JP4811135B2 - 紫外光放射装置 - Google Patents
紫外光放射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4811135B2 JP4811135B2 JP2006153719A JP2006153719A JP4811135B2 JP 4811135 B2 JP4811135 B2 JP 4811135B2 JP 2006153719 A JP2006153719 A JP 2006153719A JP 2006153719 A JP2006153719 A JP 2006153719A JP 4811135 B2 JP4811135 B2 JP 4811135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet light
- discharge
- excimer lamp
- light emitting
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
図9は、特許文献1に記載されているエキシマランプ装置の長手方向の断面図である。
同図に示すように、このエキシマランプ90は、エキシマ光を透過する石英ガラス等の誘電体材料からなる放電容器91を備えている。放電容器91は、外側管92と外側管92の内側に外側管92と同軸上に配置された内側管93とを備えた2重管構造である。放電容器91の内部空間Sには、放電用ガスとして、例えば、キセノンガスが封入されている。外側管92の外周面には外側電極94が設けられ、内側管93の内周面には内側電極95が設けられている。エキシマランプ用高周波電源96が外側電極94および内側電極95に接続されている。エキシマランプ90の上方には、放電用ガスに紫外光を照射するための紫外発光体97が設けられている。この紫外発光体97から発せられる紫外光を内部空間Sに封入された放電用ガスに照射した状態で、前記誘電体材料を介して対向する外側電極94と内側電極95間に高周波電圧を印加することにより、エキシマ光が放射される。上記のエキシマランプ装置によれば、始動時に紫外発光体97からの紫外光が放電用ガスに照射されることにより、紫外光を放電用ガスに照射しない場合に比して始動電圧を下げることが可能であるとされている。
さらに、上記のエキシマランプ装置によれば、図9に示すように、エキシマランプ90が点灯した後に、紫外発光体97に向けて、エキシマランプ90から放射強度の強い紫外光が放射されるため、紫外発光体97が強力な紫外光に曝されるため劣化し、紫外発光体97が短寿命化するおそれがあった。
第1の手段は、内部空間に放電用ガスが封入された誘電体材料からなる放電容器と、前記誘電体材料を介して配置された一対の電極とを備えるエキシマランプを備える紫外光放射装置において、前記エキシマランプから放射された光を光出射方向へ反射する反射鏡が前記エキシマランプの長手方向に沿って設けられ、前記放電容器は、内部空間における放電ギャップが不均一となるよう前記内部空間に向けて隆起する凸部が形成され、該凸部は前記反射鏡から突出したエキシマランプの端部に設けられ、前記凸部により前記放電ギャップが最短となる昜放電空間に対し、光エネルギーを照射するための光エネルギー放射手段が前記反射鏡の外部に設けられていることを特徴とする紫外光放射装置である。
第2の手段は、第1の手段において、前記光エネルギー放射手段は、前記エキシマランプの軸方向から前記易放電空間に対して、光エネルギーを照射することを特徴とする紫外光放射装置である。
第3の手段は、第1の手段または第2の手段において、前記昜放電空間を覆うとともにアパーチャー部を有する遮光カバーを設け、前記光エネルギー放射手段は、前記アパーチャー部を介して、前記昜放電空間に対して、光エネルギーを照射することを特徴とする紫外光放射装置である。
第4の手段は、第1の手段ないし第3の手段のいずれかの手段において、前記光エネルギー放射手段が、400nm以下の紫外光を発する半導体素子であることを特徴とする紫外光放射装置である。
第5の手段は、第1の手段または第2の手段において、前記放電用ガスには、ハロゲンガスが含まれることを特徴とする紫外光放射装置である。
第6の手段は、第5の手段において、前記放電用ガスが、キセノン(Xe)ガスと塩素(Cl 2 )ガスの混合ガスであることを特徴とする紫外光放射装置である。
請求項2に記載の発明によれば、光エネルギー放射手段は、反射鏡の外部に設けられ、かつエキシマランプの軸方向から易放電空間に対して光エネルギーを照射するので、より一層光エネルギー放射手段が劣化されず、長寿命化を図ることができる。また、反射鏡により光出射方向へ反射された紫外光が光エネルギー放射手段によって遮られることがないため、照度分布の均一化を図ることができる。また、光エネルギー放射手段が、反射鏡の外部に設けられるので、エキシマランプの点灯時における反射鏡内の高温下にないため、高温による光エネルギー放射手段の劣化を防止することができる。
請求項3に記載の発明によれば、アパーチャー部が設けられた遮光カバーを備えることにより、光エネルギー放射手段から発した光が、易放電空間以外の放電空間に照射されず、易放電空間にのみ照射される。そのため、内部空間において初期電子を効率良く生成することができ、エキシマランプの始動に要する印加電圧を低減することができる。また、アパーチャー部が設けられた遮光カバーを備えることにより、光エネルギー放射手段が劣化され難く、光エネルギー放射手段の長寿命化を図ることができる。
請求項4に記載の発明によれば、400nm以下の紫外光を発する半導体素子を使用することにより、エキシマランプの始動に要する印加電圧を効果的に低減することができる。
請求項5に記載の発明によれば、ハロゲンガスを含む放電ガスを用いた場合であっても、時間の経過によりハロゲンガスが消滅することがなく、所望の波長の光を放射することができる。
請求項6に記載の発明によれば、乾癬治療に有効な波長308nmの光を放射させることができる。
図1(a)は、本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図、図1(b)は、図1(a)に示すA−A’線から見た断面図である。
これの図に示すように、この紫外光放射装置は、エキシマランプ1、遮光カバー2、反射鏡3、紫外光発光ダイオード4、点灯電源5を備えている。
エキシマランプ1は、エキシマ光を透過する、例えば、合成石英ガラス等の誘電体材料からなる放電容器10を備えている。放電容器10は、外側管11と内側管12が同軸に配置され中空2重円筒管構造を有し、ラッパ上に広げられた内側管12の両端を外側管11の両端に溶着することによって形成される。
放電空間SBにおける放電ギャップG1は3mm〜10mmの範囲であって、例えば、5mmである。これに対し、易放電空間SAにおける放電ギャップG2は0.1mm〜2mmの範囲であって、例えば、0.5mmである。
なお、易放電空間SAを形成する方法としては、内部空間Sに向けて隆起する凸部11Aを外側管11に設けることに限られない。すなわち、内部空間Sに向けて隆起する凸部を内側管12に設けるようにしてもよい。
反射鏡3は、エキシマランプ1の長手方向に沿って、エキシマランプ1の長手方向の大部分を覆うように配置され、エキシマランプ1の一端は、反射鏡3の側面32に設けられた開口部37から突出し、エキシマランプ1の他端は、反射鏡3の側面33に設けられた開口部38から突出している。
遮光カバー2には紫外光発光ダイオード4から放射された紫外光が透過するアパーチャー部21が設けられ、このアパーチャー部21の下方側の開口部21Aが、エキシマランプ1の外側管11に設けられた凸部11Aの直下に位置する易放電空間SAに対向している。
遮光カバー2は、例えば、アルミニウム等の導電性材料からなり、側面が開口した断面がコの字状の箱状体であって、エキシマランプ1の外側電極13と接触することにより外側電極13と導通しており、点灯電源5のグランド側に繋がる給電線51が接続されている。遮光カバー2の側面22に設けられた開口部23から、内側電極14と点灯電源5の高電圧側に繋がる給電線52が遮光カバー2の外部に導出されている。
図1(a)に示すように、遮光カバー2は、紫外光発光ダイオード4から発せられる紫外光を易放電空間SAにのみ効率良く照射することに加え、外部電極13と導通することにより、外部電極13への給電の役割を果たしている。
紫外光発光ダイオード4は、エキシマランプ1の始動時のみ発光していればよいので、所定時間発光した後(エキシマランプ1が点灯した後)は消灯するように制御される。例えば、紫外光発光ダイオード4には制御器42が接続され、紫外光発光ダイオード4が所定時間点灯した後に、制御器42から紫外光発光ダイオード4に対して消灯信号が送信されて消灯するよう制御される。
なお、光エネルギー放射手段としては、紫外光を発するものであればよく、紫外光発光ダイオード4に代えて、放電ランプやレーザーダイオード等を使用することもできる。また、波長選択素子と併用するのであれば、ハロゲンランプ等を使用することもできる。
易放電空間SAに紫外光発光ダイオード4から発せられた紫外光を照射することにより、エキシマランプ1の始動に要する印加電圧を低減させることができる。その理由は、以下のように考えられる。
すなわち、易放電空間SAに封入された放電用ガスに紫外光を照射することにより、内部空間Sに初期放電に必要な初期電子が発生し、また易放電空間SAの放電ギャップG2は、放電空間SBの放電ギャップG1に比して短いため、絶縁破壊を生じやすい。そのため、エキシマランプ1の始動に要する印加電圧を低減することができ、エキシマランプ1を効率良く点灯させることができる。この点は以下の実験により確認されている。
実施例として、図1に示す構成に従い、以下の寸法を有するエキシマランプを作製した。
放電容器10:全長150mm、外径40mm
放電ギャップG1:5mm
放電ギャップG2:0.5mm
このエキシマランプの易放電空間SAに対し、波長375nmの紫外光を照射し、始動に要する印加電圧の値を測定した。
また、比較例1として、実施例と同様のエキシマランプを作製し、紫外光を照射しない状態で、始動に要する印加電圧の値を測定した。
た。
また、比較例2として、凸部11Aを有しないことの他は上記実施例と同様の寸法を有するエキシマランプを作製し、エキシマランプの放電空間の任意の箇所に対し、波長375nmの紫外光を照射した状態で、始動に要する印加電圧の値を測定した。
以上のごとく、実施例のエキシマランプによれば、始動に要する印加電圧を大幅に低減できることが確認された。
