JP4880122B2 - 試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステム - Google Patents
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims description 53
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 43
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 22
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J4/00—Measuring polarisation of light
- G01J4/02—Polarimeters of separated-field type; Polarimeters of half-shadow type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/447—Polarisation spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は一般には、試料の表面特性を測定する非破壊技術に関し、特に試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステムに関する。
【0002】
【従来の技術】
多くの工業的利用にとって、薄膜の厚さやその屈折率のような試料の表面パラメータを測定することは有用である。これらのパラメータは、多くの技術によって測定され得る。よく知られた非破壊検査技術の中に、分光反射解析法と分光学的偏光解析法がある。
【0003】
分光反射解析法において、入射放射ビームは試料で反射し、そして反射放射線の強度が分析されて試料の特性を測定する。入射放射線は多重波長成分を含んでいるから、測定データのスペクトル(反射率スペクトルまたは相対反射率スペクトルとして知られている)が計測される。米国特許第5,747,813号が一種の広帯域分光反射計を記述しており、この特許は引用により完全な形で本明細書に含まれる。
【0004】
分光学的偏光解析装置が米国特許第5,608,526号に記載されており、これは引用により完全な形で本明細書に含まれる。この特許に記載されているように、既知の偏光状態を有する入射放射ビームが試料から概して大きな入射角度で反射され、反射放射線の偏光が分析されて試料の特性を測定する。反射放射線の偏光は入射ビームのそれとは変わるから、量的なおよび相的な偏光状態の変化が測定されて、試料表面の薄膜の厚さと屈折率が測定される。
【0005】
分光反射解析法は、分光学的偏光解析法よりはシンプルで廉価であるが、分光学的偏光解析法は、分光反射解析法よりはより精確で、表面特性に対して感応度が高い。分光反射解析法と分光学的偏光解析法は有用な非破壊検査技術であるが、表面の複屈折のようなある種の表面パラメータを測定することが困難である。
【0006】
従って、複屈折のような表面パラメータを測定するための改良された測定システムを提供することが望ましい。また、上述の非破壊検査技術を補足するために試料表面の特性を測定する偏光計システムを提供することも望ましい。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本出願人によって提案された偏光計システムは、分光反射計の単純性を維持するが、分光学的偏光解析装置と同様な表面特性に対する感応度を持っている。広帯域放射線の偏光サンプルビームは、試料表面に集束され、試料によって修正された放射線が集められる。試料に集束されたサンプルビームは、多数の偏光状態を有している。試料によって修正された放射線は、偏光面に関して分析されて偏光計スペクトルを生ずる。そして、厚さと屈折率の情報は、スペクトルから求められる。好ましくは、サンプルビームの偏光は、集束と試料とによってのみ変えられ、分析は、固定偏光面に関して行われる。
【0008】
好適な実施例において、サンプルビームの集束と修正された放射線の収集は、試料内の複屈折軸の存否を検出するために2個の異なる開口を使用して繰り返される。他の実施例において、上述の技術は、薄膜の厚さと屈折率とを測定するために、偏光解析法と組み合わされる。
【0009】
【発明の実施の形態】
図示における簡明さのために、同一部材は同じ符号で示されている。
図1は、本発明の好適な実施例を例示するための、分光学的偏光解析装置と偏光計システムとを有する複合装置の概要図である。複合装置の分光学的偏光解析装置を説明する前に、先ず偏光計システム8が図1および図2を参照してある程度詳しく説明される。以下に示すように、好ましくはシステム8は、図1の複合装置の分光学的(または単一波長の)偏光解析装置と一緒に使用されると有利であるが、このシステムはまた試料を測定するためにそれ自身で効果的に使用することもできる。
【0010】
偏光計システム8の全体的な光学的配置は、米国特許第5,747,813号に記載された分光反射計に類似しており、そのシンプルさを維持している。しかしながら、かかる分光反射計とは異なり、本発明のシステム8は、米国特許第5,747,813号のシステムにおける偏光無感応の反射率スペクトルではなく偏光計反射率スペクトルを測定する。従って、システム8は、米国特許第5,747,813号のシステムよりは表面特性に対して感応度が高い。好適な実施例において、本発明は試料によって反射される放射線を検出するものとして例示されているが、本発明は、試料によって伝播される放射線が代わって検出されると本明細書に記載されているように本質的に作用し、このようなまたは他の変形は本発明の範囲内にある。平易にするために、好適な実施例は、以下に反射放射線を測定するものとして説明されるが、かかる説明は伝播放射線を測定するために容易に拡張されることができると理解される。
【0011】
サンプル経路、参照経路、領域照明経路、測定照明経路、および偏光解析装置経路を示すための凡例が図1の右上隅に示されている。上述したように、偏光計パラメータを測定するシステムの全体的な光学的配置が図1および図2を参照して以下に説明される。
【0012】
図1および図2の各々は、偏光計パラメータを測定するための本発明による光学システムの同じ実施例を示している。システム8の集束部材と他の光学部材および図1の分光学的偏光解析装置は部分的に図2では省略されていて、図面を簡潔にしている。その部材は、他の部材に関するその位置を最も明瞭に示す図面と関連して以下に説明される。図1を参照するに、ウェハ3の相対反射率スペクトルを測定する光学システム8は、照明サブシステム、反射計サブシステム、観察サブシステム、および自動焦点サブシステムを有し、任意の光学部材は複数のサブシステムの一部となることがある。照明サブシステムは、キセノンアークランプのような、可視光および/または紫外(UV)光の光ビーム12を放出するランプ10、ランプハウジング窓14、偏芯放物面鏡16、出し入れ式紫外線遮断フィルタ18、カラーフィルタリング20、平面鏡22、凹面鏡24、出し入れ式40μm微細焦点開口30を備えた開口ミラー28、大アクロマート32,領域照明シャッター31,屈曲ミラー36および小アクロマート38を有する。図2において、対物レンズ40は、ミラーとミラー40a,40bを取り囲むハウジング40’を有するが、分光学的偏光解析装置(図2には図示せず)からの傾斜照明ビームのためにハウジングとウェハとの間に十分な空間を残している。
【0013】
照明システムは、測定ビーム25と領域照明ビーム34とからなる複合ビーム42を供給する。ランプ10は、ランプハウジング窓14を通して光ビーム12を放出する。ランプハウジング窓は光学的理由では必要がないが、ランプが亀裂を生じて破裂したときにランプ10を閉じこめるために設けられる。キセノンランプは、UVから近赤外までのスペクトルをカバーする平坦な出力を生ずるので、タングステンランプや重水素ランプ等の他のランプより好ましい。190〜220nmを含む領域の波長成分を有するサンプルビームを供給するために、キセノンランプ10と組み合わせて重水素ランプ88が追加的に使用され、深紫外を含むより広いスペクトルをカバーする。2個のランプを一緒に使用することによって、試料を検出するために供給される放射線の合成複合スペクトルは、約190nm乃至800または830nmまで拡張されることができる。スペクトルを深紫外領域まで拡大することは、写真印刷にとって有用である。ランプ88からの放射線は、レンズ93によって集束され、ミラー95によってフィルタ18に向けて反射され、そしてランプ10からの放射線と組み合わされて複合ビーム12’を形成する。矢印99に沿うビーム12の経路の内外にミラー95を動かすことによって、重水素ランプ88からの放射線を測定ビーム25に含ませたり除外したりすることが可能である。
【0014】
偏芯放物面鏡16は、光ビーム12を平行にし、これはランプ88からの放射線と組み合わされてビーム12’を形成した後、出し入れ式紫外線遮断フィルタ18とカラーフィルタリング20とによって選択的に濾波される。出し入れ式紫外線遮断フィルタ18は、光ビーム12’のスペクトルを制限するために部分的に使用されるから、光ビーム12’が回折格子によって分光されるときに、1次および2次分光は重なり合わない。ビーム12’は平面鏡22によって凹面鏡24上に部分的に反射されて測定ビーム25を形成する。凹面鏡24は測定ビーム25を開口ミラー28の開口上に集束する。
【0015】
光ビーム12の他の部分、すなわち領域照明ビーム34は、大アクロマート32によって屈曲ミラー36の近くに集束され、屈曲ミラー36をしてランプ10、88の像を小アクロマート38に向けて反射させる。小アクロマート38は、光が開口ミラー28で反射する前に領域照明ビーム34内の光を集める。開口ミラー28は、一面に反射コーティングがなされた溶融シリカ板であり、反射コーティングからエッチングされた150μm2 が測定ビーム25用の開口を生ずる。開口は、対物レンズ40の共役軸にある。領域照明は、領域照明ビーム34の光路内に領域照明シャッター31を置くことにより遮断される。
【0016】
狭い測定ビーム25と広幅の領域照明ビーム34は、開口ミラー28で再合体し、領域照明ビーム34は開口ミラー28の前で反射し、測定ビーム25は開口と偏光子102を通過し、これはモータ101によってビーム25の経路に出入りされる。
【0017】
図1は反射計と、光学システム8の観察サブシステムおよび自動焦点サブシステムとを示しているが、対物レンズ40、ビーム分割ミラー45,サンプルビーム46,オプションの参照ビーム48,凹面鏡50,平面鏡43,参照分光ピンホール56を備えた参照板52,サンプル分光ピンホール58を備えたサンプル板54、第2の屈曲ミラー68,回折格子70,サンプル線状フォトダイオードアレー72,参照線状フォトダイオードアレー74,短焦点距離を有するアクロマート80,ミラー82,ビーム分割キューブ84,五角プリズム86,長焦点距離を有するアクロマート90,中立密度フィルタリング97,第3の屈曲ミラー91,およびビデオカメラ96を有している。これらの構成要素のいくつかは、明確化のために図2には示されていない。
【0018】
対物レンズ40にとって、いくつかの拡大率は可能である。実施例において、シュバルツチルト(Schwarzchild)設計の全反射対物レンズは、回転ターレットに載せられ、これはいくつかの異なる対物レンズ(図示せず)の一つをサンプルビーム46の光路内に置くことを可能とする。本発明における測定に著しい影響を与えずに、サンプルビーム46の光路内に低出力の屈折部材を置くことが可能である。
【0019】
ウェハ3の相対反射率スペクトルの測定が次に説明される。領域照明シャッター31が領域照明ビーム34の経路内に置かれると、複合ビーム42は測定ビーム25のみから構成される。複合ビーム42は、複合ビーム42の半分を対物レンズ40に向かって偏向するように置かれた全反射ミラーであるビーム分割ミラー45によって分けられ、このようにしてサンプルビーム46を形成し、複合ビーム42の偏向されなかった半分は参照ビーム48を形成する。サンプルビーム46とオプションの参照ビーム48は、同じ光源であるランプ10、88から出ているので、そして複合ビーム42は放射状に一様なので、参照ビーム48とサンプルビーム46は、比例的に従属のスペクトル強度を有している。さらに、ビーム分割ミラー45は、全光路内にある部分反射ミラーではなく、光路の半分内にある全反射ミラーであるので、連続広帯域スペクトルが良好な輝度で反射される。
【0020】
参照ビーム48は、当初はビーム分割ミラー45に作用しないが、代わりに凹面鏡50を照射する。凹面鏡50は、少し軸がオフセットしており、このため参照ビーム48はビーム分割ミラー45の背面上に反射し、ここで平面鏡43が参照分光ピンホール56に整列するように参照ビーム48を再反射する。平面鏡43は、参照ビーム48をサンプルビーム46に再整合するように設けられているため、両ビームはそれらのそれぞれの分光ピンホールを実質的に平行に通過する。参照ビームはサンプルビームと平行に分光計に入るので、このことは両チャンネルに対する分光計部材の簡単な整合を可能とする。
【0021】
参照ビーム48は、ビーム46を反射するビーム分割ミラー45の表面に作用しないので、参照ビーム48がビーム分割ミラー45を通過するときに参照強度の損失が無い。参照ビーム48は、ビーム分割ミラー45の背面のミラー43に作用するが、光がビーム分割ミラー45を通過しないので、これらの2個のミラーは独立している。事実、ビーム分割ミラー45の2個の反射面が容易には1つの光学素子に一緒に置かれない別の実施例においては、複数の反射面は複数の分離ミラー部材上に存在する。
【0022】
凹面鏡50の焦点距離は、参照ビーム48が参照分光計ピンホール56に焦点を結ぶようになっている。参照分光計ピンホール56を通過し屈曲ミラー68で反射する光は、回折格子70により分散される。生成された1次分散光は参照線状フォトダイオードアレー74によって集められ、これにより相対参照スペクトルを測定する。
【0023】
偏光サンプルビーム46は、ビーム分割ミラー45から対物レンズ40に向けて反射され、ここでサンプルビーム46はウェハ3の上に集束され、そして反射サンプルビーム46’が対物レンズ40によってサンプル分光計ピンホール58上に集束される。反射サンプルビーム46’は、ビーム分割ミラー45の背後の参照ビーム48も通過する空間を通過するので、反射サンプルビーム46’は反射経路上でビーム分割ミラー45に作用しない。試料3からの反射サンプルビーム46’の放射線は、ピンホール58に達する前に分析器104を通過する。サンプル分光計ピンホール58を通過し屈曲ミラー68で反射する光は、光の波長に応じて回折格子70により分散される。参照ビームと共に、サンプルビームの生成1次分散ビームはサンプル線状フォトダイオードアレー72によって集められ、これによりサンプル偏光計スペクトルを計測する。2本のビームが回折格子70で交差するので、図2においてサンプルビーム46に明らかに整列したフォトダイオードアレーは、実際参照ビーム48用フォトダイオードアレーであり、また逆である。偏光子102と分析器104は回転せず、好ましくは静止している。従って、分析器104は、試料によって修正され、かつ対物レンズ40によって集められた放射線を固定偏光面に従って分析する。
