JP4816744B2 - 発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法に関するものであり、特に、画素に発光素子を備える発光装置、これを備える表示装置、及び、発光装置の駆動制御方法に関するものである。

従来、画素に光学要素として、有機ＥＬ、無機ＥＬ又はＬＥＤ等のような発光素子を有し、各画素が１列又はマトリクス（行列）状に配列されて、各画素の発光素子が発光する発光装置や、これを用いて表示を行う発光素子型ディスプレイ（表示装置）が知られている。

特に、アクティブマトリクス駆動方式の発光素子型ディスプレイは、高輝度、高コントラスト、高精細、低電力等の点で、優位性を有しており、特に、有機ＥＬ素子が注目されている。

このような有機ＥＬ素子を画素に有する表示装置（発光装置）として、有機ＥＬ素子への電流を制御することにより供給された画像データの輝度が得られるように、複数のトランジスタを用いて、有機ＥＬ素子を駆動するものがある（例えば、特許文献１参照）。

この表示装置は、有機ＥＬ素子への電流を制御するトランジスタのゲート−ソース間に、供給された画像データの輝度に基づくデータ（ゲート電圧）を書き込むことにより、有機ＥＬ素子が、この輝度で発光するように制御している。

特開２００２−１５６９２３号公報（第３−６頁、図１）

有機ＥＬ素子は、電流を流して発光させる動作を継続させると、その抵抗値が次第に増加するとともに、発光効率が次第に低下することが知られている。しかしながら、特許文献１に示されているような表示装置では、有機ＥＬ素子の両端間の電圧を測定するようなことができず、有機ＥＬ素子の特性変化を検出することが困難であった。このため、有機ＥＬ素子の特性変化に対応した駆動制御を行うことができなかった。

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、発光素子の特性変化を考慮した駆動制御を行うことが可能な発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。

また、本発明は、発光素子の特性変化を考慮した駆動を行うことが可能な発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法を提供することを目的とする。

この目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る発光装置は、
電源ラインと、
少なくとも１つのデータラインと、
一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する少なくとも１つの画素と、
予め設定された電流値の検定電流を出力する電流供給回路と、
前記データラインと前記画素の前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの該発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得する電圧測定回路を有するデータ駆動部と、
を備えることを特徴とする。

前記データ駆動部は、前記電圧測定回路によって取得された前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データに応じた駆動データを補正する補正回路と、補正された前記駆動データに基づく駆動信号を生成する駆動信号供給回路と、を備えるようにしてもよい。

前記補正回路は、
前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路を有し、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、
前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率の値に基づいて前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正する演算部と、を備えるようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
前記画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿って複数配列されており、
前記データラインは前記発光領域における列方向に沿って複数配設され、
前記発光装置は、前記発光領域における行方向に沿って複数配設され、前記各画素に接続された複数の選択ラインと、前記各選択ラインに選択信号を印加して、該各選択ラインに対応する前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、を有し、
前記各画素は、前記各データラインと前記各選択ラインの交点近傍にマトリクス状に配列され、該各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
前記駆動信号供給回路は、前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定し、
前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記特定の１つの画素の前記発光素子に対応する前記検定電圧を取得するようにしてもよい。

前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記第２のトランジスタの制御端子に接続された第３のトランジスタを有し、
前記複数の選択ラインは、前記各画素の前記第３のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第１の選択ラインと、前記各画素の前記第１のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第２の選択ラインと、を有し、
前記選択駆動部は、
前記各第１の選択ラインに第１の選択信号を印加する第１の選択駆動部と、
前記各第２の選択ラインに第２の選択信号を印加する第２の選択駆動部と、を有し、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタとは、前記第１の選択駆動部と前記第２の選択駆動部により個別に導通状態に設定されるようにしてもよい。

前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記第２のトランジスタの制御端子に接続された第３のトランジスタを有し、
前記複数の選択ラインは、前記各画素の前記第１のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第１の選択ラインと、前記各画素の前記第３のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第２の選択ラインと、を有し、
前記選択駆動部は、
前記各第１の選択ラインに第１の選択信号を印加する第１の選択駆動部と、
前記各第２の選択ラインに前記第１の選択信号に基づく第２の選択信号を印加する複数のスイッチング素子を有してなるスイッチ回路と、前記スイッチ回路の前記各トランジスタの動作を制御するスイッチ駆動回路と、からなる第２の選択駆動部と、を有し、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタとは、前記第１の選択駆動部と前記第２の選択駆動部により個別に導通状態に設定されるようにしてもよい。

前記スイッチ回路は、前記発光領域の各行に対応して設けられ、電流路の一端が前記各第２の選択ラインに接続され、該電流路の他端が所定の電位に設定された複数の第１のスイッチング素子と、前記発光領域の各行に対応して設けられ、該各行の画素に接続される前記第１の選択ラインと前記第２の選択ラインとに該電流路の両端が接続された複数の第２のスイッチング素子と、前記各第１のスイッチング素子の制御端子に共通に接続された第１の制御信号ラインと、前記各第２のスイッチング素子の制御端子に共通に接続された第２の制御信号ラインと、を有し、
前記スイッチ駆動回路は、前記第１の制御信号ライン及び前記第２の制御信号ラインに、前記各第１のスイッチング素子及び前記各第２のスイッチング素子の導通を制御する制御信号を個別に印加するようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
前記複数の画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に複数配列されており、
前記データラインは前記発光領域における列方向に沿って複数配設され、
前記電流供給回路から出力される電流は前記発光領域の全ての画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記発光領域の列方向に沿って配設され、前記複数のデータラインの各々に接続された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を取得するようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
前記複数の画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に複数配列されており、
前記データラインは列方向に沿って複数配設されており、
前記電流供給回路から出力される電流は前記発光領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記発光領域の当該１行に配設された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得するようにしてもよい。

本発明の第２の観点に係る表示装置は、
電源ラインと、
複数のデータラインと、
前記複数のデータラインの何れかに接続され、一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記各データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する複数の画素と、
予め設定された電流値の検定電流を出力する電流供給回路と、
前記各データラインと前記複数の画素における少なくとも１つの前記画素の前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの該発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得する電圧測定回路と、前記電圧測定回路によって取得された前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データに応じた駆動データを補正する補正回路と、補正された前記駆動データに基づく駆動信号を生成する駆動信号供給回路と、を有するデータ駆動部と、を備えることを特徴とする。

前記補正回路は、
前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路を有し、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、
前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率の値に基づいて前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正する演算部と、を備えるようにしてもよい。

前記表示装置は、前記複数の画素が配列された表示領域を有し、
前記複数の画素は、前記表示領域に、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列されており、
前記複数のデータラインの各々は、前記表示領域の列方向に沿って配設され、
前記発光装置は、前記表示領域の行方向に沿って複数配設されて前記各画素に接続された複数の選択ラインと、前記各選択ラインに選択信号を印加して、該各選択ラインに対応する前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、を有し、
前記各画素は、前記各データラインと前記各選択ラインの交点近傍にマトリクス状に配列され、該各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
前記駆動信号供給回路は、前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定し、
前記特定の１つの画素を順次変更設定して、前記データ駆動部の前記電圧測定回路が、前記表示領域の前記複数の画素における１つの前記画素毎に対する前記検定電圧を順次取得するように制御されるようにしてもよい。

前記表示装置は、前記複数の画素が行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列された表示領域を有し、
前記データラインは前記表示領域における列方向に沿って複数配設され、
前記電流供給回路から出力される電流は前記表示領域の全ての画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記表示領域の列方向に沿って配設され、前記複数のデータラインの各々に接続された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を取得するようにしてもよい。

前記表示装置は、前記複数の画素が行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列された表示領域を有し、
前記データラインは列方向に沿って複数配設されており、
前記電流供給回路から出力される電流は前記表示領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記表示領域の当該１行に配設された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得するようにしてもよい。

本発明の第３の観点に係る発光装置の駆動制御方法は、
発光素子を有する発光装置を駆動する発光装置の駆動制御方法であって、
前記発光装置は、電源ラインと、少なくとも１つのデータラインと、一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する少なくとも１つの画素と、予め設定された電流値を有する検定電流を出力する電流供給回路を有する電源ライン駆動部と、を有し、
前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップと、
前記データラインと前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの前記発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得するステップと、
を含むことを特徴とする。

前記発光装置の駆動制御方法は、外部から供給される画像データに応じた駆動データを前記取得された前記検定電圧の値に基づいて補正するステップと、
前記補正した駆動データに基づく駆動信号を生成し、前記データラインを介して前記画素に供給するステップと、を含むようにしてもよい。