その理由を以下に説明する。すなわち、エキシマ光の放射強度は、放電ギャップの大きさに依存し、一般に放電ギャップが長ければエキシマ光の放射強度も大きくなる。上記の実験結果に示すように、放電空間SBにおける放電ギャップG1は、易放電空間SAにおける放電ギャップG2よりも長いため放電空間SBから放射されるエキシマ光の放射強度は、易放電空間SAから放射されるエキシマ光の放射強度よりも大きくなる。
従って、遮光カバー2を設けない場合には、放電空間SBから放射される強力な紫外光に紫外光発光ダイオード4が曝されるされることによって、紫外光発光ダイオード4が劣化して短寿命化する。それに対して、本実施形態の紫外光放射装置によれば、紫外光発光ダイオード4は、その光出射面4Aが遮光カバー2のアパーチャー部21を介して易放電空間SAに対向しており、易放電空間SAからは放射強度の低い紫外光しか放射されず、また、放電空間SBから放射される強力な紫外光が遮光カバー2によって遮られ紫外光発光ダイオード4に直接照射されることがない。そのため、光出射面4Aが強力な紫外光に曝されることがなく、紫外光発光ダイオード4が劣化することによる短寿命化を防止することができる。
図1の構成に従い、先の実施例の寸法で作成されたエキシマランプに対して、発光ダイオードを用いて波長365nm、375nm、400nm、470nm、590nmのそれぞれの波長の光を照射させた状態において、エキシマランプを始動させるのに要する印加電圧の値を測定した。測定は、エキシマランプを暗黒状態に24時間以上放置した後に行った。詳細には、エキシマランプの消灯後、暗黒状態に24時間以上放置した後に、波長365nmの光を照射した状態で始動に要する印加電圧の値を測定した。その後、再度エキシマランプを暗黒状態に24時間以上放置した後に、波長375nmの光を照射した状態で始動に要する印加電圧の値を測定した。このような作業を繰り返して残りの全ての波長の光照射時における始動に要する印加電圧の値を測定した。
図2は、上記の測定結果を示すグラフであり、横軸は発光ダイオードの波長(nm)、縦軸は始動に要した印加電圧である。なお、このグラフは、波長375nmで測定した印加電圧の値を1として、その他の波長で測定した印加電圧の値を規格化している。
同図に示すように、波長365nm、375nm、400nmの光を照射した場合は、印加電圧の値はほぼ同じであったが、波長470nm、590nmの光を照射した場合は、始動に高い印加電圧を要することが明らかである。以上の結果から、エキシマランプの始動時に波長400nm以下の光を照射することにより、始動に要する印加電圧を低減できることが確認された。
例えば、特許文献2には、エキシマランプの始動性を改善するために、放電容器内の放電空間に、白金、金等の金属導体を配置することが示されている。しかしながら、XeとCl2の混合ガスが封入されたエキシマランプにおいてこの技術を適用した場合には、時間の経過とともに金属導体とCl2とが反応することによってCl2が減少してやがてCl2が消滅することによりエキシマランプ点灯時にXeClエキシマが形成されなくなる結果、乾癬治療に必要な波長308nmの光が放射されなくなる、という不具合がある。そのため、XeとCl2の混合ガスを放電用ガスとするエキシマランプにおいては、放電容器内に金属導体を配置する方法ではなく、本発明のように放電ギャップが最短となる易放電空間に光エネルギーを照射する構成を採用すれば、Cl2の消滅が生じることがないことにより波長308nmの光が放射されなくなる心配がないものでありながら、始動性を改善することができる。このような点で、本発明はXeとCl2の混合ガスを放電用ガスとするエキシマランプにおいて特に有効である。
また、本発明は、上記と同様の理由から、Cl2等のハロゲンガスを含む混合ガスが封入されたエキシマランプにおいても、ハロゲンガスが消滅する心配がなく所望の波長の光を放射することができるため有効である。
図3は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
同図に示すように、エキシマランプ1の一端に遮光カバー2’が設けられている点では、図1に示した紫外光放射装置と同様であるが、遮光カバー2’の側面22’に、エキシマランプ1の中心軸と平行な方向にアパーチャー部21’が形成されている点で相違する。アパーチャー部21’のエキシマランプ1側の開口部21A’は易放電空間SAに対向して配置され、紫外光発光ダイオード4の光出射面4Aはアパーチャー部21’の外方側の開口部21B’に対向して配置されている。
さらに、本実施形態の紫外光放射装置によれば、上述した第1の実施形態の紫外光放射装置における効果(ア)〜(キ)に加え、アパーチャー部21’の外方側の開口部21B’からは、紫外光が殆ど放射されないため、第1の実施形態の紫外光放射装置よりもより一層紫外光発光ダイオード4の短寿命化を防止することができる。
図4は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
第1および第2の実施形態の発明に係る紫外光放射装置においては、それぞれ図1および図3に示すように、エキシマランプ1の一端に遮光カバー2(2’)を設け、遮光カバー2(2’)に紫外光発光ダイオード4を固定する場合について説明したが、本実施形態の紫外光放射装置のように、遮光カバー2(2’)を設けない構成としてもよい。
図4において、反射鏡3’の上面3A’には、エキシマランプ1の外側管11に設けられた凸部11Aに対応する開口部34’が設けられている。紫外光発光ダイオード4は、開口部34’の近傍に、例えば、螺子止めにより固定された固定用冶具41に支持され、紫外光発光ダイオード4の光出射面4Aが易放電空間SAに対向している。
図5は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
本実施形態の紫外光放射装置も、第3の実施形態の紫外光放射装置と同様に、遮光カバーを設けない構成である。
図5において、紫外光発光ダイオード4は、反射鏡3’の側面33’に、例えば、螺子止めにより固定された固定用冶具41’に支持されて、エキシマランプ1の側方側に配置され、紫外光発光ダイオード4の出射面4Aが易放電空間SAに対向している。
図6は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
同図において、エキシマランプ1’の内側管12’と外側管11’は、同軸上にはなく、内側管12’が外側管11’に対して偏芯して配置されている。内側管12’と外側管11’間の上側の内部空間Sが易放電空間SAとなり、内側管12’と外側管11’間の下側の内部空間Sが放電空間SBとなる。
放電空間SBにおける放電ギャップG1は4mm〜19.5mmの範囲であって、例えば、8mmである。また、易放電空間SAにおける放電ギャップG2は0.5mm〜9mmの範囲であって、例えば、2mmである。
図7は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
同図において、エキシマランプ1”の内側管12”と外側管11”は、同軸上にはなく、内側管12”が外側管11”に対して偏芯して配置され、さらに、上側の外側管11”の一部に内部空間Sに向けて隆起する凸部11A”が設けられている。凸部11A”と内側管12”の内部空間側の面12A”との間の内部空間Sが易放電空間SAとなる。
下側の放電空間SBにおける放電ギャップG1は4mm〜19.5mmの範囲であって、例えば、8mmである。また、上側の放電空間SCにおける放電ギャップG2は0.5mm〜9mmの範囲であって、例えば、2mmである。また、易放電空間SAにおける放電ギャップG3は0.1mm〜2mmの範囲であって、例えば、0.5mmである。
図8は本実施形態の発明に係る紫外光放射装置の長手方向の断面図である。
同図において、エキシマランプ80は、全体が管状の放電容器81から構成されており、放電容器81は、放電用ガスが封入された円筒状の発光部82と発光部82の両端を気密する扁平な封止部83とから形成されている。放電容器81は、エキシマ光を透過させる合成石英ガラス等の誘電体材料から構成され、その内部空間Sには、コイル状の内側電極84が放電容器81の中心軸上を伸びるように配置され、放電容器81の外面には外側電極85が密着するように配置されている。内側電極84の両端は、封止部83においてそれぞれ金属箔86に接合され、金属箔86には、封止部83から外部に突出する外部リード87が接合されている。
内側電極84は、タングステン等からなる線材をコイル状に巻回して形成されたコイル状電極であり、内側電極84の周囲には、これを覆うように誘電体材料からなる内側管88が設けられ、内側管88の中に内側電極84が挿入されている。内側管88は、例えば、合成石英ガラスから構成されており、内側電極84の少なくとも外側電極85との間で放電を行う部位の外表面に覆われていて、その端部は外側電極85の端部を超えて伸びている。内側管88は、放電安定性を高めるためのものであって、その端部が封止部83には埋設されていない。
放電容器81の発光部82の端部に、内部空間Sに向けて隆起する凸部82Aが形成されている。凸部82Aと内側管88の内部空間側の面88Aとの間の内部空間Sが易放電空間SAとなる。
放電空間SBにおける放電ギャップG1は3mm〜10mmの範囲であって、例えば、5mmである。また、易放電空間SAにおける放電ギャップG2は0.1mm〜2mmの範囲であって、例えば、0.5mmである。
なお、易放電空間SAを形成する方法としては、内部空間Sに向けて隆起する凸部82Aを発光部82に設けることに限られず、内部空間Sに向けて隆起する凸部を内側管88に設けるようにしてもよい。
2 遮光カバー
2A 上面
21 アパーチャー部
21A 開口部
21B 開口部
22 側面
23 開口部
3 反射鏡
31 光出射窓
32 側面
33 側面
36 開口部
37 開口部
38 開口部
4 紫外光発光ダイオード
4A 光出射面
41 固定用冶具
42 制御器
5 点灯電源
51 給電線
52 給電線
10 放電容器
11 外側管
11A 凸部
12 内側管
12A 内側管12の内部空間S側の面
13 外側電極
14 内側電極
1’ エキシマランプ
10’放電容器
11’ 外側管
12’ 内側管
2’ 遮光カバー
21’ アパーチャー部
21A’ 開口部
21B’ 開口部
22’
3’反射鏡
3A’上面
33’ 側面
34’ 開口部
41’ 固定用冶具
10”放電容器
11” 外側管
11A” 凸部
12” 内側管
12A” 内側管12”の内部空間S側の面
80 エキシマランプ
81 放電容器
82 発光部
82A 凸部
83 封止部
84 内側電極
85 外側電極
86 金属箔
87 外部リード
88 内側管
88A 面
S 内部空間
SA 易放電空間
SB 放電空間
SC 放電空間
G1 放電ギャップ
G2 放電ギャップ
Claims (6)
- 内部空間に放電用ガスが封入された誘電体材料からなる放電容器と、前記誘電体材料を介して配置された一対の電極とを備えるエキシマランプを備える紫外光放射装置において、
前記エキシマランプから放射された光を光出射方向へ反射する反射鏡が前記エキシマランプの長手方向に沿って設けられ、
前記放電容器は、内部空間における放電ギャップが不均一となるよう前記内部空間に向けて隆起する凸部が形成され、
該凸部は前記反射鏡から突出したエキシマランプの端部に設けられ、
前記凸部により前記放電ギャップが最短となる昜放電空間に対し、光エネルギーを照射するための光エネルギー放射手段が前記反射鏡の外部に設けられている
ことを特徴とする紫外光放射装置。 - 前記光エネルギー放射手段は、前記エキシマランプの軸方向から前記易放電空間に対して、光エネルギーを照射することを特徴とする請求項1に記載の紫外光放射装置。
- 前記昜放電空間を覆うとともにアパーチャー部を有する遮光カバーを設け、前記光エネルギー放射手段は、前記アパーチャー部を介して、前記昜放電空間に対して、光エネルギーを照射することを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の紫外光放射装置。
- 前記光エネルギー放射手段が、400nm以下の紫外光を発する半導体素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つの請求項に記載の紫外光放射装置。
- 前記放電用ガスには、ハロゲンガスが含まれることを特徴とする請求項1または2に記載の紫外光放射装置。
- 前記放電用ガスが、キセノン(Xe)ガスと塩素(Cl 2 )ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項5に記載の紫外光放射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006153719A JP4811135B2 (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 紫外光放射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006153719A JP4811135B2 (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 紫外光放射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007323995A JP2007323995A (ja) | 2007-12-13 |
JP4811135B2 true JP4811135B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=38856612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006153719A Active JP4811135B2 (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 紫外光放射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4811135B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5083240B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2012-11-28 | ウシオ電機株式会社 | 光照射ユニット |
JP5705599B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2015-04-22 | ユーヴィックス株式会社 | エキシマランプ |
JP6564663B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2019-08-21 | 株式会社オーク製作所 | エキシマランプ装置 |
JP6800678B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-12-16 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプおよび放電ランプ装置 |
JP7087754B2 (ja) * | 2018-07-17 | 2022-06-21 | ウシオ電機株式会社 | オゾン発生装置およびオゾン発生装置を備える処理システム |
JPWO2021025064A1 (ja) * | 2019-08-05 | 2021-02-11 | ||
JP6896919B1 (ja) * | 2020-08-03 | 2021-06-30 | 株式会社クォークテクノロジー | 殺菌ランプ |
CN115916692B (zh) * | 2020-08-20 | 2024-06-11 | 株式会社岛津制作所 | 检查装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08180840A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 無電極放電灯装置 |
JPH10275601A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 誘電体バリヤ放電ランプおよび誘電体バリヤ放電ランプ装置 |
JPH11283578A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 放電ランプおよび放電ランプ装置 |
JP4861583B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2012-01-25 | 東芝ライテック株式会社 | 高圧金属蒸気放電ランプおよび照明器具 |
JP4196649B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2008-12-17 | ウシオ電機株式会社 | エキシマ光源装置 |
JP2004227820A (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Iwasaki Electric Co Ltd | 放電ランプ |
JP2005230373A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Fujitsu General Ltd | 紫外線ランプユニット |
JP2006040867A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-02-09 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | エキシマランプ装置 |
JP2007173090A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Ushio Inc | 紫外線光源装置 |
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006153719A patent/JP4811135B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007323995A (ja) | 2007-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4811135B2 (ja) | 紫外光放射装置 | |
JP4134793B2 (ja) | 光源装置 | |
US9159545B2 (en) | Excimer lamp | |
JP4595556B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
JP5371166B2 (ja) | 高圧放電ランプ及びイグニッションアンテナを有するユニット | |
JP2008140614A (ja) | 高圧金属蒸気放電ランプおよび照明器具 | |
JP5888256B2 (ja) | エキシマランプ | |
JP3346190B2 (ja) | 希ガス放電ランプ | |
KR100697452B1 (ko) | 베이스를 갖는 유전성 배리어 방전 램프 | |
US9355833B2 (en) | Excimer lamp | |
JP2017004702A (ja) | エキシマランプ | |
JP2007073412A (ja) | 高輝度放電ランプおよびその高輝度放電ランプを用いた照射装置 | |
JP2013118072A (ja) | 紫外線放電ランプ | |
US20050035711A1 (en) | Method and apparatus for a high efficiency ultraviolet radiation source | |
JP7106945B2 (ja) | エキシマランプ、光照射装置、及び、オゾン発生装置 | |
JP2006196370A (ja) | 紫外光源点灯装置および紫外線照射装置 | |
CA3029787C (en) | Uv mercury low-pressure lamp with amalgam deposit | |
JP4433052B2 (ja) | ランプユニット | |
JP5640998B2 (ja) | エキシマランプ | |
JP4179394B2 (ja) | 光源装置 | |
JP2003100256A (ja) | 高圧金属蒸気放電ランプおよび照明器具 | |
JPWO2009019978A1 (ja) | 放電ランプ | |
WO2004114364A1 (ja) | 光照射装置 | |
WO2023162346A1 (ja) | 光源装置 | |
WO2022049882A1 (ja) | 光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4811135 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |