JP4869585B2 - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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15;キャリア供給層、16;ショットキ層、17;絶縁膜、18;キャップ層、
19a;ソース電極、19b;ドレイン電極、20;ゲート電極、
21;ノンドープ窒化ガリウム層、22;SOG膜
Claims (4)
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆する絶縁膜からなるマスク材を形成する工程と、
該マスク材が形成されず露出する前記第1の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つをドーピングした、アルミニウムを含まない前記III−V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層を選択的に形成する工程と、
前記マスク材上に、制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置の製造方法において、前記第2の窒化物半導体層を形成する工程は、
前記露出する前記第1の窒化物半導体層上に、前記III−V族窒化物からなり、かつアルミニウムを含まない窒化物半導体層を選択的に形成する工程と、
該窒化物半導体層の一部あるいは全部に、鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも1つを不純物としてドーピングする工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
前記基板上に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程を含み、該第3の窒化物半導体層上に、前記第1の窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至3いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
酸化珪素、窒化珪素、窒化チタン、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化ニッケル、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化アルミニウムからなる絶縁物で前記マスク材を形成し、MOCVD法により、露出する前記第1の窒化物半導体層上に、前記第2の窒化物半導体層を選択的に形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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