JP4838601B2 - 真空処理システム及びベント方法 - Google Patents
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Description
また、基板(K)の表裏で、異なる位置に冷媒が吹き付けられるので、基板面内での局所的な温度ばらつきが抑制される。基板(K)の表裏で、同じ位置に冷媒を吹き付けた場合、冷媒が吹き付けられた位置と、吹き付けられていない位置との間に局所的な温度ばらつきが発生する。このような、基板面内での局所的な温度ばらつきは、反りの要因となる。よって、局所的な温度ばらつきを抑制することで、基板(K)の反りが更に抑制される。
一方、冷媒が勢いよく吹き付けられても傷の生じる恐れの無い裏面側には、第2吐出管(425a〜c)から基板(K)に直接冷媒が吹き付けられる。これにより、冷却速度が向上する。
但し、排気を行った状態では完全な大気圧下までは昇圧されないので、ベントステップ(S20)の途中で排気を終了する。
(構成)
以下に、図面を参照して、本発明の第1の実施形態に係る真空処理システム1の構成について説明する。本実施の形態にかかる真空処理システム1としては、減圧環境下において、基板に処理行うものとして、プラズマCVD、スパッタリング、ドライエッチング装置などが例示されるが、以下では、大型(1m×1m以上)のガラス基板の表面に太陽電池膜を製膜するプラズマCVD装置を例として説明を行う。
続いて、本実施の形態に係るベント方法について説明する。図9は、本実施の形態に係るベント方法のフローチャートである。本実施の形態にかかるベント方法は、基板を搬入するステップ(ステップS10)、粗引きラインへ切り替えるステップ(ステップS15)、冷媒の供給を開始するステップ(ステップS22)、排気を終了するステップ(ステップS23)、冷媒の供給を終了するステップ(ステップS24)、及び基板を搬出するステップ(ステップS30)を有している。各ステップの詳細について以下に説明する。尚、これらの動作は、全て、図示しない制御装置(コンピュータ)による指示で実行される。
アンロード室3と共通搬送室14との間に設けられたゲート弁が開いて、真空処理室2での処理が終了した基板Kが、共通搬送室14からアンロード室3内へ搬送される。アンロード室3内に基板Kが搬入されると、ゲート弁が閉じられる。この時、真空ポンプ部6は、アンロード室3内を高真空排気ラインB1によって高真空排気状態を保つように制御している。尚、既述のように、高真空排気ラインB1が設けられていない場合には、粗引きラインB2によって真空状態とされている。基板が搬入されて所定の位置で停止すると、次ぎのステップS15へ進む。
真空ポンプ部6は、MV64及びTV65を閉とし、RV63を開にする。即ち、高真空排気ラインB1を閉じて粗引きラインB2を開にする。これにより、アンロード室3内部が粗引きラインB2により排気された状態となる(排気ステップS21)。尚、高真空排気ラインB1が設けられていない場合は、粗引きラインB2のままである。
アンロード室3内を粗引きラインB2によって排気している状態で、冷媒吐出装置4から冷媒が吐出される。冷媒の吐出は、アンロード室3内が大気圧に昇圧するまで行われる。
冷媒の吐出開始から終了までの間において、真空ポンプ部6はRV63を閉にする。これにより、粗引きラインB2による排気が終了し、アンロード室3内は密閉された状態となる。
アンロード室3内が大気圧まで昇圧すると、冷媒の吐出が終了する。
続いて、アンローダ13側のゲート弁が開いて、搬送台車16によって基板Kがアンローダ13側へ搬出される。
本発明の第2の実施形態について説明する。本実施の形態に係る真空処理システム1では、第1の実施形態と比較して、冷媒吐出装置4の構成が工夫されている。これ以外の構成、動作は第1の実施形態と同様であり、説明を省略する。
第3の実施形態について、以下に詳述する。本実施の形態では、真空ポンプ部6の構成が工夫されている。尚、真空ポンプ部6以外の構成は、第1、2の実施形態に記載のものを用いることができるので、説明を省略する。
アンロード室3と共通搬送室14との間に設けられたゲート弁が開いて、真空処理室2での処理が終了した基板Kが、共通搬送室14からアンロード室3内へ搬送される。アンロード室3内に基板Kが搬入されると、ゲート弁が閉じられる。この時、真空ポンプ部6は、アンロード室3内を高真空排気ラインB1によって高真空排気状態を保つように制御している。基板が搬入されて所定の位置で停止すると、次ぎのステップS15へ進む。
真空ポンプ部6は、MV64及びTV65を閉とし、LV67を開にする。即ち、高真空排気ラインB1(排気ラインB)からリークラインLへと切り替える。これにより、アンロード室3内部がリークラインLにより排気された状態となる(排気ステップS21)。
アンロード室3内をリークラインLによって排気している状態で、冷媒吐出装置4から冷媒が吐出される。冷媒の吐出は、アンロード室3内が大気圧に昇圧するまで行われる。
冷媒の吐出開始から終了までの間において、真空ポンプ部6はLV67を閉にする。これにより、リークラインLによる排気が終了し、アンロード室3内は密閉された状態となる。
続いて、アンロード室3内が大気圧まで昇圧すると、冷媒の吐出が終了する。
続いて、アンローダ13側のゲート弁が開いて、搬送台車16によって基板Kがアンローダ13側へ搬出される。
2 真空処理室
3 アンロード室
4 冷媒吐出装置
41 第1の冷媒吐出部
413 第1冷媒供給源
415a〜c 第1吐出管
415d マニホールド
415e 支持部材
42 第2の冷媒吐出部
423 第2冷媒供給源
425a〜c 第2吐出管
425d マニホールド
425e 支持部材
43 ガス誘導プレート
5 中央部
6 真空ポンプ部
61 ドライポンプ
62 ターボ分子ポンプ
63 ラフバルブ
64 MV
65 TV
66 真空ポンプ制御装置
67 リークバルブ
11 ロード室
12 ローダ
13 アンローダ
14 共通搬送室
15 台車移動待機室
16 搬送台車
17 予備室
18 筐体
K 基板
B 排気ライン
B1 粗引きライン
B2 高真空排気ライン
L リークライン
R レール
C 冷媒管路
Claims (8)
- 減圧環境下、且つ、高温条件下で、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧環境下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備した真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、前記アンロード室内の基板に対して、表裏の両面側から冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第1の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第2の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第1の冷媒吐出部は、基板面内の第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2の冷媒吐出部は、第2方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2方向は、前記基板面内にて前記第1方向に直交する方向である真空処理システム。 - 減圧環境下、且つ、高温条件下で、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧環境下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備した真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、前記アンロード室内の基板に対して、表裏の両面側から冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第1の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第2の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第1の冷媒吐出部は、前記アンロード室の底面から上へ向かう方向である前記基板面内の第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2の冷媒吐出部は、前記第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第1の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置と、前記第2の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置とは、前記基板面内で互いに重ならないように交互である真空処理システム。 - 請求項1又は2に記載された真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、基板の中央部に冷媒を吹き付ける真空処理システム。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、
前記第1の冷媒吐出部に冷媒を供給する第1冷媒供給源と、
前記第2の冷媒吐出部に冷媒を供給する第2冷媒供給源と、
を有し、
前記第1冷媒供給源が前記第1の冷媒吐出部に冷媒を供給する経路と、前記第2冷媒供給源が前記第2の冷媒吐出部に冷媒を供給する経路とは、別個に独立である真空処理システム。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載された真空処理システムであって、
前記基板は、前記表面側に製膜されており、
前記第1の冷媒吐出部は、
更に、
基板の前記表面側に設けられた複数の第1吐出管と、
ガス誘導プレートとを有し、
前記複数の第1吐出管の各々には、前記基板とは反対側へ冷媒を吐出する複数の第1吐出口が設けられ、
前記ガス誘導プレートは、前記複数の第1吐出口の各々の周囲に設けられ、
前記ガス誘導プレートは、前記各第1吐出口から吐出された冷媒を、前記基板側へ誘導するように設けられ、
前記第2の冷媒吐出部は、基板の前記裏面側に設けられた複数の第2吐出管を有し、
前記複数の第2吐出管の各々は、基板側へ冷媒を吐出する複数の第2吐出口を有している真空処理システム。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載された真空処理システムであって、
更に、
前記アンロード室内に接続され、前記アンロード室内を排気する真空ポンプ部、
を具備し、
前記真空ポンプ部は、前記アンロード室内を大気圧下から減圧状態にするための少なくとも一の排気ラインと、前記各排気ラインよりも小さな断面積を持ち、前記アンロード室内を大気圧から真空引きし、ベントガスが吐出された状態においても排気が可能であるリークラインと、を有する真空処理システム。 - 減圧雰囲気下、且つ高温条件下において、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧雰囲気下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備し、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第1の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第2の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第1の冷媒吐出部は、基板面内の第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2の冷媒吐出部は、第2方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2方向は、前記基板面内にて前記第1方向に直交する方向である真空処理システムにおいて、前記アンロード室内をベントするベント方法であって、
前記真空処理室で処理された基板を前記アンロード室内へ搬入する搬入ステップと、
前記アンロード室内に搬入された基板に対して、表裏の両面側から、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付けるベントステップと、
を具備したベント方法。 - 減圧雰囲気下、且つ高温条件下において、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧雰囲気下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備し、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第1の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第2の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第1の冷媒吐出部は、前記アンロード室の底面から上へ向かう方向である前記基板面内の第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第2の冷媒吐出部は、前記第1方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第1の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置と、前記第2の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置とは、前記基板面内で互いに重ならないように交互である真空処理システムにおいて、前記アンロード室内をベントするベント方法であって、
前記真空処理室で処理された基板を前記アンロード室内へ搬入する搬入ステップと、
前記アンロード室内に搬入された基板に対して、表裏の両面側から、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付けるベントステップと、
を具備したベント方法。
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