【0024】
それから、相対反射率スペクトルは、各波長におけるサンプル光強度を各波長における相対参照強度によって割ることにより簡単に得られる。典型的には、これは、512個のダイオードの線状フォトダイオードアレーがサンプルスペクトルおよび参照スペクトルを記録するために使用される512回の割り算計算を含んでいる。好適な実施例において、スペクトルは約190nmから800または830nmまでの範囲に亘っている。
【0025】
本発明の実施例において、回折格子70は凹面のホログラフィック格子であり、分光計ピンホールは15mm離れている。その15mmの間隔は、両ビームが格子上に中心合わせすることを許さないので、回折格子はホログラフィック技術によりマルチスペクトルを結像するように訂正される。このような格子は、インスツルメンツSAによって供給されるマルチスペクトル結像格子である。また、格子は、検出器の角度が検出器からの反射を格子から外れるように設計されている。
【0026】
領域照明を含んでいるかもしれない複合ビーム42は、ビーム分割ミラー45からウェハ3に向かって反射される。反射率スペクトル測定と自動焦点が行われているとき、領域照明は分散光を最小化するように切られる。
【0027】
相対反射率スペクトルを測定するために使用される光学要素の革新的な配置のために、スペクトル測定サブシステムの多くの要素がまた自動焦点サブシステムにも使用される。例えば、図示された実施例の相対反射率スペクトル測定が、部分反射ミラーに対向するビーム分割ミラー45を使用しているので、ウェハ3から反射される生成ビームは、非対称円形断面を有している。このため、焦点整合状態を達成するために対物レンズ40またはウェハ3を動かす相対距離のみならず焦点方向を検出することを可能とするが、対称円形断面を用いては焦点方向を検出することはできない。
【0028】
図1および図2の偏光計システム8は、サンプルビーム46が本出願のシステムにおいて偏光している点で米国特許第5,747,813号に記載されたものとは異なっている。このように、サンプルビーム46が対物レンズ40によって試料3に向かって反射されると、ウェハ上に焦点を結ぶビームは多数のまたは複数の異なる偏光状態を持つ。これが図3Aおよび図3Bに関連してより明瞭に説明される。サンプルビーム46はミラー40aによってミラー40bに向かって反射され、それからこれは図3Aに示されるようにビームを試料3に向けて集束する。図3Bは、ウェハ3に焦点整合したときのサンプルビーム46の照明開口を示す概念図である。図3A、図3Bにおける種々の量は、円柱座標ρ、φ、θを基準として定義され、ここでρは座標系における点の腕長(原点からの距離)、φは試料表面に対して垂直である参照面に対する該点を含み該試料面に対して垂直な面の角度であり、そして、θは、試料表面の法線からの該点を原点に結ぶ線の角度(法線に対する入射角)である。
【0029】
図3Aを参照するに、偏光子102は角度φP における面によって定義される偏光面を有しているから、その偏光子から出てビーム分割器45によって反射されるサンプルビーム46はまたこの偏光を持っていると仮定される。ビーム46は、先ずミラー40aによって反射され、ビームを試料3上に集束するミラー40bによってその後に反射されると、試料3に集束したビームは図3A、図3Bに示されるように、異なる入射面に入る。図3Bにおいて、ビーム46の偏光面φP は103で示されている。
【0030】
以上の説明から、ビーム分割ミラー45は偏光ビームの約半分を偏向してサンプルビーム46とし、ビームの残り半分を参照ビーム48として通過させる。このような理由で、図3Bの照明開口(陰付き領域106)はほとんど半円形状となる。このようにして対物レンズ40によって試料3上に集束される放射線は、半円形領域を跨ぐ入射面で試料に入射する。領域内の角度φの1値の入射面内でウェハに入射する放射線は、領域内の角度φの異値を有する入射面における放射線のそれとは異なるs分極およびp分極を有する。異なる入射面内の放射線のs分極およびp分極は、定義により、異なる向きを持つので、その一入射面内の入射放射線の偏光状態は、異なる入射面における入射放射線のそれとは異なるものとなる。従って、試料3上に入射する放射線は、φの関数としての多くのすなわち複数の偏光状態を持つことになる。
【0031】
試料3上に集束されるビームは、以下に説明されるように対物レンズ40a,40bの合成反射係数の関数としてサンプルビーム46と対比されて強度が減少する。サンプルビーム46から生じて対物レンズ40により試料上に集束された放射線は、試料により反射され、これは再び強度を減じ、試料の反射係数の関数として各偏光成分の相を変える。このような放射線は再び対物レンズ40によってビーム分割器45と分析器104とを通って上述した分光器に反射される。好適な実施例において、放射線を試料に集束するために使用された同じ対物レンズがまた、分析器と分光器に向かう反射放射線を収集するために使用されるけれども、これは必要なことではなく、異なる収集対物レンズが集束対物レンズに加えて使用できること、そしてその様なまたは別の改変も本発明の範囲に入ることが理解される。
【0032】
試料表面上の原点に向かうφP 方向の分極を有する半円形照明開口内にある図3Aの座標(ρ、φ)を持つ点105からの入射放射線を考えてみる。電界は、以下のように図3A、図3Bに示されるs分極とp分極に分解される。
ここで、Einは、偏光子102によって偏光された後のビーム46内の放射線の電界、Eo はその値、そしてEs in、Ep inはs分極とp分極に沿う放射線の成分である。放射線が対物レンズを出た後は、次のようになる。
ここで、Eout は、試料3によって反射された後のビーム46内の放射線の電界、そしてEs out 、Ep out はs分極とp分極に沿うその成分であり、並びにrs s (ro s )とrs p (ro p )は試料(対物レンズ)のためのs分極とp分極用反射係数である。対物レンズ用の反射係数は、図3Aに示された2個のミラーの反射係数の積である、すなわち、ro s =ro1 sro2 sおよびro p =ro1 pro2 pである。φa の偏光面を備えた分析器を通過した後の分光器における電界は、pa に沿って得られる。
【0033】
検出器電流は以下のように表される。
もし偏光子102が省略されれば、半円形開口に対する検出器電流は次のようになる。
式(2)において、Ro s 、Rs s 、Ro p 、Rs p は、|ro s |2 、|rs s |2 、|ro p |2 、|rs p |2 としてそれぞれ定義される。ro s 、rs s 、ro p 、rs p は、入射角の関数、すなわちρの関数であることに留意しなければならない。偏光子102が、図1〜図3に示すように位置していると、分光器における強度が試料および対物レンズのs反射率とp反射率およびΔo 、Δs の関数であるとの一般式が導かれ、Δo 、Δs は、
によって定義され(ここで、rs p 、rs s はp分極およびs分極における放射線の試料表面の複合反射係数であり、またここで、ro p 、ro s はp分極およびs分極における放射線の対物レンズの複合反射係数である)、そしてΨo 、Ψs 、Δo 、Δs はまた偏光解析装置のパラメータである。従って、システム8は、偏光に感応する。
【0034】
幾つかの特殊ケースが以下に示される。
A.φ0 =π
Δの変化に感応するシステムに対し、2(φp −φa )=mπである。もしφp =φa'であれば、
B.φ0 =π/2
もしφp =φa =π/2であれば、
【0035】
以上の分析から、式(4)および(6)の第3項のcos(Δo +Δs )係数は、偏光子と分析器の角度が同じときに、すなわち、偏光子102と分析器104とが実質的に同じ偏光面を持つときに最大になる。換言すれば、図4に示されるように、偏光子および分析器の両方として機能する単一の偏光子を使用できる。図4に示されるように、偏光子116が、偏光子102と分析器104とを置換するように使用できる。フォトダイオードアレーのサンプルチャネルは、式(5)に比例する。この構成において、一つの偏光子のみが必要であり、偏光子と分析器は自己整合である。さらに別の代替例として、もし分割器45が偏光ビームスプリッタであれば、偏光子102と分析器104が一緒に省略される。膜厚検出の感度を改良するために、図1において、点線で示される波板または遅延素子190がビーム分割器45と分析器104の間に挿入されて、式(4)および(6)の第3項の余弦係数cos(Δo +Δs )の議論に移相を導入する。好ましくは、分析および分散の前に素子190によって生ずる収集放射線の移相は、約π/4である。ミラー40a、40bのミラーコーティングの厚さがまた、薄膜の厚さの検出の感度を増大するために選択されるから、ミラー40a、40bに焦点整合し集められる放射線の相の全変化は、約π/2である。そしてこれは、式(4)および(6)の第3項の余弦係数cos(Δo +Δs )の議論において、Δo をπ/2とするので、これらの式の余弦項は、正弦項に変換される。
【0036】
アレー72の検出器電流に関して測定された偏光計スペクトルは、試料3についての有用な情報を得るのに使用される。例えば、もし試料3の多くの異層の物質の型がその屈折率を推算できるように知られていれば、かかる検出器電流は、層の厚さと精確な屈折率を得るのに十分である。その様な推論の方法は当業者には知られており、ここで詳細に述べる必要は無い。代替的に、検出器信号は、膜厚と屈折率を得るために、偏光解析装置の測定結果と組み合わされる。多くの異なる波長におけるデータポイントを得ることができるので、偏光計システムにおいて検出用に広帯域放射線を使用することは有利である。このような豊富なデータポイントは、試料上の多層の厚さおよび屈折率を測定するために非常に有用であり、そしてより精確な曲線適合アルゴリズムを適用し、または測定値の精度をクロスチェックすることを可能とする。
【0037】
システム8はまた、2回の測定により面内複屈折試料を分析するために使用できるが、その測定の各々は照明開口の2象限の一方がカバーされている。図3Bに示されるように、照明開口は実質的に半円であり、第1象限106aと第4象限106bとを含んでいる。図5Aおよび図5Bは、第1象限(斜線域)を通る照明のみを示しており、照明ビームの反射は第3象限106dのみを通る。第1象限がカバーされておりかつ第4象限がカバーされていないとき、第2の測定は、第4象限を通る照明で行われ、第2象限を通る反射が同様に集められて測定される。これは、ウェハ3を90度物理的に回転するのと同様の効果がある。第1象限および第4象限の照明に対して複屈折軸が入射面と異なって整列しているので、2回の連続した測定から複屈折効果が減ずることができる。仮にウェハに関する複屈折の軸が知られていれば、第1象限106aおよび第4象限106bが例えば正常軸と異常軸の周りのように、複屈折の対応軸の周りにそれぞれ中心化するように4個の象限の位置を配向することによって測定が最適化することができる。図5Bに示されるように、偏光子102の第4象限がカバーされ、そして偏光子102の偏光軸103がウェハの複屈折軸と整列していることが前提にされている場合、第1象限106aは複屈折軸の周りに中心化されている。第1の偏光計スペクトルが得られる。それから、第4象限106bが次に偏光軸の周りに中心化されるとされかつ第1象限が代わってカバーされるように回転手段(図示せず)によって偏光子102が90°回転され、第2の偏光計スペクトルが得られる。第1および第2のスペクトルの対比が、ウェハ3内の1本または複数本の複屈折軸の存在を示す。第1および第4の象限が偏光子の軸の周りに中心化しない場合でも、2個のスペクトルの対比は複屈折軸を見いだす。
【0038】
結晶の複屈折を検出する上述の方法はまた、図6に示された回転リング200を使用して実施されることもできる。このようにして、図1の偏光子102は、リング200によって置換される。偏光計パラメータを検出するための図1を参照して上述された測定を実施するために、リング200が回転されて位置1の偏光子201が開口28を通過してビーム分割器45に至る照明ビームの経路内に入る。照明開口は、第1象限106aおよび第4象限106bから構成されており、そしてウェハ3からの反射は第2および第3象限の開口を通して集められる。図4B、図6Bの第1象限106aを遮断すなわちカバーすることが望ましい場合、位置2における偏光子202が開口ミラー28とビーム分割器45の間の放射線ビームの経路内に入るまでリング200が回転される。照明開口は第4象限106bのみから構成され、ウェハ3からの反射は第2象限の開口106cのみを通して集められる。代わって第4象限106bを遮断すなわちカバーすることが望ましい場合、位置3における偏光子203が光路内に入るまでリング200が回転される。照明開口は第1象限106aのみから構成され、ウェハ3からの反射は第3象限の開口106dのみを通して集められる。米国特許第5,747,813号と同じように操作することが望ましい場合には、偏光子が無い位置4にある開口204が、開口ミラー28とビーム分割器45の間のビームの光路内に入るまでリング200が回転される。
【0039】
上述の実施例においては、複屈折検出は異なる照明開口を使用して実現されたけれども、本質的には、代わりに集光開口を使用しても同じ結果が得られる。換言すれば、照明放射ビームの経路内における照明開口を部分的に遮蔽する代わりに、試料から反射され、そして集められて分光器と検出器へ導かれる放射線の経路内にある集光開口が部分的に遮蔽されすなわちカバーされる。このようなまたは他の改変例も本発明の範囲内に含まれる。
【0040】
複屈折を検出するためのシステム8を使用する適用例が上述されている。システム8はまた、試料表面の他のパラメータを検出するためにも使用できる。図面、特に図3Aおよび図3Bに関連する上述の式と説明とから、フォトダイオードアレー72の分光計によって検出される反射スペクトルは、Δに関する情報、偏光解析に一般に使用されかつ厚さに関連する偏光計パラメータ、および試料表面の薄膜の厚さと屈折率とを使用している。従って、試料表面の所定の様相が既知であれば、このような既知の様相は、システム8によって測定された偏光計パラメータに関する情報と結びつけられて、膜厚や屈折率のような試料の有用な情報を導出する。
【0041】
好適な実施例において、フォトダイオードアレー72によって得られる反射スペクトルは、フォトダイオードアレー74からの参照スペクトルと対比されて偏光計パラメータを導出し、SN比を改善する。しかしながら、幾つかの適用例においては、偏光計パラメータは参照スペクトルを使用せずに反射スペクトルのみから導出される。かかる適用においては、参照ビーム48は必要とされないから、ビーム48の生成に関連する全ての要素と参照スペクトルは図1および図2から削除される。このようなまたは他の改変は本発明の範囲内にある。
【0042】
図1の複合装置の分光学的偏光解析装置300が次に説明される。図1に示されるように、キセノンアークランプ10から発生し、焦点18、20を貫通通過した放射線の一部は、ビーム分割器302によって光ファイバケーブル304へ偏向され、これはコリメータ306へ放射線を供給する。平行にされた後、ビームは、偏光子310によって偏光化され、焦点ミラー312によってウェハ3へ集束される。その様なビームの反射は、収集ミラー314により集められ、そして屈曲ミラー316により分析器320を通して反射されてから検出のために分光計322と検出器324へ供給される。ウェハ3における反射によって生起されるビーム308の偏光状態の変化の値と相が測定できるように、偏光子310と分析器320とが互いに関して回転される。分光学的偏光解析装置300の操作の詳細な説明については、米国特許第5,608,526号を参照されたい。
【0043】
複数層の薄膜を持つ試料を測定するために、図1に示すように偏光計パラメータを測定するためのシステム8と分光学的偏光解析装置300とを有する複合装置を使用するのが望ましい。システム8と分光学的偏光解析装置300とは、サンプルビーム46とサンプルビーム308とがウェハ3の同じスポットに実質的に集束するように配置される。システム8によって測定される偏光計パラメータは、膜厚や膜の屈折率のような役に立つ情報を得るために、システム300によって測定される偏光解析装置パラメータと組み合わせられる。システム8によって測定される偏光計パラメータと、システム300を使用して得られる偏光解析装置パラメータとは、イワン オーリダル(Ivan OHLIDAL)とフランテスク ルケス(Frantisek LUKES) の「入射偏光解析の液浸と多重角との組合せによる極薄膜の自然酸化物層を備えた半導体の分析」(応用表面科学第35号(1988−1989)第259頁乃至273頁、北オランダ、アムステルダム)に記載されているような技術を使用して結合される。
【0044】
分光学的偏光解析装置のスペクトル領域は、約193nmのような深紫外までは延びないけれども、複合装置を使用することにより、かかる波長における屈折率を精確に測定することが可能である。このようにして、複合装置は分光学的偏光解析装置と偏光計システム8との複合スペクトルの全体に亘って屈折率を測定するために使用される。複合装置とシステム8および分光学的偏光解析装置の双方のデータとを使用することによって、分光学的偏光解析装置のスペクトル中の波長における、試料の異なる膜の厚さと屈折率とが見い出すことができる。この厚さ情報は、複合装置からのデータと一緒に、深紫外領域における膜の屈折率の発見に使用される。アレー72、74の検出器の数および分光器322の検出器324は、最適結果を得るための望ましい波長におけるデータを得るように選択される。
【0045】
代替実施例において、サンプルビーム46、308は、ウェハ3の同じ点に集束される必要性は無い。ウェハ3は、通常の方法による回転により、または直線状平行移動、または2つの運動の組合せにより、動かされるので、システム8によって測定される点は、引き続きシステム300によって測定され、またこの反対手順でも行われ、そして同じ点を測定する2つのシステムによって得られたデータが、上述したのと同様の要領で組み合わせられる。回転運動および平行移動運動は制御されるから、2つのシステム8、300によって測定されている点の相対運動は相関されることができる。
【0046】
上述したように、分光学的偏光解析装置は偏光計システム8と完全に結合されるが、システム8を単一波長偏光解析装置と連結することも可能である。この目的のために、図1の配置は分光器322の光路中においてミラー321と検出器324の間で回折格子を取り除くことによって簡単に改変される必要がある。偏光計スペクトル中の波長を持つレーザが、単一波長偏光解析装置のための放射源として使用されうる。単一波長偏光解析装置による測定およびシステム8による測定を用いて、偏光計スペクトルの全体に亘る波長における膜厚と屈折率とを得ることがなお可能である。
【0047】
本発明は種々の実施例を参照して以上に説明されたけれども、添付の請求項およびその均等によってのみ限定される本発明の範囲から逸脱することなしに変更または修正がなされうることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の好適な実施例を示すための、分光学的偏光解析装置と偏光計システムとを有する複合装置の概念図である。
【図2】 図1の偏光計システムの斜視図である。
【図3A】 偏光計パラメータを測定するための図1のシステムの一部分を示す簡略概念図である。
【図3B】 図2Aの照明開口のグラフ表示である。
【図4】 本発明の別の実施例を示すための、偏光計パラメータを測定するためのシステムの一部の簡略概念図である。
【図5A】 図1の偏光計パラメータ測定システムの簡略概念図であり、照明ビームおよび反射ビームの光路が開口を通過して、本発明の好適な実施例を示している。
【図5B】 試料の複屈折軸に関する図5Aの開口の概念図であり、本発明を示している。
【図6】 4個の異なった開口を備えたリングの概念図であり、その3個の開口は本発明の好適な実施例を示すためにその中に偏光子を有している。
Claims (72)
- 試料の特性を測定する方法であって、
広帯域放射線の、多数の偏光状態を有する偏光サンプルビームを試料上に集束するステップで、前記偏光サンプルビームを生成するために広帯域放射線のビームを偏光するステップをさらに含み、多数の偏光状態を有するビームを前記試料上に集束するように前記集束するステップが前記偏光サンプルビームを集束し、前記偏光状態が試料表面に直角な参照面に対する角度φの関数であるステップと、
前記試料により変化している前記偏光サンプルビームから放射線を集めるステップと、偏光計スペクトルを生成するために前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を偏光素子と分散により分析するステップであって、前記放射線と前記偏光サンプルビームとの間の偏光状態における実質的な相対的変化が、前記集束するステップ、前記集めるステップ、および前記分析するステップにおいて使用される光学素子間の相対運動によって引き起こされない、分析するステップと、
前記偏光計スペクトルから前記試料の光学的に検出可能な特性を導出するステップと、 を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
広帯域放射線のビームを前記偏光サンプルビームと参照ビームとに分割するステップをさらに含み、前記集束するステップが前記偏光サンプルビームを前記試料上に集束する方法。 - 請求項2記載の方法において、
参照スペクトルを生成するために前記参照ビームを検出するステップをさらに含み、前記導出するステップが膜厚および屈折率情報を導出するために前記偏光計スペクトルと前記参照スペクトルとを対比する方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記参照ビーム、前記偏光計スペクトル、および前記参照スペクトルが、約190nmから約830nmまでの範囲の多重波長を含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記分割するステップが、前記広帯域放射線のビームを完全に横切る程でないように置かれたミラーに前記広帯域放射線のビームを導くことを含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記分割するステップが前記広帯域放射線のビームの一部をサンプルビームに偏向することを含み、前記放射線の非偏向部分が参照放射線ビームを画成する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記導出するステップが、複屈折特性、膜厚または屈折率情報を導出する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップが、共通の対物レンズを使用する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記試料が1以上の複屈折軸を有し、前記集束するステップまたは前記集めるステップが前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸の周りに中心化された開口を使用する方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップを、前記複屈折軸のうちの少なくとも2つの複屈折軸の周りにそれぞれ整列された少なくとも2つの異なる開口を使用して繰り返す方法。 - 請求項10記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップを、前記複屈折軸のうちの少なくとも2つの複屈折軸の周りにそれぞれ中心化された少なくとも2つの異なる開口を使用して繰り返す方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップを、前記試料内の複屈折軸の存否を検出するために2つの異なる開口を使用して繰り返す方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記偏光計スペクトルが、約190nmから約830nmまでの範囲の多重波長を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記分析するステップが、前記試料により変化した放射線をあらかじめ設定された固定の偏光面に対して分析する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記分析するステップの前に、前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線の位相を変更するステップをさらに含む方法。 - 請求項15記載の方法において、
前記変更するステップが、前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線の位相を約π/4だけ遅延する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップが、2回行われ、かつ試料表面に直角な参照面に対する2つの異なる角度範囲内で行われる方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップが、放射線を2つの異なる開口のセットを通して通過させることによって2回行われる方法。 - 請求項18記載の方法において、
前記2つの異なる開口が、回転により実質的に90°離れている方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記試料が少なくとも2つの複屈折軸に沿った種々の光学的に検出可能な特性を有し、前記集束するステップまたは前記集めるステップが前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸の周りに中心化された開口を使用する方法。 - 請求項20記載の方法において、
前記集束するステップおよび前記集めるステップを、前記複屈折軸のうちの少なくとも2つの複屈折軸の周りにそれぞれ整列された少なくとも2つの異なる開口を使用して繰り返す方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記サンプルビームが第2の偏光素子により前記試料に達する前に、前記サンプルビームを偏光するステップをさらに含み、前記試料が少なくとも2つの複屈折軸に沿った種々の光学的に検出可能な特性を有し、前記集束するステップ、前記集めるステップ、前記分析分散するステップ、および前記導出するステップが少なくとも2回行われる間は、前記第2の偏光素子が前記複屈折軸のうちの1つに整列される方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記集束するステップ、前記集めるステップ、前記分析分散するステップ、および前記導出するステップが少なくとも2回行われる間は、前記第2の偏光素子が回転により実質的に90°離れている2つの異なる位置にある方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記サンプルビームが第2の偏光素子により前記試料に達する前に、前記サンプルビームを偏光するステップをさらに含み、前記集束するステップ、前記集めるステップ、前記分析するステップ、および前記導出するステップが、前記偏光素子が異なる位置にある状態で少なくとも2回行われる方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記集束するステップ、前記集めるステップ、前記分析するステップ、および前記導出するステップが少なくとも2回行われる間は、前記偏光するステップおよび前記分析するステップで使用される前記偏光素子が実質的に同じ偏光面を有する方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記集束するステップ、前記集めるステップ、および前記分析するステップが少なくとも2回行われる間は前記分散するステップが少なくとも2つのスペクトルを生成し、前記導出するステップが前記少なくとも2つのスペクトルを使用して前記試料の複屈折特性に関する情報を導出する方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記2つの異なる位置が、回転により実質的に90°離れている方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記集束するステップが前記偏光サンプルビームを形成するためにビームを偏光することを含み、前記ビームを偏光することと前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を分析するステップとが前記偏光素子によって行われる方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記広帯域放射線のサンプルビームが、紫外線波長または深紫外線波長を少なくとも1つ含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を分散するステップが、前記試料の偏光解析装置のパラメータΔに関する情報を含むスペクトルを生成する方法。 - 試料の特性を測定する装置であって、
広帯域放射線のビームを供給する放射線源と、
広帯域放射線の多数の偏光状態を有する偏光サンプルビームを試料上に集束する手段であって、前記広帯域放射線のビームを前記偏光サンプルビームと参照ビームとに分割する手段をさらに備え、前記集束された偏光サンプルビームが多数の偏光状態を有するように前記集束する手段が前記偏光サンプルビームを前記試料上に集束し、前記偏光状態が試料表面に直角な参照面に対する角度φの関数である集束する手段と、
前記試料により変化している前記偏光サンプルビームから放射線を集める手段と、
偏光計スペクトルを生成するために前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を偏光素子と分散を含んで分析する手段であって、前記放射線と前記偏光サンプルビームとの間の偏光状態における実質的な相対的変化が、前記集束する手段、前記集める手段、および前記分析する手段において使用される光学素子間の相対運動によって引き起こされない、分析する手段と、
前記偏光計スペクトルから前記試料の光学的に検出可能な特性を導出する手段と、
を備える装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分割する手段が、前記広帯域放射線のビームを完全に横切る程でないように置かれた全反射ミラーを含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分割する手段が、前記放射線源からの広帯域放射線のビームの一部をサンプルビームに偏向し、前記放射線の非偏向部分が参照放射線ビームを画成する装置。 - 請求項31記載の装置において、
参照スペクトルを生成するために前記参照ビームを検出する検出器をさらに備え、前記導出する手段が膜厚と屈折率情報を導出するために前記偏光計スペクトルと前記参照スペクトルとを対比する手段を含む装置。 - 請求項34記載の装置において、
前記放射線ビーム、前記偏光計スペクトル、および前記参照スペクトルが、約190nmから約830nmまでの範囲の多重波長を含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分割する手段が、偏光ビーム分割器を含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分割する手段が、ビーム分割器を含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記偏光素子が、前記集束する手段の光路内にある装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記導出する手段が、複屈折特性、膜厚または屈折率情報を導出する装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記偏光サンプルビームを形成するために広帯域放射線のビームを通過する偏光子をさらに備え、前記集束する手段による集束および前記分析分散する手段による分析中に前記偏光子と前記偏光素子とは互いに関連して回転しない装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集束する手段および前記集める手段が、前記偏光サンプルビームを前記試料上に集束しかつ前記試料により変化した放射線を集める共通の対物レンズを有する装置。 - 請求項31記載の装置において、
偏光されたかまたは偏光されない前記サンプルビームを生成するために、放射線源からの広帯域放射線のビームの経路の内外に偏光素子を動かす手段をさらに備える装置。 - 請求項42記載の装置において、
前記偏光素子が、前記放射線源から発生するビームを偏光し、前記試料により変化しかつ前記集める手段により集められた放射線を分析する装置。 - 請求項31記載の装置において、
放射線源をさらに備え、前記集束する手段が前記放射線源からの放射線を1以上の複屈折軸を有する前記試料上に集束し、前記装置が前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸に整列される少なくとも1つの開口を備え、前記開口が前記放射線源と前記分析する手段との間の光路内にある装置。 - 請求項44記載の装置において、
前記少なくとも1つの開口が、前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸の周りに中心化される装置。 - 請求項44記載の装置において、
前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸に整列される少なくとも2つの開口のうちの1つを選択する手段をさらに備える装置。 - 請求項46記載の装置において、
前記選択する手段により2つの異なる開口のそれぞれを前記複屈折軸の対応する一つに整列させるので、前記2つの異なる開口がそれらの対応する複屈折軸に連続して整列されたときに得られる偏光計スペクトルが、前記試料の複屈折に関する情報をもたらす装置。 - 請求項47記載の装置において、
前記選択する手段が、内部に少なくとも2つの開口を備えたリングを含む装置。 - 請求項48記載の装置において、
前記リングが、前記少なくとも2つの開口のそれぞれに偏光子を有する装置。 - 請求項48記載の装置において、
前記少なくとも2つの開口のうちの2つが、1個の象限が遮蔽された円の形に実質的に成形される装置。 - 請求項31記載の装置において、
放射線源をさらに備え、前記集束する手段が前記放射線源からの放射線を1以上の複屈折軸を有する前記試料上に集束し、前記装置が前記複屈折軸を検出するために前記サンプルビームの光路内で線状偏光子を回転させる手段をさらに備える装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記広帯域放射線が、約190nmから約830nmまでの範囲の多重波長を含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分析する手段が、前記試料により変化した放射線をあらかじめ設定された固定の偏光面に対して分析する装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集める手段と前記分析する手段との間の光路内に位相遅延器をさらに備え、前記位相遅延器が、前記分析する手段の前に、前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線の位相を変更する装置。 - 請求項54記載の装置において、
前記位相遅延器が、前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線の位相を約π/4遅延させる装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集束する手段または前記集める手段が、反射された放射線の位相において、前記集束する手段および前記集める手段により約π/2の総変換を導入するコーティングを有するミラーを含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集束する手段および前記集める手段が、2回行われ、かつ試料表面に直角な参照面に対する2つの異なる角度範囲内で行われる装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集束する手段および前記集める手段が、放射線を2つの異なる開口のセットを通して通過させることによって2回行われる装置。 - 請求項58記載の装置において、
