JP5161720B2 - Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、発光層が窒化物半導体材料により形成された半導体発光素子およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a light emitting layer is relates to a semiconductor light-emitting element and a manufacturing method which is formed of a nitride semiconductor material.
従来から、発光層がGaN、InGaN、AlGaN、InAlGaNなどの窒化物半導体材料により形成されるとともに厚み方向の一表面側にアノード電極およびカソード電極が形成され、実装基板に対してフリップチップ実装して用いることが可能な半導体発光素子において、光取り出し効率を向上するためにアノード電極およびカソード電極での光吸収を抑制するようにした構造が各所で研究開発されている(例えば、特許文献1)。 Conventionally, a light emitting layer is formed of a nitride semiconductor material such as GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and an anode electrode and a cathode electrode are formed on one surface side in the thickness direction, and flip chip mounting is performed on a mounting substrate. In a semiconductor light emitting device that can be used, a structure in which light absorption at an anode electrode and a cathode electrode is suppressed in order to improve light extraction efficiency has been researched and developed in various places (for example, Patent Document 1).
ここにおいて、上記特許文献1に開示された半導体発光素子は、図5に示すように、サファイア基板からなる透光性基板1’の一表面側に形成されたGaN層からなるバッファ層2’と、バッファ層2’上に形成されたノンドープGaN層からなるノンドープ窒化物半導体層3’と、ノンドープ窒化物半導体層3’上に形成されたn形GaN層からなるn形窒化物半導体層4’と、n形窒化物半導体層4’上に形成され量子井戸構造を有する窒化物発光層5’と、窒化物発光層5’上に形成されたp形GaN層からなるp形窒化物半導体層6’と、p形窒化物半導体層6’の表面側に形成されたアノード電極7’と、n形窒化物半導体層4’における透光性基板1’側とは反対の表面側に形成されたカソード電極8’とを備え、p形窒化物半導体層6’とアノード電極7’との間に、p形窒化物半導体層6’における窒化物発光層5’側とは反対側に積層されp形窒化物半導体層よりも屈折率が小さなZnO膜からなる透明導電膜9’と、透明導電膜9’におけるp形窒化物半導体層6’側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層5’から放射された光を反射するAg膜からなる反射導電膜11’とを備えている。
Here, as shown in FIG. 5, the semiconductor light emitting device disclosed in
図5に示した構成の半導体発光素子では、アノード電極7’とカソード電極8’との間に順方向バイアス電圧を印加することにより窒化物発光層5’に注入された電子とホールとが再結合することで発光する。ここで、図5に示した構成の半導体発光素子は、実装基板にフリップチップ実装し透光性基板1’の他表面を光取り出し面として用いられるものであり、窒化物発光層5’からn形窒化物半導体層4’側へ放射された光が透光性基板1’を通して光取り出し面から出射されるとともに、p形窒化物半導体層6’側へ放射された光の一部がp形窒化物半導体層6’と透明導電膜9’との界面で両者の屈折率差に起因してフレネル反射されて光取り出し面から出射され、透明導電膜9’を透過した光が反射導電膜11’で反射されて光取り出し面から出射されることとなるので、光取り出し効率を高めることができる。
しかしながら、図5に示した構成の半導体発光素子では、透明導電膜9’と反射導電膜11’との密着性が低いので、実装基板にフリップチップ実装する際や当該フリップチップ実装後に透明導電膜9’から反射導電膜11’が剥離してしまい、光出力特性が低下してしまうという問題があった。
However, in the semiconductor light emitting device having the configuration shown in FIG. 5, since the adhesion between the transparent
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性の向上を図れる半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its object is a semiconductor light emitting element which can be improved in reliability while improving the light extraction efficiency and a method of manufacturing the same.
請求項1の発明は、n形窒化物半導体層と窒化物発光層とp形窒化物半導体層との積層構造を有し、p形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側にアノード電極が形成されるとともに、n形窒化物半導体層における窒化物発光層の積層側にカソード電極が形成された半導体発光素子であって、p形窒化物半導体層とアノード電極との間に、p形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側に積層されp形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜におけるp形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなり、透明導電膜の材料は、GZO、AZO、ITOの群から選択され、透明導電膜は、窒化物発光層から放射される光に対する消衰係数が0.001以下であることを特徴とする。
The invention of
この発明によれば、p形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側に積層されp形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜におけるp形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。 According to this invention, the p-type nitride semiconductor layer is laminated on the side opposite to the nitride light emitting layer side and has a refractive index smaller than that of the p-type nitride semiconductor layer, and the p-type nitride in the transparent conductive film A reflective conductive film which is formed on the side opposite to the semiconductor layer side and has conductivity and reflects light emitted from the nitride light emitting layer is provided, so that the light extraction efficiency can be improved, and the transparent conductive film An adhesive conductive film that is transparent to the light emitted from the nitride light emitting layer and has conductivity and increases the adhesion of the reflective conductive film to the transparent conductive film side is interposed between the conductive film and the reflective conductive film Therefore, the adhesive force of the reflective conductive film to the transparent conductive film side can be increased while suppressing a decrease in light extraction efficiency, and the reliability can be improved.
また、この発明によれば、透明導電膜の材料は、GZO、AZO、ITOの群から選択されるので、p形窒化物半導体層と透明導電膜とのオーミック接触を得ることができる。 Further, according to this invention, the material of the transparent conductive film, GZO, AZO, since it is selected from the group of ITO, it is possible to obtain an ohmic contact with the p-type nitride semiconductor layer and the permeable transparent conductive film.
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記反射導電膜の材料は、Agであることを特徴とする。 A second aspect of the invention is characterized in that, in the first aspect of the invention, the material of the reflective conductive film is Ag.
この発明によれば、前記反射導電膜の材料がAlである場合に比べて、前記窒化物発光層から放射される光に対する前記反射導電膜の反射率を高めることができる。 According to this invention, compared with the case where the material of the said reflective conductive film is Al, the reflectance of the said reflective conductive film with respect to the light radiated | emitted from the said nitride light emitting layer can be raised.
請求項3の発明は、請求項1又は2の発明において、前記接着導電膜の材料は、Pt、Ti、Al、Ni、Rh、Ga2O3、In2O3の群から選択されることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the material of the adhesive conductive film is selected from the group consisting of Pt, Ti, Al, Ni, Rh, Ga 2 O 3 , and In 2 O 3. It is characterized by.
この発明によれば、前記接着導電膜の膜厚を適宜設定することにより、光取り出し効率の低下を抑制しつつ前記透明導電膜側への前記反射導電膜の接着力を高めることができる。 According to this invention, by appropriately setting the film thickness of the adhesive conductive film, it is possible to increase the adhesive force of the reflective conductive film to the transparent conductive film side while suppressing a decrease in light extraction efficiency.
請求項4の発明は、請求項1乃至3の発明において、前記n形窒化物半導体層と前記カソード電極との間に、前記n形窒化物半導体層における前記窒化物発光層の積層側に形成され前記n形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜における前記n形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに前記窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなることを特徴とする。
The invention of
この発明によれば、前記n形窒化物半導体層における前記窒化物発光層の積層側に形成され前記n形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜における前記n形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに前記窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。
請求項5の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、透明導電膜の形成にあたっては、O 2 ガスアシストの電子ビーム蒸着法により成膜した後、N 2 ガスとO 2 ガスとの混合ガス中でアニールすることを特徴とする。
この発明によれば、透明導電膜の、窒化物発光層から放射される光に対する消衰係数を0.001以下とすることができる。
According to this invention, the transparent conductive film formed on the laminated side of the nitride light emitting layer in the n-type nitride semiconductor layer and having a refractive index smaller than that of the n-type nitride semiconductor layer, and the n-type in the transparent conductive film Since it is provided on the opposite side to the nitride semiconductor layer side and has conductivity and a reflective conductive film that reflects the light emitted from the nitride light emitting layer, the light extraction efficiency can be improved, Adhesive conductivity between the transparent conductive film and the reflective conductive film, which is transparent to the light emitted from the nitride light emitting layer, has conductivity, and increases the adhesion of the reflective conductive film to the transparent conductive film side Since the film is interposed, the adhesive force of the reflective conductive film to the transparent conductive film side can be increased while suppressing a decrease in light extraction efficiency, and the reliability can be improved .
A fifth aspect of the present invention is the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of the first to fourth aspects, wherein the transparent conductive film is formed by an O 2 gas assist electron beam evaporation method. Then , annealing is performed in a mixed gas of N 2 gas and O 2 gas.
According to this invention, the extinction coefficient with respect to the light radiated | emitted from the nitride light emitting layer of a transparent conductive film can be 0.001 or less.
請求項1の発明では、光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性を向上できるという効果がある。
In the invention of
(実施形態1)
本実施形態の半導体発光素子は、図1に示すように、GaN基板からなる透光性基板1の一表面側(図1における下面側)にn形GaN層からなるn形窒化物半導体層4が形成され、n形窒化物半導体層4上に量子井戸構造を有する窒化物発光層5が形成され、窒化物発光層5上にp形GaN層からなるp形窒化物半導体層6が形成されている。要するに、本実施形態の半導体発光素子は、透光性基板1の上記一表面側にn形窒化物半導体層4と窒化物発光層5とp形窒化物半導体層6との積層構造を有している。なお、n形窒化物半導体層4、窒化物発光層5、およびp形窒化物半導体層6は、透光性基板1の上記一表面側にMOVPE法のようなエピタキシャル成長技術を利用して成膜するので、透光性基板1とn形窒化物半導体層4との間にバッファ層を適宜設けてもよい。また、n形窒化物半導体層4、窒化物発光層5、およびp形窒化物半導体層6の結晶成長方法は、MOVPE法に限定するものではなく、例えば、ハライド気相成長法(HVPE法)や、分子線エピタキシー法(MBE法)などを採用してもよい。また、透光性基板1は、窒化物発光層5から放射される光に対して透明であればよく、例えば、サファイア基板、SiC基板、ZnO基板などを採用してもよい。
(Embodiment 1)
As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device of this embodiment includes an n-type
また、本実施形態の半導体発光素子は、p形窒化物半導体層6における窒化物発光層5側とは反対側にアノード電極7が形成されるとともに、n形窒化物半導体層4における窒化物発光層5の積層側にカソード電極8が形成されている。ここで、カソード電極8は、透光性基板1の上記一表面側へn形窒化物半導体層4、窒化物発光層5、p形窒化物半導体層6を順次成長させた後で、n形窒化物半導体層4と窒化物発光層5とp形窒化物半導体層5との積層膜の所定領域をp形窒化物半導体層6の表面側からn形窒化物半導体層4の途中までエッチングすることにより露出させたn形窒化物半導体層4の表面に形成されている。
In the semiconductor light emitting device of this embodiment, the
ここにおいて、本実施形態の半導体発光素子では、アノード電極7とカソード電極8との間に順方向バイアス電圧を印加することにより、アノード電極7からp形窒化物半導体層6へホールが注入されるとともに、カソード電極8からn形窒化物半導体層4へ電子が注入され、窒化物発光層5に注入された電子とホールとが再結合することで発光する。
Here, in the semiconductor light emitting device of this embodiment, holes are injected from the
上述のn形窒化物半導体層4は、透光性基板1上に形成されたn形GaN層で構成してあるが、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、透光性基板1がサファイア基板の場合には、透光性基板1の上記一表面側にAlN層やAlGaN層などからなるバッファ層を介して形成されたn形AlGaN層と、当該n形AlGaN層上のn形GaN層とで構成してもよい。
The n-type
また、窒化物発光層5は、GaN層からなる障壁層によりInGaN層からなる井戸層が挟まれた量子井戸構造を有しており、当該窒化物発光層5の発光ピーク波長が450nmとなるようにInGaN層の組成を設定してあるが、発光ピーク波長は特に限定するものではない。なお、窒化物発光層5の量子井戸構造は単一量子井戸構造に限らず、多重量子井戸構造でもよい。また、窒化物発光層5は、必ずしも量子井戸構造を有している必要はなく、単層構造でもよい。また、窒化物発光層5の材料も窒化物半導体材料であればよく、所望の発光ピーク波長に応じて、例えば、AlInGaN、AlInN、AlGaNなどを適宜採用してもよい。
The nitride light-
また、p形窒化物半導体層6は、窒化物発光層5上に形成されたp形GaN層で構成してあるが、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、p形AlGaN層からなる第1のp形半導体層と、第1のp形半導体層上に形成されたp形GaN層からなる第2のp形半導体層とで構成してもよい。
The p-type
また、アノード電極7は、後述の反射導電膜11上のAu層と当該Au層上のTi層と当該Ti層上のAu層との積層構造を有しており、最表面側のAu層がpパッド層を構成している。
The
また、カソード電極8は、n形窒化物半導体層4上のTi層と当該Ti層上のAu層との積層構造を有しており、Au層がnパッド層を構成している。ここで、n形窒化物半導体層4上のTi層は、n形窒化物半導体層4に対するオーミックコンタクト層として設けてあるが、オーミックコンタクト層の材料は、例えば、Ti、V、Alやこれらのいずれか一種類の金属を含む合金などを採用すればよい。
The
ところで、本実施形態の半導体発光素子は、p形窒化物半導体層6とアノード電極7との間に、p形窒化物半導体層6における窒化物発光層5側とは反対側に積層されp形窒化物半導体層6よりも屈折率が小さなGZO(GaをドープしたZnO)膜からなる透明導電膜9と、透明導電膜9におけるp形窒化物半導体層6側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層5から放射された光を反射するAg膜からなる反射導電膜11とを備え、透明導電膜9と反射導電膜11との間に、窒化物発光層5から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜9側への反射導電膜11の接着力を高めるPt膜からなる接着導電膜10を介在させてある。
By the way, the semiconductor light emitting device of this embodiment is laminated between the p-type
本実施形態では、透明導電膜9の材料としてGZOを採用しているが、透明導電膜9の材料は、GZO、AZO(AlをドーピングしたZnO)、ITOの群から選択される材料であればよく、当該群から選択される材料を採用することにより、当該透明導電膜9とp形窒化物半導体層6との接触をオーミック接触とすることができる。ここにおいて、透明導電膜9をGZO膜、AZO膜、ITO膜などにより構成する場合、当該透明導電膜9の形成にあたっては、O2ガスアシストの電子ビーム蒸着法により成膜した後、N2ガスとO2ガスとの混合ガス中でアニールするようにすればよく、このような形成方法を採用することにより、透明導電膜9の消衰係数を0.001以下とすることができる。ここで、透明導電膜9をGZO膜により構成する場合のアニール条件の一例として、例えば、N2ガスとO2ガスとの体積比を95:5、アニール温度を500℃、アニール時間を5分とすればよい。なお、透明導電膜9の形成方法および形成条件は上述の例に限らないが、消衰係数kが0.003以下となるように形成方法および形成条件を設定することが好ましい。
In the present embodiment, GZO is adopted as the material of the transparent
また、反射導電膜10の材料としてAgを採用しているが、Agに限らず、例えば、Alなどを採用してもよい。ただし、Agを採用した方がAlを採用する場合に比べて、窒化物発光層5から放射される光(紫外光〜可視光)に対する反射導電膜11の反射率を高めることができる。
Moreover, although Ag is adopted as the material of the reflective
また、本実施形態では、接着導電膜10を構成するPt膜の膜厚を0.1nmに設定してあるが、この膜厚に限定するものではない。ここで、Pt膜からなる接着導電膜10の膜厚と当該接着導電膜10の波長450nmの光に対する光透過率との関係についてシミュレーションした結果を図2に示す。図2から分かるように、接着導電膜10の膜厚が小さいほど当該接着導電膜10の光透過率が高くなり、接着導電膜10をPt膜により構成する場合、接着導電膜10の膜厚が0.6nmになると、光透過率が95%程度まで低下してしまい、Ag膜からなる反射導電膜11の光反射率と同程度の値となってしまうので、接着導電膜10の膜厚は0.5nm以下に設定することが好ましい。また、接着導電膜10の材料は、Pt、Ti、Al、Ni、Rh、Ga2O3、In2O3の群から選択される材料であればよい。
In the present embodiment, the film thickness of the Pt film constituting the adhesive
また、本実施形態では、透明導電膜9を構成するGZO膜の膜厚を10nmに設定してあるが、この膜厚に限定するものではない。ここで、Pt膜からなる接着導電膜10の膜厚を0.1nm、Ag膜からなる反射導電膜11の膜厚を150nmとして、GZO膜からなる透明導電膜9の消衰係数kを種々変化させて、透明導電膜9の膜厚と450nmの光に対する光反射率との関係についてシミュレーションした結果を図3に示す。ここで、図3において、「イ」は消衰係数k=0の場合、「ロ」は消衰係数k=0.001の場合、「ハ」は消衰係数k=0.003の場合、をそれぞれ示している。
Moreover, in this embodiment, although the film thickness of the GZO film which comprises the transparent
図3から分かるように、透明導電膜9の消衰係数kが0の場合や0.001の場合には、透明導電膜9の膜厚を10nm〜200nmの範囲で変化させても、透明導電膜9を設けずにp形GaN層からなるp形窒化物半導体層6とAg膜からなる反射導電膜との間にオーミックコンタクト層としてPt膜(オーミック接触を得るために膜厚を0.3nmとしてある)を設けた場合のシミュレーション結果(図3中には実線で示してある)に比べて反射率を高めることができることが分かり、消衰係数kが0.003の場合でも透明導電膜9の膜厚を200nm以下にすれば反射率を高めることができることが分かる。また、透明導電膜9の消衰係数kが0ないし0.001の場合には、透明導電膜9の膜厚を10nm以上とすることにより光反射率を向上できることが分かる。一方、透明導電膜9の消衰係数kが0.003の場合には透明導電膜9の膜厚が大きくなるにつれて光反射率が低下することが分かる。したがって、透明導電膜9をGZO膜により構成する場合の膜厚は、GZO膜の消衰係数kの再現性やばらつきなどを考慮すれば10nm程度に設定することが好ましい。
