JP2004281581A

JP2004281581A - Semiconductor light emitting element

Info

Publication number: JP2004281581A
Application number: JP2003068927A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Nakahara; 健中原
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2003-03-13
Filing date: 2003-03-13
Publication date: 2004-10-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting element having an electrode disposition for enhancing a light emitting efficiency. <P>SOLUTION: The semiconductor light emitting element includes an electrode for a carrier electrically connected to light transmissive electrode layer for supplying the carrier to a semiconductor layer through the light transmissive electrode layer, and a pad electrode electrically connected to the electrode for the carrier for wire bonding. In the semiconductor light emitting element, the pad electrode is disposed at the position except the surface of the light transmissive electrode layer. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光素子に係り、特に発光効率を高めるための電極の配置に特徴を有する半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体発光素子に関し、特に窒化ガリウム系半導体発光素子を例にとって説明する。従来の電極配置を図９に示す。図９は図１０に示した平面図のＡ−Ａ´断面図であり、同一符号は同一の意味である。
【０００３】
半導体発光素子１０は、サファイア等よりなる基板２０に例えばｎ型半導体層からなる第一の半導体層１８を形成し、発光層１６を挟む形で例えばｐ型半導体層からなる第二の半導体層１４を形成し、光透過性電極層１２を形成してその表面にＡｕ、Ｐｔ等で構成され例えば陽極として機能するパッド電極２４ａを設け、ワイヤーボンディングによってボンディングワイヤー２６ａを引き出すように構成されている。ここで、光透過性電極層１２には、例えば、２０ｎｍ以下の厚さのＮＩ／Ａｕ膜を利用していた。
【０００４】
さらに、第一の半導体層１８は、その一部を切り欠いた状態で平面を構成し、陰極として機能するパッド電極２４ｂを構成し、ワイヤーボンディングによってボンディングワイヤー２６ｂを引き出している。この切り欠いた一部は図１０に示したように円弧状に切り欠くことで構成されている。
【０００５】
特に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板としてはサファイアが用いられる。サファイアは絶縁性基板であり、該基板の上に半導体層を積層させていくものである。従って、サファイア基板には直接電極を配置することができないことから、例えば陰極として機能するパッド電極２４ｂを第一の半導体層１８内に配置する。
【０００６】
一方、光透過性電極層１２は、非常に薄いので、光透過性電極層１２上に直接ワイヤーボンディングするとボンディングワイヤー２６ａから生じるボールが光透過性電極層１２と合金化しない。これでは良好な接着が得られないので、ボンディングワイヤー用のパッド電極２４ａを光透過性電極層１２上に形成する必要がある。このパッド電極２４ａは、例えばＡｕ、Ｐｔ等の通常の電極材料を用いることができる。このように構成された半導体発光素子のパッド電極２４ａと電極２４ｂとを、図１０に示すように、対角線上に配置することが知られている（例えば特許文献１参照。）。
【０００７】
これによれば、パッド電極には光透過性がないとしても、パッド電極を隅に配置していることによって発光効率がそれほど妨げられず、しかも対角線上に配置することで、陽極として機能するパッド電極２４ａから陰極として機能するパッド電極２４ｂまで電流が均一に流れるため均一な面発光が得られる。
【０００８】
【特許文献１】
実用新案登録第３０２７６７６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第二の半導体層さらには光透過性電極層１２上面にパッド電極を配置する限り、発光効率が妨げられることには変わりはなく、第二の半導体層上面にパッド電極を配置することなく全面を発光面とする半導体発光素子が望まれていた。
【００１０】
【課題を解するための手段】
本発明に係る半導体発光素子は、基板上に形成された第一の半導体層と、第一の半導体層に発光層を挟んで積層させた第二の半導体層と、第二の半導体層の表面に積層させた光透過性電極層と、光透過性電極層と電気的に接続され光透過性電極層を通じて第二の半導体層にキャリアを供給するためのキャリア用電極と、キャリア用電極と電気的に接続された、ワイヤーボンディング用のパッド電極とを含む半導体発光素子であって、パッド電極を光透過性電極層の表面以外の位置に配置させたことを特徴とする。
【００１１】
これにより、第二の半導体層の上面にある光透過性電極層をほとんど遮ることなく、半導体発光素子の全面を発光させることができる。
【００１２】
また、パッド電極を、基板の表面に配置させてもよい。
さらに、キャリア用電極が、光透過性電極層の表面の縁又は角に向かう方向に延伸されて配置されている補助電極を含んでいてもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０の平面図である。図８及び図９で示した従来の技術と同一符号を付している要素は同じ意味である。
【００１４】
本発明に係る半導体発光素子１０は、例えば陽極として機能するパッド電極２４ａが、発光層１６、例えばｐ型半導体からなる第二の半導体層１４及びその上面にある光透過性電極層１２の表面を覆わない位置に配置される。そして、パッド電極２４ａと上層にある光透過性電極層１２とはキャリア用電極２８を介して接続されている。
【００１５】
図２は、本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０の、図１におけるＡ−Ａ´断面図である。図９及び図１０で示した従来の技術と同一符号を付している要素は同じ意味である。
【００１６】
本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０は、基板２０上に形成された第一の半導体層１８と、第一の半導体層１８に発光層１６を挟んで積層させた第二の半導体層１４と、第二の半導体層１４の表面に積層させた光透過性電極層１２と、光透過性電極層１２と電気的に接続され光透過性電極層１２を通じて第二の半導体層１４にキャリアを供給するためのキャリア用電極２８と、キャリア用電極２８と電気的に接続された、ワイヤーボンディング用のパッド電極２４ａとを備えている。
【００１７】
第一の半導体層１８は、例えばｎ型半導体から構成される。また、第二の半導体層１４は例えばｐ型半導体から構成される。その場合、パッド電極２４ａは陽極として機能する。そして、パッド電極２４ａを光透過性電極層１２の表面以外の位置に配置させている。図２では、このパッド電極２４ａを基板２０の表面に配置させた状態を図示している。
【００１８】
ここで、パッド電極２４ａと対になるパッド電極２４ｂについて説明する。パッド電極２４ｂは、ここでは陰極として機能する。パッド電極２４ｂは、第一の半導体層１８の一部を切り欠いた状態で構成された平面に配置される。そして、パッド電極２４ｂからは、ワイヤーボンディングによってボンディングワイヤー２６ｂが引き出されている。この切り欠いた一部は図１に示したように円弧状に切り欠くことで構成されている。
【００１９】
すなわち、第一の半導体層１８は基板２０のほぼ全面に形成されており、発光層１６及び第二の半導体層１４は、第一の半導体層１８よりも小さな面積で構成されている。第一の半導体層１８の隅には、ボンディングワイヤー２６ｂと接続されたパッド電極２４ｂが形成されている。かかるパッド電極２４ｂが形成されている第一の半導体層１８の上面には、発光層１６を挟んで第二の半導体１４が形成されている。第二の半導体層１４の上面には、光透過性電極層１２が形成されている。この光透過性電極層１２は、ＩＴＯ、ＧａをドープしたＺｎＯ、薄いＮＩ／Ａｕ膜などを例えば蒸着することで形成される。これらの光透過性電極層１２と第二の半導体層１４とをオーミック接触する。また、これらの光透過性電極層１２は非常に薄いので、光を透過させることができ、発光層１６で発光した光は光透過性電極層１２を通過して図２の上面に向かって光ることになる。
【００２０】
さて、今、光透過性電極層１２と、キャリア用電極２８とを電気的に接続させる。キャリア用電極２８は、例えばＡｕ、Ｐｔ等のパッド電極２４ａと同じ材料を用いて構成することができる。ここで、パッド電極２４ａが陽極であるとした場合にはキャリア用電極２８も陽極として機能する。
【００２１】
ただし、キャリア用電極２８は、第二の半導体層１４、発光層１６及び第一の半導体層１８と接触させることは好ましくないので、これらとキャリア用電極２８との間には絶縁層２２を形成した後にキャリア用電極２８を形成することになる。絶縁層２２には、ＳＩＯ_２やＳＩＮを蒸着等で形成する。これにより、第二の半導体層１４の上面にある光透過性電極層１２をほとんど遮ることなく、半導体発光素子１０の全面を発光させることができる。
【００２２】