前記駆動データを補正するステップは、
前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係が予め記憶された記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記発光素子の一端の電圧を取得するステップにより取得された前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出するステップと、
前記抽出した発光効率に基づいて、前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正するステップと、
を含むようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が行方向及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、
前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
前記検定電圧を取得するステップは、
前記表示領域の何れかの１行に対応する前記各表示画素を選択状態に設定するステップと、
前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定して、前記検定電流を前記特定の１つの画素の前記発光素子に流すステップと、
前記特定の１つの画素を順次変更設定して、前記発光領域に配列される前記複数の画素の各々に対応する前記検定電圧を順次測定するステップと、
を含むようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が行及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、前記データラインは列方向に沿って複数配設され、
前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップにおいて、前記電流供給回路から出力される前記検定電流は前記発光領域の全ての前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記発光素子の一端の電圧を取得するステップは、前記発光領域の列方向に沿って配設された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を測定するステップを含むようにしてもよい。

前記発光装置は、前記画素が行及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、前記データラインは列方向に沿って複数配設され、
前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップにおいて、前記電流供給回路から出力される前記検定電流は前記発光領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
前記発光素子の一端の電圧を取得するステップは、前記発光領域の当該１行に配列された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得するステップを含むようにしてもよい。

本発明によれば、発光素子の特性変化を検出することができる。また、発光素子の特性変化を考慮した駆動制御を行うことができる。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 有機ＥＬ素子の発光効率と電圧との関係を示す図である。 図１に示す補正回路の構成を示す図である。 図３に示す発光効率抽出部が記憶するＬＵＴ（ルックアップテーブル）を示す図である。 図１に示す表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧測定動作（１列平均の場合）を示す図である。 図１に示すトランジスタの動作領域（ドレイン電圧とドレイン電流との関係）を示す図である。 図１に示す表示装置における、表示動作のための書き込み動作を示す図である。 図１に示す表示装置における、表示動作における発光動作を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧測定動作（１行平均の場合）を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 図１０に示す表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定するための電圧書き込み動作を示す図である。 図１０に示す表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定する動作を示す図である。 本発明の第４の実施形態に係る表示装置の構成を示す図である。 図１３に示す表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定するための電圧書き込み動作を示す図である。 図１３に示す表示装置における、有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定する動作を示す図である。

以下、本発明の実施形態に係る表示装置（発光装置）を、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る表示装置の構成を図１に示す。
第１の実施形態に係る表示装置は、複数の画素１１_ij（ｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ、ｍ、ｎ；自然数）と、複数の画素１１_ijが配列された表示領域（発光領域）１０と、アノード回路（電源ライン駆動部）１２と、データドライバ（データ駆動部）１３と、セレクトドライバ（選択駆動部）１４と、制御部１５と、によって構成される。

各画素１１_ijは、それぞれ、画像の１画素に対応するものであり、表示領域１０に行及び列方向にマトリクス状に配置される。各画素１１_ijは、発光素子としての有機ＥＬ素子１１１と、トランジスタＴ１〜Ｔ３と、キャパシタ（電圧保持部）Ｃ１とからなる画素駆動回路と、を備える。

有機ＥＬ素子（Organic Electroluminescent Element）１１１は、アノード−カソード間に、有機化合物に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子によって発光する現象を利用した発光素子であり、供給された電流の電流値に対応する輝度で発光する。

有機ＥＬ素子１１１には、画素電極が形成され、この画素電極上に、正孔注入層と発光層と対向電極とが形成される（いずれも図示せず）。正孔注入層は、画素電極上に形成され、発光層に正孔を供給する機能を有する。

画素電極は、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成される。各画素電極は隣接する他の画素の画素電極と層間絶縁膜（図示せず）によって絶縁されている。

正孔注入層は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液としては、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を水系溶媒に分散させた分散液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液が用いられる。

発光層は、インターレイヤ（図示せず）上に形成される。発光層は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。

発光層は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料から構成される。

また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。

尚、３原色の場合、有機ＥＬ素子１１１のＲＧＢの発光材料は、通常、列毎に塗布される。

対向電極は、導電材料、例えばＣａ，Ｂａ等仕事関数の低い材料からなる層と、Ａｌ等の光反射性導電層と、からなる２層構造になっており、接地電位の接地ライン１１２に接続される。

電流は、画素電極から対極電極方向へと流れ、逆方向には流れず、画素電極、対極電極は、それぞれ、アノード電極、カソード電極となる。

この有機ＥＬ素子１１１は、電流を供給して、長時間、駆動することにより、次第に特性が劣化する。即ち、有機ＥＬ素子１１１の特性が劣化すると、抵抗が増加して電流が流れにくくなるとともに、流れる電流に対する発光輝度が低下し、発光効率が低下する。

すなわち、有機ＥＬ素子１１１の特性が劣化した場合、初期の輝度を得るためには、有機ＥＬ素子１１１に供給する電流を増加させる必要がある。電流を増加させると、有機ＥＬ素子１１１のカソード−アノード間の電圧ＶＥＬも増加する。

この輝度と、有機ＥＬ素子１１１のカソード−アノード間の電圧ＶＥＬとの間には、相関がある。図２は、発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係を示す。発光効率ηは、有機ＥＬ素子１１１に一定の電流（電流初期値Iel_０：検定電流）を流したときの有機ＥＬ素子１１１が初期の特性を有しているときの初期の輝度（値）を１として、輝度の変化を示すパラメータである。従って、この図２は、駆動時間により発光効率ηが変化したときに、電圧ＶＥＬがどれぐらい変化するかを示す。

尚、この関係は、実験によって得られたデータであり、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているときに、輝度が５０００cd/m²，単位面積当たりの輝度が１６cd/Aとなる電流初期値Iel_０を流したときのデータであり、発光部の面積を１００μｍ×３００μｍとした場合、電流初期値Iel_０の電流値は、５０００×(１００×３００)/１６＝９.３８(μＡ)である。

本実施形態に係る表示装置は、この発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係に着目し、有機ＥＬ素子１１１に上記電流初期値Iel_０を流したときの電圧（検定電圧）ＶＥＬを測定し、この電圧ＶＥＬに基づいて、供給する電流の電流値を補正することにより、供給された画像データに対応した輝度を得るように構成されている。

トランジスタＴ１〜Ｔ３は、ｎチャンネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor；電界効果トランジスタ）によって構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）である。

トランジスタＴ１（第３のトランジスタ、書き込み制御トランジスタ）は、トランジスタＴ３（第２のトランジスタ、電流制御トランジスタ）のオン、オフ状態を制御するためのスイッチトランジスタである。

各画素１１_ijのトランジスタＴ１のドレイン（端子）は、アノードライン（電源ライン）Ｌaに接続される。

各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１のゲート（端子）は、セレクトライン（選択ライン）Ｌs11に接続される。同様に、各画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ１のゲートは、セレクトライン（選択ライン）Ｌs12に、・・・、各画素１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１のゲートは、セレクトライン（選択ライン）Ｌs1nに、それぞれ、接続される。

画素１１_11の場合、セレクトドライバ１４からセレクトラインＬs11にオン（High；ハイ）レベルの信号が出力されると、トランジスタＴ１はオンし、トランジスタＴ３もオンする。

セレクトラインＬs11にオフ（Low；ロー）レベルの信号が出力されると、トランジスタＴ１は、オフする。それとともに、トランジスタＴ１がオフすると、キャパシタＣ１に充電された電荷は保持される。

トランジスタＴ２（第１のトランジスタ、選択制御トランジスタ）は、セレクトドライバ１４によって選択されてオン、オフし、アノード回路１２とデータドライバ１３との間を導通、遮断するためのスイッチトランジスタである。

各画素１１_ijのトランジスタＴ２の一端としてのドレインは、有機ＥＬ素子１１１のアノード（電極）に接続される。

各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs11に接続される。同様に、各画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs12に、・・・各画素１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs1nに接続される。

また、各画素１１_11〜１１_1nのトランジスタＴ２の他端としてのソースは、データラインＬd1に接続される。同様に、各画素１１_21〜１１_2nのトランジスタＴ２のソースは、データラインＬd2に、・・・、各画素１１_m1〜１１_mnのトランジスタＴ２のソースは、データラインＬdmに接続される。

画素１１_11の場合、トランジスタＴ２は、セレクトドライバ１４から、セレクトラインＬs11にオンレベルの信号が出力されるとオンして有機ＥＬ素子１１１のアノードとデータラインＬd1とを接続する。

また、セレクトラインＬs11にオフレベルの信号が出力されると、トランジスタＴ２はオフして有機ＥＬ素子１１１のアノードとデータラインＬd1とを遮断する。

トランジスタＴ３は、電圧ＶＥＬを測定する際に、アノード回路１２から供給される電流を有機ＥＬ素子１１１に流すように機能する。

電圧ＶＥＬの測定時において、各画素１１_ijのトランジスタＴ３のドレインは、アノード回路１２から供給される電流が流入する電流流入端であり、アノードラインＬaに接続され、ソースは、電流が流出する電流流出端であり、有機ＥＬ素子１１１のアノードに接続され、ゲートは、ドレイン−ソース間に流れる電流の電流値を制御する制御端であり、トランジスタＴ１のソースに接続される。

キャパシタＣ１は、トランジスタＴ３のゲート−ソース間電圧Ｖgs（以後、ゲート電圧Ｖgsと記す。）を保持するキャパシタであり、その一端は、トランジスタＴ１のソースとトランジスタＴ３のゲートとに接続され、他端はトランジスタＴ３のソースと有機ＥＬ素子１１１のアノードに接続される。

キャパシタＣ１は、トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３はゲート−ドレイン間が接続され、ダイオード接続されてオンするため、アノードラインＬaからトランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れ、そのときのトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsで充電され、その電荷が蓄積される。

トランジスタＴ１及びＴ２がオフすると、キャパシタＣ１は、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持する。

アノード回路１２は、電圧ＶＥＬの測定時において、アノードラインＬaを介して、各画素１１_ijに測定用の電流を供給する機能を有するとともに、各画素１１_ijへのデータの書き込み動作及び各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の画像データに応じた発光動作を行う際に、アノードラインＬaを接地電位及び接地電位より高電位の所定の電圧（電圧Ｖsrc）に設定する機能を有するものであり、電流供給回路１２１と、スイッチ１２２，１２３と、接地電位の接地ライン１２４と、電圧Ｖsrcを出力する定電圧電源と、を備える。

電流供給回路１２１は、予め設定された電流値の電流を供給する電流供給源である。スイッチ１２２は、電圧Ｖsrc又は接地ライン１２４とスイッチ１２３の一端とを、選択的に接続するものである。スイッチ１２３は、電流供給回路１２１の出力端とスイッチ１２２の出力端とを選択的に接続するものである。

データドライバ１３は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１にデータを書き込む機能を有するものであり、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍと、バッファ１３２−１〜１３２−ｍと、ＡＤＣ(Ａ／Ｄコンバータ）１３３−１〜１３３−ｍと、補正回路１３４−１〜１３４−ｍと、ＤＡＣ（Ｄ／Ａコンバータ：駆動信号供給回路）１３５−１〜１３５−ｍと、を備える。

スイッチ１３１−１〜１３１−ｍは、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、バッファ１３２−１〜１３２−ｍの入力端又はＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍの出力端とを選択的に接続するためのものである。

バッファ１３２−１〜１３２−ｍは、それぞれ、各画素１１_1j〜１１_mjからの電流の流れ込みを阻止するためのものであり、入力インピーダンスが高い、例えばオペアンプからなるものである。バッファ１３２−１〜１３２−ｍは、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmを介して測定されるアナログの電圧ＶＥＬをＡ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍに供給する。

Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、バッファ１３２−１〜１３２−ｍから供給されたアナログの電圧ＶＥＬを測定するためのものであり、測定したアナログの電圧ＶＥＬをデジタルの電圧ＶＥＬに変換する。

Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、変換したデジタルの電圧ＶＥＬを補正回路１３４−１〜１３４−ｍに供給する。各バッファ１３２−１〜１３２−ｍと、これに接続されたＡ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍとは、電圧測定回路に相当する。

補正回路１３４−１〜１３４−ｍは、それぞれ、供給された画像データに応じた輝度が得られるように、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍから供給された電圧ＶＥＬに基づいて、画像データに応じた駆動データＶdataの値を補正する回路である。

補正回路１３４−１〜１３４−ｍは、それぞれ、図３に示すように、発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍと、メモリ１３７−１〜１３７−ｍと、演算部１３８−１〜１３８−ｍと、を備える。

発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、測定によって得られた電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出するものであり、図４に示すようなＬＵＴ（ルックアップテーブル、記憶回路）を有している。

このＬＵＴは、電圧ＶＥＬと輝度と発光効率ηとの関係を示すテーブルであり、図２に示す発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係に基づいて作成されたものである。

このＬＵＴは、有機ＥＬ素子１１１に電流初期値Ｉel_０の電流を流した場合の輝度の変化と、発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係を示すものである。

このＬＵＴは、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているときに輝度５０００cd/m²を得るために必要な電流初期値Ｉel_０の電流を流して、輝度が３０００cd/m²になったとき、発光効率はη＝３０００／５０００＝０.６０となり、電圧ＶＥＬは、初期値７.８５Ｖから、８.３０Ｖに増加することを示している。

なお、本実施形態において、上記ＬＵＴは、１つの電流初期値Ｉel_０（検定電流）に対応し、アノード回路１２の電流供給回路１２１からは、これに対応した１種類の電流を供給するものとした。しかし、本実施形態はこれに限るものではなく、ＬＵＴを２レベル以上の複数の異なる電流値の検定電流に対応するものとし、アノード回路１２の電流供給回路１２１から、これに対応した複数レベルの異なる電流値に対応した電流を供給する構成としてもよい。この場合、電圧ＶＥＬの測定を、各レベルの検定電流に応じて、複数回行うこととなる。

発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、このＬＵＴを参照して、電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出する。

メモリ１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍが抽出した発光効率ηを記憶するためのメモリ（記憶回路）である。

演算部１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、画像データが供給されて、画像データに応じた輝度を得るための駆動データＶdataを取得するものである。

演算部１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、駆動データＶdataで書き込みを行うときに、メモリ１３７−１〜１３７−ｍから発光効率ηを読み出す。

演算部１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているとしたときに、供給された画像データに応じた輝度を得るために必要な電流値Ｉelf_０と、メモリ１３７−１から読み出した発光効率ηの逆数と、を乗算して電流補正値Ｉelf_１を取得する。

そして、演算部１３８−１〜１３８−ｍは、各画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsに対するドレイン−ソース間電流の特性と、この電流補正値Ｉelf_１と、に基づいて駆動データＶdataを求める。

Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３８−１〜１３８−ｍが求めたデジタルの駆動データＶdataをアナログの書き込み電圧Ｖd（駆動信号：負電圧）に変換するものである。

Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、この書き込み電圧Ｖdを、データラインＬd1〜Ｌdmを介して、各画素１１_1j〜１１_mjのトランジスタＴ２の他端に印加することにより、トランジスタＴ２を介して、トランジスタＴ３から電流を引き込む。

セレクトドライバ１４は、制御部１５に制御されて、行毎に画素１１_ijを選択するためのものであり、例えば、シフトレジスタを備える。セレクトドライバ１４は、それぞれ、セレクトラインＬs11〜Ｌs1nに、オンレベル又はオフレベルの信号を出力する。

制御部１５は、各部を制御するものである。制御部１５は、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬの変動に基づいて、駆動信号の書き込み時に供給する電流の電流値を補正することにより、必要な輝度を得るように各部を制御する。

このため、制御部１５は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、各画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート−ソース間に駆動データＶdata（書き込み電圧Ｖd）の書き込みを行い、有機ＥＬ素子１１１を発光させるように、各部を制御する。

第１の実施形態に係る表示装置は、１列毎に電圧ＶＥＬの測定を行う。尚、表示装置は、この電圧ＶＥＬの測定を、例えば、電源立ち上げ時、１日毎、あるいは、一定時間使用する毎に行う。

１列毎に電圧ＶＥＬの測定を行う場合、制御部１５は、電流がアノード回路１２から、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ライン１１２へと流れるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。

駆動データＶdataの書き込みを行う場合、制御部１５は、電流がアノード回路１２から各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１に流れないようにして、データドライバ１３に流れるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。

有機ＥＬ素子１１１を発光させる場合、制御部１５は、各画素１１_ijのキャパシタＣ１に書き込まれたトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsに基づいて、電流が有機ＥＬ素子１１１に供給されるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。

次に第１の実施形態に係る表示装置の動作を説明する。
まず、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する際の動作について説明する。

表示装置は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。制御部１５は、電圧ＶＥＬを測定するため、図５に示すように、アノード回路１２の電流供給回路１２１とアノードラインＬaとが接続されるように、スイッチ１２３を制御する。

制御部１５は、それぞれ、データドライバ１３の各バッファ１３２−１〜１３２−ｍと、データラインＬd1〜Ｌdmと、が接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

そして、制御部１５は、全てのセレクトラインＬs11〜Ｌs1nにオン（図中、「Hi」と記す。）レベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。

セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11〜Ｌs1nにオンレベルの信号を出力すると、すべての画素１１_ijのトランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３のゲート−ドレイン間が接続されてトランジスタＴ３はオン状態となり、ダイオード動作する。

図６はトランジスタＴ３のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓ対ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ特性と有機ＥＬ素子１１１の負荷線ＳＰe１を示す図である。トランジスタＴ３の動作点は、トランジスタＴ３のＶｄｓ対Ｉｄｓ特性線と有機ＥＬ素子１１１の負荷線ＳＰelとの交点である図６のＰ３２で示すものとなり、トランジスタＴ３は、飽和領域で動作する。

尚、この図６において、Ｐ０はピンチオフ点、Ｖthは閾値電圧であり、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが０Ｖからピンチオフ電圧までの領域は不飽和領域であり、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓがピンチオフ電圧以上の領域は飽和領域である。

すべての画素１１_ijのトランジスタＴ１〜Ｔ３がオンすると、電流供給回路１２１とアノードラインＬaとが接続されているため、電流供給回路１２１から供給される電流がすべての画素１１_ijのトランジスタＴ３に分配されて流れる。

ここで、電流供給回路１２１から供給される電流の電流値は、各画素１１_ijに流れる電流の平均値が上記電流初期値Ｉel_０の値に等しくなる電流値に設定される。

データドライバ１３の各バッファ１３２−１〜１３２−ｍがハイインピーダンスであるため、この電流は、データドライバ１３には流れない。このため、電流は、すべての画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ライン１１２へと流れる。

バッファ１３２−１〜１３２−ｍは、それぞれ、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを介してデータラインＬd1〜Ｌdmの電圧を取得する。各画素１１_ijのトランジスタＴ２のオン抵抗は、ゲート電圧Ｖgsが高いため、ほぼ無視できる程度の値になる。従って、バッファ１３２−１〜１３２−ｍがそれぞれ取得したデータラインＬd1〜Ｌdmの電圧が有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬになる。

また、データラインＬd1には、１列の画素１１_11〜１１_1nの各トランジスタＴ２を介して各有機ＥＬ素子１１１のアノードが接続されているため、データラインＬd1の電圧は、１列の画素１１_11〜１１_1nの各有機ＥＬ素子１１１の平均化された電圧ＶＥＬになる。バッファ１３２−１は、この電圧ＶＥＬをＡ／Ｄコンバータ１３３−１に供給する。

同様に、バッファ１３２−２〜１３２−ｍは、それぞれ、スイッチ１３１−２〜１３１−ｍを介して、データラインＬd2〜Ｌdmに接続された画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の列毎に平均化された電圧ＶＥＬをＡ／Ｄコンバータ１３３−２〜１３３−ｍに供給する。

Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、このようにして、それぞれ、バッファ１３２−１〜１３２−ｍを介して、列毎に平均化された有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬをアナログ値で測定する。そして、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、アナログの電圧ＶＥＬをデジタルの電圧ＶＥＬに変換する。ここで、バッファ１３２−１〜１３２−ｍ及びＡ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、電圧測定回路をなす。

補正回路１３４−１〜１３４−ｍの発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、ＬＵＴを参照して、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍが変換したデジタルの電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出する。発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、抽出した発光効率ηをメモリ１３７−１〜１３７−ｍに記憶する。

次に、画像データに基づいて各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を駆動する際の動作について説明する。

画像データが供給されると、表示装置は、各画素１１_11〜１１_mnに対して駆動データＶdataの書き込みを行う。このとき、制御部１５は、図７に示すように、アノードラインＬaが接地電位となるように、アノード回路１２のスイッチ１２２，１２３を制御する。スイッチ１２２は、接地ライン１２４とスイッチ１２３の一端とを接続し、スイッチ１２３は、このスイッチ１２３の一端とアノードラインＬaとを接続して、アノードラインＬaを接地ライン１２４に接続する。

次いで、制御部１５は、セレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフ（図中、「Lo」と記す。）レベルの信号を出力するように、セレクトドライバ１４を制御し、画素１１_11〜１１_m1を選択する。

演算部１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、メモリ１３７−１〜１３７−ｍから、各画素１１_11〜１１_m1の発光効率ηを読み出し、読み出した発光効率ηに基づいて駆動データＶdataを求める。

データドライバ１３の各Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３８−１〜１３８−ｍが求めた駆動データＶdataをアナログの書き込み電圧Ｖdに変換する。

制御部１５は、それぞれ、データドライバ１３の各Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍと、データラインＬd1〜Ｌdmと、が接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

データドライバ１３の各Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、アナログ変換した書き込み電圧ＶdをデータラインＬd1〜Ｌdmに印加する。

アノードラインＬaは接地電位になっており、各画素１１_11〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１のカソードの電位も接地電位であるため、電流は、各画素１１_11〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１には流れない。

また、書き込み電圧Ｖdが負電圧であるため、電流は、アノード回路１２から、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ３，Ｔ２、データラインＬd1〜Ｌdmを介して、それぞれ、データドライバ１３のＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍに流れる。

各画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１はオンしているため、各トランジスタＴ３は、ゲート−ドレイン間が接続されて、ダイオード接続される。このため、トランジスタＴ３は飽和領域内で動作し、トランジスタＴ３には、ダイオード特性に応じたドレイン電流Ｉdが流れ、その動作点は図６の動作点Ｐ２となる。

トランジスタＴ１がオンし、トランジスタＴ３にドレイン電流Ｉdが流れるため、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは、ドレイン電流Ｉdに対応した電圧に設定され、キャパシタＣ１は、このゲート電圧Ｖgsで充電される。

このようにしてデータドライバ１３は、測定した電圧ＶＥＬに基づいて補正した電流を、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ３から引き込んで、キャパシタＣ１に、駆動データＶdataに基づく、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持させる。

以下、同様にして、制御部１５は、順次、画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnを選択するようにセレクトドライバ１４を制御し、各画素１１_11〜１１_mnのトランジスタＴ３のゲート−ソース間のキャパシタＣ１に、駆動データＶdataに基づく電圧を書き込む。

すべての画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート−ソース間のキャパシタＣ１に駆動データＶdataの書き込みが行われた後、表示装置は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を発光させる。

このとき、制御部１５は、図８に示すように、すべてのセレクトラインＬs11〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力するように、セレクトドライバ１４を制御して、すべての画素１１_ijのトランジスタＴ１，Ｔ２をオフさせる。

すべての画素１１_ijにおいて、それぞれ、トランジスタＴ１，Ｔ２がオフすると、トランジスタＴ３は、非選択状態となる。トランジスタＴ３が非選択状態となると、トランジスタＴ３のゲート−ソース間電圧Ｖgsは、キャパシタＣ１に書き込まれた電圧に保持される。

また、このとき、制御部１５は、電圧ＶsrcがアノードラインＬaに印加されるように、アノード回路１２のスイッチ１２２，１２３を制御する。この電圧Ｖsrcは、例えば、１２Ｖ程度に設定される。

このとき、トランジスタＴ３のゲート電圧ＶgsがキャパシタＣ１によって保持されているため、トランジスタＴ３の動作点は、図６に示すように、保持されたゲート電圧Ｖgsの動作線と有機ＥＬ素子１１１の負荷線ＳＰelとの交点である動作点Ｐ３となる。この電圧Ｖsrcの電圧値は、この動作点Ｐ３が、トランジスタＴ３が飽和領域で動作する状態となる電圧値に設定される。

そして、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間には、駆動データＶdataを書き込んだときの書き込み電流と同じ電流値のドレイン電流Ｉdが流れる。トランジスタＴ２がオフし、有機ＥＬ素子１１１のアノード側の電位がカソード側の電位より高い状態となっているため、このドレイン電流Ｉdは、有機ＥＬ素子１１１に供給される。

このとき、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１に流れる電流Ｉdは、測定した電圧ＶＥＬに基づいて補正されている。

例えば、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１に対し、供給された画像データに応じた輝度が５０００cd/m²であり、有機ＥＬ素子１１１の計測された電圧ＶＥＬが８.３０Ｖであった場合、補正しなければ、輝度は３０００cd/m²に低下する。

この場合、発光効率抽出部１３６−１は、電圧ＶＥＬ＝８.３０Ｖから、図４に示すＬＵＴを参照して、発光効率η＝０.６０を取得する。

演算部１３８−１は、メモリ１３７−１を参照してη＝０.６０を取得し、輝度５０００cd/m²を得るための電流値として、電流初期値Ｉel_０を１／η＝１.６７倍して電流補正値Ｉel_１を取得する。

即ち、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１には、電流初期値Ｉel_０の１.６７倍の電流が流れるように補正され、その結果、有機ＥＬ素子１１１は、輝度５０００cd/m²で発光する。

以上説明したように、本第１の実施形態によれば、制御部１５は、各画素１１_ijに駆動データＶdataの書き込みを行った後、各画素１１_ijのトランジスタＴ１，Ｔ２がオンするように制御し、アノード回路１２から、各画素１１_ijのトランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子１１１に電流を供給するようにアノード回路１２を制御した。

また、データドライバ１３は、入力インピーダンスがハイインピーダンスのバッファ１３２−１〜１３２−ｍを備えるようにした。

従って、データドライバ１３のＡ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、ハイインピーダンスのバッファ１３２−１〜１３２−ｍを介して、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の列毎に平均化された電圧ＶＥＬを測定することができる。

また、補正回路１３４−１〜１３４−ｍは、それぞれ、供給された画像データの輝度が得られるように、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍが測定した電圧ＶＥＬに基づいて有機ＥＬ素子１１１に供給される電流の電流値を補正して駆動データＶdataを得るようにした。

また、制御部１５は、アノード回路１２が有機ＥＬ素子１１１と同電位の接地電位となるように制御し、データドライバ１３の各Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、負の書き込み電圧Ｖdを、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmに印加するようにした。

従って、測定された電圧ＶＥＬの値に応じて、供給された画像データの輝度に対応する駆動データＶdataで書き込みを行うことができる。このため、有機ＥＬ素子１１１を長時間駆動しても、供給された画像データに応じた輝度で有機ＥＬ素子１１１を発光させることができる。

前述のように、ＲＧＢの３原色の場合、ＲＧＢの発光材料は、通常、列毎に塗布される。有機ＥＬ素子１１１は、材料が異なれば劣化の程度も異なる。しかし、第１の実施形態では、列毎に平均化された電圧ＶＥＬを測定するようにしているため、このような材料の相違を考慮することなく、同じ材料で生成された有機ＥＬ素子１１１の平均化された電圧ＶＥＬを測定できる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る表示装置は、各有機ＥＬ素子の電圧を行毎に測定するようにしたものである。

画像表示において、横線を表示する頻度が多い場合には、行毎に流れる電流値が異なる。このため、電圧ＶＥＬの値も行毎に相違してくる。第２の実施形態に係る表示装置は、このような場合でも、正確に電圧ＶＥＬを測定するため、行毎に電圧ＶＥＬを測定する。

この第２の実施形態に係る表示装置は、第１の実施形態と同様に図１に示す構成を有する。

次に第２の実施形態に係る表示装置の動作を説明する。
電圧ＶＥＬの測定動作において、制御部１５は、各行の各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。制御部１５は、図９に示すように、アノード回路１２の電流供給回路１２１とアノードラインＬaとが接続されるように、スイッチ１２３を制御する。

制御部１５は、それぞれ、データドライバ１３の各バッファ１３２−１〜１３２−ｍと、データラインＬd1〜Ｌdmと、が接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

制御部１５は、セレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御し、第１行目の画素１１_11〜１１_m1を選択する。

セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力すると、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１〜Ｔ３はオフする。

画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１〜Ｔ３がオフするため、電流供給回路１２１から供給される電流は、画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnには、流れない。

セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力すると、第１行目の画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１、Ｔ２がオンする。上記第１の実施形態の場合と同様に、トランジスタＴ３のゲート−ドレイン間が接続されてトランジスタＴ３はオン状態となり、ダイオード動作をして飽和領域で動作し、その動作点は図６のＰ２となる。

画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１〜Ｔ３がオンすると、電流供給回路１２１とアノードラインＬaとが接続されているため、電流供給回路１２１から供給される電流が画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ３に分配されて流れる。

ここで、電流供給回路１２１から供給する電流の電流値は、１行の各画素１１_11〜１１_m1に流れる電流の平均値が上記電流初期値Ｉel_０の値に等しくなる電流値に設定される。

データドライバ１３の各バッファ１３２−１〜１３２−ｍがハイインピーダンスであるため、この電流は、データドライバ１３には流れない。このため、電流は、画素１１_11〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ライン１１２へと流れる。

データドライバ１３のバッファ１３２−１〜１３２−ｍは、それぞれ、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを介して、データラインＬd1〜Ｌdmの電圧を取得する。

画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ２のオン抵抗は無視できるので、バッファ１３２−１〜１３２−ｍが取得した電圧は、それぞれ、画素１１_11〜１１_m1の各有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬになる。

バッファ１３２−１〜１３２−ｍは、それぞれ、取得した電圧ＶＥＬを、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍに供給する。Ａ／Ｄコンバータ１３３−２〜１３３−ｍは、それぞれ、バッファ１３２−１〜１３２−ｍを介して測定した画素１１_11〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１のアナログの電圧ＶＥＬを、デジタルの電圧ＶＥＬに変換して、補正回路１３４−１〜１３４−ｍに供給する。

補正回路１３４−１〜１３４−ｍの発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍが変換したデジタルの電圧ＶＥＬを平均し、ＬＵＴを参照して、１行分の電圧ＶＥＬの平均値に対応する発光効率ηを抽出する。

発光効率抽出部１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、変換した発光効率ηをメモリ１３７−１〜１３７−ｍに記憶する。

このように、発光効率ηがメモリ１３７−１〜１３７−ｍに記憶されると、制御部１５は、第２行目の画素１１_12〜１１_m2を選択し、上記第１行目と同様に各画素１１_12〜１１_m2の電圧ＶＥＬを取得し、行毎の電圧ＶＥＬの平均値に対応する発光効率ηを抽出し、それに対応する発光効率ηをメモリ１３７−１〜１３７−ｍに記憶する。

このようにして、制御部１５は、順次、各行の画素１１_13〜１１_mnを選択し、メモリ１３７−１〜１３７−ｍには、行毎の電圧ＶＥＬの平均値に対応する発光効率ηが記憶される。

本実施形態における、画像データに基づく各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の表示動作は、上記第１の実施形態の場合と同様であって、画像データが供給されると、表示装置は、各画素１１_11〜１１_mnに対して駆動データＶdataの書き込みを行う。

このとき、制御部１５は、第１の実施形態と同様、順次、画素１１_11〜１１_m1，・・・，１１_1n〜１１_mnを選択する。

データドライバ１３の演算部１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、制御部１５が選択した各行の画素１１_ijの発光効率を、メモリ１３７−１〜１３７−ｍから読み出し、読み出した発光効率ηに基づいて電流値を補正し、駆動データＶdataを求める。

Ｄ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３８−１〜１３８−ｍが求めた駆動データＶdataをアナログの負の書き込み電圧Ｖdに変換し、この負の書き込み電圧Ｖdで、制御部１５が選択した各行の画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート−ソース間に駆動データＶdataを書き込む。

表示装置は、すべての行の画素１１_ijについて書き込みを行うと、第１の実施形態と同様に、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を発光させる。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示装置は、行毎に、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、書き込みを行うように各部を制御するようにした。

従って、行毎に平均した電圧ＶＥＬを取得することができ、特に、画像表示において、横線を表示する頻度が多く、行毎に電圧ＶＥＬが相違する場合にも電圧ＶＥＬを正確に測定することができる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る表示装置は、各画素の有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定するようにしたものである。

例えば、デジタルカメラのインジケータのように、長時間表示されている場合に、部分的に有機ＥＬ素子１１１が劣化すると、電圧ＶＥＬは画素毎に異なるものになる。第３の実施形態に係る表示装置は、このような場合でも各有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを正確に測定するため、画素毎に電圧ＶＥＬを測定する。

第３の実施形態に係る表示装置の構成を図１０に示す。
第３の実施形態に係る表示装置は、第１の実施形態における構成と同様のセレクトドライバ１４（第１の選択駆動部）に加え、第２セレクトドライバ１６（第２の選択駆動部）を備える。

ここで、セレクトドライバ１４は、制御部１５に制御されて、各画素１１_ijのトランジスタＴ１（第３のトランジスタ）をオン、オフ制御し、第２セレクトドライバ１６は、制御部１５に制御されて、各画素１１_ijのトランジスタＴ２（第１のトランジスタ）をオン、オフ制御するものである。

画素１１_11〜１１_m1，１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ２のゲートは、それぞれ、セレクトラインＬs21〜Ｌs2nを介して第２セレクトドライバ１６に接続される。

次に第３の実施形態に係る表示装置の動作を説明する。
表示装置の制御部１５は、行を選択し、選択した行の画素１１_ijを選択し、選択した一つの行の中の１つの画素１１_ijにのみオンレベルの電圧書き込みを行ってから、そのオンレベルの電圧書き込みを行った画素１１_ijに対して有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定するように各部を制御する。

画素１１_ijへの電圧書き込み動作において、制御部１５は、まず、図１１に示すように、アノードラインＬaを接地ライン１２４に接続して接地電位となるように、アノード回路１２のスイッチ１２２，１２３を制御する。

制御部１５は、画素１１_11を選択するように、セレクトドライバ１４，第２セレクトドライバ１６を制御する。即ち、制御部１５は、セレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。

また、制御部１５は、セレクトラインＬs21にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs22〜Ｌs2nにオフレベルの信号を出力するように第２セレクトドライバ１６を制御する。

セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力すると、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_１n〜１１_mnのトランジスタＴ１は、オフする。

第２セレクトドライバ１６がセレクトラインＬs22〜Ｌs2nにオフレベルの信号を出力すると、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ２は、オフする。

各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１、Ｔ２がオフすると、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnに電流は流れない。

一方、セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力すると、画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１は、オンする。

第２セレクトドライバ１６がセレクトラインＬs21にオンレベルの信号を出力すると、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ２は、オンする。

画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１，Ｔ２がオンしたとき、Ｄ／Ａコンバータ１３５−１は、画素１１_11に印加する書き込み電圧をアノードラインＬaの電位より十分低いローレベルの第１の書き込み電圧Ｖd１に設定する。

この第１の書き込み電圧Ｖd１の電圧値は、トランジスタＴ３のしきい値を越える値を有してトランジスタＴ３がオン状態となり、この第１の書き込み電圧Ｖd１の書き込み時に画素１１_11に流れる電流の電流値が、この後の電圧ＶＥＬを測定する際にアノード回路１２から供給される電流（電流初期値Ｉel_０）より大きい電流値となるのに必要な値、に設定される。