As can be seen from FIG. 3, when the extinction coefficient k of the transparent
また、本実施形態では、反射導電膜11を構成するAg膜の膜厚を100nmに設定してあるが、この膜厚は特に限定するものではなく、例えば、50nm〜200nm程度の範囲で適宜設定すればよい。
In the present embodiment, the thickness of the Ag film constituting the reflective
ところで、上述のn形窒化物半導体層4をn形GaN層、窒化物発光層5をGaN層からなる障壁層とInGaN層からなる井戸層とを有する量子井戸構造、p形窒化物半導体層6をp形GaN層、透明導電膜9を膜厚が10nmのGZO膜、反射導電膜11を膜厚が100nmのAg膜、接着導電膜10を膜厚が0.1nmのPt膜とした一実施例、透明導電膜9と反射導電膜11との間に接着導電膜10を介在させていない比較例、それぞれについて、反射導電膜11の透明導電膜9側への接着力を評価するために引張接着強度を測定したところ、比較例では0.25kN/cm2程度であったのに対して、実施例では2.6kN/cm2程度であり、接着力が大幅に向上していることが確認され、シェア強度も向上していることが確認された。
By the way, the above-described n-type
以上説明した本実施形態の半導体発光素子では、p形窒化物半導体層6における窒化物発光層5側とは反対側に積層されp形窒化物半導体層6よりも屈折率が小さな透明導電膜9と、透明導電膜9におけるp形窒化物半導体層6側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層5から放射された光を反射する反射導電膜11とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜9と反射導電膜11との間に、窒化物発光層5から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜9側への反射導電膜11の接着力を高める接着導電膜10を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜9側への反射導電膜11の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。
In the semiconductor light emitting device of the present embodiment described above, the transparent
しかして、本実施形態の半導体発光素子を実装基板にフリップチップ実装する際や当該フリップチップ実装後に透明導電膜9と反射導電膜11との間で剥離が生じるのを防止することができ、光出力特性が低下するのを防止することができる。
Therefore, when the semiconductor light emitting device of this embodiment is flip-chip mounted on the mounting substrate or after the flip-chip mounting, it is possible to prevent peeling between the transparent
(実施形態2)
本実施形態の半導体発光素子の基本構成は、実施形態1と略同じであり、図4に示すように、n形窒化物半導体層4とカソード電極8との間に、n形窒化物半導体層4における窒化物発光層5の積層側に形成されn形窒化物半導体層4よりも屈折率が小さな透明導電膜19と、透明導電膜19におけるn形窒化物半導体層4側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層5から放射された光を反射する反射導電膜21とを備え、透明導電膜19と反射導電膜21との間に、窒化物発光層5から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜19側への反射導電膜21の接着力を高める接着導電膜20を介在させてある点、カソード電極8が、反射導電膜21上のAu層と当該Au層上のTi層と当該Ti層上のAu層との積層構造を有しており、最表面側のAu層がnパッド層を構成している点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
(Embodiment 2)
The basic configuration of the semiconductor light emitting device of the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment, and an n-type nitride semiconductor layer is interposed between the n-type
ところで、本実施形態では、透明導電膜19、反射導電膜21、接着導電膜20の材料および膜厚を、実施形態1に説明した透明導電膜9、反射導電膜11、接着導電膜10それぞれと同じに設定してあり、カソード電極8の材料および膜厚をアノード電極7と同じに設定してあるので、n形窒化物半導体層4とカソード電極8との間の層構造をp形窒化物半導体層6とアノード電極7との間の層構造を同じにすることができ、製造プロセスを増加させることなく製造することが可能となる。
By the way, in this embodiment, the materials and film thicknesses of the transparent
また、本実施形態の半導体発光素子では、n形窒化物半導体層4とカソード電極8との間に、上述の透明導電膜19と反射導電膜21とを備えていることにより、光取り出し効率の向上を図れ、透明導電膜19と反射導電膜21との間に接着導電膜20を介在させてあることにより、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜19側への反射導電膜21の接着力を高めることができ、信頼性が向上する。
Further, in the semiconductor light emitting device of this embodiment, the above-described transparent
なお、上記各実施形態では、透光性基板1の上記一表面側にn形窒化物半導体層4を形成しているが、透光性基板1の導電形がn形の場合(例えば、透光性基板1がn形GaN基板の場合)には、透光性基板1がn形窒化物半導体層4を兼ねる構成を採用してもよい。
In each of the above embodiments, the n-type
1 透光性基板
4 n形窒化物半導体層
5 発光層
6 p形窒化物半導体層
7 アノード電極
8 カソード電極
9 透明導電膜
10 接着導電膜
11 反射導電膜
DESCRIPTION OF
Claims (5)
Priority Applications (1)
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JP2008255435A JP5161720B2 (en) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008255435A JP5161720B2 (en) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010087283A JP2010087283A (en) | 2010-04-15 |
JP5161720B2 true JP5161720B2 (en) | 2013-03-13 |
Family
ID=42250941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008255435A Expired - Fee Related JP5161720B2 (en) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5161720B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4875185B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | Optical semiconductor device |
EP2715809B1 (en) | 2011-05-25 | 2019-06-05 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic semiconductor chip |
JP6654219B2 (en) * | 2013-01-08 | 2020-02-26 | ローム株式会社 | Light emitting device and light emitting device package |
JP2014150245A (en) * | 2013-01-08 | 2014-08-21 | Rohm Co Ltd | Light-emitting element and light-emitting element package |
JP7312789B2 (en) * | 2019-03-19 | 2023-07-21 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | light emitting element |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4889193B2 (en) * | 2003-07-23 | 2012-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | Nitride semiconductor light emitting device |
JP4507594B2 (en) * | 2003-12-26 | 2010-07-21 | 日亜化学工業株式会社 | Semiconductor light emitting device |
KR20070041411A (en) * | 2004-07-12 | 2007-04-18 | 로무 가부시키가이샤 | Semiconductor light emitting device |
JP5048960B2 (en) * | 2006-03-20 | 2012-10-17 | パナソニック株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP2007258323A (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting element |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008255435A patent/JP5161720B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010087283A (en) | 2010-04-15 |
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CN1866559B (en) | Nitride semiconductor light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100716 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110519 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |