JP4810762B2 - ジアルキルトリスルフィドの製造方法 - Google Patents

ジアルキルトリスルフィドの製造方法 Download PDF

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ジアルキルポリスルフィドとアルキルメルカプタンの反応によるジアルキルトリスルフィドの選択的製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
結合硫黄原子数の平均が4以上のジアルキルポリスルフィドと、アルキルメルカプタンとを、触媒存在下で反応させるジアルキルトリスルフィドを製造する方法としては特開平5−194372号公報で記載されている様に、アルミナ系触媒、アルカリ(土類)金属変性シリカ系触媒、亜鉛系触媒存在下で反応させる製造方法がある。
【0003】
しかしながら、上記製造方法では、アルキルメルカプタンの転化率が低く、ジアルキルトリスルフィドの生成選択性が低い欠点があった。その結果、上記方法ではジスルフィド等のトリスルフィド以外の副生成物が比較的多量に生成し、トリスルフィドが思ったほど高い収率で得られないという欠点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記の実状に鑑み、鋭意検討したところ、ジアルキルトリスルフィドが高収率で得られない原因は、必要とされる触媒の全量を予め仕込んで反応を行っている点にあることを見い出し、これの打開策として、触媒を分割添加することにより、前記課題が解決されることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【0005】
即ち本発明は、結合硫黄原子数の平均が4〜7のジアルキルポリスルフィド(A)と、アルキルメルカプタン(B)とを、触媒(C)存在下で反応させるジアルキルトリスルフィドの製造方法において、触媒(C)の総添加量を同量で分割し、分割した触媒を等時間間隔で、総触媒量に達するまで反応系に添加することを特徴とするジアルキルトリスルフィド(D)の製造方法を提供する。
【0006】
本発明における結合硫黄原子数の平均が4以上のジアルキルポリスルフィド(A)としては、例えばジアルキルテトラスルフィド、ジアルキルペンタスルフィド、ジアルキルヘキサスルフィド、ジアルキルヘプタスルフィド等が挙げられる。ポリスルフィド(A)は、結合硫黄原子数4以上のジアルキルポリスルフィドのみから構成されていても良いが、結合硫黄原子数の平均が4以上となる様に、これに結合硫黄原子数4未満のジアルキルポリスルフィドが一部含まれている混合物でも良い。結合硫黄原子数4未満のジアルキルポリスルフィドとしては、ジアルキルトリスルフィド、ジアルキルジスルフィドが挙げられる。
【0007】
ポリスルフィド(A)としては、直鎖アルキル基または分岐アルキル基を有する結合総炭素原子数3〜20であるものが挙げられる。具体的にはジn−ブチルポリスルフィド、ジt−ブチルポリスルフィド、1,1,3,3−テトラメチルブチルポリスルフィド、ジn−オクチルポリスルフィド、ジ2−エチルヘキシルポリスルフィド、ジn−ドデシルポリスルフィド、ジt−ドデシルポリスルフィド、ジn−ステアリルポリスルフィド、ジイソステアリルポリスルフィド等が挙げられる。
【0008】
一方、アルキルメルカプタン(B)としては、直鎖アルキル基または分岐アルキル基を有する結合総炭素原子数3〜20であるものが挙げられる。具体的にはn−ブチルメルカプタン、t−ブチルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、2−エチルヘキシルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、n−ステアリルメルカプタン、ジイソステアリルメルカプタン等が挙げられる。
【0009】
本発明では、製造すべきジアルキルトリスルフィド(D)の結合総炭素原子数が16〜30、好ましくは18〜24となる様に、原料のポリスルフィド(A)とメルカプタン(B)とを選択する。製造すべきジアルキルトリスルフィド(D)は、二つのアルキル基を有するが、これらは、同一の炭素原子数のアルキル基であっても、各々異なる炭素原子数のアルキル基であっても良い。
【0011】
本発明では触媒(C)が使用される。触媒(C)としては、例えばアルミナ系触媒、アルカリ(土類)金属変性シリカ系触媒、アルカリ土類金属系触媒、亜鉛系触媒等が挙げられる。より具体的には、酸化マグネシウム(MgO)、γ型アルミナ(γ−Al)、水酸化マグネシウム〔Mg(OH)〕、炭酸マグネシウム(MgCO)、酸化マグネシウム・アルミナ固溶体(Mg0.7Al0.31.15)等が挙げられる。より少ない総使用量で高収率が達成できるためこれらの中でも特に酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウムが好ましい。
【0012】
模式的に示すと、本発明では以下の従来公知の反応式(1)に従い、上記(A)と(B)とを反応させてジアルキルトリスルフィド(D)を製造できる。
【化1】
Figure 0004810762
〔反応式(1)中、二つのR 及び一つのRは、硫黄原子に結合した、各々同一でも異なっていても良いアルキル基である。これらR 及びRの各アルキル基は、直鎖でも分岐でも良い。R とRの炭素原子合計は16〜30である。〕
【0013】
本発明におけるポリスルフィド(A)とメルカプタン(B)との使用割合は、上記反応式に従い選択すれば良いが、ポリスルフィド(A)1モル当たりメルカプタン(B)1〜2モルとすることが出来る。前記モル比が2以下であると、生成物中の残留メルカプタン(B)の除去が容易であり、生成物の臭気も弱くなるので好ましい。
【0014】
本発明の製造方法は、反応に必要な触媒(C)の総量を、幾つかに分割した上で、ポリスルフィド(A)とメルカプタン(B)とを含む反応系に添加して反応を行うことでトリスルフィド(D)をより高収率で得ることが出来る。本発明者らは、同一触媒(C)、総触媒量一定、同一反応条件のもとでは、総触媒量を一度に全て反応系に添加する従来の製造方法に比べ、総触媒量を分割して反応系に添加する本発明の製造方法の方が、トリスルフィド(D)をより高収率で得ることが出来ることを知見した。
【0015】
本発明においては、上記触媒(C)の総使用量はポリスルフィド(A)100g当たり、0.1〜6g、好ましくは0.5〜3.0gである。この総使用量の触媒(C)を分割して、反応系に添加することが出来る。この分割数は2〜∞とすることが出来るが、2〜6とするのが好ましい。分割された各触媒(C)量は、いずれも同量として、等時間間隔で、総触媒量に達するまで反応系に添加する。
【0016】
本発明の製造方法における原料(A)及び(B)と生成物たるトリスルフィド(D)自体は、予め質量分析(マススペクトル;MS)や核磁気共鳴スペクトル(NMR)で同定することが出来る。
【0017】
本発明では、所定温度での反応時間の任意の段階で、原料(A)及び(B)やトリスルフィド(D)を含む反応混合物をサンプリングし、これを各種クロマトグラフ分析や滴定分析することで、メルカプタン(B)の転化率(質量%)やトリスルフィド(D)の収量(モル%)を求めることが出来る。メルカプタン(B)の転化率は、JIS K2276に定められるメルカプタン硫黄分分析方法(電位差滴定方法)により、一方、トリスルフィド(D)の収量は、予め作成した検量線に基づいて、そのピーク強度または軌跡から求められる面積から求めることが出来る。これらの手法により反応混合物中の原料やトリスルフィド(D)を含む生成物の個々の成分の含有率の経時変化を追跡することが出来、原料(A)及び/又は(B)の含有率、或いはトリスルフィド(D)の含有率が変化しなくなった点を、反応の終点と定めることが出来る。
【0018】
尚、原料の一方であるポリスルフィド(A)として、トリスルフィド(D)自身を少量含む原料混合物を用いて反応を行う場合には、予めこの原料混合物に含まれるトリスルフィド(D)の含有量等を測定しておき、実測の収量から差し引く必要がある。
【0019】
本発明における反応温度は、通常30〜100℃の範囲、好ましくは70〜100℃の範囲である。この好適範囲であれば、メルカプタン(B)の転化率とトリスルフィド(D)収量はいずれも高く、生成物の臭気もより弱くなる。反応温度は、通常2〜24時間である。本発明の製造方法では、加圧を特段に行うことなく反応を行うことが出来るので安全性が高い。
【0020】
本発明では、トリスルフィド(D)の生成に伴って生じるHS(硫化水素)を反応系から解き放つことが好ましい。同一触媒(C)、総触媒量一定、同一反応条件のもとでは、不活性ガスを反応系に通気しながら反応させると、通気しない場合より、同等転化率で同等トリスルフィド収量の比較では、総触媒使用量(及び添加回数)をより低減することが出来るので好ましい。この際の不活性ガスとしては、公知慣用のもの、例えば窒素、ヘリウム等が挙げられる。
【0021】
同一アルキルメルカプタン転化率での比較では、不活性ガスを通気如何での総触媒使用量は、通気する場合は通気しない場合に対して2/3〜3/4とすることが出来る。アルキルメルカプタン転化率が高いのは、不活性ガスを通気する際にはポリスルフィド100g当たり総触媒使用量1〜3gの範囲、不活性ガスを通気しない際にはポリスルフィド100g当たり総触媒使用量2〜4gの範囲である。
【0022】
本発明の製造方法にて得られる生成物は、一般的に、対応するジスルフィド、同トリスルフィド、同テトラスルフィドを主成分として含むが、上記した様な従来の製造方法に比べ、本発明の製造方法では、目的物であるジアルキルトリスルフィド(D)を選択的に高収率で得ることができる。
【0023】
本発明で得られるジアルキルトリスルフィド(D)としては、直鎖アルキル基または分岐アルキル基を有する結合総炭素原子数16〜30であるものが挙げられる。勿論、二つのアルキル基は炭素原子数が同じの対称型ジアルキルトリスルフィドであっても良いが、二つのアルキル基の炭素原子数が相異なる非対称型ジアルキルトリスルフィドであっても良い。具体的には例えば、ジn−オクチルトリスルフィド、ジn−ドデシルトリスルフィド、ジt−ドデシルトリスルフィド、ジn−ステアリルトリスルフィド、ジイソステアリルトリスルフィド、1,1,3,3−テトラメチルブチル−t−ドデシルトリスルフィド等が挙げられる。金属腐食性の低い不活性さが要求される用途においては、結合総炭素原子数が18〜24のジアルキルトリスルフィドが好ましい。
【0024】
本発明の製造方法にて得られる生成物は、そのまま使用に供しても良いが、より臭気を低減させるため、アルカリ洗浄及び/又はアルコール洗浄を行うことが好ましい。
【0025】
こうして得られるジアルキルトリスルフィド(D)を含む生成物は、極圧添加剤として、公知慣用の用途、例えば研削液、切削液の調製に使用することが出来る。
【0026】
以下に実施例を用いて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0027】
アルキルメルカプタン転化率及びジアルキルトリスルフィド収量は以下の通りに測定した。
〈アルキルメルカプタン転化率〉
JIS K 2276 メルカプタン硫黄分分析方法(電位差滴定方法)より、S:メルカプタン硫黄分を算出する。
アルキルメルカプタン転化率[%]=(1−T/仕込量)×100
T[生成物中のアルキルメルカプタン残存量]=
S×[アルキルメルカプタン分子量]/32[硫黄分子量]
〈ジアルキルトリスルフィド収量〉
FD−MSスペクトルにより、生成するジアルキルポリスルフィドの硫黄鎖長分布を測定し、各ジスルフィド、トリスルフィド、テトラスルフィドの面積百分率から求めた。測定機器は、イオン化法:FD法(電界脱離イオン化法),検出器:二重収束型である。
【0028】
尚、以下の実施例等で用いた各触媒は、以下の物性を有するものである。
【0029】
【表1】
Figure 0004810762
【0030】
<実施例1>
フラスコに、ジ−t−ドデシルポリスルフィド(平均硫黄鎖長:4.0、ジ−t−ドデシルトリスルフィド30.08モル%を含有する。)200g、t−ドデシルメルカプタン152g(当量比1.6当量)、及び酸化マグネシウム4gを仕込み、反応温度を70℃で9時間反応させる。その後、さらに酸化マグネシウム4gを3時間おきに2回添加する。40℃に冷却後、吹き込み管から空気を吹き込み、残留硫化水素を除去する。
このようにして、ジ−t−ドデシルトリスルフィドを333g(回収率:94.5%)を得た。t−ドデシルメルカプタン(TDM)の転化率は、96質量%、生成物のトリスルフィド量含有率は、79モル%であった。
【0031】
<比較例1>
最初に仕込んだ酸化マグネシウム4gと、その後3時間おきに2回添加した酸化マグネシウム各4gの合計12g全量を、予めフラスコに仕込んだ以外は、実施例1と同様の操作を行った。
このようにして、ジ−t−ドデシルトリスルフィドを339g(回収率:96.2%)を得た。t−ドデシルメルカプタン(TDM)の転化率は、78質量%、生成物のトリスルフィド量含有率は、68モル%であった。実施例1及び比較例1の結果をまとめて第1表に示す。
【0032】
【表2】
Figure 0004810762
【0033】
第1表の実施例1と比較例1との対比からわかる通り、触媒種、総触媒使用量及び反応条件を一定とした場合には、触媒の分割添加は一括添加に比べて、アルキルメルカプタン転化率及びジアルキルトリスルフィド収量のいずれもがかなり高い数値を示しており、トリスルフィドがより高収率で得られていることがわかる。
【0034】
<実施例2>
触媒として酸化マグネシウムの代わりに、γ−アルミナの同量を用いる以外は実施例1と同様に触媒の分割添加を行った。その他の操作は全く実施例1と同様に行った。
このようにして、ジ−t−ドデシルトリスルフィドを337g(回収率:95.6%)を得た。t−ドデシルメルカプタン(TDM)の転化率は、69質量%、生成物のトリスルフィド量含有率は、57モル%であった。実施例1〜2の結果をまとめて第2表に示す。
【0035】
【表3】
Figure 0004810762
【0036】
第2表の実施例1と実施例2との対比からわかる通り、総触媒使用量及び反応条件を一定とした場合には、触媒としては無機アルミニウム化合物に比べて、無機マグネシウム化合物の方が、アルキルメルカプタン転化率がかなり高い数値を示しており、原料のメルカプタンの転化率が高いことがわかる。γ−アルミナに比べて酸化マグネシウムの方が、分割添加による、アルキルメルカプタン転化率及びジアルキルトリスルフィド収量の絶対値がより高く、より有効である。
【0037】
<実施例3>
フラスコにジ−t−ドデシルポリスルフィド(平均硫黄鎖長:4.0)200g、t−ドデシルメルカプタン152g、触媒として酸化マグネシウムを2gを仕込む。窒素を封入しながら、反応温度を70℃で3時間反応させる。再度、酸化マグネシウムを2gを仕込んだ後、3時間反応させる。40℃に冷却後、吹き込み管から空気を吹き込み、残留硫化水素を除去する。このようにして、ジ−t−ドデシルトリスルフィドを328g(回収率:93.1%)を得た。t−ドデシルメルカプタン(TDM)の転化率は、95質量%、生成物のトリスルフィド量含有率は、83モル%であった。
【0038】
〈実施例4〜6〉
酸化マグネシウムに代えて、酸化マグネシウム・アルミナ固溶体(実施例4)、水酸化マグネシウム(実施例5)及びγ−アルミナの同量を用いる以外は、実施例3と同様の操作を行った。実施例3〜6の結果をまとめて第3表に示す。
【0039】
【表4】
Figure 0004810762
【0040】
第3表の実施例3と実施例4〜6との対比からわかる通り、アルキルメルカプタン同等転化率、トリスルフィド収量及び反応条件を一定とした場合には、不活性ガスを通気することで、使用する総触媒量を低減することが出来る。種種の触媒の中では、塩基性無機マグネシウム化合物について、この傾向がより顕著である。触媒の総使用量をより低減できることは、経済性のみならず、触媒を除去する際の濾過時間等の短縮ひいては生産性の向上に繋がる。
【0041】
<実施例7>
フラスコにジ−t−オクチルポリスルフィド(平均硫黄鎖長:4.4、ジ−t−オクチルトリスルフィド1.1モル%を含有する。)200g、t−ドデシルメルカプタン180g、触媒として酸化マグネシウム2gを仕込む。窒素を封入しながら、反応温度を70℃で3時間反応させる。再度、酸化マグネシウムを2gを仕込んだ後、更に3時間反応させる。40℃に冷却後、吹き込み管から空気を吹き込み、残留硫化水素を除去する。
このようにして、t−オクチル−t−ドデシルトリスルフィドを322g(回収率:91.2%)を得た。t−ドデシルメルカプタン(TDM)の転化率は、93質量%、生成物のトリスルフィド量含有率は、73モル%であった。
【0042】
〈実施例8〜10〉
酸化マグネシウムに代えて、酸化マグネシウム・アルミナ固溶体(実施例9)、及びγ−アルミナの同量を用いる以外は、実施例7と同様の操作を行った。実施例7〜10の結果をまとめて第4表に示す。
【0043】
【表5】
Figure 0004810762
【0044】
第4表の実施例8と実施例9〜10との対比からわかる通り、非対称型ジアルキルトリスルフィドの場合でも、同一総触媒使用量の場合には、不活性ガスを通気することで、対称型ジアルキルトリスルフィドの場合と同様に使用する総触媒量を低減することが出来る。種種の触媒の中では、塩基性無機マグネシウム化合物について、この傾向がより顕著である。触媒の総使用量をより低減できることは、経済性のみならず、触媒を除去する際の濾過時間等の短縮ひいては生産性の向上に繋がる。
【0045】
【発明の効果】
本発明では、結合硫黄原子数の平均が4以上のジアルキルポリスルフィドと、アルキルメルカプタンとを、必要とされる総触媒使用量を分割して添加し反応させてジアルキルトリスルフィドを製造するので、総触媒使用量を予め一括に仕込んで同様に反応を行う従来の製造方法に比べて、ジアルキルトリスルフィドをより高収率で得ることが出来る。

Claims (3)

  1. 結合硫黄原子数の平均が4〜7のジアルキルポリスルフィド(A)と、アルキルメルカプタン(B)とを、触媒(C)の存在下で反応させるジアルキルトリスルフィドの製造方法において、触媒(C)の総添加量を同量で分割し、分割した触媒を等時間間隔で、総触媒量に達するまで反応系に添加することを特徴とするジアルキルトリスルフィドの製造方法。
  2. 前記触媒(C)が、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、又は炭酸マグネシウムである請求項1記載の製造方法。
  3. 前記触媒(C)の総添加量が前記ジアルキルポリスルフィド100gに対して、0.5〜3gである請求項1または2記載の製造方法。
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