JP4810836B2 - 接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4810836B2 JP4810836B2 JP2005036912A JP2005036912A JP4810836B2 JP 4810836 B2 JP4810836 B2 JP 4810836B2 JP 2005036912 A JP2005036912 A JP 2005036912A JP 2005036912 A JP2005036912 A JP 2005036912A JP 4810836 B2 JP4810836 B2 JP 4810836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive body
- curable resin
- heat
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
[1] フレキシブルな支持体上に4mm2から3000mm2の面積に硬化性樹脂組成物を印刷した後、熱又はエネルギー線で処理してなる接着剤であって、処理後の中央部の厚みが周辺部に比較し10%以上厚くなることを特徴とする接着剤。
[2] 150℃以下で支持体から被着体への転写が可能であり、かつ転写された接着剤を200℃以下で半導体チップ又はヒートシンクへの圧着が可能であり、圧着後硬化処理する第[1]項記載の接着剤。
[3] 印刷前の硬化性樹脂組成物がE型粘度計3度コーンを使用して測定した25℃2.5rpmでの粘度が10〜70Pa・sであり、0.5rpmと2.5prmの粘度比が1〜2である第[1]又は[2]項記載の接着剤。
[4] 被着体に転写された接着剤を半導体チップ又はヒートシンクに圧着した後、硬化処理前に加熱下機械的にリワークできるものである第[1]、[2]又は[3]項のいずれかに記載の接着剤。
[5] 硬化性樹脂組成物が、熱伝導率30W/mK以上の無機化合物を含むものである第[1]〜[4]項のいずれかに記載の接着剤。
[6] 無機化合物の形状が球状である第[1]〜[5]項記載の接着剤。
[7] 無機化合物が銀粉である第[1]〜[6]項記載の接着剤。
[8] 銀粉の配合量が硬化性樹脂組成物中70重量%以上である第[1]〜[7]項記載の接着剤。
[9] フレキシブルな支持体が、少なくとも硬化性樹脂組成物と接触する面を離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムである第[1]〜[8]項のいずれか1項に記載の接着剤。
[10] 第[1]〜[9]項のいずれか1項に記載の接着剤をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
[11] 第[1]〜[9]項記載の接着剤を用いた半導体装置の製造方法であって、熱又はエネルギー線処理後の厚みが周辺部に比較し中央部が10%以上厚い接着剤を、150℃以下で被着体へ転写する工程と、転写された接着剤を200℃以下で半導体チップ、ヒートシンクに接着する工程と、圧着後硬化処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
[12] 第[1]〜[9]項記載の接着剤を用いたリワーク方法であって、熱又はエネルギー線処理後の中央部の厚みが周辺部に比較し10%以上厚い接着剤を、150℃以下で被着体へ転写した後、転写された接着剤を200℃以下で半導体チップ、ヒートシンクに圧着した後、加熱下機械的に接着剤をリワークすることを特徴とするリワーク方法
さらに被着体に転写された接着剤に半導体チップ、ヒートシンク等を熱圧着するが、200℃以下で行う。これより高温では上記同様に部材の熱劣化、反り等が懸念されるためである。さらに好ましくは25℃から150℃にて熱圧着される。熱圧着した状態では接着剤は加熱により流動性を示す状態であるので、必要であれば例えば150℃から200℃の加熱下で半導体チップ、ヒートシンク等を機械的に脱着することも可能であり、リワーク方法として用いることができる。ここで例えばヒートシンクをフリップチップの裏面(回路と反対面)に接着する場合には、先にヒートシンクに接着剤を転写しその後フリップチップ裏面に圧着することも可能である。
本発明に用いる硬化性樹脂組成物は、熱伝導率30W/mK以上の無機化合物を含むものであることが好ましい。熱伝導率が30W/mK以下だと安定した高熱放散性を得ることが出来ない。
このような無機化合物としては、銀粉、銅粉、パラジウム粉、ニッケル粉、アルミナ、チッ化ホウ素などを挙げることができるが、銀粉であることが特に好ましい。また、無機化合物の形状は球状であることが特に好ましい。
本発明の接着剤をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いることによって安定した高熱放散性を得ることができるので動作安定性に優れた半導体装置を製作することができる。
400gのビスフェノールA型エポキシ(ビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールA、エポキシ当量180、室温で液体)と100gのビスフェノールF(大日本インキ化学工業(株)製、DIC−BPF)をトルエン中、TPP(トリフェニルホスフィン)触媒で還流下4時間反応を行い、室温まで冷却、ろ過を行った後、減圧によりトルエンを留去した。(ビスフェノールA型エポキシはビスフェノールFに対して約2.2倍モル投入、得られた反応物は室温で流動性を示さない淡黄色で、GPCによるスチレン換算分子量は約900であった。また150℃1時間加熱処理での重量減少率は0.8%。以下、エポキシ反応物)
120gのアクリル樹脂(エチルアクリレート(63.3mol%)、アクリロニトリル(32.3mol%)、グリシジルアクリレート(0.01mol%)、N,N’−ジメチルアクリルアミド(4.4mol%)の共重合体、重量平均分子量が約35万、Tgが約15℃)と80gのエポキシ反応物、2gのエポキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403E)、2gのアミノシラン(信越化学工業(株)製、KBM−573)、4gのイミダゾール(キュアゾール2MZ−A、四国化成工業(株)製)、300gのγ−ブチロラクトン、20gのシクロヘキサノンをフラスコに投入し室温1時間攪拌後の混合物50gと150gの銀粉(平均粒径1.5μm、最大粒径6μmの球状銀粉)を3本ロールを用いて混練し、脱泡することで硬化性樹脂組成物を得た。
上記で調整した硬化性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱ポリエステルフィルム(株)製、MRX50、厚み50μmで片面離型処理、以下PETフィルム)の離型処理面に開口部6.5×6.5mmステンシルを用いて印刷を行い、その後120℃60分加熱処理を行い、カバーフィルムを貼り付けて支持体付き接着剤を得た。
印刷後の加熱処理を行わない以外は実施例1と同様に接着剤を作製した。
[比較例2]
支持体として厚さ1mmのガラス板を使用した以外は実施例1と同様に接着剤を作製した。
[比較例3]
銀粉(平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉)を使用する以外は実施例1と同様に接着剤を作製した。
得られた接着剤を以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。
・粘度:硬化性樹脂組成物をE型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を測定した。粘度が10〜70Pa・sの場合を合格とした。
・粘度比:硬化性樹脂組成物をE型粘度計(3°コーン)を用い25℃、0.5rpm、2.5rpmでの粘度比を測定した。粘度比が1〜2の場合を合格とした。
・形状維持性:支持体付き接着剤のカバーフィルムの上から約0.98Nの分銅を10分間のせ、前後の厚みを測定した。変化率が10%以下の場合を合格とした。
・処理後の形状:カバーフィルムをはずした支持体付き接着剤の厚みを表面粗さ計により測定し、周辺部に比較し中央部が10%以上厚い場合を合格とした。
・転写性:カバーフィルムをはずした支持体付き接着剤をガラス板の上に乗せ100℃でローラー加圧(印圧4.9N)を行った後、支持体をはがした。支持体剥離後ガラス板の裏面から転写状況を観察しぬれ面積が95%以上の場合を合格とした。
・マウント性:有機基板に転写した接着剤(6.5×6.5mm)に6.5×6.5×0.1mmのガラスチップをフリップチップボンダーを用いてマウントした(150℃、4.9N、1秒)。マウント後ガラスチップを通してぬれ面積を観察した。ぬれ面積が95%以上の場合を合格とした。
・チップの傾き:有機基板に転写した接着剤(6.5×6.5mm)に6.5×6.5×0.35mmのシリコンベアチップをフリップチップボンダーを用いてマウントし(150℃、4.9N、1秒)、180℃60分間硬化した。冷却後チップ4隅ならびに中心部の厚みを測定し最大値と最小値の差を計算しチップの傾き量とし、チップ傾き量が1μm未満のものを合格とした。
Claims (8)
- フレキシブルな支持体上に形成される接着体であって、E型粘度計3度コーンを使用して測定した25℃2.5rpmでの粘度が10〜70Pa・sであり、0.5rpmと2.5prmの粘度比が1〜2である硬化性樹脂組成物を印刷した後、熱又はエネルギー線で処理して得られる接着体であって、前記硬化性樹脂の印刷面積が4mm2以上3000mm2以下であり、
前記処理後の中央部の厚みが周辺部に比較し10%以上厚いことを特徴とする接着体。 - 前記硬化性樹脂組成物が、熱伝導率30W/mK以上の無機化合物を含むものである請求項1に記載の接着体。
- 前記無機化合物の形状が球状である請求項2に記載の接着体。
- 前記無機化合物が銀粉である請求項3または4記載の接着体。
- 銀粉の配合量が硬化性樹脂組成物中70重量%以上である請求項4記載の接着体。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の接着体をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜6記載の接着体を用いた半導体装置の製造方法であって、熱又はエネルギー線処理後の厚みが周辺部に比較し中央部が10%以上厚い接着体を、150℃以下で被着体へ転写する工程と、転写された接着体を200℃以下で半導体チップ、またはヒートシンクに接着する工程と、圧着後硬化処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜7記載の接着体を用いたリワーク方法であって、熱又はエネルギー線処理後の中央部の厚みが周辺部に比較し10%以上厚い接着体を、150℃以下で被着体へ転写した後、転写された接着体を200℃以下で半導体チップ、またはヒートシンクに圧着した後、加熱下機械的に接着体をリワークすることを特徴とするリワーク方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036912A JP4810836B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005036912A JP4810836B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222400A JP2006222400A (ja) | 2006-08-24 |
JP4810836B2 true JP4810836B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=36984469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005036912A Expired - Fee Related JP4810836B2 (ja) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4810836B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009235402A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-10-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム |
US8319318B2 (en) * | 2010-04-06 | 2012-11-27 | Intel Corporation | Forming metal filled die back-side film for electromagnetic interference shielding with coreless packages |
US8618652B2 (en) * | 2010-04-16 | 2013-12-31 | Intel Corporation | Forming functionalized carrier structures with coreless packages |
SG179299A1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-04-27 | Trimech Technology Pte Ltd | A display panel substrate assembly, an apparatus and a method for forming a display panel substrate assembly |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10154779A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 放熱部品およびその製造方法 |
JP2001160607A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Polymatech Co Ltd | 異方性熱伝導性シート |
JP2003069262A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 放熱シートの接着方法 |
JP3981641B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2007-09-26 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性反応硬化型樹脂成形体の製造方法 |
-
2005
- 2005-02-14 JP JP2005036912A patent/JP4810836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006222400A (ja) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5725329B2 (ja) | バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置 | |
JP4961761B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
JP4137827B2 (ja) | 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2013006893A (ja) | 高熱伝導樹脂組成物、高熱伝導性硬化物、接着フィルム、封止用フィルム、及びこれらを用いた半導体装置 | |
JP4766200B2 (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008074928A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
JP4507488B2 (ja) | 接合材料 | |
JP4449325B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 | |
JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
JP5003090B2 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2003206457A (ja) | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5200386B2 (ja) | 電子材料用接着剤シート | |
TW201930074A (zh) | 積層體及電子裝置 | |
JP4810836B2 (ja) | 接着剤、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005307037A (ja) | フィルム状エポキシ樹脂組成物 | |
JP2011246586A (ja) | フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
JP4635412B2 (ja) | 導電性接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP4876317B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
JP6662074B2 (ja) | 接着フィルム | |
KR20100090654A (ko) | 접착제 조성물, 접착용 시트, 다이싱ㆍ다이 어태치 필름 및 반도체 장치 | |
JP2010031275A (ja) | 液状樹脂組成物、接着層付き半導体素子、その製造方法および半導体装置 | |
JP6768188B2 (ja) | 接着フィルム用接着剤組成物及びその製造方法 | |
KR101035873B1 (ko) | 고온 속경화형 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름 | |
JP2006117824A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート | |
JP2010024431A (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110610 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4810836 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |