JP4808460B2 - レーザ加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、被加工基板にレーザ光を照射してレーザ加工を行うレーザ加工装置に係り、とりわけ、被加工基板である太陽電池基板等に形成された蒸着薄膜に対してレーザ加工を行うレーザ加工装置に関する。

この種の太陽電池基板は、透明な基材上に透明電極層、太陽電池層及び裏面電極層等の蒸着薄膜が順に積層されてなるものであり、各蒸着薄膜には絶縁処理のために分離溝（加工ライン）が形成されている。なお、このような加工ラインは通常、蒸着薄膜に対してレーザ加工を行って所望の部位の薄膜を選択的に除去することにより形成される。

一般に、太陽電池基板に形成された蒸着薄膜に対してレーザ加工を行う際には、蒸着薄膜の種類によってその程度は異なるものの、多かれ少なかれ加工粉塵が発生する。このような加工粉塵がレーザ加工中に空気中に飛散すると、レーザ加工自体に悪影響を与えるばかりか、環境上からも望ましくない。

そこで、このようなレーザ加工を行うレーザ加工装置は通常、加工粉塵を除去するための吸塵機構を備え、レーザ加工点の近傍で発生した加工粉塵を吸塵機構により吸塵しながらレーザ加工を行っている。

具体的には、第１の方法として、被加工基板である太陽電池基板の全面をカバーする吸塵トレイを、移動テーブルに対して固定された太陽電池基板の下面ほぼ全面に配置し、この吸塵トレイを吸引しながらレーザ加工を行う方法が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、この第１の方法では、太陽電池基板の下面に相当する大きな面積を吸塵トレイにより吸引する必要がある。この場合、レーザ加工によって発生した加工粉塵は、吸塵トレイに取り付けられた吸引ダクトにより吸い込まれることとなるが、吸塵トレイのうち吸引ダクトの近傍の領域では加工粉塵を十分に吸い込むことができても、吸引ダクトからある程度距離が離れた領域では、吸引効果が激減してしまうという問題がある。また、このような吸塵トレイでは、加工粉塵が空気中を漂っている状態では十分に吸引することも可能であるが、加工粉塵が吸塵トレイの表面に一旦付着してしまうと、吸塵するのが非常に困難となる。そして、このようにして吸塵トレイの表面に付着した加工粉塵は、移動テーブルの移動等の影響でわずかずつ空気中に舞い上がることとなり、結果的にレーザ加工に悪影響を与えてしまう。

一方、第２の方法として、移動テーブルに対して固定されていない吸塵ノズルを用い、その吸塵ノズルを被加工基板である太陽電池基板の移動にかかわらず常にレーザ加工点の近傍に保持しながらレーザ加工を行う方法も提案されている。しかしながら、この第２の方法では、吸塵ノズルを保持する機構が複雑となり、また、レーザ加工点が複数に及ぶ場合にそのレーザ加工点の数に応じた数の吸塵ノズルを設ける必要があるという問題もある。
特開２００１−１１１０７８号公報

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、太陽電池基板等の被加工基板に形成された蒸着薄膜に対してレーザ加工を行う際に発生する加工粉塵の空気中への飛散を効果的に防止して、加工粉塵がレーザ加工に与える悪影響を最小限に抑えることができるレーザ加工装置を提供することを目的とする。

本発明は、被加工基板に形成される蒸着薄膜にレーザ光を照射して所望の部位の薄膜を選択的に除去するレーザ加工装置において、レーザ光を透過する透明な基材と該基材の第１表面に形成された蒸着薄膜を有する被加工基板とを保持する保持機構と、保持機構により保持された被加工基板のうち蒸着薄膜が形成されていない基材の第２表面の側から蒸着薄膜へ向けてレーザ光を照射するレーザ照射機構と、レーザ照射機構により照射されるレーザ光と被加工基板との相対的な位置関係を変化させる移動機構と、保持機構により保持された被加工基板のうち蒸着薄膜が形成されている側に設けられ、レーザ照射機構により照射されたレーザ光による蒸着薄膜に対するレーザ加工によって発生した加工粉塵を吸い込む吸塵機構とを備え、吸塵機構は、被加工基板の蒸着薄膜に対して所定の距離だけ離間した状態で配置された整流部であって、被加工基板の法線方向に沿って延びる複数の筒状の仕切り区画を有する整流部と、整流部の下流側に配置された吸引部であって、整流部の各仕切り区画を通過した加工粉塵を吸引する吸引部とを有することを特徴とするレーザ加工装置を提供する。

なお、本発明において、整流部の各仕切り区画の高さが当該各仕切り区画の開孔部の寸法の半分よりも大きいことが好ましい。

また、本発明において、整流部の複数の仕切り区画は、被加工基板の蒸着薄膜のうちレーザ加工が行われる加工面の大きさとほぼ同じ大きさをカバーしていることが好ましい。

さらに、本発明において、整流部の複数の仕切り区画の上流側表面により形成される上流側外表面は、被加工基板の蒸着薄膜の表面形状に沿って湾曲していることが好ましい。また、整流部の複数の仕切り区画は、中央部側の仕切り区画の開口部の寸法に比べて外周部側の仕切り区画の開口部の寸法の方向が大きくなるように構成されていてもよい。

さらに、本発明において、整流部の複数の仕切り区画を取り囲む外周部には、外部からの空気の巻き込みを防止するための部材が取り付けられていてもよい。

本発明によれば、被加工基板の蒸着薄膜に対するレーザ加工によって発生した加工粉塵を吸い込む吸塵機構が、被加工基板の法線方向に沿って延びる複数の仕切り区画を有する整流部と、整流部の下流側に配置された吸引部とを有しているので、整流部を介して吸引部へ吸い込まれる空気の流れが被加工基板の法線方向に規制されることとなり、整流部の複数の仕切り区画の全面に亘って、吸引部に吸引ダクトを介して接続されたポンプによる吸引効果が均一に与えられる。また、吸塵機構の整流部の各仕切り区画が、開孔部の寸法に比べて深さ方向の寸法（高さ）が大きい筒状をなしているので、吸引部の底部の表面に付着した加工粉塵が整流部を介して逆流することを効果的に防止することができる。このため、加工粉塵が空気中に飛散することを効果的に防止して、レーザ加工に与える悪影響を最小限に抑えることができる。

また、本発明によれば、吸塵機構の整流部が被加工基板の蒸着薄膜に対して所定の距離だけ離間した状態で配置されているので、整流部の外部から巻き込まれる空気を利用して被加工基板の蒸着薄膜で発生した加工粉塵を効率的に集塵することができる。

発明を実施するための形態

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

まず、図１及び図２により、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の構成について説明する。

図１に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置１は、太陽電池基板（被加工基板）８０に対してレーザ加工を行うためのものであり、太陽電池基板８０を保持する保持機構５と、保持機構５により保持された太陽電池基板８０へ向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ照射機構１０と、レーザ照射機構１０により照射されるレーザ光Ｌと太陽電池基板８０との相対的な位置関係をＸＹ平面内で変化させる移動機構２０と、レーザ照射機構１０により照射されたレーザ光Ｌによるレーザ加工によって発生した加工粉塵を吸い込む吸塵機構３０とを備えている。なお、本実施形態においてレーザ加工される太陽電池基板８０は、図２に示すように、レーザ光を透過する透明なガラス基材８１と、ガラス基材８１の第１表面８１ａに形成された蒸着薄膜８２とを有している。

このうち、保持機構５は、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２が下側を向くように太陽電池基板８０の外周部の一部（図１では４箇所の部分）を保持するものである。なお、保持機構５は移動機構２０に固定されており、移動機構２０の移動に伴ってレーザ光Ｌの側を固定として太陽電池基板８０の側がＸＹ平面内で移動するようになっている。

レーザ照射機構１０は、レーザ光Ｌを出射させるレーザ発振器１１と、レーザ発振器１１から出射されたレーザ光Ｌを太陽電池基板８０へ向けて導く反射ミラー１２及び集光レンズ１３とを有している。

移動機構２０は、Ｘ方向に移動するＸテーブル２１と、Ｘテーブル２１をＹ方向に移動させるＹテーブル２２とを有している。Ｘテーブル２１上には、太陽電池基板８０を保持する保持機構５とともに吸塵機構３０が固定されており、太陽電池基板８０と吸塵機構３０とがＸＹ平面内で一緒に移動するようになっている。

吸塵機構３０は、保持機構５により保持された太陽電池基板８０のうち蒸着薄膜８２が形成されている側に設けられており、これにより蒸着薄膜８２で発生した加工粉塵Ｄ（図２参照）を吸い込むことができるようになっている。

ここで、吸塵機構３０は、図３及び図４に示すように、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対して所定の距離だけ離間した状態で配置された整流部３１と、整流部３１の下流側に配置された受け皿部（吸引部）３３とを有している。なお、受け皿部３３は、吸引ダクト３６を介してポンプ（図示せず）に接続されている。

このうち、整流部３１は、複数の仕切り壁３２により画成された複数の仕切り区画３２ａを有している。ここで、各仕切り区画３２ａは、太陽電池基板８０の法線方向に沿って延びる四角柱状（筒状）をなしている。また、これらの複数の仕切り区画３２ａは、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２のうちレーザ加工が行われる加工面の大きさとほぼ同じ大きさをカバーしている。なお、各仕切り区画３２ａの深さ方向の寸法（高さ）Ｈは、各仕切り区画３２ａの開孔部の寸法Ｗの半分よりも大きい（Ｈ＞Ｗ／２）ことが好ましい。

受け皿部３３は、整流部３１の外周部に対応する形状を持つ側壁３４と、側壁３４により囲まれた領域を仕切る仕切り壁３５とを有している。また、受け皿部３３の底部には、吸引ダクト３６に接続された吸引孔３３ａが形成されており、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対するレーザ加工によって発生した加工粉塵Ｄが吸引されるようになっている。なお、吸引孔３３ａは、側壁３４及び仕切り壁３５により仕切られた領域ごとに一つずつ設けられている。

なお、吸塵機構３０の整流部３１及び受け皿部３３は使用時には互いに接合されて用いられるが、受け皿部３３に溜まった加工粉塵Ｄを取り除く清掃作業を容易に行えるようにするため、互いに分離可能な構造としておくことが好ましい。ただし、この場合には、整流部３１と受け皿部３３との接合部分は空気の漏れ等がないような構造とする必要がある。

次に、このような構成からなる本実施形態の作用について説明する。

まず、図１に示すように、レーザ加工の対象となる太陽電池基板８０を移動機構２０のＸテーブル２１上に移載し、Ｘテーブル２１上に固定された保持機構５により、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２が下側を向いた状態で保持する。なおこのとき、移動機構２０のＸテーブル２１上に固定された吸塵機構３０は、保持機構５により保持された太陽電池基板８０の下側にて、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２のうちレーザ加工が行われる加工面の大きさとほぼ同じ大きさをカバーするように位置決めされている。

この状態で、吸塵機構３０に接続されたポンプ（図示せず）を稼働させる。また、レーザ照射機構１０のレーザ発振器１１を稼働させて、反射ミラー１２及び集光レンズ１３を介してレーザ光Ｌを導き、保持機構５により保持された太陽電池基板８０へ向けてレーザ光Ｌを照射する。さらに、移動機構２０のＸテーブル２１及びＹテーブル２２を稼働させ、照射されたレーザ光Ｌにより太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２の所望の部位の薄膜が選択的に除去されるように太陽電池基板８０を移動させる。具体的には例えば、移動機構２０のＹテーブル２２により所定のピッチでＹ方向への移動を行うごとに、Ｘテーブル２１によりＸ方向への移動（線状の走査）を行う、という制御を繰り返し行い、これにより、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２の全面に亘ってストライプ状の加工溝（加工ライン）を複数形成する。

ここで、保持機構５により保持された太陽電池基板８０は蒸着薄膜８２が下側を向いた状態で保持されているので、レーザ照射機構１０により導かれたレーザ光Ｌは、図２に示すように、太陽電池基板８０のうち蒸着薄膜８２が形成されていないガラス基材８１の第２表面８１ｂの側から入射し、ガラス基材８１を透過した上で蒸着薄膜８２に到達する。これにより、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対してレーザ加工が行われ、蒸着薄膜８２の所望の部位の薄膜が選択的に除去される。

なお、このようにしてレーザ加工が行われる際に、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２からは多量の加工粉塵Ｄが発生するが、このようにして発生した加工粉塵Ｄは吸塵機構３０により吸い込まれる。

