JP4848696B2 - センサモジュール - Google Patents
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図1(a)(b)(c)、図2は本発明の第1の実施形態に係るセンサモジュール1を示す。このセンサモジュール1は、厚み方向に変位する重錘体Gが形成されたセンサ素子11と、センサ素子11を収納するための貫通空間12aが形成された回路基板12と、貫通空間12aの上方の開口を閉塞するように、回路基板12にバンプ23を介して接合される板状の半導体素子13と、センサ素子11を収納した貫通空間12aの下方の開口を閉塞するように、回路基板12及びセンサ素子11にそれぞれバンプ22,21を介して接合される薄板状部材からなるインターポーザ14と、を備えている。インターポーザ14は、センサ素子11との対向面である上面が、重錘体Gの一定距離以上の下方への変位を規制するストッパ部となっている。
図3は本発明の第2の実施形態に係るセンサモジュール1を示す。この実施形態に係るセンサモジュール1は、上述の第1の実施形態におけるセンサモジュール1とは、インターポーザ14の厚み方向の形状、回路基板12の厚み、及び第1バンプ21の高さが異なり、その他の点は同様である。すなわち、インターポーザ14は、センサ素子11の重錘体Gの下部に対向する部分に四角形の凸部14aを備えており、その凸部14aの形状(外形と高さ)は、例えば、□2mm×5〜35μmmである。また、回路基板12の厚みは、センサ素子11の厚みよりも、例えば、10μm厚くなっている。また、第1バンプ21は、その高さが他のバンプよりも高くなっており、例えば、約50μmである。
図4は本発明の第3の実施形態に係るセンサモジュール1を示す。この実施形態に係るセンサモジュール1は、上述の第2の実施形態におけるセンサモジュール1とは、インターポーザ14における下部ストッパの構造が異なり、その他の点は第2の実施形態と同様である。すなわち、インターポーザ14は、上述の凸部14aに相当する部分を、複数のバンプ24により形成して備えている。インターポーザ14は、上述のように、シリコンからなる可撓性を有する薄坂形状で、外形寸法と厚みが、例えば、□3〜4mm×50μmt(第1の実施形態と同様)であり、その上面における重錘体Gの下部に対向する部分に、直径が、例えば、φ50〜100μm、高さが、例えば、40μmのバンプ24を100個ほど形成して備えている。この多数のバンプ24が、第2の実施形態におけるインターポーザ14の凸部14aに対応する。
11 センサ素子
12 回路基板
13 半導体素子
14 インターポーザ
21 第1バンプ
22 第2バンプ
23 第3バンプ
24 バンプ(ストッパ部)
12a 貫通空間
14a 凸部(ストッパ部)
G 重錘体
Claims (4)
- 厚み方向に変位する重錘体が形成されたセンサ素子と、
前記センサ素子を収納するための貫通空間が形成された回路基板と、
前記貫通空間の上方の開口を閉塞するように、前記回路基板にバンプを介して接合される板状の半導体素子と、
前記センサ素子を収納した前記貫通空間の下方の開口を閉塞するように、前記回路基板及びセンサ素子にバンプを介して接合される薄板状部材からなるインターポーザと、を備え、
前記インターポーザは、前記重錘体の一定以上の下方への変位を規制するストッパ部を前記センサ素子との対向面上に備え、
前記インターポーザと前記センサ素子とはいずれもシリコンで構成され、前記バンプによる接合は常温接合によってなされ、
前記半導体素子は、前記各バンプと前記回路基板とを介して前記インターポーザに電気的に接続されていることを特徴とするセンサモジュール。 - 前記ストッパ部は、前記対向面から前記センサ素子に向かって突出する凸部からなることを特徴とする請求項1に記載のセンサモジュール。
- 前記ストッパ部は、前記対向面上に形成したバンプによって構成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサモジュール。
- 前記半導体素子は、前記重錘体の一定以上の上方への変位を規制することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のセンサモジュール。
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