JP3068914U - Flip - chip light emitting device - Google Patents

Flip - chip light emitting device

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JP3068914U
JP3068914U JP86469999U JP86469999U JP3068914U JP 3068914 U JP3068914 U JP 3068914U JP 86469999 U JP86469999 U JP 86469999U JP 86469999 U JP86469999 U JP 86469999U JP 3068914 U JP3068914 U JP 3068914U
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Inventor
詳竣 洪
奉任 簡
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洲磊科技股▲ふん▼有限公司
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本考案は、発光効率を改良したフリップ−チップ発光デバイスを開示する。 (57) Abstract: The present invention has improved luminous efficiency flip - discloses a chip light emitting device. 【解決手段】 本考案によるデバイスは、良好な光の反射率をもつ電極を有し、ベースに向けられた光をその電極によって外部へ反射させることができ、これにより十分に発光効率を増大させる。 A device according to the present invention includes an electrode having a reflectance of good light, the light directed to the base can be reflected to the outside by the electrode, thereby increasing sufficiently luminous efficiency . さらに、本考案の前記電極はまた、より電流拡散効果を与え、これにより発光ダイオードの発光効率を一層増大させる。 Furthermore, the electrode of the present invention also provides a more current spreading effect, thereby further increasing the luminous efficiency of the light emitting diode.

Description

【考案の詳細な説明】 Description of the invention]

【0001】 [0001]

【考案の属する技術分野】 BACKGROUND OF devised]

本考案は、窒化ガリウム(GaN)ベースの発光デバイスに関し、特に、良好 な光の反射率をもつ電極を具備したGaNベースの発光デバイスに関する。 This invention relates to a light emitting device of gallium nitride (GaN) based, in particular, it relates to GaN-based light emitting device provided with the electrode having a reflectance of good light.

【0002】 [0002]

【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION

GaNベースの発光デバイスは、青色光や緑色光のような特有の周波数の光を 放出できることから、より注目されてきている。 GaN-based light emitting device, because it can emit light of specific frequencies, such as blue light or green light, it has been more focused. GaNベースの発光デバイスに 用いられる基板材料は、GaNの特性によって制限され、主として次の材料から 選択される。 Substrate materials for use in GaN-based light emitting device is limited by the characteristics of GaN, it is selected primarily from the following materials. サファイア、炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガ リウム(GaP)、および、ガラス。 Sapphire, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), phosphorus Kaga helium (GaP), and glass.

【0003】 上記材料のうち、サファイア基板は広く利用されている。 [0003] Among the above-mentioned material, sapphire substrates are widely used. サファイア基板は絶 縁体なので、発光デバイスの2つの電極はGaN層の同じ側に設けなければなら ない。 Since the sapphire substrate is an insulation member, the two electrodes of the light emitting device must be provided on the same side of the GaN layer. それは、いわゆるラテラル・デバイスの特徴を呈する。 It exhibits the characteristics of the so-called lateral device. USP 5,56 3,422、USP 5,578,839、および、USP 5,583,87 9は、サファイア基板を利用し、GaNベースのIII−V族化合物半導体のラ テラル発光デバイスを製造する方法のシリーズを開示している。 USP 5,56 3,422, USP 5,578,839 and the method USP 5,583,87 9 is to utilize a sapphire substrate to produce a GaN-based III-V compound semiconductor of La literal light emitting devices It discloses a series. それによって製 造される発光デバイスを図1に示す。 The light emitting device is thereby manufacturing shown in FIG.

【0004】 この図において、まず、発光ダイオード(LED)ダイ10は、リードフレー ム12に固定されている。 [0004] In this figure, first, a light emitting diode (LED) die 10 is fixed to the lead frame 12. そして、そのダイ10上側表面上の2つの電極13お よび14は、リードフレームの2つの電極と接続されるように、それぞれ金(ま たはアルミニウム)のワイヤ15および16にはんだ付けされている必要がある 。 Then, the two electrodes 13 contact and 14 on the die 10 upper surface, so as to be connected to two electrodes of the lead frame, are soldered to the wires 15 and 16 made of gold (or aluminum) There is a need . しかし、ダイ10上側表面上のはんだ付けパッド17が光を遮断し、このため 発光領域が減少するとともに、光の放出が均一でなくなる。 However, the exclusion of light soldering pads 17 on the die 10 upper surface, with this end light emitting region is reduced, emission of light is not uniform.

【0005】 さらに、この従来の発光デバイスにおいては、デバイスの発光効率を高める電 流拡散の効果を与えるために、光透過電極13が開示されている。 [0005] Further, in this conventional light emitting device, in order to give the effect of increasing current spreading the luminous efficiency of the device, the light transmitting electrode 13 is disclosed. しかしながら その電極13は、光を透過させるように極めて薄いものでなければならないので 、そのラテラル抵抗が大きくなり、このためその電流拡散の効果は非常に制限さ れる。 However the electrode 13, so must be very thin so as to transmit light, the lateral resistance is increased, the effect of this for the current diffusion is very limited. その上、電極13がメインの発光表面上を覆って位置しているので、電極 13が光透過性のものであっても、なおそれはデバイスの発光効率を減退させる 。 Moreover, since the electrode 13 is located over the main light emitting surface above electrodes 13 be of a light transmissive, yet it diminish the luminous efficiency of the device.

【0006】 USP 4,476,620は、図2に示すようなフリップ−チップGaNベ ース発光デバイス(a flip-chip GaN-based light-emitting device)を開示し ている。 [0006] USP 4,476,620 is flip as shown in FIG. 2 - discloses a chip GaN base over scan light emitting device (a flip-chip GaN-based light-emitting device). この図において、LEDダイの2つの電極21および22は、リードフ レーム23の一定位置に直接固着されている。 In this figure, the two electrodes 21 and 22 of the LED die is secured directly to the fixed position of the lead frames 23. このようなフリップ−チップGa Nベース発光デバイスにおいては、放出される光が透明の基板(サファイア基板 のようなもの)を介して外部へ直接通過することができる。 Such flip - in chip Ga N based light emitting device, it is possible to light emitted is directly passed to the outside through the substrate of transparent (such as a sapphire substrate). このフリップ−チッ プ発光デバイスのメインの発光表面にははんだ付けパッドは存在せず、このため 発光表面はもちろん発光効率もはんだ付けパッドによる影響を受けない。 The flip - the main emission surface of the chip light emitting device absent soldering pads Therefore emission surface course luminous efficiency is not affected by the soldering pads.

【0007】 しかし、この従来のフリップ−チップGaNベース発光デバイスから放出され る光は、約半分だけが透明の基板を介して外部へ直接通過できるに過ぎない。 However, this conventional flip - light that will be emitted from the tip GaN-based light emitting devices are only directly be passed to the outside via the substrate have transparency about half. そ の他の半分の光は、電極(21および22)とリードフレーム23に向けられる 。 The other half of the light of that is directed to the electrode (21 and 22) to the lead frame 23. したがって、従来のデバイスは有効な成果を成し遂げることができない。 Therefore, conventional devices can not achieve effective results. さら に、USP 4,476,620に開示された従来のフリップ−チップGaNベ ース発光デバイスは、電流拡散効果を与えない。 Moreover, conventional flip disclosed in USP 4,476,620 - Chip GaN base over scan light emitting device does not provide a current spreading effect. このため、他の場所がよい発光 結果を達成できないのに対して、電極が設置されている場所だけが有効な発光結 果を持つに過ぎない。 Therefore, while the not achieve a good emission results elsewhere, only where the electrodes are installed only with valid emission results.

【0008】 上述の観点より、GaNベース発光デバイスの発光効率を充分に改良する手法 は、産業にとって未だ問題となっている。 [0008] From the viewpoint described above, a technique for sufficiently improving the luminous efficiency of the GaN-based light emitting device has a still problem for industry.

【0009】 [0009]

【考案が解決しようとする課題】 [Challenges devised to be Solved]

本考案の主たる目的は、GaNベース発光デバイスの発光効率を充分に改良す ることである。 The main object of the present invention is a Rukoto be sufficiently improving the luminous efficiency of GaN-based light emitting devices.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]

本考案による発光デバイスは、フリップ−チップ発光デバイスである。 The light emitting device according to the present invention is a flip - a chip light emitting device. したが って、そのメインの発光表面には、はんだ付けパッドは存在しない。 It was, but I, in the light-emitting surface of the main, the soldering pad does not exist. さらに、本 考案による発光デバイスは、良好な光の反射率を有し、有効な電流拡散効果を与 えることのできる電極を具備している。 Furthermore, the light-emitting device according to the present invention has a reflectance of good light, which comprises an electrode capable of may given an effective current spreading effect. したがって、電極に向けられる光につい ては、これをその電極により、透明な基板を介して外部へ反射させることができ 、これによって全体のデバイスの発光効率を充分に増大させる。 Therefore, with the light directed to the electrode by the electrode this can be reflected to the outside through the transparent substrate, which sufficiently increases the light emission efficiency of the overall device by. その上、電極に 、有効な電流拡散効果を与えるに十分なサイズと厚さを持たせることができ、発 光ダイオードのようなものは、その最良の発光結果を達成することができる。 Moreover, the electrode, effective current spreading effect can have a sufficient size and thickness to give, like light-emitting diodes can achieve the best emission results.

【0011】 [0011]

【考案の実施の形態】 [Embodiment of the invention]

本考案の第1の実施形態によるフリップ−チップ発光デバイスは、透明基板と 、その透明基板の主表面上を覆って配置された積層構造の半導体であって、その 積層構造が前記主表面に隣接したn形GaNベースのIII−V族化合物半導体 層およびそのn形半導体層に隣接したp形GaNベースのIII−V族化合物半 導体層を有する半導体と、前記n形半導体層に電気的に接触している第1の電極 と、前記p形半導体層に電気的に接触している第2の電極とを有し、前記第2の 電極は、良好な光の反射率を有するとともに、前記p形半導体層の外側表面の大 部分を覆っている。 First flip according to an embodiment of the present invention - chip light emitting device includes a transparent substrate, a semiconductor stacked structure arranged over the main surface on the transparent substrate, adjacent the laminate structure to said main surface a semiconductor having n-type GaN-based III-V compound semiconductor layer and its n-type semiconductor layer p-type GaN-based III-V compound semiconductors layers adjacent to that, electrical contact with the n-type semiconductor layer a first electrode that includes a second electrode in electrical contact with the p-type semiconductor layer, the second electrode, which has a reflectivity of good light, the p It covers most of the outer surface of the shaped semiconductor layer.

【0012】 本考案で選び得る実施形態においては、前記n形およびp形の半導体層の位置 が取り替えられ、そのn形半導体層に接触している電極が良好な光の反射率を有 するとともにn形半導体層の外側表面をほとんど覆う。 [0012] In embodiments which may wish in the present invention, the position of the n-type and p-type semiconductor layer is replaced, together with the electrodes in contact with the n-type semiconductor layer to have a reflectance of good light most covers the outside surface of the n-type semiconductor layer.

【0013】 本考案の技術的な内容と特徴は、以下の、添付図面の参照を伴う好ましい実施 形態の詳細な説明から、より容易に明白となるであろう。 [0013] technical content and features of the present invention, the following, the detailed description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings, will become more readily apparent. 添付図面の図1は、従 来のGaNベース発光デバイスを示す横断面図である。 Figure 1 of the accompanying drawings is a cross-sectional view illustrating a GaN-based light emitting device of traditional. 図2は、従来のフリップ −チップGaNベース発光デバイスを示す横断面図である。 Figure 2 is a conventional flip - is a cross-sectional view showing a chip GaN-based light emitting devices.

【0014】 図3は、本考案の一実施形態による発光ダイオードを示す横断面概略図である 。 [0014] Figure 3 is a cross-sectional schematic view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. 図4は、フリップ−チップの形をとってベース上に搭載された図3の発光ダイ オードの横断面概略図である。 Figure 4 is a flip - is a cross-sectional schematic view of the light emitting diode of FIG. 3 mounted on a base in the form of chips.

【0015】 本考案の主たる目的は、GaNベース発光デバイスの発光効率を充分に改良す ることである。 [0015] The main object of the present invention is a Rukoto be sufficiently improving the luminous efficiency of GaN-based light emitting devices. 本考案による発光デバイスは、良好な光の反射率を有し、有効な 電流拡散効果(current spreading effect)を与えることのできる電極を具備し ている。 The light emitting device according to the present invention has a reflectance of good light, which comprises an electrode capable of providing an effective current spreading effect (current spreading effect). したがって、電極に向けられる光については、これをその電極によって 外部へ反射させることができ、これによって全体のデバイスの発光効率を充分に 増大させる。 Therefore, for the light directed to the electrode, which can be reflected to the outside by the electrode, which sufficiently increases the light emission efficiency of the overall device by. その上、電極に、有効な電流拡散効果を与えるに十分なサイズと厚 さを持たせることができるので、発光ダイオードは、その最良の発光結果を達成 することができる。 Thereon, the electrode, it is possible to have a sufficient size and thickness to provide effective current spreading effect, a light emitting diode can achieve the best emission results.