具体的には、図３及び図４に示すように、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２で発生した加工粉塵Ｄは、整流部３１の複数の仕切り区画３２ａを通過し、次いで、受け皿部３３に到達する。このとき、ポンプ（図示せず）による吸引によって生じる空気は、その流れ方向が整流部３１の複数の仕切り区画３２ａの壁面（仕切り壁３２）に対して平行となり、整流部３１の仕切り壁３２に付着する加工粉塵Ｄは最小限に抑えられる。

その後、受け皿部３３に到達した加工粉塵Ｄは、受け皿部３３の底部に形成された吸引孔３３ａを通して吸引され、吸引ダクト３６を介してポンプ（図示せず）まで送られる。

このとき、受け皿部３３に到達した加工粉塵Ｄの一部は、吸引孔３３ａを通して吸引されることなく受け皿部３３の底部の表面に付着し、移動機構２０による移動等の影響でわずかずつ空気中に舞い上がる。しかしながら、受け皿部３３の上流側に設けられている整流部３１は、太陽電池基板８０の法線方向に沿って延びる複数の仕切り区画３２ａを有し、かつ、各仕切り区画３２ａは、開孔部の寸法Ｗに比べて深さ方向の寸法（高さ）Ｈが大きい筒状をなしているので、受け皿部３３の底部の表面に付着した加工粉塵Ｄが整流部３１を介して逆流することを効果的に防止することができる。これにより、受け皿部３３の底部の表面に加工粉塵Ｄが付着していたとしても、それが整流部３１を介して太陽電池基板８０の側へ戻って空気中に飛散してしまうことがなく、受け皿部３３内に留まった状態に保たれることとなる。

このように本実施形態によれば、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対するレーザ加工によって発生した加工粉塵Ｄを吸い込む吸塵機構３０が、太陽電池基板８０の法線方向に沿って延びる複数の仕切り区画３２ａを有する整流部３１と、整流部３１の下流側に配置された受け皿部３３とを有しているので、整流部３１を介して受け皿部３３へ吸い込まれる空気の流れが太陽電池基板８０の法線方向に規制されることとなり、整流部３１の複数の仕切り区画３２ａの全面に亘って、受け皿部３３に吸引ダクト３６を介して接続されたポンプ（図示せず）による吸引効果が均一に与えられる。また、吸塵機構３０の整流部３１の各仕切り区画３２ａが、開孔部の寸法Ｗに比べて深さ方向の寸法（高さ）Ｈが大きい筒状をなしているので、受け皿部３３の底部の表面に付着した加工粉塵Ｄが整流部３１を介して逆流することを効果的に防止することができる。このため、加工粉塵Ｄが空気中に飛散することを効果的に防止して、レーザ加工に与える悪影響を最小限に抑えることができる。

また、本実施形態によれば、吸塵機構３０の整流部３１が太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対して所定の距離だけ離間した状態で配置されているので、整流部３１の外部から巻き込まれる空気を利用して太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２で発生した加工粉塵Ｄを効率的に集塵することができる。

さらに、本実施形態によれば、吸塵機構３０において、加工粉塵Ｄが集められる受け皿部３３と整流部３１とが互いに接合されているので、移動機構２０による移動等によって受け皿部３３内で生じる空気の流れを抑えることができ、受け皿部３３の底部の表面に付着した加工粉塵Ｄが空気中に飛散することをより効果的に防止することができる。

なお、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の整流部３１の複数の仕切り区画３２ａの上流側表面により形成される上流側外表面が平坦形状をなしているが、当該上流側外表面の形状としては、これに限らず、任意の形状をとることができる。一般に、太陽電池基板８０が図１に示すような態様で保持機構５により保持されている場合には、太陽電池基板８０の平面サイズが大きくなると、太陽電池基板８０の中央部が鉛直方向下側に撓みがちとなる。太陽電池基板８０の中央部が撓むと、吸塵機構３０の整流部３１の上流側外表面と太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２との間の離間距離が不均一になり（太陽電池基板８０の中央部側に比べて外周部側における離間距離が大きくなり）、吸塵機構３０の整流部３１の吸引効果が太陽電池基板８０の面内の場所によって異なってしまう。このため、太陽電池基板８０の平面サイズが大きくその中央部が撓むことで上述したような問題が起きる場合には、図５に示す吸塵機構４０のように、整流部４１の複数の仕切り区画４２ａ（仕切り壁４２により画成される領域）の上流側表面により形成される上流側外表面４３が、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２の表面形状に沿って湾曲するようにするとよい。これにより、吸塵機構３０の整流部３１の上流側外表面と太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２との間の離間距離を均一にして、吸塵機構３０の整流部３１の吸引効果を面内の場所にかかわらず一定にすることができる。