一方、Ｄ／Ａコンバータ１３５−２〜１３５−ｍは、画素１１_21〜１１_m1に印加する書き込み電圧を、トランジスタＴ３のしきい値を越えない第２の書き込み電圧Ｖd２に設定する。これによって画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３はオフ状態となる。この第２の書き込み電圧Ｖd２の電圧値は例えば０Ｖである。

制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmとデータドライバ１３のＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍとが接続されるようにスイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

データラインＬd1〜Ｌdmとデータドライバ１３のＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍとが接続されると、データラインＬd1に関して、画素１１_11のトランジスタＴ３がオン状態になっているため、アノード回路１２の接地ライン１２４から、アノードラインＬa、画素１１_11のトランジスタＴ３、トランジスタＴ２、データラインＬd1を介して、Ｄ／Ａコンバータ１３５−１へ電流が流れる。有機ＥＬ素子１１１のアノードは負電位になるため、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１には電流は流れない。

また、データラインＬd2〜Ｌdmにおいて、画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３はオフ状態であるため、電流は流れない。また、有機ＥＬ素子１１１のアノードは接地電位又は負電位になるため、画素１１_21〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１には電流が流れない。

画素１１_11のトランジスタＴ３は、トランジスタＴ１がオンしているため、ダイオード接続され、飽和領域内で動作し、その動作点は図６の動作点Ｐ２となる。

こうして、第１行目の画素１１_11のトランジスタＴ３のゲート−ソース間には、第１の書き込み電圧Ｖd１により、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる状態となる電圧値の電圧書き込みが行われ、画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３のゲート−ソース間には、第２の書き込み電圧Ｖd２により、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れない状態となる電圧値の電圧書き込みが行われる。

次いで、画素１１_11の電圧ＶＥＬの測定動作において、上記のようにして電圧書き込みが行われた後、制御部１５は、図１２に示すように、アノードラインＬaに電流供給回路１２１から電流が供給されるようにスイッチ１２３を制御する。電流供給回路１２１から供給する電流の電流値は、上記の電流初期値Ｉel_０に等しい電流値に設定される。

そして、制御部１５は、セレクトラインＬs11にオフレベルの信号が出力されるようにセレクトドライバ１４を制御する。制御部１５は、セレクトラインＬs21に継続してオンレベルの信号が出力されるように第２セレクトドライバ１６を制御する。

セレクトラインＬs11にオフレベルの信号が出力されると、画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１は、オフする。

制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmとバッファ１３２−１〜１３２−ｍと、が接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

画素１１_11においては、トランジスタＴ３のゲート−ソース間に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる程度の電圧書き込みが行われているため、トランジスタＴ１がオフしても、トランジスタＴ３のゲート−ソース間電圧は、しきい値を越えた電圧書き込みによってキャパシタＣ１に書き込まれた電圧によるゲート電圧Ｖgsに保持されている。

このため、画素１１_11のトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは変化せず、トランジスタＴ３は、図６の動作点Ｐ１で示すように、ゲート電圧Ｖgs一定の動作線上で動作し、不飽和領域内で動作する。

一方、画素１１_21〜１１_m1においては、トランジスタＴ３のゲート−ソース間に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れない程度の電圧書き込みが行われ、トランジスタＴ３のゲート−ソース間の電圧はしきい値を越えていないため、トランジスタＴ１のオン、オフによらず、トランジスタＴ３はオフ状態になっている。そのため、画素１１_21〜１１_m1の各有機ＥＬ素子１１１に電流供給回路１２１からの電流は供給されない。

従って、電流供給回路１２１から供給された電流は、画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１にのみ流れ、有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ライン１１２へと流れる。

このとき、データドライバ１３のＡ／Ｄコンバータ１３３−１は、トランジスタＴ２、データラインＬd1、スイッチ１３１−１、バッファ１３２−１を介して、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。

補正回路１３４−１の発光効率抽出部１３６−１は、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１が測定した電圧ＶＥＬを発光効率ηに変換してメモリ１３７−１に記憶する。

発光効率抽出部１３６−１が、この発光効率ηをメモリ１３７−１に記憶した後、制御部１５は、セレクトドライバ１４，第２セレクトドライバ１６及びデータドライバ１３を制御して、画素１１_21，・・・，１１_m1に対して順次、それぞれのトランジスタＴ３のゲート−ソース間への、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる程度の電圧書き込み及び各電圧ＶＥＬの測定を行う。

次いで、制御部１５は、第２行目〜第ｎ行目の順で、各行の各画素１１_ijに対して各電圧書き込み及び各電圧ＶＥＬの測定を順次行う。このように、全画素１１_ijに対してトランジスタＴ３のゲート−ソース間に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる程度の電圧書き込みを行って、それぞれの電圧ＶＥＬを順次測定する。

このようにして、表示装置は、すべての画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。

画像データが供給されると、表示装置は、第１の実施形態と同様に、測定した電圧ＶＥＬに基づいて電流値を補正し、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ３のゲート−ソース間に駆動データＶdataを書き込む。そして、表示装置は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を発光させる。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示装置は、セレクトドライバ１４、第２セレクトドライバ１６を用いて、選択的にトランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる状態となる電圧値の電圧を書き込み、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れない状態となる電圧値の電圧書き込みを行う。それから、表示装置は、各画素１１_ijのトランジスタＴ１，Ｔ２を個別にオン、オフ制御し、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定するようにした。

従って、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを画素毎に測定することができる。このため、デジタルカメラのインジケータのように、長時間表示された結果、電圧ＶＥＬが画素毎に異なる場合でも、電圧ＶＥＬを画素毎に、正確に測定することができる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る表示装置は、上記第３の実施形態に対して構成を変えて、第３の実施形態と同様に、各有機ＥＬ素子の電圧を画素毎に測定するようにしたものである。

第４の実施形態に係る表示装置の構成を図１３に示す。
第４の実施形態に係る表示装置は、第１の実施形態における構成と同様のセレクトドライバ１４（第１の選択駆動部）に加え、トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎ（第１のスイッチング素子）と、トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎ（第２のスイッチング素子）と、ゲートラインＬg1（第１の制御信号ライン）と、ゲートラインＬg2（第２の制御信号ライン）と、スイッチドライバ（スイッチ駆動回路）１７と、からなる第２の選択駆動部を備える。

トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎは、それぞれ、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nと、ローレベルラインＬmとの接続、遮断を行うためのトランジスタである。このローレベルラインＬmには、ローレベルの電圧が印加される。トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎは、チャンネル型のＦＥＴによって構成されたＴＦＴである。

トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎのドレインは、それぞれ、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nに接続され、ソースは、それぞれ、ローレベルラインＬmに接続される。また、トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎのゲートは、ゲートラインＬg1に共通に接続される。

トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎは、セレクトラインＬs11とＬs31，・・・，Ｌs1ｎとＬs3ｎとを接続、遮断するためのトランジスタである。トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎは、ｎチャンネル型のＦＥＴによって構成されたＴＦＴである。

トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎのドレインは、それぞれ、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nに接続され、ソースは、それぞれ、セレクトラインＬs11〜Ｌs1nに接続される。また、トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎのゲートは、ゲートラインＬg2に共通に接続される。

スイッチドライバ１７は、制御部１５に制御されて、ゲートラインＬg1，Ｌg2に、それぞれ、オン（Hi）レベル又はオフ（Lo）レベルの信号を出力する。

次に第４の実施形態に係る表示装置の動作を説明する。
表示装置は、選択した一つの行の中の１つの画素１１_ijにのみ、トランジスタＴ３のゲート−ソース間に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる状態となる電圧値の電圧書き込みを行ってから、その電圧書き込みを行った画素１１_ijに対して有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。

画素１１_ijへの電圧書き込み動作において、制御部１５は、図１４に示すように、アノードラインＬaが接地電位となるように、アノード回路１２のスイッチ１２２，１２３を制御する。

制御部１５は、セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力するように制御し、画素１１_11〜１１_m1を選択する。

また、制御部１５は、ゲートラインＬg1，Ｌg2に、それぞれ、オフ（Lo）レベル、オン（Hi）レベルの信号を出力するようにスイッチドライバ１７を制御する。

スイッチドライバ１７が、ゲートラインＬg1にオフレベルの信号を出力すると、トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎはオフし、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nとローレベルラインＬmとは遮断される。

スイッチドライバ１７が、ゲートラインＬg2にオンレベルの信号を出力すると、セレクトラインＬs11とＬs31、・・・、セレクトラインＬs1nとＬs3nと、が接続される。

セレクトドライバ１４が、それぞれ、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力すると、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_１n〜１１_mnのトランジスタＴ２はオフする。

また、このとき、セレクトラインＬs11とＬs31とが接続されるため、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１もオフする。

各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１、Ｔ２がオフすると、各画素１１_12〜１１_m2，・・・，１１_1n〜１１_mnに電流供給回路１２１から供給される電流は流れない。

一方、セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力すると、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ２はオンする。

また、セレクトラインＬs11とＬs31とが接続されるため、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１もオンする。

Ｄ／Ａコンバータ１３５−１は、画素１１_11のトランジスタＴ３のゲート−ソース間に印加する、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる状態となる電圧値を有する第１の書き込み電圧Ｖd１を設定する。Ｄ／Ａコンバータ１３５−１は、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１，Ｔ２がオンしたとき、画素１１_11に第１の書き込み電圧Ｖd１を出力する。

この第１の電圧の電圧値は、この第１の書き込み電圧Ｖd１の書き込み時に画素１１_11に流れる電流の電流値が、この後の電圧ＶＥＬを測定する際にアノード回路１２から供給される電流（電流初期値Ｉel_０）より大きい電流値となる値に設定される。

一方、Ｄ／Ａコンバータ１３５−２〜１３５−ｍは、画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３のゲート−ソース間に印加する、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れない状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧Ｖd２を設定する。

そして、Ｄ／Ａコンバータ１３５−２〜１３５−ｍは、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１，Ｔ２がオンしたとき、画素１１_21〜１１_m1に第２の書き込み電圧Ｖd２を出力する。この第２の電圧の電圧値は例えば０Ｖである。

制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmとデータドライバ１３のＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍとが接続されるようにスイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

データラインＬd1〜Ｌdmとデータドライバ１３のＤ／Ａコンバータ１３５−１〜１３５−ｍとが接続されると、画素１１_11のトランジスタＴ３がオン状態になっているため、アノード回路１２の接地ライン１２４から、アノードラインＬa、画素１１_11のトランジスタＴ３、トランジスタＴ２、データラインＬd1を介して、Ｄ／Ａコンバータ１３５−１へと電流が流れる。

また、データラインＬd2〜Ｌdmにおいては、画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３はオフ状態であるため、電流は流れない。また、有機ＥＬ素子１１１のアノードは接地電位又は負電位になるため、画素１１_21〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１には電流が流れない。

各画素１１_11のトランジスタＴ３は、トランジスタＴ１がオンしているため、ダイオード接続され、飽和領域内で動作し、その動作点は図６の動作点Ｐ２となる。

このように、第１行目の画素１１_11のトランジスタＴ３のゲート−ソース間には、しきい値を越える電圧値の書き込みが行われ、画素１１_21〜１１_m1のトランジスタＴ３のゲート−ソース間には、しきい値を越えない電圧値の書き込みが行われる。

次いで、画素１１_11の電圧ＶＥＬの測定動作において、このように電圧書き込みが行われた後、制御部１５は、図１５に示すように、アノードラインＬaに電流供給回路１２１から電流が供給されるようにスイッチ１２３を制御する。電流供給回路１２１から供給する電流の電流値は、上記の電流初期値Ｉel_０に等しい電流値に設定される。

そして、制御部１５は、ゲートラインＬg1にオンレベル、ゲートラインＬg2にオフレベルの信号が出力されるように、スイッチドライバ１７を制御する。

尚、制御部１５は、継続して、セレクトラインＬs11にオンレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにオフレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。

スイッチドライバ１７が、ゲートラインＬg1にオンレベルの信号を出力すると、トランジスタＴ１１−１〜Ｔ１１−ｎは、オンし、それぞれ、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nと、ローレベルラインＬmと、が接続される。

スイッチドライバ１７が、ゲートラインＬg2にオフレベルの信号を出力すると、トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎは、オフし、それぞれ、セレクトラインＬs11〜Ｌs1nと、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nと、は遮断される。

このため、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nの信号レベルはオフレベルになり、第１行目の画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１は、オフする。

一方、第１行目の画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ２は、オンしたままとなる。

このように、各画素１１_ijのトランジスタＴ１とＴ２とは、第３の実施形態と同様、個別にオン、オフ制御される。

これにより、第３の実施形態と同様に、電流供給回路１２１から供給された電流は、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１にのみ流れ、有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ライン１１２へと流れる。

制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmとバッファ１３２−１〜１３２−ｍと、が接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。

データドライバ１３のＡ／Ｄコンバータ１３３−１は、データラインＬd1、スイッチ１３１−１、バッファ１３２−１を介して、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、補正回路１３４−１の発光効率抽出部１３６−１は、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１が測定した電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出してメモリ１３７−１に記憶する。

発光効率抽出部１３６−１が、この発光効率ηをメモリ１３７−１に記憶した後、制御部１５は、セレクトドライバ１４、スイッチドライバ１７及びデータドライバ１３を制御して、画素１１_21，・・・，１１_m1に対して順次、それぞれのトランジスタＴ３のゲート−ソース間への、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる状態とする電圧値の電圧書き込み及び各電圧ＶＥＬの測定を行う。

次いで、制御部１５は、第２行目〜第ｎ行目の順で、各行の各画素１１_ijに対して各電圧書き込み及び各電圧ＶＥＬの測定を順次行う。このように、表示装置は、全画素１１_ijに対してトランジスタＴ３のゲート−ソース間に、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間に電流が流れる程度の電圧書き込みを行って、それぞれの電圧ＶＥＬを測定する。

このようにして、表示装置は、すべての画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、画像データが供給されると、第１の実施形態と同様に、測定した電圧ＶＥＬに基づいて電流値を補正する。

そして、表示装置は、各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ３のゲート−ソース間に駆動データＶdataを書き込み、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を発光させる。

以上説明したように、本実施形態によれば、２つのセレクトラインＬs11〜Ｌs1nと、セレクトラインＬs31〜Ｌs3nとをトランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎで接続又は遮断し、トランジスタＴ１２−１〜Ｔ１２−ｎを用いてセレクトラインＬs31〜Ｌs3nにオフレベルの信号の供給を制御するようにした。

従って、本実施形態においても、第３の実施形態と同様、各画素１１_ijのトランジスタＴ１とＴ２とを個別にオン、オフ制御することができ、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを画素毎に測定することができる。このため、電圧ＶＥＬが画素毎に異なる場合でも、電圧ＶＥＬを画素毎に、正確に測定することができる。

尚、本発明を実施するにあたっては、種々の形態が考えられ、上記実施形態に限られるものではない。

例えば、上記実施形態では、発光素子を有機ＥＬ素子として説明した。しかし、発光素子は、有機ＥＬ素子に限られるものではなく、例えば、無機ＥＬ素子又はＬＥＤであってもよい。

上記実施形態では、データドライバ１３に、電流の流れ込みを阻止するため、ハイインピーダンスのバッファ１３２−１〜１３２−ｍを備えるようにした。しかし、Ａ／Ｄコンバータ１３３−１〜１３３−ｍがハイインピーダンスのものであれば、バッファ１３２−１〜１３２−ｍを備えなくてもよい。

図２に示す有機ＥＬ素子の発光効率と電圧との関係は、有機ＥＬ素子の発光材料等によって変わるものであり、必ずしも、このものに限られるものではない。また、図４に示すＬＵＴも、同様に、このものに限られるものではない。

また、上記各実施形態においては、発光素子を有する複数の画素がマトリクス状に配列された表示領域を有する表示装置に適用した場合について説明した。しかし、本実施形態はこれに限るものではない。例えば、発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを有し、感光体ドラムに画像データに応じて発光した光を照射して露光する露光装置をなす、発光装置に適用してもよい。

１１_ij（ｉ＝１〜ｍ，ｊ＝１〜ｎ）・・・画素、１２・・・アノード回路、１３・・・データドライバ、１４・・・セレクトドライバ、１５・・・制御部、１３１−１〜１３１−ｍ・・・スイッチ、１３２−１〜１３２−ｍ・・・バッファ、１３３−１〜１３３−ｍ・・・ＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバータ）、１３４−１〜１３４−ｍ・・・補正回路、１３５−１〜１３５−ｍ・・・ＤＡＣ、１３６−１〜１３６−ｍ・・・発光効率抽出部、１３７−１〜１３７−ｍ・・・メモリ、１３８−１〜１３８−ｍ・・・演算部

Claims (20)

1. 電源ラインと、
   少なくとも１つのデータラインと、
   一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する少なくとも１つの画素と、
   予め設定された電流値の検定電流を出力する電流供給回路と、
   前記データラインと前記画素の前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの該発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得する電圧測定回路を有するデータ駆動部と、
   を備えることを特徴とする発光装置。
2. 前記データ駆動部は、前記電圧測定回路によって取得された前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データに応じた駆動データを補正する補正回路と、補正された前記駆動データに基づく駆動信号を生成する駆動信号供給回路と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記補正回路は、
   前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路を有し、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、
   前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率の値に基づいて前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正する演算部と、
   を備えることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
   前記画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿って複数配列されており、
   前記データラインは前記発光領域における列方向に沿って複数配設され、
   前記発光装置は、前記発光領域における行方向に沿って複数配設され、前記各画素に接続された複数の選択ラインと、前記各選択ラインに選択信号を印加して、該各選択ラインに対応する前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、を有し、
   前記各画素は、前記各データラインと前記各選択ラインの交点近傍にマトリクス状に配列され、該各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
   前記駆動信号供給回路は、前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定し、
   前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記特定の１つの画素の前記発光素子に対応する前記検定電圧を取得することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記第２のトランジスタの制御端子に接続された第３のトランジスタを有し、
   前記複数の選択ラインは、前記各画素の前記第３のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第１の選択ラインと、前記各画素の前記第１のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第２の選択ラインと、を有し、
   前記選択駆動部は、
   前記各第１の選択ラインに第１の選択信号を印加する第１の選択駆動部と、
   前記各第２の選択ラインに第２の選択信号を印加する第２の選択駆動部と、を有し、
   前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタとは、前記第１の選択駆動部と前記第２の選択駆動部により個別に導通状態に設定されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記第２のトランジスタの制御端子に接続された第３のトランジスタを有し、
   前記複数の選択ラインは、前記各画素の前記第１のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第１の選択ラインと、前記各画素の前記第３のトランジスタの制御端子に接続されて行方向に複数配設された第２の選択ラインと、を有し、
   前記選択駆動部は、
   前記各第１の選択ラインに第１の選択信号を印加する第１の選択駆動部と、
   前記各第２の選択ラインに前記第１の選択信号に基づく第２の選択信号を印加する複数のスイッチング素子を有してなるスイッチ回路と、前記スイッチ回路の前記各トランジスタの動作を制御するスイッチ駆動回路と、からなる第２の選択駆動部と、を有し、
   前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタとは、前記第１の選択駆動部と前記第２の選択駆動部により個別に導通状態に設定されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
7. 前記スイッチ回路は、前記発光領域の各行に対応して設けられ、電流路の一端が前記各第２の選択ラインに接続され、該電流路の他端が所定の電位に設定された複数の第１のスイッチング素子と、前記発光領域の各行に対応して設けられ、該各行の画素に接続される前記第１の選択ラインと前記第２の選択ラインとに該電流路の両端が接続された複数の第２のスイッチング素子と、前記各第１のスイッチング素子の制御端子に共通に接続された第１の制御信号ラインと、前記各第２のスイッチング素子の制御端子に共通に接続された第２の制御信号ラインと、を有し、
   前記スイッチ駆動回路は、前記第１の制御信号ライン及び前記第２の制御信号ラインに、前記各第１のスイッチング素子及び前記各第２のスイッチング素子の導通を制御する制御信号を個別に印加することを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
   前記複数の画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に複数配列されており、
   前記データラインは前記発光領域における列方向に沿って複数配設され、
   前記電流供給回路から出力される電流は前記発光領域の全ての画素の前記発光素子に同時に流れ、
   前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記発光領域の列方向に沿って配設され、前記複数のデータラインの各々に接続された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を取得することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
9. 前記発光装置は、前記画素が複数配列された発光領域を有し、
   前記複数の画素は、前記発光領域において、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に複数配列されており、
   前記データラインは列方向に沿って複数配設されており、
   前記電流供給回路から出力される電流は前記発光領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
   前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記発光領域の当該１行に配設された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
10. 電源ラインと、
    複数のデータラインと、
    前記複数のデータラインの何れかに接続され、一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記各データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する複数の画素と、
    予め設定された電流値の検定電流を出力する電流供給回路と、
    前記各データラインと前記複数の画素における少なくとも１つの前記画素の前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの該発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得する電圧測定回路と、前記電圧測定回路によって取得された前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データに応じた駆動データを補正する補正回路と、補正された前記駆動データに基づく駆動信号を生成する駆動信号供給回路と、を有するデータ駆動部と、
    を備えることを特徴とする表示装置。
11. 前記補正回路は、
    前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路を有し、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、
    前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率の値に基づいて前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正する演算部と、
    を備えることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記表示装置は、前記複数の画素が配列された表示領域を有し、
    前記複数の画素は、前記表示領域に、行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列されており、
    前記複数のデータラインの各々は、前記表示領域の列方向に沿って配設され、
    前記発光装置は、前記表示領域の行方向に沿って複数配設されて前記各画素に接続された複数の選択ラインと、前記各選択ラインに選択信号を印加して、該各選択ラインに対応する前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、を有し、
    前記各画素は、前記各データラインと前記各選択ラインの交点近傍にマトリクス状に配列され、該各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
    前記駆動信号供給回路は、前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択駆動部により選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定し、
    前記特定の１つの画素を順次変更設定して、前記データ駆動部の前記電圧測定回路が、前記表示領域の前記複数の画素における１つの前記画素毎に対する前記検定電圧を順次取得するように制御されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記表示装置は、前記複数の画素が行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列された表示領域を有し、
    前記データラインは前記表示領域における列方向に沿って複数配設され、
    前記電流供給回路から出力される電流は前記表示領域の全ての画素の前記発光素子に同時に流れ、
    前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記表示領域の列方向に沿って配設され、前記複数のデータラインの各々に接続された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を取得することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記表示装置は、前記複数の画素が行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列された表示領域を有し、
    前記データラインは列方向に沿って複数配設されており、
    前記電流供給回路から出力される電流は前記表示領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
    前記データ駆動部の前記電圧測定回路は、前記複数のデータラインの各々に対応して複数設けられ、該各電圧測定回路は、前記表示領域の当該１行に配設された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
15. 発光素子を有する発光装置を駆動する発光装置の駆動制御方法であって、
    前記発光装置は、電源ラインと、少なくとも１つのデータラインと、一端が前記電源ラインに電気的に接続され、他端が所定の電位に設定された発光素子と、前記データラインと前記発光素子の一端とを接続する第１のトランジスタと、を有する少なくとも１つの画素と、予め設定された電流値を有する検定電流を出力する電流供給回路を有する電源ライン駆動部と、を有し、
    前記電流供給回路から前記電源ラインを介して前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップと、
    前記データラインと前記第１のトランジスタの電流路を介して、前記発光素子の一端から他端に前記検定電流が流れるときの前記発光素子の前記一端の電圧を検定電圧として取得するステップと、
    を含むことを特徴とする発光装置の駆動制御方法。
16. 外部から供給される画像データに応じた駆動データを、前記取得された前記検定電圧の値に基づいて補正するステップと、
    前記補正した駆動データに基づく駆動信号を生成し、前記データラインを介して前記画素に供給するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の駆動制御方法。
17. 前記駆動データを補正するステップは、
    前記発光素子に前記検定電流を流したときに、該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係が予め記憶された記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記発光素子の一端の電圧を取得するステップにより取得された前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出するステップと、
    前記抽出した発光効率に基づいて、前記駆動データに対して演算を行って、該駆動データを補正するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１６に記載の発光装置の駆動制御方法。
18. 前記発光装置は、前記画素が行方向及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、
    前記各画素は、電流路の一端が前記電源ラインに接続され、該電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記電源ラインと前記発光素子の一端とを電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの制御端子と前記電流路の他端との間の電圧を保持する電圧保持部と、を有し、
    前記検定電圧を取得するステップは、
    前記表示領域の何れかの１行に対応する前記各表示画素を選択状態に設定するステップと、
    前記発光素子に前記検定電流を流す前に、前記選択状態とされた行の、特定の１つの画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタの電流路に、前記検定電流より大きい電流値の電流が流れるのに必要な電圧値を有する第１の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第１の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させ、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記選択状態とされた行の、前記特定の１つの画素を除く前記画素に、前記駆動信号として、前記第２のトランジスタを非導通状態とする電圧値を有する第２の書き込み電圧を印加して、前記電圧保持部に該第２の書き込み電圧に基づく電圧成分を保持させて、前記検定電流が前記特定の１つの画素の前記発光素子のみに流れる状態に設定して、前記検定電流を前記特定の１つの画素の前記発光素子に流すステップと、
    前記特定の１つの画素を順次変更設定して、前記発光領域に配列される前記複数の画素の各々に対応する前記検定電圧を順次測定するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の駆動制御方法。
19. 前記発光装置は、前記画素が行及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、前記データラインは列方向に沿って複数配設され、
    前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップにおいて、前記電流供給回路から出力される前記検定電流は前記発光領域の全ての前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
    前記発光素子の一端の電圧を取得するステップは、前記発光領域の列方向に沿って配設された複数の前記画素の前記検定電圧の平均値を測定するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の駆動制御方法。
20. 前記発光装置は、前記画素が行及び列方向に沿って複数配列された発光領域を有し、前記データラインは列方向に沿って複数配設され、
    前記発光素子の一端から他端に前記検定電流を流すステップにおいて、前記電流供給回路から出力される前記検定電流は前記発光領域の何れかの１行に沿って配設された複数の前記画素の前記発光素子に同時に流れ、
    前記発光素子の一端の電圧を取得するステップは、前記発光領域の当該１行に配列された前記各画素の前記検定電圧を並行して取得するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の発光装置の駆動制御方法。

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