【0016】 図3は、本考案の一実施形態による発光ダイオードを示している。 [0016] Figure 3 shows a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. そのダイオ ード構造30は、透明基板31を具備している。 Its diodes structure 30 has a transparent substrate 31. この透明基板31は、サファイ ア、ガラス、炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウ ム(GaP)、または、他の透明な材料で製造することができる。 The transparent substrate 31 is sapphire, glass, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), phosphide Gallium (GaP), or can be prepared by other transparent material. 積層構造の半 導体は、透明基板31の主表面上を覆って配置されている。 Semiconductors of the laminated structure is disposed over the upper major surface of the transparent substrate 31. その積層構造は、前 記主表面に隣接したn形GaNベースのIII−V族化合物半導体層と、そのn 形半導体層に隣接したp形GaNベースのIII−V族化合物半導体層とを有す る。 Its layered structure, Yusuke before Symbol main group III-V n-type GaN base adjacent to the surface compound semiconductor layer, and its n-type p-type GaN-based adjacent to the semiconductor layer of the III-V compound semiconductor layer that.

【0017】 この実施形態では、その積層構造はまた、n形GaNベースのIII−V族化 合物半導体層とp形GaNベースのIII−V族化合物半導体層との間に配置さ れた活性層34も有している。 [0017] In this embodiment, the laminate structure also, n-type GaN-based III-V aromatization compound disposed activity between the semiconductor layer and the p-type GaN-based III-V compound semiconductor layer layer 34 also has. 一方、本考案の他の実施形態においては、その積 層構造が活性層34を含まないこととすることができる。 On the other hand, in other embodiments of the present invention, it may be to the product layer structure does not include the active layer 34. その積層構造を製造す るための方法は、その技術においてよく知られており、したがって、それをここ で詳細に説明する必要はない。 The method of order to manufacture the multilayer structure are well known in the art and therefore need not be described in detail herein it.

【0018】 電極35は、エッチング工程によって形成されるウィンドウ内に設置され、n 形半導体層32に電気的に接触している。 The electrode 35 is installed in a window that is formed by an etching process, in electrical contact with the n-type semiconductor layer 32. 電極36は、p形半導体層33の外側 表面の大部分を覆って配置されている。 Electrode 36 is disposed over a major portion of the outer surface of the p-type semiconductor layer 33. 電極36のサイズと厚さに対しては特別 な制限は何もないので、電極36の形状とサイズは、最も良く電流拡散の成果が 得られるように設計することができ、これによって発光効率を充分増大させるこ とができる。 Since there is nothing special limitation for the size and thickness of the electrode 36, the shape and size of the electrodes 36 may be designed such that results of best current spreading obtained which by emission efficiency it is a call to sufficiently increase.

【0019】 さらに、電極36の材料は、光の反射率が高くなるように選択される。 Furthermore, the material of the electrodes 36 are selected so that the reflectance of light increases. したが って、電極36に向けられる光は、電極36によって透明基板の方向へ反射され 、これにより発光効率がさらに増大する。 It was although I, light directed to the electrode 36 is reflected to the transparent substrate by the electrode 36, thereby the light emission efficiency is further increased.

【0020】 本考案において、電極36は、光透過形の導電層とアルミニウム(Al)もし くは銀(Ag)の層とを有する多層構造にすることとしてもよい。 In the present invention, the electrodes 36, it is also possible that a multilayer structure having a layer of a light transmission type conductive layer and aluminum (Al) if Kuwagin (Ag). 本考案の一実 施形態においては、電極36は、ニッケル/金/チタン/アルミニウム(Ni/ Au/Ti/Al)の多層構造とすることができる。 In Kazumi facilities embodiment of the present invention, electrode 36 may be a multilayer structure of nickel / gold / titanium / aluminum (Ni / Au / Ti / Al). この構造において、ニッケ ル/金(Ni/Au)は、p形半導体層33を直接覆う光透過形の金属層となる ように形成される。 In this structure, nickel / gold (Ni / Au) is formed to have a light transmission type of the metal layer covering the p-type semiconductor layer 33 directly. そして、チタン(Ti)層がそのNi/Au層の上に形成さ れ、最後に、アルミニウム(Al)層がそのTi層の上に形成される。 Then, titanium (Ti) layer is formed on the Ni / Au layer, and finally, aluminum (Al) layer is formed on the Ti layer.

【0021】 電極36は、低いオーム接触抵抗と高い光の反射率の双方である必要がある。 The electrode 36 is required to be both a low ohmic contact resistance and high light reflectance. Ni/Auは、p形GaNベースのIII−V族化合物半導体層に対して良好な 光透過形オーム接触層として形成され得る材料の一つである。 Ni / Au is one of the materials with respect to the p-type GaN-based III-V compound semiconductor layer may be formed as a good light transmission type ohmic contact layer. Al層は、光の反 射率を良好にすることができる。 Al layer, it is possible to improve the the reflectivity of light. しかしながら高温状態のもとでは、AlとAu は互いの中へ拡散し、Alの反射率を消失させる。 However Under high temperature, Al and Au diffuse into each other, thereby eliminating the reflectivity of Al. そこで、Ti層がAlとAu との間の拡散障壁となるように利用されている。 Therefore, Ti layer is utilized as a diffusion barrier between the Al and Au. Ti層は、それ自身もまた、光 の反射率が良好である。 Ti layer is itself also the reflectance of light is good. 本考案の他の実施形態においては、電極36は、ITO /AlまたはITO/Agの多層構造であってもよい。 In another embodiment of the present invention, the electrodes 36 may have a multilayer structure of ITO / Al or ITO / Ag. この多層構造において、 ITO(Indium-Tin Oxide;酸化インジウム−スズ)は光透過形の導電層として 形成され、反射率はAl層またはAg層によって与えられる。 In this multilayer structure, ITO (Indium-Tin Oxide; indium - tin) is formed as a conductive layer of the light transmission type, reflection is given by Al layer or Ag layer.

【0022】 図3に示された実施形態において、絶縁層37は、ベースの電極との接触に使 用される各電極の一部だけを露出しつつ、ダイオード30の側方表面上および上 側表面上に被覆されているものとすることができる。 [0022] In the embodiment shown in FIG. 3, the insulating layer 37, while exposing only a portion of each electrode to be used in contact with the base of the electrode, on the side surface of the diode 30 and the upper side it can be assumed to be covered on the surface. その絶縁層の材料は、Si O x 、SiN y等でよい。 Material of the insulating layer, Si O x, or a SiN y, and the like. 絶縁層37は、p/nの接合部を保護しかつ絶縁するた めのもので、導電性の接着剤によって短絡が起こることを避けるとともに、漏洩 を防ぐ。 Insulating layer 37 is of a order to protect the junction of p / n and insulated, with avoiding a short circuit caused by the conductive adhesive, prevent leakage.

【0023】 図4は、フリップ−チップの形でベース上に搭載された図3の発光ダイオード を示す概略図である。 [0023] FIG. 4 is a flip - is a schematic view showing a light emitting diode of FIG. 3 mounted on a base in the form of chips. ベース40は、公知の導電性リードフレーム、ガラスリー ドフレーム、回路基板(a circuit board)、または、薄膜回路(a thin-film c ircuit)でよい。 Base 40, known conductive lead frame, glass lead frame, the circuit board (a circuit board), or may be a thin film circuit (a thin-film c ircuit). ベースとして導電性リードフレームもしくはガラスリードフレ ームを利用した場合には、最終的なデバイスはディスクリート発光デバイスとな る。 When using a conductive lead frame or glass lead frame over arm as the base, the final device discrete light emitting devices and ing. 一方、ベースとして回路基板もしくは薄膜回路を利用した場合には、発光デ バイスは、表面実装デバイス(SMD(surface mounted device))の形になる。 On the other hand, when using a circuit board or a thin-film circuit as the base, the light emitting device will form the surface mounted device (SMD (surface mounted device)).

【0024】 ベース40は、それぞれ陽極、陰極として機能する導電部41、42を有して いる。 The base 40 has respectively an anode and the conductive portions 41 and 42 serving as a cathode. それらのベース40の陽極と陰極の上には、マシンによって導電性接着剤 43が塗布される。 On the anode and the cathode in their base 40, the conductive adhesive 43 is applied by the machine. その後、発光ダイオード30は、透明基板を最上層とし、電 極35及び36を下向きとするように、向きが変えられる。 Thereafter, the light emitting diode 30, the transparent substrate and the uppermost layer, so that the downward electrodes 35 and 36, the orientation is changed. 電極35および36 の正しい極性を定めた後、電極35および36は、導電性接着剤43へ接続され 、ベース上に固定されてベースの電極と結合される。 After determining the correct polarity of the electrodes 35 and 36, electrodes 35 and 36 are connected to the conductive adhesive 43, is fixed on a base coupled to the base of electrodes. 最後に、導電性接着剤は、 発光デバイスの製造を完了するための予め定められた時間の間、適当な温度で焼 き固められる。 Finally, conductive adhesive, during which predetermined time to complete the fabrication of light emitting devices, compacted can burn at a suitable temperature.

【0025】 この実施形態においては、発光デバイスのp−n接合もしくは活性層から放出 された光の約半分が透明基板を介して外部へ直接通過する。 [0025] In this embodiment, about half of the light emitted from the p-n junction or active layers of light emitting devices passes directly to the outside through the transparent substrate. 一方、他の半分の光 は電極36へ向けられる。 On the other hand, the light of the other half is directed to the electrode 36. 電極36は、高い効率の反射率を有しているので、そ の光を透明基板を介して外部に向けて反射させることができ、これにより発光効 率は増大する。 Electrode 36, because it has a reflectivity of high efficiency, the light of that through the transparent substrate can be reflected toward the outside, thereby emitting efficiency is increased. さらに、電極36は、電流拡散効果を与えて発光ダイオードの発 光効率を一層増大させる。 Furthermore, the electrode 36 is further increases the light emission efficiency of the light emitting diode giving a current spreading effect.

【0026】 本考案の他の実施形態においては、n形半導体層とp形半導体層の位置を交換 することとしてもよい。 [0026] In another embodiment of the present invention, it is also possible to exchange the position of the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. そのような実施形態では、n形半導体層上を覆う電極は 、高い光の反射率であって、かつ、電流拡散効果を与えるものにする。 In such embodiments, the electrodes covering the n-type semiconductor layer is a reflectance of high light, and to what gives the current spreading effect. 前記電極 は、光透過導電層とアルミニウム(Al)もしくは銀(Ag)の層とを含む多層 構造としてもよい。 The electrode may have a multilayer structure including a layer of a light-transmitting conductive layer and an aluminum (Al) or silver (Ag). 本考案の実施形態においては、前記電極は、Ti/Al、T i/Ag、ITO/Al、または、ITO/Agの多層構造としてもよい。 In embodiments of the present invention, the electrode, Ti / Al, T i / Ag, ITO / Al, or it may be a multilayer structure of ITO / Ag.

【0027】 上述のように、本考案の技術的な特徴と技術的な内容は十分開示された。 [0027] As described above, the technical features and technical contents of the present invention has been fully disclosed. しか し、本考案の精神に反することなく、本考案の開示と示唆に基づき、種々の変更 もしくは代替がその技術における当業者によって作成され得る。 However, without departing from the spirit of the present invention, based on the disclosure and teachings of the present invention, various modifications or alternatives may be made by those skilled in the art. したがって、本 考案の範囲は、上に開示された実施形態に限定されてはならず、前記変形および 代替をも含むべきものである。 Accordingly, the scope of the present invention is limited to the embodiments disclosed above as well are intended to also include the modifications and alternative.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 従来のGaNベース発光デバイスを示す横断面図である。 1 is a cross-sectional view showing a conventional GaN-based light emitting devices.

【図2】 従来のフリップ−チップGaNベース発光デバイスを示す横断面図である。 [2] Conventional flip - is a cross-sectional view showing a chip GaN-based light emitting devices.

【図3】 本考案の一実施形態による発光ダイオードを示す横断面概略図である。 Figure 3 is a cross-sectional schematic view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

【図4】 フリップ−チップの形でベース上に搭載された図3の発光ダイオードの横断面概略図である。 [4] Flip - it is a cross-sectional schematic view of a light emitting diode of Figure 3 mounted on a base in the form of chips.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

30 ダイオード構造 31 透明基板 32 n形半導体層 33 p形半導体層 34 活性層 35、36 電極 37 絶縁層 40 ベース 41、42 導電部 30 diode structure 31 transparent substrate 32 n-type semiconductor layer 33 p-type semiconductor layer 34 active layer 35, 36 electrode 37 dielectric layer 40 base 41 conductive portion

Claims (14)

    【実用新案登録請求の範囲】 [Range of utility model registration request]
  1. 【請求項1】 透明基板と、 前記透明基板の主表面上を覆って配置された積層構造の半導体であって、前記積層構造が、前記主表面に隣接したn形GaNベースのIII−V族化合物半導体層と、 And 1. A transparent substrate, a semiconductor arranged stacked structure covering the main surface on the transparent substrate, wherein the multilayer structure, n-type GaN-based Group III-V adjacent to said main surface a compound semiconductor layer,
    前記n形半導体層に隣接したp形GaNベースのIII III of the p-type GaN-based adjacent to the n-type semiconductor layer
    −V族化合物半導体層とを有する半導体と、 前記n形半導体層に電気的に接触している第1の電極と、 前記p形半導体層に電気的に接触している第2の電極とを有し、 前記第2の電極は、良好な光の反射率を有するとともに、前記p形半導体層の外側表面の大部分を覆うフリップ−チップ発光デバイス。 A semiconductor having a -V compound semiconductor layer, a first electrode in electrical contact with the n-type semiconductor layer, a second electrode in electrical contact with the p-type semiconductor layer a, the second electrode, good light and having a reflectivity of flip covers most of the outer surface of the p-type semiconductor layer - chip light emitting device.
  2. 【請求項2】 前記積層構造が前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に配置された活性層をさらに有する請求項1記載のデバイス。 2. A device according to claim 1 having the laminated structure is further arranged active layer between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer.
  3. 【請求項3】 少なくとも、前記積層構造の側方表面、前記第1の電極の一部および前記第2の電極の一部の上に、被覆された絶縁層をさらに有する請求項1または2記載のデバイス。 Wherein at least a side surface of the laminated structure, on a portion of the first portion of the electrode and the second electrode, according to claim 1 or 2, wherein further comprising a coated insulating layer of the device.
  4. 【請求項4】 前記第1、第2の電極とそれぞれ接続される第1、第2の導電部を有するベースをさらに有する請求項1または2記載のデバイス。 Wherein said first, first, according to claim 1 or 2 wherein the device further comprises a base having a second conductive portion that is connected to the second electrode.
  5. 【請求項5】 前記ベースが導電性リードフレーム、 Wherein said base is electrically conductive lead frame,
    ガラスリードフレーム、回路基板または薄膜回路である請求項4記載のデバイス。 Glass lead frame, the device according to claim 4, wherein a circuit board or a thin-film circuit.
  6. 【請求項6】 前記第2の電極が、光透過導電層とアルミニウム(Al)もしくは銀(Ag)の層とを有する多層構造である、請求項1または2記載のデバイス。 Wherein said second electrode is a multilayer structure having a layer of a light-transmitting conductive layer and an aluminum (Al) or silver (Ag), according to claim 1 or 2, wherein the device.
  7. 【請求項7】 前記第2の電極が、ニッケル/金/チタン/アルミニウム(Ni/Au/Ti/Al)、酸化インジウム−スズ/アルミニウム(ITO/Al)もしくは酸化インジウム−スズ/銀(ITO/Ag)の多層構造である、請求項1または2記載のデバイス。 Wherein said second electrode is a nickel / gold / titanium / aluminum (Ni / Au / Ti / Al), indium oxide - tin / aluminum (ITO / Al) or indium oxide - tin / silver (ITO / a multilayer structure of Ag), according to claim 1 or 2 wherein the device.
  8. 【請求項8】 透明基板と、 前記透明基板の主表面上を覆って配置された積層構造の半導体であって、前記積層構造が、前記主表面に隣接したp形GaNベースのIII−V族化合物半導体層と、 8. A transparent substrate, a semiconductor arranged stacked structure covering the main surface on the transparent substrate, the laminated structure, p-type GaN-based Group III-V adjacent to said main surface a compound semiconductor layer,
    前記p形半導体層に隣接したn形GaNベースのIII III of the n-type GaN-based adjacent to the p-type semiconductor layer
    −V族化合物半導体層とを有する半導体と、 前記n形半導体層に電気的に接触している第1の電極と、 前記p形半導体層に電気的に接触している第2の電極とを有し、 前記第1の電極は、良好な光の反射率を有するとともに、前記n形半導体層の外側表面の大部分を覆うフリップ−チップ発光デバイス。 A semiconductor having a -V compound semiconductor layer, a first electrode in electrical contact with the n-type semiconductor layer, a second electrode in electrical contact with the p-type semiconductor layer a, the first electrode, good light and having a reflectivity of flip covers most of the outer surface of the n-type semiconductor layer - chip light emitting device.
  9. 【請求項9】 前記積層構造が前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に配置された活性層をさらに有する請求項8記載のデバイス。 9. The device of claim 8, further comprising the placed active layer between said multilayer structure and the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.
  10. 【請求項10】 少なくとも、前記積層構造の側方表面、前記第1の電極の一部および前記第2の電極の一部の上に、被覆された絶縁層をさらに有する請求項8または9記載のデバイス。 10. At least, the side surfaces of the laminated structure, on a portion of the first portion of the electrode and the second electrode, according to claim 8 or 9, wherein further comprising a coated insulating layer of the device.