また、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の整流部３１の複数の仕切り区画３２ａの開口部の寸法は面内の場所にかかわらず同一となっているが、これに限らず、複数の仕切り区画３２ａの開口部の寸法を太陽電池基板８０の面内の場所に応じて変えるようにしてもよい。具体的には例えば、図６に示す吸塵機構５０のように、整流部５１の複数の仕切り区画５２ａ（仕切り壁５２により画成される領域）が、中央部側の仕切り区画５２ａの開口部の寸法に比べて外周部側の仕切り区画５２ａの開口部の寸法の方向が大きくなるように構成されているとよい。この場合には、太陽電池基板８０の中央部側の吸引効果に比べて外周部側の吸引効果が大きくなるので、太陽電池基板８０の平面サイズが大きくその中央部が撓むことで上述したような問題が起きる場合でも、その問題を効果的に解消することができる。

さらに、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の整流部３１が太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２に対して所定の距離だけ離間した状態で配置されているので、太陽電池基板８０の外部から空気を必要以上に巻き込むことがあり得る。このような場合には、外部からの空気の巻き込みを抑えるため、図７に示す吸塵機構６０のように、整流部６１の複数の仕切り区画３２ａ（仕切り壁５２により画成される領域）を取り囲む外周部に、外部からの空気の巻き込みを防止するための弾性材６２をシール材として取り付けるようにしてもよい。なお、弾性材６２としては、ゴムやスポンジ等を用いることができる。

さらに、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の整流部３１の各仕切り区画３２ａが四角柱状（筒状）をなしているが、これに限らず、四角柱以外の角柱状（筒状）や円筒状等の任意の筒状としてもよい。具体的には例えば、図８（ａ）に示すように、波形状の複数の仕切り壁３２′を重ね合わせることにより整流部３１′の各仕切り区画３２ａ′を形成したり、図８（ｂ）に示すように、断面が多角形の開口部を有する仕切り壁３２″によりハニカム構造として整流部３１″の各仕切り区画３２ａ″を形成するようにしてもよい。また、整流部３１の複数の仕切り区画３２ａは、図３及び図４に示すように複数の仕切り壁３２を組み合わせることにより形成したり、図８（ａ）（ｂ）に示すような仕切り壁３２′，３２″により形成してもよいが、これに限らず、側壁の厚さが薄い独立した筒状の吸引ノズルを近接して複数個並べることにより形成してもよい。

さらに、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の整流部３１の複数の仕切り区画３２ａが、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２のうちレーザ加工が行われる加工面の大きさとほぼ同じ大きさをカバーし、かつ、吸塵機構３０が太陽電池基板８０とともにＸＹ平面内で一緒に移動する場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、吸塵機構３０の整流部３１の複数の仕切り区画３２ａが、太陽電池基板８０の蒸着薄膜８２のうちレーザ加工点の近傍の一部のみをカバーするようにしてもよい。なおこの場合には、吸塵機構３０を移動機構２０に固定することなく保持して、太陽電池基板８０の移動にかかわらず、吸塵機構３０がレーザ加工点の近傍にくるように配置するとよい。

さらに、上述した実施形態においては、移動機構２０により太陽電池基板８０の側を移動させることにより、レーザ照射機構１０により照射されるレーザ光Ｌと太陽電池基板８０との相対的な位置関係の変化を実現しているが、これに限らず、レーザ照射機構１０により照射されるレーザ光Ｌの側を移動させることにより、レーザ照射機構１０により照射されるレーザ光Ｌと太陽電池基板８０との相対的な位置関係の変化を実現するようにしてもよい。

さらに、上述した実施形態においては、レーザ照射機構１０により照射されるレーザ光Ｌによる太陽電池基板８０上のレーザ加工点が一箇所である場合を例に挙げて説明したが、これに限らず、太陽電池基板８０上のレーザ加工点が加工タクトを上げるために複数箇所ある場合にも、同様に本発明を適用することができる。

さらに、上述した実施形態においては、吸塵機構３０の受け皿部３３に２本の吸引ダクト３６が接続される場合（図１、図３及び図４参照）を例に挙げて説明したが、これに限らず、１本の吸引ダクト３６のみを受け皿部３３に接続したり（図５乃至図７参照）、これとは逆に、３本以上の吸引ダクトを受け皿部３３に接続してもよい。なお、受け皿部３３に３本以上の吸引ダクトを接続する場合には、図３及び図４に示す構成のように、受け皿部３３のうち吸引ダクトが接続される部分ごとに受け皿部３３を仕切り壁３５により分離することが好ましい。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の全体構成を示す斜視図。 図１に示すレーザ加工装置における被加工基板と吸塵機構との関係を示す拡大図。 図１に示すレーザ加工装置の吸塵機構の詳細を示す分解斜視図。 図３に示す吸塵機構のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図。 図１に示すレーザ加工装置に用いられる吸塵機構の一変形例を示す斜視図。 図１に示すレーザ加工装置に用いられる吸塵機構の他の変形例を示す斜視図。 図１に示すレーザ加工装置に用いられる吸塵機構のさらに他の変形例を示す斜視図。 図１に示すレーザ加工装置に用いられる吸塵機構の整流部の変形例を示す拡大図。

符号の説明

１ レーザ加工装置
５ 保持機構
１０ レーザ照射機構
１１ レーザ発振器
１２ 反射ミラー
１３ 集光レンズ
２０ 移動機構
２１ Ｘテーブル
２２ Ｙテーブル
３０，４０，５０，６０ 吸塵機構
３１，３１′，３１″，４１，５１，６１ 整流部
３２，３２′，３２″，４２，５２ 仕切り壁
３２ａ，３２ａ′，３２ａ″，４２ａ，５２ａ 仕切り区画
３３ 受け皿部（吸引部）
３３ａ 吸引孔
３４ 側壁
３５ 仕切り壁
３６ 吸引ダクト
４３ 整流部の上流側外表面
６２ 弾性材
８０ 太陽電池基板（被加工基板）
８１ ガラス基材
８１ａ 第１表面
８１ｂ 第２表面
８２ 蒸着薄膜
Ｌ レーザ光
Ｄ 加工粉塵

Claims (6)

1. 被加工基板に形成される蒸着薄膜にレーザ光を照射して所望の部位の薄膜を選択的に除去するレーザ加工装置において、
   レーザ光を透過する透明な基材と該基材の第１表面に形成された蒸着薄膜を有する被加工基板とを保持する保持機構と、
   前記保持機構により保持された前記被加工基板のうち前記蒸着薄膜が形成されていない前記基材の第２表面の側から前記蒸着薄膜へ向けてレーザ光を照射するレーザ照射機構と、
   前記レーザ照射機構により照射されるレーザ光と前記被加工基板との相対的な位置関係を変化させる移動機構と、
   前記保持機構により保持された前記被加工基板のうち前記蒸着薄膜が形成されている側に設けられ、前記レーザ照射機構により照射されたレーザ光による前記蒸着薄膜に対するレーザ加工によって発生した加工粉塵を吸い込む吸塵機構とを備え、
   前記吸塵機構は、前記被加工基板の前記蒸着薄膜に対して所定の距離だけ離間した状態で配置された整流部であって、前記被加工基板の法線方向に沿って延びる複数の筒状の仕切り区画を有する整流部と、前記整流部の下流側に配置された吸引部であって、前記整流部の前記各仕切り区画を通過した加工粉塵を吸引する吸引部とを有することを特徴とするレーザ加工装置。
2. 前記整流部の前記各仕切り区画の高さが当該各仕切り区画の開孔部の寸法の半分よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記整流部の前記複数の仕切り区画は、前記被加工基板の前記蒸着薄膜のうちレーザ加工が行われる加工面の大きさとほぼ同じ大きさをカバーしていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
4. 前記整流部の前記複数の仕切り区画の上流側表面により形成される上流側外表面は、前記被加工基板の前記蒸着薄膜の表面形状に沿って湾曲していることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
5. 前記整流部の前記複数の仕切り区画は、中央部側の仕切り区画の開口部の寸法に比べて外周部側の仕切り区画の開口部の寸法の方向が大きくなるように構成されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
6. 前記整流部の前記複数の仕切り区画を取り囲む外周部には、外部からの空気の巻き込みを防止するための部材が取り付けられていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。

Images