JP4863939B2 - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents
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Description
XD=Xp−Xm
となる。また、Y方向のずれ量YDは、
YD=−(Yp−Ym)
となる。
θx={(XD3−XD1)/2+(XD4−XD2)/2}/2
とする。また、図4において、四箇所のアライメントマークそれぞれについてのY方向のずれ量がYD1,YD2,YD3,YD4であるとき、図5において、θ方向への回転による基板のY方向の変位θyを、
θy={(YD3−YD4)/2+(YD1−YD2)/2}/2
とする。そして、図4において、マスクのアライメントマーク同士のX方向の距離がXw、Y方向の距離がYw、対角線の距離がRであるとき、図5において、基板のθ方向への回転量dθを、
dθ=(R・θx)/Yw+(R・θy)/Xw
とする。
dX=(XD1+XD2+XD3+XD4)/4
とする。また、四箇所のアライメントマークそれぞれについてのY方向のずれ量がYD1,YD2,YD3,YD4であるとき、基板のY方向への移動量dYを、
dY=(YD1+YD2+YD3+YD4)/4
とする。
Px={(XD2−XD1)+(XD4−XD3)}/2
とする。また、位置合わせ後、四箇所のアライメントマークそれぞれについてのY方向のずれ量がYD1,YD2,YD3,YD4であるとき、基板のY方向の伸縮量Pyを、
Py={(YD3−YD1)+(YD4−YD2)}/2
とする。マスクのアライメントマーク同士のX方向の距離がXw、Y方向の距離がYwであるとき、PxはXwに対する伸縮成分であり、PyはYwに対する伸縮成分であるので、単純に合成することができない。そこで、従来の方法では、PxをYwに対する伸縮成分に変換して、Pyとの平均を算出する。予測されるずれ量Pは、
P={Py+(Yw/Xw)・Px}/2
となる。
Xt=Xs・cosΔθ−Ys・sinΔθ+ΔX
Yt=Xs・sinΔθ+Ys・cosΔθ+ΔY
となる。制御装置60は、算出した変形成分及びショットオフセット成分を除外した基板のアライメントマークの位置を記憶する。
2 マスク
3,3’ ,3’’ 基板のアライメントマーク
4 マスクのアライメントマーク
10 チャック
11 ベース
13 Xガイド
14 Xステージ
15 Yガイド
16 Yステージ
17 θステージ
19 チャック支持台
20 マスクホルダ
30 カメラ
40 画像信号処理装置
50 入出力装置
60 制御装置
71 Xステージ駆動回路
72 Yステージ駆動回路
73 θステージ駆動回路
Claims (8)
- プロキシミティ方式を用いた露光装置であって、
マスク及び基板が複数のアライメントマークを有し、
マスクのアライメントマーク及び基板のアライメントマークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得手段と、
前記複数の画像取得手段が出力した画像信号を処理して、各アライメントマークの位置を検出する画像信号処理手段と、
マスクと基板との位置合わせを行う位置合わせ手段と、
前記画像信号処理手段の検出結果に基づいて、前記位置合わせ手段を制御し、位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置とから、ショットオフセット成分を求め、位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置をショットオフセット成分により座標変換し、位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と座標変換後の基板のアライメントマークの位置とから、マスク又は基板の変形成分を求め、変形成分及びショットオフセット成分を除外した基板のアライメントマークの位置を求め、求めた位置が位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置から許容範囲内にあるか確認する制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記制御手段は、複数の基板についての変形成分の平均を用いて、変形成分及びショットオフセット成分を除外した基板のアライメントマークの位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、複数の基板についての位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置とのずれ量の平均を許容範囲とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
- プロキシミティ方式を用いた露光方法であって、
マスク及び基板にそれぞれ複数のアライメントマークを設け、
各アライメントマークの位置を検出して、マスクと基板との位置合わせを行い、
位置合わせ後の各アライメントマークの位置を検出し、
位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置とから、ショットオフセット成分を求め、
位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置をショットオフセット成分により座標変換し、
位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と座標変換後の基板のアライメントマークの位置とから、マスク又は基板の変形成分を求め、
変形成分及びショットオフセット成分を除外した基板のアライメントマークの位置を求め、
求めた位置が位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置から許容範囲内にあるか確認して、露光を行うことを特徴とする露光方法。 - 複数の基板について変形成分の平均を求め、
変形成分の平均を用いて、変形成分及びショットオフセット成分を除外した基板のアライメントマークの位置を求めることを特徴とする請求項4に記載の露光方法。 - 複数の基板について位置合わせ後のマスクのアライメントマークの位置と位置合わせ後の基板のアライメントマークの位置とのずれ量の平均を求め、
求めた平均を許容範囲とすることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の露光方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
- 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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