  11. 【請求項11】 前記第1、第2の電極とそれぞれ接続される第1、第2の導電部を有するベースをさらに有する請求項8または9記載のデバイス。 Wherein said first, first, according to claim 8 or 9, wherein the device further comprises a base having a second conductive portion that is connected to the second electrode.
  12. 【請求項12】 前記ベースが導電性リードフレーム、ガラスリードフレーム、回路基板または薄膜回路である請求項11記載のデバイス。 12. The method of claim 11, wherein the base is conductive lead frame, glass leadframe of claim 11, wherein a circuit board or a thin-film circuit devices.
  13. 【請求項13】 前記第2の電極が、光透過導電層とアルミニウム(Al)もしくは銀(Ag)の層とを有する多層構造である、請求項8または9記載のデバイス。 Wherein said second electrode is a multilayer structure having a layer of a light-transmitting conductive layer and an aluminum (Al) or silver (Ag), according to claim 8 or 9, wherein the device.
  14. 【請求項14】 前記第2の電極が、チタン/アルミニウム(Ti/Al)、チタン/銀(Ti/Ag)、酸化インジウム−スズ/アルミニウム(ITO/Al)もしくは酸化インジウム−スズ/銀(ITO/Ag)の多層構造である、請求項8または9記載のデバイス。 14. The method of claim 13, wherein the second electrode is a titanium / aluminum (Ti / Al), titanium / silver (Ti / Ag), indium oxide - tin / aluminum (ITO / Al) or indium oxide - tin / silver (ITO / Ag) is a multi-layer structure of claim 8 or 9, wherein the device.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003534668A (en) 2000-05-26 2003-11-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Luminescent diode chip and a manufacturing method thereof epitaxy continuous layer based upon GaN that emits radiation
JP2005117040A (en) * 2003-10-08 2005-04-28 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride-based light emitting element and manufacturing method therefor
JP2005123631A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride system light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2005150741A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride light-emitting device and its manufacturing method
WO2005106974A1 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corporation Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting element
JP2007258277A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting device
US7291865B2 (en) 2004-09-29 2007-11-06 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device
WO2008084834A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Rohm Co., Ltd. Gan semiconductor light emitting element
JP2010192923A (en) * 2010-04-21 2010-09-02 Panasonic Corp Light emitting diode
JP2011071340A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting element
JP2011199319A (en) * 2003-05-07 2011-10-06 Kwangju Inst Of Science & Technol Thin-film electrode and method for manufacturing the same
JP2011258974A (en) * 2011-08-12 2011-12-22 Mitsubishi Chemicals Corp GaN-BASED LIGHT-EMITTING DIODE AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003534668A (en) 2000-05-26 2003-11-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Luminescent diode chip and a manufacturing method thereof epitaxy continuous layer based upon GaN that emits radiation
JP2011199319A (en) * 2003-05-07 2011-10-06 Kwangju Inst Of Science & Technol Thin-film electrode and method for manufacturing the same
JP2005117040A (en) * 2003-10-08 2005-04-28 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride-based light emitting element and manufacturing method therefor
JP2005123631A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride system light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2005150741A (en) * 2003-11-14 2005-06-09 Kwangju Inst Of Science & Technol Nitride light-emitting device and its manufacturing method
US7964889B2 (en) 2003-11-14 2011-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Nitride-based light-emitting device and method of manufacturing the same
WO2005106974A1 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corporation Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting element
US7291865B2 (en) 2004-09-29 2007-11-06 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device
JP2007258277A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor light emitting device
WO2008084834A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Rohm Co., Ltd. Gan semiconductor light emitting element
JP2011071340A (en) * 2009-09-25 2011-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd Light-emitting element
JP2010192923A (en) * 2010-04-21 2010-09-02 Panasonic Corp Light emitting diode
JP2011258974A (en) * 2011-08-12 2011-12-22 Mitsubishi Chemicals Corp GaN-BASED LIGHT-EMITTING DIODE AND LIGHT-EMITTING DEVICE USING THE SAME

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