JP4857175B2 - 樹脂層形成方法及び樹脂層形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、光ディスクのような平板状記録媒体の製造のために、基板に樹脂層を形成する樹脂層形成方法及び樹脂層形成装置に関する。

光ディスクや光磁気ディスク等の光学読み取り式の円盤状記録媒体は、基板に形成された記録面を保護する保護層や、記録面を構成する記録層として、樹脂による層を形成する必要がある。例えば、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ、以下、ＢＤとする）においては、単層の場合、ポリカーボネート製の基板を射出成型し、スパッタ室においてスパッタリングによって金属の記録膜を形成した後に、樹脂をスピンコートで塗布し、これを硬化させることにより、保護層を形成している。

このようなスピンコートによる保護層の形成方法を、図１０及び図１１を参照して説明する。まず、図１０（Ａ）に示すように、ターンテーブルＴ上に基板Ｓを載置する。そして、図１０（Ｂ）に示すように、塗布ノズルＮによって、基板Ｓの内周側に樹脂Ｒを滴下する。次に、図１０（Ｃ）に示すように、ターンテーブルＴを回転させることにより基板Ｓを回転させると、滴下された樹脂Ｒは、遠心力によって薄く展延する。

このように展延される樹脂Ｒとしては、一般的には、紫外線硬化型のものが用いられており、図１０（Ｄ）に示すように、紫外線（ＵＶ）照射装置ＵがＵＶ照射を行うことによって、樹脂Ｒが硬化する。これにより、図１０（Ｅ）に示すように、基板Ｓ上に樹脂Ｒによる保護層が形成される。

ところで、ＢＤの保護層や、ホログラムディスク（Ｈｏｌｏｇｒａｐｈｉｃ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ、以下、ＨＶＤとする）の記録層などは、比較的厚膜の樹脂層を形成する必要があることから、使用される樹脂の粘度は高くなる傾向がある。しかし、上記のようなスピンコートによって粘度の高い樹脂を塗布する場合、樹脂に含まれる気泡が残存する問題がある。

例えば、図１１に示すように、スピンによって振り切った樹脂Ｒは、回収して使用されるが、その場合、回収した樹脂Ｒには多くの気泡Ｂが含まれる。このため、回収した樹脂Ｒは、真空脱泡器Ｅなどにより脱泡する処理が必要となる。しかし、樹脂Ｒの粘度が高くなると、樹脂Ｒ中に含まれる気泡Ｂは、樹脂Ｒの外へなかなか到達することができず、脱泡には非常に時間がかかる。

さらに、通常、このような真空脱泡器Ｅによる脱泡処理は、樹脂Ｒを送り出すポンプＰによって、複数の槽を経由させることにより行うため、装置構成も大きくなり、かつ複雑となる。しかも、樹脂Ｒの粘度が高い場合、下の方に存在する気泡は、ほとんど動かないので、完全には脱泡しきれない。そして、長時間真空中に置くことは、槽内の液面表層から樹脂中の(揮発）成分のアウトガスが生じることになる。このため、あらためて塗布ノズルＮへ供給される樹脂Ｒには、元々気泡Ｂが含まれており、使用前にいわば変質している状態となる。

また、粘度の高い樹脂をスピンコートによって塗布する場合、樹脂が移動し難いため、展延過程で気泡の巻き込みが発生しやすいという問題もある。そして、かかる樹脂を基板全域に万遍なく行き渡らせるために、高速かつ長時間のスピンを行うと、遠心力で基板の外周辺りに樹脂が引き寄せられることになり、塗布膜の均一性を確保することが難しい。

以上のように、樹脂中に気泡が存在したり、膜厚が不均一な場合には、記録された情報の読み取り時にエラーとなる可能性がある。特に、気泡は、樹脂の表面から排出されたものも、その表面に気泡痕を残すので、平坦な面の形成を妨げる。このような気泡痕による凹凸も、情報の読み取りエラーにつながる。

これに対処するため、特許文献１〜４に記載された技術が提案されている。すなわち、特許文献１は、スピンにより塗布した樹脂が硬化する前に、透明あて板を押し当てて、平坦なカバー層表面を得る技術である。

特許文献２は、基板の反射層に紫外線硬化型フィルムを貼り合せて、この紫外線硬化型フィルムを平滑基板により押圧してから硬化させる技術である。特許文献３は、インクジェットプリンタにより塗布した膜形成用の液を、振動により平滑化させる技術である。特許文献４は、容器内で、スピンコートにより塗布液を基板に塗布後、その基板を真空引きした雰囲気中に置くものである。

特開２００４−１５８１２４号公報 特開２００４−２２１４３号公報 特開２００５−１７４４９０号公報 特開平６−３１２４１号公報

しかしながら、特許文献１の技術では、透明あて板を大気中で樹脂に押し当てる場合、透明あて板と樹脂との間に大気が含まれてしまう。特許文献１では、透明あて板を真空中で樹脂に押し当てることも記載されているが、真空中で透明あて板を押し当てた場合、その押圧力により、基板の外周側の樹脂がはみ出してしまう可能性がある。また、真空中で透明あて板を押し当てた状態を長時間維持していると、真空脱泡後に樹脂の内部から発生してくるアウトガスによる気泡が増大するため、そのまま硬化させると気泡は残留してしまう。

また、特許文献２の技術では、紫外線硬化型フィルムを使用するため、フィルムに残留するバリ等による貼り合せ不良が生じる可能性がある。また、フィルムを貼り合せ位置まで搬送する作業や、粘着膜付のフィルムを剥離する作業のために、複雑な機構が必要となる。さらに、一般的に使用されるフィルムは、スピンコート用の樹脂に比べて高価であるため、製品コストが高くなるという問題もある。結局、特許文献２の技術は、スピンコートに比べて不利である。たとえスピンコートした樹脂を、特許文献２の平滑基板により押圧したとしても、上記の特許文献１と同様の問題が生じることになる。

また、特許文献３の技術では、振動によって得られる平坦の程度は低く、平板の押し付けによる場合に比較して、平坦面を得るのは困難であり、処理時間もかかる。特許文献４の技術では、基板を真空引きした雰囲気中に置くことにより、塗布液の内部から生じる気泡は、その表面から外部へ出て行くが、その際の気泡痕は残るため、表面を平坦にすることは困難である。

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、気泡がなく平坦で均一な樹脂層を、短時間に効率よく形成できる樹脂層形成方法及び樹脂層形成装置を提供することにある。

上記のような目的を達成するため、請求項１の発明は、基板に樹脂層を形成する樹脂層形成方法において、基板上に樹脂を供給し、基板を回転させることにより、基板上の樹脂を展延し、樹脂が展延された基板の周囲を真空とし、基板に対して対向配置された接触部が有する平滑な平坦面を、基板上に展延された樹脂に対して、真空中で接触させると同時若しくは接触直後に、真空破壊を行うことを特徴とする。

請求項４の発明は、基板に樹脂層を形成する樹脂層形成装置において、基板上に樹脂を供給する供給部と、基板を回転させることにより、基板上の樹脂を展延させる展延部と、樹脂を展延された基板の周囲を真空とする減圧部と、基板に対向して配置され、平滑な平坦面を有し、前記平坦面が基板上に展延された樹脂に接離可能に設けられた接触部と、基板に展延された樹脂に、真空中で前記接触部の平坦面が接触すると同時に若しくは前記接触部の接触直後に、減圧部の真空破壊を行う開閉手段と、を有することを特徴とする。

以上のような請求項１及び４の発明では、樹脂が展延された基板の周囲を真空とすることにより、樹脂の表面から気泡が排出されて行く。樹脂は回転により薄く展延されているので、気泡は排出され易い。そして、樹脂の表面に接触部の平坦面を接触させることにより、気泡痕が平坦にならされる。これと同時に、若しくはその直後に真空破壊を行うと、樹脂の周囲から気圧が加わるので、樹脂のはみ出しが防止され、内部から発生する気泡が圧縮、縮小される。

請求項２の発明は、請求項１の樹脂層形成方法において、真空破壊後、前記接触部の平坦面が樹脂に接触した状態で、樹脂を硬化させることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項４の樹脂層形成装置において、真空破壊後、前記接触部の平坦面が前記樹脂に接触した状態で、前記樹脂を硬化させる硬化手段を有することを特徴とする。

以上のような請求項２及び５の発明では、樹脂表面が接触部によって平坦にされ、気圧によって樹脂内の気泡が縮小化された状態で、樹脂が硬化するので、表面の平坦化、均一化と、残留気泡の減少を実現できる。

請求項６の発明は、請求項４又は請求項５の樹脂層形成装置において、前記接触部を、前記平坦面が樹脂へ接離する方向へ駆動する駆動部と、前記駆動部及び前記開閉手段の作動を制御する制御装置と、を有することを特徴とする。

以上のような請求項６の発明では、複雑な機構を必要とせずに、接触部が樹脂に接触するタイミングと開閉手段による真空破壊のタイミングとが、同時若しくは短時間となるように設定することによって、樹脂層の平坦化と気泡の低減を実現できる。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２の樹脂層形成方法において、前記基板の周囲の圧力が、平衡状態後の低下状態にあることを検出し、検出された低下状態において、前記接触部の平坦面を樹脂に接触させることを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項４又は請求項５の樹脂層形成装置において、前記基板の周囲の圧力が、平衡状態後の低下状態にあることを検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された低下状態において、前記接触部の平坦面が樹脂に接するように、前記接触部を駆動する駆動部と、を有することを特徴とする。

以上のような請求項３及び７の発明では、圧力の低下過程では、ある圧力において樹脂内にアウトガスが生じることにより、圧力は平衡状態となる。そして、アウトガスがある程度排出されると、その圧力ではアウトガスが出なくなり、圧力が低下し始める。このとき、接触部を樹脂に接触させるので、アウトガスによる気泡が存在しない最適の状態で、樹脂表面を平坦化させることができる。

以上、説明したように、本発明によれば、気泡がなく平坦で均一な樹脂層を、短時間に効率よく形成できる樹脂層形成方法及び樹脂層形成装置を提供することができる。

次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
［構成］
まず、本実施形態の構成を、図１〜９を参照して説明する。なお、本実施形態は、射出成型されて記録層が形成された基板に、保護用の樹脂層を形成する装置であり、基板の成型や記録層の形成のための装置、本実施形態に基板を搬入、搬出する装置等については、公知のあらゆる技術を適用可能であるため、説明を省略する。

すなわち、本実施形態は、図１〜５に示すように、スピンコートにより基板Ｓに樹脂を塗布するための塗布部１、基板Ｓに塗布された樹脂にＵＶを照射して硬化させる硬化部２を有している。

塗布部１は、図１〜３に示すように、ターンテーブル１１と塗布ノズル１２を有している。ターンテーブル１１は、基板Ｓ上の樹脂Ｒを展延するための展延部であり、基板Ｓが載置され、図示しない駆動源により回転可能に構成されている。塗布ノズル１２は、基板Ｓ上に樹脂Ｒを供給するための供給部であり、図示しないタンクから紫外線硬化型の樹脂Ｒを基板Ｓ上に滴下できるように構成されている。この塗布ノズル１２は、図示しない駆動機構によって移動可能に設けられ、基板Ｓの内縁の周囲に位置決め可能となっている。

硬化部２は、図４及び図５に示すように、土台部２１、真空チャンバー２２、配管２３、排気弁２４、真空ポンプ２５、真空計２６、ベント弁２７、プレート２８及びＵＶ照射装置２９を有している。土台部２１は、塗布部１において樹脂Ｒが展延された基板Ｓが載置される台である。この土台部２１の基板Ｓの載置面は、平坦面となっている。なお、土台部２１は、例えば、アクリルや石英ガラスなど、紫外線を透過する材質で形成されている。

真空チャンバー２２は、土台部２１を覆い、基板Ｓの周囲の空間を密閉できる部材である。この真空チャンバー２２は、配管２３を介して排気弁２４及び真空ポンプ２５に接続され、密閉した時に真空ポンプ２５の排気により減圧される減圧部を構成している。また、配管２３には、圧力を検出する真空計２６及び開閉手段であるベント弁２７が接続されている。

プレート２８は、下面が平坦で平滑な部材であり、その下面が基板Ｓ上の樹脂Ｒに接離可能に設けられた接触部である。つまり、接触部（プレート２８）は、下面が平坦で平滑であり、基板Ｓ上の樹脂Ｒに接離可能に設けられた部材である。なお、真空チャンバー２２及びプレート２８は、それぞれ図示しない昇降機構によって、昇降可能に設けられている。さらに、ＵＶ照射装置２９は、土台部２１の下方からＵＶを照射して、基板Ｓ上の樹脂Ｒを硬化させる硬化手段である。

ターンテーブル１１、塗布ノズル１２、真空チャンバー２２、排気弁２４、真空ポンプ２５、ベント弁２７、プレート２８、ＵＶ照射装置２９等の動作タイミングの制御は、あらかじめ設定された時間、真空計２６からの信号等に基づいて、それぞれを動作させる機構を制御装置によって制御することにより行われる。この制御装置は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって実現できる。従って、以下に説明する手順で本装置の動作を制御するためのコンピュータプログラム及びこれを記録した記録媒体も、本発明の一態様である。

［作用］
上記のような構成を有する本実施形態の作用を、図１〜６の構成図とともに、図７のフローチャート、図８のタイムチャートを参照して説明する。まず、図１に示すように、基板Ｓをターンテーブル１１に載置する。そして、図２に示すように、基板Ｓの内径近傍に、塗布ノズル１２を移動させ、樹脂Ｒを滴下しながら低速回転させることにより、リング状に樹脂Ｒを塗布する。さらに、図３に示すように、ターンテーブル１１を高速回転させて、塗布された樹脂Ｒを、遠心力により展延させる（スピンコート）。

次に、図４に示すように、樹脂Ｒが展延された基板Ｓを、土台部２１上に搬入する（ステップ７０１）。そして、図５に示すように、真空チャンバー２２を下降させて、土台部２１上の基板Ｓを覆う（ステップ７０２）。このように基板Ｓの周囲を密閉した状態で、真空ポンプ２５を作動させて排気弁２４を開くことにより、真空チャンバー２２内の減圧を開始する（ステップ７０３）。基板Ｓの搬入から真空チャンバー２２の下降、排気弁２４の開放までの時間は、例えば、図８に示すように、約０．２秒である。

真空計２６により、真空チャンバー２２内の圧力が設定値以下になったことが検出された場合には、真空状態になったことを示す信号（ＯＮ）が、制御装置に出力される（ステップ７０４）。このとき、排気弁２４を閉じると同時に、プレート２８を下降させる（ステップ７０５）。図５に示すように、プレート２８の下面が、基板Ｓ上の樹脂Ｒに接触した場合には(ステップ７０６）、プレート２８を停止する（ステップ７０７）。排気弁２４の閉止及びプレート２８の下降開始から、プレート２８の停止までの時間は、例えば、図８に示すように、約０．１秒である。

なお、スピンコート時には、樹脂Ｒは薄く延ばされている。このため、樹脂Ｒ内の気泡は、真空チャンバー２２内の減圧開始とともに、外部に排出されて、表面から消失する。このときに残る気泡痕は、プレート２８の下面との接触によって、平坦にならされる。

このようにプレート２８が樹脂Ｒに接すると即座に、ベント弁２７が開放され、真空破壊が行われる（ステップ７０８）。すると、プレート２８と接触している樹脂Ｒには、上下のみならず、外周からも気圧がかかり、これにより内部に発生するアウトガスによる気泡が圧縮され、縮小していく。プレート２８の樹脂Ｒへの接触からベント弁２７の開放までの時間は、非常に短く、例えば、図８に示すように、約０．０１秒である。

そして、プレート２８が樹脂Ｒに接触している状態で、ＵＶ照射装置２９によりＵＶを照射する(ステップ７０９）。これにより、図６に示すように、樹脂Ｒが硬化して、樹脂層が形成される。ベント弁２７の開放からＵＶの照射開始までは、例えば、図８に示すように、約０．１秒である。その後、プレート２８及び真空チャンバー８を上昇させて、基板Ｓを次工程へ搬出する（ステップ７１０）。

［効果］
以上のような本実施形態によれば、プレート２８と樹脂Ｒとの接触による気泡痕の平坦化後、瞬時に大気開放することによって、真空状態継続による気泡発生時間を極力短くして、気圧による気泡の縮小、消滅を行うことができる。プレート２８の圧力ではなく、外周を含めた全方位から加わる気圧によって、気泡を圧縮させることができるため、外周への樹脂Ｒのはみ出しもない。

従って、特に、粘度の高い樹脂Ｒをスピンコートさせた場合には、外周への隆起や気泡の巻き込み、回収した樹脂Ｒ内への気泡の残留が生じやすいが、本実施形態では、最終的に形成される樹脂層を平坦且つ均一にできるとともに、気泡を大幅に低減させることができる。真空中に長時間置くこともないので、アウトガスをほとんど生じさせず、変質も防止できるので、高品位な樹脂層とすることが可能となる。

プレート２８の接触タイミングとベント弁２７の開動作タイミングとを制御することによって、樹脂Ｒの平坦化、均一化と、気泡の低減を図ることができるので、複雑な機構を必要としない。さらに、真空引きから真空破壊、硬化までの時間が、非常に短いので、短時間で効率よく樹脂層を形成することができる。

［他の実施形態］
本発明は、上記のような実施形態に限定されるものではない。例えば、各部の動作タイミングは、図８のタイムチャートで例示したものには限定されない。真空チャンバーの容量、真空ポンプの性能、真空チャンバー及びプレートの駆動機構等により、排気時間、真空チャンバー及びプレートの昇降時間等は異なる。なお、「真空」とは、完全な真空を意味するのではなく、一般的な真空チャンバー内に実現可能な減圧状態を含む広い概念である。

また、接触部の樹脂への接触のタイミングと開閉手段の開放タイミングとの関係は、同時であってもよいし、非常に短い間隔であってもよい。例えば、１秒以内とすれば、気泡の低減にとって特に有効である。但し、１秒よりも長時間であっても、「ほぼ同時」、「直後に」、「即座に」、「瞬時に」といえる程度の時間であれば、気泡の低減効果は得られる。

また、真空計、圧力計等の検出手段による検出値が所定の値となった場合に、接触部を樹脂に接触させてもよいし、真空引きを開始してから所定の時間が経過した場合に、真空になったとして接触部を樹脂に接触させてもよい。また、接触部の接触をセンサ等により検出した場合に、真空破壊を行ってもよいし、接触部が所定時間若しくは所定量下降した場合に、樹脂に接触したとして真空破壊を行ってもよい。

さらに、検出手段により検出される圧力に基づいて、接触部の接触タイミングを、最適化することも可能である。例えば、図９に示すように、真空ポンプによる真空チャンバー内の減圧過程で、一定圧力になると、樹脂の内部から一定時間、アウトガスが発生する（図中、（１）に示す）。

その後、その圧力ではアウトガスは出なくなり、また圧力が低下し始める（図中（２）に示す）。従って、この（２）の状態で、接触部を樹脂に接触させると、アウトガスによる気泡がない状態で、樹脂表面の平坦化が可能となる。

そこで、真空チャンバー内の圧力を検出する検出手段として、上記のような平衡状態後の圧力の低下を検出できる手段を設ける。具体例としては、ｄＰａ／ｄｔにより演算される微分値と、あらかじめ設定された基準値に基づいて、低下傾向を判定し、低下状態となった場合にパルス信号を出力するセンサとすることが考えられる。このセンサからの信号に基づいて、制御装置に設定された指示部が、プレートの駆動機構に下降指示を出力する。

なお、圧力を検出するセンサからの検出値に基づいて、演算部による演算により求めた上記の値と、あらかじめ記憶部に記憶された基準値とを比較して、判定部が低下傾向を判定し、指示部が下降指示を出力するという処理を、これらの各部を実現する制御装置によって実行する構成としてもよい。このような手法によって、気泡の最も少ない最適なタイミングでの制御が可能となる。

開閉手段の開放から紫外線の照射までの時間は、既に真空破壊がなされ、樹脂に気圧が加わっている状態なので、比較的長時間放置することにより、気泡低減を図ってもよい。例えば、約０．１〜２０秒としてもよいし、これより長くしてもよい。

また、接触部の平坦面は、樹脂に対する剥離性の高いものであることが望ましいが、特定の材質には限定されない。接触部側を可動としても、土台部側を可動としても、双方を可動としてもよい。また、樹脂に対する紫外線の照射方向は、上方、下方及び横方向のいずれかからでもよい。このため、例えば、接触部を透過性のある材質として上方から照射してもよいし、透過性のある材質を用いずに、樹脂の側面側から照射してもよい。さらに、上記の実施形態では、塗布部と硬化部とを別に構成したが、同一箇所において実現してもよい。

また、樹脂の種類も、特定のものには限定されない。紫外線硬化型でも熱硬化型でもよいし、１液とするか２液硬化型とするかも自由である。樹脂を硬化させるための手段は、樹脂の種類にもよるが、紫外線照射部、赤外線照射部、ヒータ（温風によるものも含む）等のいずれであってもよい。

基板についても、その大きさ、形状、材質等は自由であり、将来において採用されるあらゆるものに適用可能である。従って、ＢＤやＨＶＤを初めとするあらゆる規格の記録媒体用のディスクに適用可能である。また、記録媒体であるディスクばかりでなく、液晶や有機ＥＬ用の基板等、あらゆる基板に適用することができる。つまり、請求項に記載の「基板」は、円盤状等には限定されず、平面状の製品を広く含む概念である。

本発明の一実施形態の塗布部への基板載置状態を示す縦断面図である。 図１の実施形態の基板への樹脂の滴下状態を示す縦断面図である。 図１の実施形態の基板への樹脂の展延状態を示す縦断面図である。 図１の実施形態の基板の硬化部への搬入状態を示す縦断面図である。 図１の実施形態の基板上の樹脂の硬化状態を示す縦断面図である。 図１の実施形態により形成された基板上の樹脂層を示す縦断面図である。 図１の実施形態における基板上の樹脂の硬化手順を示すフローチャートである。 図１の実施形態における基板上の樹脂の硬化タイミングを示すタイムチャートである。 本発明の他の実施形態における真空チャンバー内の圧力低下と時間との関係を示す説明図である。 従来の基板上への樹脂層の形成過程を示す説明図である。 従来のスピンコート時の樹脂の回収方法を示す説明図である。

符号の説明

１…塗布部
２…硬化部
１１…ターンテーブル
１２…塗布ノズル
２１…土台部
２２…真空チャンバー
２３…配管
２４…排気弁
２５…真空ポンプ
２６…真空計
２７…ベント弁
２８…プレート
２９…ＵＶ照射装置

Claims (7)

1. 基板に樹脂層を形成する樹脂層形成方法において、
   基板上に樹脂を供給し、
   基板を回転させることにより、基板上の樹脂を展延し、
   樹脂が展延された基板の周囲を真空とし、
   基板に対して対向配置された接触部が有する平滑な平坦面を、基板上に展延された樹脂に対して、真空中で接触させると同時若しくは接触直後に、真空破壊を行うことを特徴とする樹脂層形成方法。
2. 真空破壊後、前記接触部の平坦面が樹脂に接触した状態で、樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１記載の樹脂層形成方法。
3. 前記基板の周囲の圧力が、平衡状態後の低下状態にあることを検出し、
   検出された低下状態において、前記接触部の平坦面を樹脂に接触させることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の樹脂層形成方法。
4. 基板に樹脂層を形成する樹脂層形成装置において、
   基板上に樹脂を供給する供給部と、
   基板を回転させることにより、基板上の樹脂を展延させる展延部と、
   樹脂を展延された基板の周囲を真空とする減圧部と、
   基板に対向して配置され、平滑な平坦面を有し、前記平坦面が基板上に展延された樹脂に接離可能に設けられた接触部と、
   基板に展延された樹脂に、真空中で前記接触部の平坦面が接触すると同時に若しくは前記接触部の接触直後に、減圧部の真空破壊を行う開閉手段と、
   を有することを特徴とする樹脂層形成装置。
5. 真空破壊後、前記接触部の平坦面が前記樹脂に接触した状態で、前記樹脂を硬化させる硬化手段を有することを特徴とする請求項４記載の樹脂層形成装置。
6. 前記接触部を、前記平坦面が樹脂へ接離する方向へ駆動する駆動部と、
   前記駆動部及び前記開閉手段の作動を制御する制御装置と、
   を有することを特徴とする請求項４又は請求項５記載の樹脂層形成装置。
7. 前記基板の周囲の圧力が、平衡状態後の低下状態にあることを検出する検出手段と、
   前記検出手段によって検出された低下状態において、前記接触部の平坦面が樹脂に接するように、前記接触部を駆動する駆動部と、
   を有することを特徴とする請求項４又は請求項５記載の樹脂層形成装置。

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