the p-light reflecting portion 10a and the p-pad portion 10b are provided in contact with each other so as to overlap in the vicinity of the opening, thereby effectively injecting current.

この構成では基本的にｐパッド部１０ｂとｐ型コンタクト層８との接触面直下はオーミック接触していないので、その領域については電流が流れにくいが、元々ｐパッド部１０ｂ直下は光にくいので不利益はない。むしろ、ｐパッド部１０ｂの剥がれを軽減しつつ、電流を広げることが可能になるので、結果的には好ましいものとなる。   In this configuration, the ohmic contact is basically not provided immediately below the contact surface between the p pad portion 10b and the p-type contact layer 8, so that current does not flow easily in that region, but the light immediately below the p pad portion 10b is not easily light. There is no profit. Rather, the current can be expanded while reducing the peeling of the p-pad portion 10b, which is preferable as a result.

本実施例の構成は、ｐパッド部１０ｂが、ｐ光反射部１０ａを介さずに直接ｐ型コンタクト層８と接しているので、ｐパッド部１０ｂの剥がれを防止することができる。もちろん、本実施例のような構成にすることにより、例えばＷ／Ｐｔ／Ａｕのような他の実施例におけるｐパッド部１０ｂであっても、ｐパッド部１０ｂの剥がれを防止することができるので好ましい。   In the configuration of the present embodiment, the p pad portion 10b is in direct contact with the p-type contact layer 8 without passing through the p light reflecting portion 10a, so that the p pad portion 10b can be prevented from peeling off. Of course, by adopting the configuration as in this embodiment, it is possible to prevent the p-pad portion 10b from being peeled even in the case of the p-pad portion 10b in another embodiment such as W / Pt / Au. preferable.

なお、本実施例では、ｐ光反射部１０ａとしてＮｉおよびインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯを用いて説明したが、ＩＴＯ単体を用いることも可能である。   In the present embodiment, the p light reflecting portion 10a has been described using ITO, which is Ni and indium tin oxide, but it is also possible to use a single ITO.

図５は、本発明にかかる半導体発光素子を用いた発光装置の模式的な上面図を示し、図６は、図５における対角線方向の模式的な断面図を示す。以下、図面を参照しながら本実施例にかかる半導体発光素子および発光装置について詳述する。   FIG. 5 is a schematic top view of a light emitting device using the semiconductor light emitting element according to the present invention, and FIG. 6 is a schematic cross-sectional view in the diagonal direction in FIG. Hereinafter, a semiconductor light emitting element and a light emitting device according to this example will be described in detail with reference to the drawings.

放熱性のよいマウント基板５００上に、絶縁性の材料５０１として例えばＳｉＯ２を形成し、その上に例えばＡｌやＡｌを含む合金等の第１の金属膜５０２と第２の金属膜５０３を、第１の金属膜を第２の金属膜が囲むように形成する。同一面側にｎ電極６０２およびｐ電極６０３が形成された２以上の窒化物半導体発光素子６０１をｎ電極６０２が第１の金属膜５０２と接するように、ｐ電極６０３が第２の金属膜と接続するように形成する。ここで、第１の金属膜５０２に接続する電極はｐ電極６０３で、第２の金属膜５０３に接続する電極はｎ電極６０２であってもよい。すなわち、複数の窒化物半導体発光素子が一つの金属膜に同じ導電型で接していればよい。また第１の金属膜５０２と第２の金属膜５０３は、お互いが接していなければよく、図５に示されるように、第１の金属膜５０２が正方形であり、第２の金属膜５０３が正方形の第１の金属膜と等間隔で離間した形状の場合や、第１の金属膜が円形であり、第２の金属膜が円形の第１の金属膜と等間隔で離間したような形状の場合でもよい。 For example, SiO 2 is formed as an insulating material 501 on the mount substrate 500 with good heat dissipation, and a first metal film 502 and a second metal film 503 such as Al or an alloy containing Al are formed thereon. The first metal film is formed so as to be surrounded by the second metal film. Two or more nitride semiconductor light emitting devices 601 in which an n-electrode 602 and a p-electrode 603 are formed on the same plane side are connected to the second metal film so that the n-electrode 602 is in contact with the first metal film 502. Form to connect. Here, the electrode connected to the first metal film 502 may be the p-electrode 603, and the electrode connected to the second metal film 503 may be the n-electrode 602. That is, a plurality of nitride semiconductor light emitting elements may be in contact with one metal film with the same conductivity type. The first metal film 502 and the second metal film 503 are not required to be in contact with each other. As illustrated in FIG. 5, the first metal film 502 is square and the second metal film 503 is In the case of a shape spaced apart from the square first metal film at equal intervals, or a shape in which the first metal film is circular and the second metal film is spaced from the circular first metal film at equal intervals It may be the case.

また第１の金属膜５０２とｎ電極６０２、および第２の金属膜５０３とｐ電極６０３は、３５０℃で形成された少なくともＡｕとＳｎを含んでなる共晶合金５０５によって接合されている。共晶合金は窒化物半導体素子側面に回り込まない程度として５μｍ以下となるように形成する。   Further, the first metal film 502 and the n-electrode 602, and the second metal film 503 and the p-electrode 603 are joined by a eutectic alloy 505 containing at least Au and Sn formed at 350 ° C. The eutectic alloy is formed to have a thickness of 5 μm or less so as not to go around the side surface of the nitride semiconductor element.

複数の窒化物半導体発光素子が第１の金属膜と第２の金属膜に接続された状態で、さらに樹脂５０４を注入することで保護し、窒化物半導体発光装置を得る。   In a state where the plurality of nitride semiconductor light emitting elements are connected to the first metal film and the second metal film, further protection is performed by injecting resin 504 to obtain a nitride semiconductor light emitting device.

以上のように、複数の窒化物半導体発光素子をフェイスダウンでマウント基板上に形成することによって、複数の窒化物半導体発光素子が等電位で実装でき、フェイスアップで実装するよりも、窒化物半導体発光装置の小型化が図れる。また接合に共晶合金を用いることで、小型化にしても比較的発光面積を大きく取ることができる。また、第１の金属膜と第２の金属膜の膜厚を調節することで、素子の発光面を水平としたり、水平から傾斜して設けたりすることが容易にできる。   As described above, by forming a plurality of nitride semiconductor light-emitting elements on the mount substrate face-down, a plurality of nitride semiconductor light-emitting elements can be mounted at an equipotential, and nitride semiconductors can be mounted rather than mounting face-up. The light emitting device can be reduced in size. Further, by using a eutectic alloy for bonding, a relatively large light emitting area can be obtained even if the size is reduced. Further, by adjusting the film thicknesses of the first metal film and the second metal film, the light emitting surface of the element can be easily made horizontal or inclined from the horizontal.

図１は、本発明の一実施例にかかる模式的な断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view according to one embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施例にかかる模式的な上面図である。FIG. 2 is a schematic top view according to one embodiment of the present invention. 図３は、本発明の一実施例にかかる模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view according to one embodiment of the present invention. 図４は、本発明の一実施例にかかる模式的な上面図である。FIG. 4 is a schematic top view according to one embodiment of the present invention. 図５は、本発明の一実施例にかかる模式的な上面図である。FIG. 5 is a schematic top view according to one embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施例にかかる模式的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view according to one embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１・・・サファイア基板
２・・・ＧａＮバッファ層
３・・・ノンドープＧａＮ層
４・・・ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層
５・・・ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層
６・・・活性層となるＩｎＧａＮ層
７・・・ｐ型クラッドとなるＭｇドープＡｌＧａＮ層
８・・・ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層
９、６０２・・・ｎ電極
９−１・・・ｎ電極の第１の層
９−２・・・ｎ電極の第２の層
９−３・・・ｎ電極の第３の層
９−４・・・ｎ電極の第４の層
１０、６０３・・・ｐ電極
１０ａ・・・ｐ光反射部
１０ａ−１・・・ｐ光反射部の第１の層
１０ａ−２・・・ｐ光反射部の第２の層
１０ｂ・・・ｐパッド部
１０ｂ−１・・・ｐパッド部の第１の層
１０ｂ−２・・・ｐパッド部の第２の層
１０ｂ−３・・・ｐパッド部の第３の層
１０ｂ−４・・・ｐパッド部の第４の層
５００・・・マウント基板
５０１・・・絶縁性の材料
５０２・・・第１の金属膜
５０３・・・第２の金属膜
５０４・・・樹脂
５０５・・・共晶合金
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sapphire substrate 2 ... GaN buffer layer 3 ... Non-doped GaN layer 4 ... Si-doped GaN layer 5 serving as an n-type contact layer 5 ... Si-doped GaN layer 6 serving as an n-type cladding layer ..InGaN layer 7 as an active layer ... Mg doped AlGaN layer 8 as a p-type cladding ... Mg doped GaN layer 9, 602 ... n electrode 9-1 ... n as a p-type contact layer The first layer 9-2 of the electrode ... The second layer 9-3 of the n electrode ... The third layer 9-4 of the n electrode ... The fourth layer 10, 603 of the n electrode P electrode 10a... P light reflecting portion 10a-1... P light reflecting portion first layer 10a-2... P light reflecting portion second layer 10b. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st layer 10b-2 of p pad part ... 2nd layer 10b-3 ... p pad part of p pad part Third layer 10b-4 ... p pad fourth layer 500 ... mount substrate 501 ... insulating material 502 ... first metal film 503 ... second metal film 504: Resin 505: Eutectic alloy

Claims (4)

ｐ電極と接するｐ型コンタクト層を含むｐ型窒化物半導体層と、ｎ電極を有するｎ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｐ電極は、前記ｐ型コンタクト層側から順に、前記ｐ型コンタクト層と接し、かつ前記窒化物半導体発光素子からの光の一部を透過させる透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層の少なくとも一部を被覆し該第一の層からの透過光を反射させる第二の層と、が少なくとも積層され、
前記第一の層は、２０００Åの膜厚を有するインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯからなり、
前記第二の層は、２０００Åの膜厚を有するアルミニウム（Ａｌ）からなり、
前記ｐ型コンタクト層の屈折率が２．５０であり、前記第一の層の屈折率が２．１２であり、前記第一の層は、前記ｐ型コンタクト層よりも屈折率が低いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 In a nitride semiconductor light emitting device having a p-type nitride semiconductor layer including a p-type contact layer in contact with a p-electrode and an n-type nitride semiconductor layer having an n-electrode,
The p-electrode, in order from the p-type contact layer side, is in contact with the p-type contact layer and includes a first layer made of a transparent conductive film that transmits a part of light from the nitride semiconductor light-emitting element; A second layer that covers at least a portion of the first layer and reflects transmitted light from the first layer, and is laminated at least.
The first layer is made of ITO which is indium tin oxide having a thickness of 2000 mm ,
The second layer is made of aluminum (Al) having a thickness of 2000 mm ,
Wherein the refractive index of the p-type contact layer is 2.50, the the refractive index of the first layer is 2.12, the first layer, said p-type contact layer by remote refractive index is low A nitride semiconductor light emitting device characterized by the above. 前記第二の層にはパッド部がさらに積層されており、
前記第一の層及び前記第二の層は、前記パッド部の中央に前記ｐ型コンタクト層が露出されるように形成された開口部を有し、
前記パッド部は、露出された前記ｐ型コンタクト層とオーミック接触せずに接すると共に、前記開口部周辺において前記第二の層と接していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。 A pad portion is further laminated on the second layer,
The first layer and the second layer have an opening formed so that the p-type contact layer is exposed at the center of the pad portion,
2. The nitride semiconductor according to claim 1, wherein the pad portion is in contact with the exposed p-type contact layer without being in ohmic contact, and is in contact with the second layer around the opening. Light emitting element. 前記パッド部は、前記開口部内にて、前記第一の層、前記第二の層、および、前記ｐ型コンタクト層と接していることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。 3. The nitride semiconductor light emitting element according to claim 2, wherein the pad portion is in contact with the first layer, the second layer, and the p-type contact layer in the opening. 4. . 前記パッド部は、前記第一の層及前記第二の層よりも前記ｐ型コンタクト層との接着性が強いことを特徴とする請求項２又は３に記載の窒化物半導体発光素子。 4. The nitride semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the pad portion has higher adhesion to the p-type contact layer than the first layer and the second layer. 5.
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