JP4802785B2 - ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明は、高感度および矩形プロファイルを両立することができ、さらにレジスト残査が少なくエッチング耐性が高い電子線またはＸ線用ネガ型化学増幅型レジスト組成物と、そのレジストを用いたパターン形成方法に関する。
近年、種々の電子線ポジ型レジスト組成物が提案されている（例えば特許文献１参照）。例えば電子線を光源として利用したパターン形成プロセスは、Ｉ線、エキシマレーザー等の放射線を光源として利用したプロセスに比べ、高解像度化が可能であるとして、次世代の２５６メガ、１ギガ、４ギガ等の超高集積度半導体素子の製造にその適用が検討されている。
しかし、電子線またはＸ線を用いたパターン形成は、Ｉ線、エキシマレーザーとの光源を用いたパターン形成における露光メカニズムが異なる。また、露光される電子線またはＸ線は、ほとんどがレジスト膜中を通過し、パターン形成に必要とされる化学反応に寄与するエネルギーに変換されにくい。また、電子線またはＸ線露光においては、真空中での露光となるためレジスト組成物膜の安定性が求められる。
以上のことから、化学増幅型ポジレジストの場合、光酸発生剤の含有量を多くし、酸解離性樹脂に嵩高い構造を持つものなどを導入することにより、所望の性能を達成している。
特開２００２−２５８４８３号公報
以上のことから、化学増幅型ポジレジストの場合、光酸発生剤の含有量を多くし、酸解離性樹脂に嵩高い構造を持つものなどを導入することにより、所望の性能を達成している。
しかしながら、光酸発生剤の含有量を多くすると、アルカリ現像溶液への溶解抑止効果が働き、さらに酸解離性樹脂の構造を嵩高くすることで親水性が低下するという問題が生じる。そして、レジスト組成物膜のアルカリ現像液に対する溶解速度が低下し、現像工程の裕度がなくなり微細化が進むパターン寸法の制御が困難になっている。
さらに、レジストのエッチング耐性が向上すれば、エッチングの際のプロセス裕度が広くなり今後の微細化に有利になる。
以上のことから、電子線またはＸ線を利用したパターン形成プロセスを実用化させるためには、現状の性能を保持しつつ感度およびアルカリ現像液に対する溶解速度を向上し、エッチング耐性を高めることが必須であった。
さらに、レジストのエッチング耐性が向上すれば、エッチングの際のプロセス裕度が広くなり今後の微細化に有利になる。
以上のことから、電子線またはＸ線を利用したパターン形成プロセスを実用化させるためには、現状の性能を保持しつつ感度およびアルカリ現像液に対する溶解速度を向上し、エッチング耐性を高めることが必須であった。
一般的に化学増幅型レジストにおいて、感度、解像度が達成される機構は、エネルギー照射した際の酸発生剤からの酸の発生が重要である。
例えば、紫外線照射の場合は、酸発生剤の紫外線吸収による化学的分解により酸が発生する。
これに対して、電子線およびＸ線照射の場合、例えば「Jpn．Appl. Phys.、31、1992、4301」等の報告にあるように、ほとんどの放射線は、レジストフィルムを付きぬける上、酸発生剤自身の吸収は少なく、レジスト中に含まれる高分子化合物等が２次電子を放出し、イオン化する。そして、そのイオンが、酸発生剤に寄与することによって酸が発生する。
よって、電子線およびＸ線用化学増幅型レジストにおいて、高感度化、高解像度化を目指すには、２次電子を放出し、イオン化しやすい化合物が採用される。
例えば、紫外線照射の場合は、酸発生剤の紫外線吸収による化学的分解により酸が発生する。
これに対して、電子線およびＸ線照射の場合、例えば「Jpn．Appl. Phys.、31、1992、4301」等の報告にあるように、ほとんどの放射線は、レジストフィルムを付きぬける上、酸発生剤自身の吸収は少なく、レジスト中に含まれる高分子化合物等が２次電子を放出し、イオン化する。そして、そのイオンが、酸発生剤に寄与することによって酸が発生する。
よって、電子線およびＸ線用化学増幅型レジストにおいて、高感度化、高解像度化を目指すには、２次電子を放出し、イオン化しやすい化合物が採用される。
一方、高エッチング耐性を実現するには、大西パラメータ、リングパラーメーターを算出し、化合物の分子設計を行なうことが古くから知られている。これらのパラメータから、ヘテロ原子を含まない環状構造を持つ有機化合物が有利であり、レジストを構成する樹脂等は、これらの構造を採用することが多い。
そこで、本発明の目的は、所望の高感度・高解像度およびレジスト膜の環境安定性を持ちつつ、アルカリ現像液に対する溶解速度を向上させることのできる電子線またはＸ線用ネガ型レジスト組成物を提供することにある。
本願の発明者等は上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、電子線またはＸ線ポジレジスト組成物にアルカリ現像液に対し、溶解度を向上させ、さらに感度、解像度さらにエッチング耐性を向上させる溶解促進剤を添加することにより、高感度・高解像度・高環境安定性・高パターン寸法制御および高エッチング耐性が図れることを見出した。すなわち、本発明は下記の構成を含むものである。
請求項１に記載の発明は、電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）として、９，９´−｛ジ（４−ヒドロキシフェニル）｝フルオレンとを含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物である。
請求項２に記載の発明は、更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項１記載のネガ型レジスト組成物である。
請求項３に記載の発明は、更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項１または２記載のネガ型レジスト組成物である。
請求項４に記載の発明は、ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むパターン形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物は、電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）として、９，９´−｛ジ（４−ヒドロキシフェニル）｝フルオレンとを含有することを特徴とするパターン形成方法である。
請求項５に記載の発明は、前記ネガ型レジスト組成物は、更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法である。
請求項６に記載の発明は、前記ネガ型レジスト組成物は、更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項４または５記載のパターン形成方法である。
請求項２に記載の発明は、更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項１記載のネガ型レジスト組成物である。
請求項３に記載の発明は、更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項１または２記載のネガ型レジスト組成物である。
請求項４に記載の発明は、ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むパターン形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物は、電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）として、９，９´−｛ジ（４−ヒドロキシフェニル）｝フルオレンとを含有することを特徴とするパターン形成方法である。
請求項５に記載の発明は、前記ネガ型レジスト組成物は、更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法である。
請求項６に記載の発明は、前記ネガ型レジスト組成物は、更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項４または５記載のパターン形成方法である。
また本発明の第４の発明は、ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むパターン形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物は、電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）とを含有することを特徴とする。
また本発明の第５の発明は、ネガ型レジスト組成物が更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする。さらに本発明の第６の発明は、ネガ型レジスト組成物が更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする。
また本発明の第５の発明は、ネガ型レジスト組成物が更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする。さらに本発明の第６の発明は、ネガ型レジスト組成物が更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする。
本発明のネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法によれば、電子線あるいはＸ線の照射によって２次電子を放出しやすい溶解促進剤を用いることによって、高感度が達成される。また、溶解速度が著しく向上することから高解像度なパターンが得られ、現像不良などの基板欠陥形成を防止できる。
また、このようなレジスト膜は、ドライエッチング耐性、耐熱性、機械的強度にも優れており、更なる薄膜化進めることができるため、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスおよび半導体デバイス用フォトマスク製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。
また、このようなレジスト膜は、ドライエッチング耐性、耐熱性、機械的強度にも優れており、更なる薄膜化進めることができるため、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスおよび半導体デバイス用フォトマスク製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。
以下、本発明のレジスト組成物に使用する化合物について詳細を説明する。
（a）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物 (Ａ)（光酸発生剤）について
本例で使用される光酸発生剤として、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいは半導体レジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、Ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線またはイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
（a）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物 (Ａ)（光酸発生剤）について
本例で使用される光酸発生剤として、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいは半導体レジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、Ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線またはイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
また、その他の本例に用いられる光酸発生剤としては、例えばジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、Ｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノスルフォネート等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した化合物を用いることができる。
また、これらは単独で、または必要に応じて２種以上混合して使用することができる。より具体的には、光酸発生剤として、以下のａ１〜ａ７に示すような化合物を例示することができる。
ａ１．ヨードニウム塩化合物
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネートなど。
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネートなど。
ａ２．スルホニウム塩化合物
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メチルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートなど。
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メチルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートなど。
ａ３．有機ハロゲン化合物
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなど。
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなど。
ａ４．スルホネート化合物
１−ベンゾイル−１−フェニルメチルｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチルｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイルトリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネートなど。
１−ベンゾイル−１−フェニルメチルｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチルｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイルトリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネートなど。
ａ５．ジスルホン化合物
ジフェニルジスルホン、ジ−ｐ−トリルジスルホンなど。
ジフェニルジスルホン、ジ−ｐ−トリルジスルホンなど。
ａ６．ジアゾメタン化合物
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（tert−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなど。
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（tert−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなど。
ａ７．Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物
Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（イソプロピルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（イソプロピルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
これらのなかでも、本発明で規定する樹脂との組合せで好ましい酸発生剤としては、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス(４−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メチルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ビス（tert−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタンなどを挙げることができる。
これらの光酸発生剤の添加量は、組成物中の固形分を基準として、通常0.001〜40重量％の範囲で用いられ、好ましくは５〜３０重量％の範囲で使用される。光酸発生剤の添加量が、５重量％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量％より多いと溶解抑止効果が働き、プロファイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。
（ｂ）アルカリ可溶性樹脂（Ｂ）について、
（Ｂ）成分のアルカリ可溶性となる樹脂は、特に制限はなく、従来の電子線またはＸ線ポジ型レジスト組成物において周知のものを用いることができる。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノ−ル、トリメチルフェノールなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸またはメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル酸またはメタクリル酸とその誘導体との共重合体であるアクリル酸またはメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂に、水酸基あるいはカルボン酸基の一部を置換基で保護されたものなどがあげられる。
（Ｂ）成分のアルカリ可溶性となる樹脂は、特に制限はなく、従来の電子線またはＸ線ポジ型レジスト組成物において周知のものを用いることができる。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノ−ル、トリメチルフェノールなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸またはメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル酸またはメタクリル酸とその誘導体との共重合体であるアクリル酸またはメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂に、水酸基あるいはカルボン酸基の一部を置換基で保護されたものなどがあげられる。
上記のヒドロキシスチレンと共重合させるスチレン系単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ―クロロスチレン、ビニルナフタレン、ビニルフルオレン、ビニルフェナントレン、ビニルアントラセンなどが挙げられる。また、上記アクリル酸またはメタクリル酸の誘導体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシルプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及び対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。
アルカリ可溶性樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という）は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。アルカリ可溶性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
（ｃ）架橋剤（Ｃ）について、
架橋剤（Ｃ）は、ノボラック樹脂やポリビニルフェノールなどのアルカリ可溶性樹脂を架橋させて硬化させうるものであればよく、具体的には、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、またはアルコキシメチルエーテル基を2個以上有する化合物あるいは、エポキシ基を有する化合物が挙げられる。
架橋剤（Ｃ）は、ノボラック樹脂やポリビニルフェノールなどのアルカリ可溶性樹脂を架橋させて硬化させうるものであればよく、具体的には、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、またはアルコキシメチルエーテル基を2個以上有する化合物あるいは、エポキシ基を有する化合物が挙げられる。
更に好ましくは、アルコキシメチル化、アシルオキシメチル化メラミン化合物、アルコキシメチル化、アシルオキシメチル化ウレア化合物、ヒドロキシメチル化、アルコキシメチル化、アシルオキシメチル化フェノール化合物、およびアルコキシメチルエーテル化フェノール化合物が挙げられる。
上記のメラミン化合物としては、分子量が１２００以下のものが好ましい。更にヘキサメチロールメラミン、ペンタメチロールメラミン、テトラメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ペンタメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルメラミン等が好ましい。
フェノール化合物としては、分子量が１２００以下のものが好ましい。更に、分子内にベンゼン環を１個以上含み、更にヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を合わせて２個以上有するフェノール誘導体を挙げることができる。
具体的には、２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノール、４−tert-ブチル-２，６−ビス（ヒドロキシメチル）フェノール等が挙げられる。これら架橋剤は、単独で、あるいは２種類を混合して用いても良い。
具体的には、２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノール、４−tert-ブチル-２，６−ビス（ヒドロキシメチル）フェノール等が挙げられる。これら架橋剤は、単独で、あるいは２種類を混合して用いても良い。
エポキシ化合物としては、一つ以上のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリゴマー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることができる。例えば、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応生成物、低分子量フェノール-ホルムアルデヒド樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げられる。
架橋剤は、全レジスト組成物固形分中、一般的に３〜６０重量％、好ましくは５〜３０％重量％の添加量で用いられる。架橋剤の添加量が３重量％未満であると、レジスト膜におけるアルカリ現像液に対する残膜率が低下する。また、３０重量％を超えると解像力が低下し、さらにレジスト溶液の保存安定性も低下し、好ましくない。
（ｄ）溶解促進化合物（Ｄ）について
次に、成分（Ｄ）の溶解促進剤としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等を導入した化合物を挙げることができる。溶解促進剤は、電子線またはＸ線照射した際に、２次電子を放出しやすくイオン化する構造を持ち、さらにエッチングに対する耐性を示すような化合物が望ましい。また、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。２次電子を放出しやすい化合物として多環式芳香族誘導体が挙げられる。これらは電子リッチな構造を持ち、照射された電子線あるいはＸ線の高いエネルギーを吸収しさらに２次電子を放出してイオン化し、酸発生剤へエネルギー移動をしやすくする。これらの骨格に上記アルカリ可溶性基を持たせたものが、本発明での溶解促進化合物である。溶解促進化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
溶解促進剤として、レジスト溶剤に可溶な多環式芳香族誘導体は、ベンゼン環、あるいはヘテロ原子を含む環状不飽和結合を骨格として持つ化合物が好ましい。例えば、式（１）に示すようなカルボン酸あるいは式（２）のようなアルコ-ルが挙げられる。
次に、成分（Ｄ）の溶解促進剤としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等を導入した化合物を挙げることができる。溶解促進剤は、電子線またはＸ線照射した際に、２次電子を放出しやすくイオン化する構造を持ち、さらにエッチングに対する耐性を示すような化合物が望ましい。また、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。２次電子を放出しやすい化合物として多環式芳香族誘導体が挙げられる。これらは電子リッチな構造を持ち、照射された電子線あるいはＸ線の高いエネルギーを吸収しさらに２次電子を放出してイオン化し、酸発生剤へエネルギー移動をしやすくする。これらの骨格に上記アルカリ可溶性基を持たせたものが、本発明での溶解促進化合物である。溶解促進化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
溶解促進剤として、レジスト溶剤に可溶な多環式芳香族誘導体は、ベンゼン環、あるいはヘテロ原子を含む環状不飽和結合を骨格として持つ化合物が好ましい。例えば、式（１）に示すようなカルボン酸あるいは式（２）のようなアルコ-ルが挙げられる。
式（１）、（２）で置換基Ｒ１は、次のものが挙げられる。フェニル、ビフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、クリセン、ピレン、フルオレン、９,１０−ジヒドロアントラセン、フェナジン、フェナントロリン、フェナントリジン、ジベンゾフラン、キサンテン等が好ましい。置換基Ｒ２は、次のものが挙げられる。フェニル、フェニルエーテル、メチレン等が好ましい。
また、ｍ、ｎで表されるＲ２の数は、２が望ましい。０または１になると有機溶剤に不溶になる場合や、アルカリ現像液に溶けづらくなり欠陥等の原因になる。また、ｊ、ｋで表されるカルボン酸あるいはアルコール基の数は、２以上が望ましい。
また、ｍ、ｎで表されるＲ２の数は、２が望ましい。０または１になると有機溶剤に不溶になる場合や、アルカリ現像液に溶けづらくなり欠陥等の原因になる。また、ｊ、ｋで表されるカルボン酸あるいはアルコール基の数は、２以上が望ましい。
（e）含窒素塩基性化合物（Ｅ）（クエンチャー）について
また、化学増幅型のレジスト組成物を用いたリソグラフィーでは一般に、露光により発生した酸を触媒として連鎖的に化学反応を進行させるために露光後ベーク（ポスト・エクスポージャ・ベーク）を行うが、露光から露光後ベークまでの時間が長くなると、酸の失活に伴う性能劣化を引き起こすことが知られている。
さらに、発生した酸がレジスト塗膜中で必要以上に拡散することにより、未露光部にまで化学反応が広がり、パターン形状等の性能が劣化することがある。このような露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を防止し、あるいは、酸の拡散を制御し、未露光部での反応を抑えるために、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類をクェンチャーとして少量配合するのが有効であることが知られており、本発明においても、このような塩基性含窒素有機化合物をクェンチャーとして含有するのが好ましい。
また、化学増幅型のレジスト組成物を用いたリソグラフィーでは一般に、露光により発生した酸を触媒として連鎖的に化学反応を進行させるために露光後ベーク（ポスト・エクスポージャ・ベーク）を行うが、露光から露光後ベークまでの時間が長くなると、酸の失活に伴う性能劣化を引き起こすことが知られている。
さらに、発生した酸がレジスト塗膜中で必要以上に拡散することにより、未露光部にまで化学反応が広がり、パターン形状等の性能が劣化することがある。このような露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を防止し、あるいは、酸の拡散を制御し、未露光部での反応を抑えるために、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類をクェンチャーとして少量配合するのが有効であることが知られており、本発明においても、このような塩基性含窒素有機化合物をクェンチャーとして含有するのが好ましい。
クェンチャーに用いる含窒素有機化合物は、１級アミン、２級アミン、３級アミン、不飽和環状アミン、４級アンモニウム塩などであることができ、より具体的には、以下のような化合物が例示される。
ｅ１．１級アミン
ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−または４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−または２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４′−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタンなど。
ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−または４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−または２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４′−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタンなど。
ｅ２．２級アミン
ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、Ｎ−ベンジルイソプロピルアミンなど。
ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、Ｎ−ベンジルイソプロピルアミンなど。
ｅ３．３級アミン
トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリンなど。
トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリンなど。
ｅ４．不飽和環状アミン
イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２′−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレン、１，２−ジ（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４′−ジピリジルスルフィド、４，４′−ジピリジルジスルフィド、２，２′−ジピコリルアミン、３，３′−ジピコリルアミンなど。
イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２′−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレン、１，２−ジ（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４′−ジピリジルスルフィド、４，４′−ジピリジルジスルフィド、２，２′−ジピコリルアミン、３，３′−ジピコリルアミンなど。
ｅ５．４級アンモニウム塩
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムなど。
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムなど。
これらのなかでも、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウムが好ましく、Ｎ−ベンジルイソプロピルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリン、水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。また、クェンチャーとして用いる塩基性含窒素有機化合物は、基板上に形成されたレジスト膜のプリベーク後も、レジスト膜中に残存して効果を発揮するよう、プリベークの温度で蒸発しにくいものが好ましく、具体的には１５０℃以上の沸点を有する化合物が好ましい。
その他の添加剤等
本発明のネガ型レジスト組成物に下地基板との塗れ性をよくする目的で使用できる界面活性剤は、フッ素系及び／またはシリコン系界面活性剤が好適に用いられ、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤およびフッ素原子とケイ素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することができる。
本発明のネガ型レジスト組成物に下地基板との塗れ性をよくする目的で使用できる界面活性剤は、フッ素系及び／またはシリコン系界面活性剤が好適に用いられ、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤およびフッ素原子とケイ素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することができる。
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
レジスト組成物
本発明のレジスト組成物は通常、光酸発生剤（Ａ）を５〜２０重量％、アルカリ可溶製樹脂（Ｂ）を６０〜９０重量％、架橋剤（Ｃ）を５〜３０重量％、そして溶解促進剤を５〜２０重量％の範囲で含有する。中でも樹脂成分を７０〜８０重量％、酸発生剤を５〜１０重量％、架橋剤を１０〜２０重量％、そして溶解促進剤を５〜１０％の範囲とするのが好ましい。また、クェンチャーを含有させる場合は、同じくレジスト組成物の全固形分量を基準に、０.０１〜１．０重量％の範囲で用いるのが好ましい。また本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、増感剤、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
本発明のレジスト組成物は通常、光酸発生剤（Ａ）を５〜２０重量％、アルカリ可溶製樹脂（Ｂ）を６０〜９０重量％、架橋剤（Ｃ）を５〜３０重量％、そして溶解促進剤を５〜２０重量％の範囲で含有する。中でも樹脂成分を７０〜８０重量％、酸発生剤を５〜１０重量％、架橋剤を１０〜２０重量％、そして溶解促進剤を５〜１０％の範囲とするのが好ましい。また、クェンチャーを含有させる場合は、同じくレジスト組成物の全固形分量を基準に、０.０１〜１．０重量％の範囲で用いるのが好ましい。また本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、増感剤、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
このレジスト組成物は通常、全固形分濃度が１０〜５０重量％となるよう、上記各成分を溶剤に混合してレジスト溶液とされ、シリコンウェハまたはマスク用石英の基板上に塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有するものであればよく、この分野で通常用いられているものが使用できる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルのようなグリコールモノまたはジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトンのようなエステル類、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのようなラクタム類などが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、または２種以上組み合わせて用いることができる。
本発明のレジスト組成物は、例えば以下のようにして用いることができる。すなわち、上記のように溶剤に溶解したレジスト溶液を、スピンコーティングなどの常法によって基板上に塗布し、乾燥（プリベーク）し、パターニングのための露光処理を施し、次いで化学反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像することにより、レジストパターンを形成することができる。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で通常用いられているものでありうる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシドの１〜１０重量％水溶液などが挙げられる。またこれらのアルカリ水溶液に、メタノールやエタノールのような水溶性有機溶剤、ある種の界面活性剤などを適当量添加して用いることも可能である。
以下、本発明の実施例について説明する。
なお、下記のレジスト組成物の割合は、一例を示したものであって、本発明は下記の値に限定されるものではなく、プロセス条件等によって調整できる。
なお、下記のレジスト組成物の割合は、一例を示したものであって、本発明は下記の値に限定されるものではなく、プロセス条件等によって調整できる。
（比較例１）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を用いて、以下のように、合成石英基板上のクロム膜上に微細パターンを形成した。
まず、図１（ａ）に示すように、合成石英基板１０上に形成されたクロム膜１の上にレジスト溶液を回転塗布、ベーク処理し、クロム膜１上にレジスト膜２を３００ｎｍ形成した。そして、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように加速電圧５０ＫＶの電子線描画装置を用いて電子線３を照射した。
次いで、露光後ベークを行い、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で、現像時間９０秒で現像を行った。そして、クロム膜１上に２００ｎｍのライン＆スペースパターン４ａを形成し、そのとき、１：１のパターンが得られた感度を最適感度とした。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を用いて、以下のように、合成石英基板上のクロム膜上に微細パターンを形成した。
まず、図１（ａ）に示すように、合成石英基板１０上に形成されたクロム膜１の上にレジスト溶液を回転塗布、ベーク処理し、クロム膜１上にレジスト膜２を３００ｎｍ形成した。そして、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように加速電圧５０ＫＶの電子線描画装置を用いて電子線３を照射した。
次いで、露光後ベークを行い、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で、現像時間９０秒で現像を行った。そして、クロム膜１上に２００ｎｍのライン＆スペースパターン４ａを形成し、そのとき、１：１のパターンが得られた感度を最適感度とした。
尚、ＦＥＮ−２７１は、光酸発生剤（Ａ）、アルカリ可溶性樹脂（Ｂ）そして架橋剤（Ｃ）が主成分のネガ型化学増幅型レジストであり、溶解促進剤（Ｄ）は含まれていないので比較例とした。
（実施例１）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを５質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを５質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
（実施例２）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを１０質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを１０質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
（実施例３）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを１５質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１の固形分１００質量部含むレジスト溶液に、溶解促進剤として９，９´−{ジ（４−ヒドロキシフェニル）}フルオレンを１５質量部溶解させた。そして、比較例１と同様にクロム膜上にパターン形成を行い最適感度を求めた。
これらの結果を図２に示す。溶解促進剤を添加した系（実施例１〜３）において、比較例１より高感度化した結果が得られた。
（比較例２）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１を用いて、以下のように、レジスト膜の溶解速度を測定した。
まず、基板上にレジスト溶液を回転塗布、ベーク処理した。そして、露光後ベークと同様なベークを行い（すなわち未露光部）２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液でのレジスト膜の溶解速度を測定した。溶解速度は、リソテックジャパン株式会社製現像速度測定装置ＱＺ−Ｒ３Ａを用いて行った。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１を用いて、以下のように、レジスト膜の溶解速度を測定した。
まず、基板上にレジスト溶液を回転塗布、ベーク処理した。そして、露光後ベークと同様なベークを行い（すなわち未露光部）２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液でのレジスト膜の溶解速度を測定した。溶解速度は、リソテックジャパン株式会社製現像速度測定装置ＱＺ−Ｒ３Ａを用いて行った。
（実施例４）
実施例１で調整したレジスト溶液から、比較例２と同様な方法で溶解速度を測定した。
実施例１で調整したレジスト溶液から、比較例２と同様な方法で溶解速度を測定した。
（実施例５）
実施例２で調整したレジスト溶液から、比較例３と同様な方法で溶解速度を測定した。
実施例２で調整したレジスト溶液から、比較例３と同様な方法で溶解速度を測定した。
（実施例６）
実施例３で調整したレジスト溶液から、比較例２と同様な方法で溶解速度を測定した。
実施例３で調整したレジスト溶液から、比較例２と同様な方法で溶解速度を測定した。
これらの結果を図３に示す。この結果より、溶解促進剤を加えることにより溶解速度は数倍向上することが明らかになり、露光・未露光部の溶解速度差が４倍以上となり、高コントラスト化が達成できた。
（比較例３）
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１を用いて、以下のように、レジスト膜のエッチング耐性を調べた。
比較例１でレジストパターンを作成した基板を、図１（ｃ）に示すような電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置にて、エッチングガスＣｌ２、圧力０．９３Ｐａ、ＲＩＥパワー６Ｗ、ＩＣＰパワー２５０Ｗ、エッチング時間３６０秒の条件で合成石英基板１０上のクロム膜に対してエッチング処理５を行った。そして、レジスト膜の時間あたりのエッチングレートを算出した。
市販のネガ型化学増幅型レジストＦＥＮ−２７１を用いて、以下のように、レジスト膜のエッチング耐性を調べた。
比較例１でレジストパターンを作成した基板を、図１（ｃ）に示すような電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング装置にて、エッチングガスＣｌ２、圧力０．９３Ｐａ、ＲＩＥパワー６Ｗ、ＩＣＰパワー２５０Ｗ、エッチング時間３６０秒の条件で合成石英基板１０上のクロム膜に対してエッチング処理５を行った。そして、レジスト膜の時間あたりのエッチングレートを算出した。
（実施例７）
実施例１で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
実施例１で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
（実施例８）
実施例２で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
実施例２で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
（実施例９）
実施例３で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
実施例３で作成した基板から、比較例３と同様な方法でエッチングレートを求めた。
エッチングレートを算出した結果を図４に示す。溶解促進剤を導入した系においては、エッチング耐性が最大１１％向上し、溶解促進剤が耐ドライエッチング耐性を向上させることが明らかになった。
超高集積度半導体素子の製造や、その製造に用いられるフォトマスクの製造に用いられる電子線またはＸ線用化学増幅型レジストとして好適に用いることができる。
１……クロム膜、２……レジスト膜、３……電子線、４ａ……ライン＆スペースパターン、５……エッチング処理、１０……合成石英基板。
Claims (6)
- 電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）として、９，９´−｛ジ（４−ヒドロキシフェニル）｝フルオレンとを含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
- 更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項１記載のネガ型レジスト組成物。
- 更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項１または２記載のネガ型レジスト組成物。
- ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像する工程を含むパターン形成方法であって、
前記ネガ型レジスト組成物は、電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）と、アルカリ可溶性となる樹脂（Ｂ）と、発生した酸により架橋反応を起こす架橋剤（Ｃ）と、レジスト用溶剤に可溶で、電子線またはＸ線を照射した際に２次電子を放出し、イオン化しやすい多環式芳香族誘導体溶解促進剤（Ｄ）として、９，９´−｛ジ（４−ヒドロキシフェニル）｝フルオレンとを含有することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記ネガ型レジスト組成物は、更に含窒素塩基性化合物（Ｅ）を含有することを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法。
- 前記ネガ型レジスト組成物は、更に界面活性剤（Ｆ）を含有することを特徴とする請求項４または５記載のパターン形成方法。
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