（実施の形態２）
図３は、本発明の他の一実施形態に係る半導体発光素子１０の平面図である。図３では、さらに、キャリア用電極２８が、光透過性電極層１２の表面の縁又は角に向かう方向に延伸されて配置されている補助電極３０を含んでいる。
【００２３】
図４は、本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０の図３におけるＡ−Ａ´断面図である。図２と基本的に同一であるが、図２に示した実施の形態と異なる点は、光透過性電極層１２の表面の縁又は角に向かう方向に延伸されて配置されている補助電極３０を含んでいることである。
【００２４】
図３に戻る。図３ではキャリア用電極２８はすべて互いに接続され、補助電極３０は、光透過性電極層１２の表面を十字に切る形で配置されている。この補助電極３０は、光透過性電極層１２の材料として用いられるＩＴＯ、ＺｎＯ、ＮＩ／Ａｕ膜等が非常に薄く構成されているため、抵抗値が高くなってしまうことに鑑みて配置されるものである。
【００２５】
すなわち、光透過性電極層１２としてのＩＴＯ、ＺｎＯ、ＮＩ／Ａｕ膜等が非常に薄くて抵抗値が高い場合、正孔を注入する陽極と電子を注入する陰極とが離れていると、電子と正孔との効率的な再結合が妨げられてしまうために補助電極３０を設けたものである。これにより、陽極と陰極との距離が小さくなるために電子と請求項との効率的な再結合が妨げられることがなくなる。
【００２６】
この補助電極３０の配置は、本発明の趣旨を損なわない範囲でいかなる形態であってもよい。すなわち、例えば、図３に示すような十字の状態にかかわらず、クロス状、縦縞状、横縞状のいずれでもよい。要は、光透過性電極層１２の抵抗値が高いことを補う作用があればいかなる形態でも本発明の特許請求の範囲に含まれることはもちろんである。
【００２７】
（実施の形態３）
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０の平面図である。
【００２８】
図５では、基板２０上に配置したパッド電極２４ａをパッド電極２４ｂと対角線状に配置したのではなく、図中、右側面の位置に配置した図を示している。
ここで、キャリア用電極２８は、パッド電極２４ａの近傍に小さい領域で構成されている。このようにキャリア用電極２８については、要は光透過性電極層１２との間で電気的に接続ができればどのような形態であるかは問われない。そして補助電極３０は図３と同様に十字の状態を示しているが十字の状態に限られないことは上述した通りである。
【００２９】
図６は、本発明の一実施形態に係る半導体発光素子１０の図５におけるＢ−Ｂ´断面図である。光透過性電極層１２の上面にキャリア用電極２８と電気的に接続された補助電極３０が配置されているが、これは光透過性電極層１２の上面全てを覆うものではないことも図から明らかである。
【００３０】
（実施の形態４）
図７及び図８は、本発明の一実施形態における半導体発光素子１０の断面図である。図７は、キャリア用電極２８を形成した後に、光透過性電極層１２によって絶縁層２２とキャリア用電極２８の領域を含めて第二の半導体層１４の上面を覆う態様を示している。この態様によっても、キャリア用電極２８と光透過性電極層１２とが電気的に接続されている限りパッド電極２４ａを基板２０に配置させることができる。
【００３１】
さらに図８は、絶縁層２２を形成した後に光透過性電極層１２を形成し、その後キャリア用電極２８を形成する態様を示している。この態様によっても、キャリア用電極２８と光透過性電極層１２とが電気的に接続されている限りパッド電極２４ａを基板２０に配置させることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上により、本発明によれば、パッド電極を光透過性電極面に配置する必要がないので、発光効率が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の図１におけるＡ−Ａ´断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の図３におけるＡ−Ａ´断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の図５におけるＢ−Ｂ´断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子の断面図である。
【図８】本発明のＩ実施形態に係る半導体発光素子の断面図である。
【図９】従来の半導体発光素子のＡ−Ａ´断面図である。
【図１０】従来の半導体発光素子の平面図である。
【符号の説明】
１０半導体発光素子
１２光透過性電極層
１４第二の半導体層
１６発光層
１８第一の半導体層
２０基板
２２絶縁層
２４ａパッド電極
２４ｂパッド電極
２６ａボンディングワイヤー
２６ｂボンディングワイヤー
２８キャリア用電極
３０補助電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a feature in electrode arrangement for improving luminous efficiency.
[0002]
[Prior art]
A conventional semiconductor light emitting device will be described with a gallium nitride based semiconductor light emitting device as an example. FIG. 9 shows a conventional electrode arrangement. FIG. 9 is a sectional view taken along the line AA ′ in the plan view shown in FIG. 10, and the same reference numerals have the same meaning.
[0003]
The semiconductor light emitting device 10 includes a first semiconductor layer 18 made of, for example, an n-type semiconductor layer formed on a substrate 20 made of sapphire or the like, and a second semiconductor layer 14 made of, for example, a p-type semiconductor layer sandwiching the light emitting layer 16. Is formed, a light-transmissive electrode layer 12 is formed, a pad electrode 24a made of Au, Pt, or the like, which functions as, for example, an anode is provided on the surface thereof, and a bonding wire 26a is drawn out by wire bonding. Here, as the light transmitting electrode layer 12, for example, an NI / Au film having a thickness of 20 nm or less was used.
[0004]
Further, the first semiconductor layer 18 forms a plane with a part thereof cut out, forms a pad electrode 24b functioning as a cathode, and draws out a bonding wire 26b by wire bonding. This cut-out portion is formed by cutting out in an arc shape as shown in FIG.
[0005]
In particular, sapphire is used as a substrate in a gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device. Sapphire is an insulating substrate on which semiconductor layers are stacked. Therefore, since an electrode cannot be directly arranged on the sapphire substrate, for example, a pad electrode 24b functioning as a cathode is arranged in the first semiconductor layer 18.
[0006]
On the other hand, since the light-transmitting electrode layer 12 is very thin, the ball generated from the bonding wire 26a does not alloy with the light-transmitting electrode layer 12 when wire bonding is directly performed on the light-transmitting electrode layer 12. Since good adhesion cannot be obtained with this, the pad electrode 24a for the bonding wire needs to be formed on the light transmitting electrode layer 12. For the pad electrode 24a, a normal electrode material such as Au or Pt can be used. It is known that the pad electrode 24a and the electrode 24b of the semiconductor light emitting device thus configured are arranged on a diagonal line as shown in FIG. 10 (for example, see Patent Document 1).
[0007]
According to this, even if the pad electrode does not have light transmittance, the luminous efficiency is not so hindered by arranging the pad electrode at the corner, and furthermore, by arranging the pad electrode diagonally, the pad functioning as an anode Since the current flows uniformly from the electrode 24a to the pad electrode 24b functioning as a cathode, uniform surface light emission can be obtained.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Utility Model Registration No. 3027676
[Problems to be solved by the invention]
However, as long as the pad electrode is disposed on the upper surface of the second semiconductor layer and further on the light-transmitting electrode layer 12, the luminous efficiency remains unchanged, and the pad electrode is not disposed on the upper surface of the second semiconductor layer. There has been a demand for a semiconductor light-emitting element having a light-emitting surface on the entire surface.
[0010]
[Means for solving the problem]
A semiconductor light-emitting element according to the present invention includes a first semiconductor layer formed on a substrate, a second semiconductor layer in which a light-emitting layer is stacked on the first semiconductor layer, and a surface of the second semiconductor layer. A light-transmitting electrode layer laminated on the first electrode, a carrier electrode electrically connected to the light-transmitting electrode layer, and supplying a carrier to the second semiconductor layer through the light-transmitting electrode layer; And a pad electrode for wire bonding, wherein the pad electrode is arranged at a position other than the surface of the light transmitting electrode layer.
[0011]
This allows the entire surface of the semiconductor light emitting element to emit light without substantially blocking the light transmitting electrode layer on the upper surface of the second semiconductor layer.
[0012]
Further, the pad electrode may be arranged on the surface of the substrate.
Further, the carrier electrode may include an auxiliary electrode that is disposed so as to extend in a direction toward an edge or a corner of the surface of the light transmitting electrode layer.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention. Elements denoted by the same reference numerals as those in the prior art shown in FIGS. 8 and 9 have the same meaning.
[0014]
In the semiconductor light emitting device 10 according to the present invention, for example, the pad electrode 24a functioning as an anode is formed by the light emitting layer 16, for example, the second semiconductor layer 14 made of a p-type semiconductor and the surface of the light transmitting electrode layer 12 on the upper surface thereof. It is placed in a position not covered. The pad electrode 24a and the upper light-transmitting electrode layer 12 are connected via a carrier electrode 28.
[0015]
FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention, taken along the line AA ′ in FIG. Elements denoted by the same reference numerals as those in the related art shown in FIGS. 9 and 10 have the same meaning.
[0016]
The semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention includes a first semiconductor layer 18 formed on a substrate 20 and a second semiconductor layer formed by stacking the light emitting layer 16 on the first semiconductor layer 18. 14, a light-transmitting electrode layer 12 laminated on the surface of the second semiconductor layer 14, and a carrier that is electrically connected to the light-transmitting electrode layer 12 and passes through the light-transmitting electrode layer 12 to the second semiconductor layer 14. And a pad electrode 24a for wire bonding, which is electrically connected to the carrier electrode 28.
[0017]
The first semiconductor layer 18 is made of, for example, an n-type semiconductor. The second semiconductor layer 14 is made of, for example, a p-type semiconductor. In that case, the pad electrode 24a functions as an anode. The pad electrode 24a is arranged at a position other than the surface of the light transmitting electrode layer 12. FIG. 2 shows a state where the pad electrode 24a is arranged on the surface of the substrate 20.
[0018]
Here, the pad electrode 24b paired with the pad electrode 24a will be described. The pad electrode 24b functions as a cathode here. The pad electrode 24b is arranged on a plane formed by cutting out a part of the first semiconductor layer 18. The bonding wire 26b is drawn out from the pad electrode 24b by wire bonding. This cut-out portion is formed by cutting out in an arc shape as shown in FIG.
[0019]
That is, the first semiconductor layer 18 is formed on almost the entire surface of the substrate 20, and the light emitting layer 16 and the second semiconductor layer 14 have smaller areas than the first semiconductor layer 18. A pad electrode 24b connected to the bonding wire 26b is formed at a corner of the first semiconductor layer 18. On the upper surface of the first semiconductor layer 18 on which the pad electrode 24b is formed, the second semiconductor 14 is formed with the light emitting layer 16 interposed therebetween. The light transmitting electrode layer 12 is formed on the upper surface of the second semiconductor layer 14. The light transmissive electrode layer 12 is formed by, for example, depositing ITO, ZnO doped with Ga, a thin NI / Au film, or the like. These light-transmissive electrode layers 12 and the second semiconductor layer 14 are in ohmic contact. Further, since these light transmitting electrode layers 12 are very thin, light can be transmitted, and light emitted from the light emitting layer 16 passes through the light transmitting electrode layer 12 and shines toward the upper surface of FIG. Will be.
[0020]
Now, the light transmitting electrode layer 12 and the carrier electrode 28 are electrically connected. The carrier electrode 28 can be formed using the same material as the pad electrode 24a such as Au or Pt. Here, when the pad electrode 24a is an anode, the carrier electrode 28 also functions as an anode.
[0021]
However, since it is not preferable that the carrier electrode 28 is in contact with the second semiconductor layer 14, the light emitting layer 16, and the first semiconductor layer 18, the insulating layer 22 is formed between these and the carrier electrode 28. After that, the carrier electrode 28 is formed. SIO ₂ or SIN is formed on the insulating layer 22 by vapor deposition or the like. Thereby, the entire surface of the semiconductor light emitting element 10 can emit light without almost blocking the light transmitting electrode layer 12 on the upper surface of the second semiconductor layer 14.
[0022]
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a plan view of a semiconductor light emitting device 10 according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, the carrier electrode 28 further includes an auxiliary electrode 30 that is disposed so as to extend in a direction toward an edge or a corner of the surface of the light transmitting electrode layer 12.
[0023]
FIG. 4 is a sectional view of the semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention, taken along the line AA ′ in FIG. 2 is different from the embodiment shown in FIG. 2 in that an auxiliary electrode 30 extending in a direction toward an edge or a corner of the surface of the light-transmitting electrode layer 12 is arranged. It is to include.
[0024]
Referring back to FIG. In FIG. 3, the carrier electrodes 28 are all connected to each other, and the auxiliary electrodes 30 are arranged so that the surface of the light-transmitting electrode layer 12 is cut in a cross shape. The auxiliary electrode 30 is disposed in view of an increase in resistance because the ITO, ZnO, NI / Au film, etc. used as the material of the light transmissive electrode layer 12 are very thin. Things.
[0025]
That is, when the ITO, ZnO, NI / Au film, etc. as the light-transmitting electrode layer 12 is very thin and has a high resistance value, if the anode for injecting holes and the cathode for injecting electrons are far apart, electrons will The auxiliary electrode 30 is provided in order to hinder efficient recombination of holes and holes. As a result, the distance between the anode and the cathode is reduced, so that efficient recombination between electrons and claims is not hindered.
[0026]
The arrangement of the auxiliary electrode 30 may be in any form without impairing the spirit of the present invention. That is, for example, regardless of the state of the cross as shown in FIG. 3, any of a cross, a vertical stripe, and a horizontal stripe may be used. In short, it is needless to say that any form that has a function of compensating for the high resistance value of the light transmissive electrode layer 12 is included in the claims of the present invention.
[0027]
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a plan view of the semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention.
[0028]
FIG. 5 shows that the pad electrode 24a arranged on the substrate 20 is not diagonally arranged with respect to the pad electrode 24b, but is arranged on the right side in the drawing.
Here, the carrier electrode 28 is formed in a small area near the pad electrode 24a. As described above, the carrier electrode 28 does not matter in any form as long as it can be electrically connected to the light transmissive electrode layer 12. The auxiliary electrode 30 has a cross state as in FIG. 3, but is not limited to the cross state as described above.
[0029]
FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention, taken along line BB 'in FIG. An auxiliary electrode 30 electrically connected to the carrier electrode 28 is disposed on the upper surface of the light-transmitting electrode layer 12. However, this does not cover the entire upper surface of the light-transmitting electrode layer 12. it is obvious.
[0030]
(Embodiment 4)
7 and 8 are cross-sectional views of the semiconductor light emitting device 10 according to one embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a mode in which after the carrier electrode 28 is formed, the upper surface of the second semiconductor layer 14 including the region of the insulating layer 22 and the carrier electrode 28 is covered with the light transmitting electrode layer 12. According to this embodiment, the pad electrode 24a can be disposed on the substrate 20 as long as the carrier electrode 28 and the light transmitting electrode layer 12 are electrically connected.
[0031]
FIG. 8 shows an embodiment in which the light-transmitting electrode layer 12 is formed after the insulating layer 22 is formed, and then the carrier electrode 28 is formed. According to this embodiment, the pad electrode 24a can be disposed on the substrate 20 as long as the carrier electrode 28 and the light transmitting electrode layer 12 are electrically connected.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is not necessary to dispose the pad electrode on the light transmitting electrode surface, so that the luminous efficiency is increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention, taken along the line AA ′ in FIG. 1;
FIG. 3 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view of the semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention, taken along line AA ′ in FIG. 3;
FIG. 5 is a plan view of a semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention.
6 is a sectional view of the semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention, taken along line BB 'in FIG.
FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor light emitting device according to Embodiment I of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of a conventional semiconductor light emitting device.
FIG. 10 is a plan view of a conventional semiconductor light emitting device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor light emitting element 12 Light transmissive electrode layer 14 Second semiconductor layer 16 Light emitting layer 18 First semiconductor layer 20 Substrate 22 Insulating layer 24a Pad electrode 24b Pad electrode 26a Bonding wire 26b Bonding wire 28 Carrier electrode 30 Auxiliary electrode

Claims

A first semiconductor layer formed on the substrate,
A second semiconductor layer stacked on the first semiconductor layer with a light emitting layer interposed therebetween,
A light-transmissive electrode layer laminated on the surface of the second semiconductor layer,
A carrier electrode for supplying a carrier to the second semiconductor layer through the light transmitting electrode layer which is electrically connected to the light transmitting electrode layer;
A semiconductor light emitting device including a pad electrode for wire bonding electrically connected to the carrier electrode,
The pad electrode was arranged at a position other than the surface of the light transmitting electrode layer,
Semiconductor light emitting device.

2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein said pad electrode is disposed on a surface of said substrate.

The carrier electrode includes an auxiliary electrode that is disposed so as to extend in a direction toward an edge or a corner of the surface of the light-transmitting electrode layer.
The semiconductor light emitting device according to claim 1.