前記2つの異なる開口のセットが、回転により実質的に90°離れている装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記試料が少なくとも2つの複屈折軸に沿った種々の光学的に検出可能な特性を有し、前記装置が、放射線を集束しかつ放射線を集めるために、前記複屈折軸のうちの1つの複屈折軸の周りに中心化された開口をさらに備える装置。 - 請求項58記載の装置において、
放射線を集束しかつ放射線を集めるために、前記複屈折軸のうちの少なくとも2つの複屈折軸の周りにそれぞれ整列された少なくとも2つの異なる開口をさらに備える装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記サンプルビームが前記試料に達する前に、前記サンプルビームを偏光する第2の偏光素子をさらに備え、前記試料が少なくとも2つの複屈折軸に沿った種々の光学的に検出可能な特性を有し、前記集束する手段、前記集める手段、前記分析分散する手段、および前記導出する手段が少なくとも2回行われる間は、前記第2の偏光素子が前記複屈折軸のうちの1つに整列される装置。 - 請求項62記載の装置において、
前記集束する手段、前記集める手段、前記分析する手段、および前記導出する手段が少なくとも2回行われる間は、前記第2の偏光素子が回転により実質的に90°離れている2つの異なる位置にある装置。 - 請求項62記載の装置において、
前記集束する手段、前記集める手段、および前記分散する手段が行われる少なくとも2つの異なる位置間で第2の偏光素子を動かす機器をさらに備える装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記サンプルビームが前記試料に達する前に、前記サンプルビームを偏光する第2の偏光素子をさらに備え、前記集束する手段、前記集める手段、前記分析する手段、および前記導出する手段が、前記偏光素子が異なる位置にある状態で少なくとも2回行われる装置。 - 請求項65記載の装置において、
前記集束する手段、前記集める手段、前記分析する手段、および前記導出する手段が少なくとも2回行われる間は、前記サンプルビームを偏光することおよび前記分析する手段で使用される前記偏光素子が実質的に同じ偏光面を有する装置。 - 請求項65記載の装置において、
前記集束する手段、前記集める手段、前記分散する手段が行われる少なくとも2つの異なる位置間で第2の偏光素子を動かす機器をさらに備える装置。 - 請求項65記載の装置において、
前記集束する手段、前記集める手段、および前記分析する手段が少なくとも2回行われる間は前記分散する手段が少なくとも2つのスペクトルを生成し、前記導出する手段が前記少なくとも2つのスペクトルを使用して前記試料の複屈折特性に関する情報を導出する装置。 - 請求項65記載の装置において、
前記2つの異なる位置が、回転により実質的に90°離れている装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記集束する手段が前記偏光サンプルビームを形成するためにビームを偏光し、前記ビームを偏光することと前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を分析する手段とが前記偏光素子によって行われる装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記広帯域放射線のサンプルビームが、紫外線波長または深紫外線波長を少なくとも1つ含む装置。 - 請求項31記載の装置において、
前記分散する手段が、前記試料により変化しかつ前記試料から集められた放射線を分散して、前記試料の偏光解析装置のパラメータΔに関する情報を含むスペクトルを生成する装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/246,922 US6184984B1 (en) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample |
US09/246,922 | 1999-02-09 | ||
PCT/US2000/003290 WO2000047961A1 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011055357A Division JP4880791B2 (ja) | 1999-02-09 | 2011-03-14 | 試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002536657A JP2002536657A (ja) | 2002-10-29 |
JP4880122B2 true JP4880122B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=22932784
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000598823A Expired - Fee Related JP4880122B2 (ja) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | 試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステム |
JP2011055357A Expired - Lifetime JP4880791B2 (ja) | 1999-02-09 | 2011-03-14 | 試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011055357A Expired - Lifetime JP4880791B2 (ja) | 1999-02-09 | 2011-03-14 | 試料の偏光計スペクトルおよび他の特性を測定するシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6184984B1 (ja) |
JP (2) | JP4880122B2 (ja) |
WO (1) | WO2000047961A1 (ja) |
Families Citing this family (147)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6930813B1 (en) | 2000-04-25 | 2005-08-16 | J.A. Woollam Co. Inc. | Spatial filter source beam conditioning in ellipsometer and the like systems |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091218 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101207 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101214 |
|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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