JP4812035B2 - Cvdとhvpeによる窒化ガリウムの生長方法 - Google Patents
Cvdとhvpeによる窒化ガリウムの生長方法 Download PDFInfo
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そして、該窒化ガリウムナノ柱211を新規の核形成点として、該反応炉本体により、2段目のハイドライド気相成長法を行い、次の化学反応である[化2]
21 アルミン酸リチウム基板
211 窒化ガリウムナノ柱
212 フィルム窒化ガリウム
Claims (3)
- 少なくとも、(A)アルミン酸リチウム基板と反応炉本体とを用意するステップと、(B)該アルミン酸リチウム基板を、ベース上にセットして、ガリウム金属を、移動可能のウエハボート中に載置し、高温下で、アンモニアガスを導入し、該反応炉本体で、化学蒸着法により、該アルミン酸リチウム基板上に、ナノ構造である窒化ガリウムナノ柱を堆積形成するステップと、(C)該反応炉本体で、該ナノ構造である窒化ガリウムナノ柱を新規の核形成点とし、該アルミン酸リチウム基板に対して、ハイドライド気相成長法により、ガリウム金属と塩化水素を750℃〜800℃で反応させ塩化ガリウムを生成し、該塩化ガリウムとアンモニアとを500℃〜600℃で反応させ、基板上に窒化ガリウムを生長させるように、温度と該ガスの流速を調整しながら、厚い膜である窒化ガリウムを生長させるステップとが含有されることを特徴とするCVDとHVPEによる窒化ガリウムの生長方法。
- 請求項1におけるアルミン酸リチウム基板に代えて、基板がガリウム酸リチウム、シリコン酸リチウム、ゲルマニウム酸リチウム、アルミン酸ナトリウム、ゲルマニウム酸ナトリウム、シリコン酸ナトリウム、リン酸リチウム、ヒ酸リチウム、バナジウム酸リチウム、ゲルマニウム酸リチウムマグネシウム、ゲルマニウム酸リチウム亜鉛、ゲルマニウム酸リチウムカドミウム、シリコン酸リチウムマグネシウム、シリコン酸リチウム亜鉛、シリコン酸リチウムカドミウム、ゲルマニウム酸ナトリウムマグネシウム、ゲルマニウム酸ナトリウム亜鉛或いはシリコン酸ナトリウム亜鉛の内の何れかから構成されることを特徴とする請求項1に記載のCVDとHVPEによる窒化ガリウムの生長方法。
- 前記該反応炉本体は、2段式反応炉本体により、該化学蒸着法と該ハイドライド気相成長法が直列配列されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のCVDとHVPEによる窒化ガリウムの生長方法。
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