JP4847836B2 - ウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、電子デバイスの部品を水晶片とすると、この水晶片は、水晶からなるウェハに複数の水晶片を形成し、折り取り、ダイシングやレーザー切断などの手法を用いて個片にされることで形成される。
ここで、ウェハは、例えば、育成されたアズグロウン人工水晶をランバート加工し、所定のカットアングルでかつ所定の厚さで板状にスライスされて形成される。
このウェハの大きさは、育成された人工水晶の大きさに依存する。そして人工水晶は、育成速度や育成期間などにより育成できる大きさに限界がある。したがって、従来より用いられるウェハの大きさは、例えば、最大で1辺が4インチ以下のものとなっていた。
例えば、種水晶を大きくすると、結晶育成に用いる圧力容器内に装架できる数が少なくなる。そのため、育成期間を長くして種水晶から大きな人工水晶を得ることが考えられるが、育成期間を長くすると生産性が悪くなるという問題がある。
また、人工水晶以外の他の結晶体において、育成後の結晶状態でウェハを製造する場合に、ウェハを大きく形成しようとすれば育成する結晶体を大きくしなければならないため、結晶体の育成に手間がかかり、結晶体の生産性が悪くなってしまう。
これにより、人工水晶(結晶体)の生産性が悪くなると、電子デバイス等に用いられる部品の生産性も悪くなるという問題がある。
図1(a)は断面を矩形形状にする前の状態のブロック体の一例を示す斜視図であり、図1(b)は断面を矩形形状にした状態のブロック体の一例を示す斜視図である。図2はブロック体を接合した状態を示す斜視図である。図3は、ウェハの一例を示す図である。
本発明の第一の実施形態に係るウェハの製造方法は、ブロック体1(図1参照)としてアズグロウン人工水晶にランバート加工を施したランバート人工水晶を用い、このブロック体1を積み重ねつつ並べた状態で接合し(図2参照)、接合された複数のブロック体1,1・・・の外周を切断してウェハ10(図3参照)を得る。このようなウェハ10の製造方法について詳細に説明する。
なお、ブロック体1のX軸には−X方向と+X方向の方向性がある。ブロック体1の−X方向を向く面を−X面1B、ブロック体の+X方向を向く面を+X面1Aとする。したがって、アズグロウン人工水晶にランバード加工を行う前に、このアズグロウン人工水晶に−X方向又は+X方向のいずれかをマーキングしておくと良い。
なお、ブロック体1の接合は、積み重ねてから接合しても良いし、並べてから接合させても良い。
なお、切断には、従来周知のワイヤーソウやバンドソウを用いることができる。
このようなウェハ10には、接合箇所が存在するために、その接合箇所に電子デバイス等に用いられる部品が形成されてもこの部品は使用することはできない。しかしながら、従来のウェハに比べて利用できる面積は増えているため、生産性を向上させることができる。例えば、ウェハ10に電子デバイス等に用いられる部品を形成する場合、「枠」となる部分が必ず生じる。したがって、この枠の部分が従来に比べて少ないために利用できる面積が増えることとなり、形成できる部品の数を増やすことができる。
また、切断は、結晶体が水晶の場合、ATカット、SCカット、BTカット、CTカット、GTカット、Xカット、Zカット等のカットアングルであっても良い。
なお、切断する角度に対応してブロック体を所定の寸法で形成しておくことで、各辺の長さが同じとなるウェハを得ることができる。
1 ブロック体
1A +X面
1B −X面
1C 長さ方向を向く断面
S 接着剤
Claims (2)
- 長さ方向を向く断面の形状が矩形形状となるように加工されたランバード人工水晶からなる複数のブロック体を積み重ねつつ並べた状態で、隣り合う前記ブロック体を紫外線硬化性接着剤により接合するブロック体接合工程と、
接合された前記複数のブロック体を、前記ブロック体の幅方向に対し所定の角度で一括に切断して、所定の厚さのウェハを複数形成する切断工程と、
から構成されることを特徴とするウェハの製造方法。 - 前記ブロック体がランバードY棒水晶であり、X軸方向で隣り合っている前記ブロック体において、一方の前記ブロック体の+X面と他方の前記ブロック体の−X面とが向かい合うように接合されることを特徴とする請求項1に記載のウェハの製造方法。
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