JP4800730B2 - 変位測定のための干渉計システム及びこれを利用した露光装置 - Google Patents

変位測定のための干渉計システム及びこれを利用した露光装置 Download PDF

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Description

本発明は光学装置に係り、さらに詳細には変位測定のための干渉計システム及びこれを利用した露光装置に関する。
エーテルの存在を確認するための1887年のマイケルスン−モーリーの実験(Michelson−Moley's experiment)でマイケルスン干渉計が使用されて以来、干渉計(interferometer)は精密な測定が要求される多様な分野で使用されている。前記干渉計は計測対象を1nmレベルの精密度で測定することができるので、半導体装置の露光工程、ダイヤモンド研磨工程(diamond turning)、精密機械加工(precision processing)などのような精密産業分野で広く使われている。特に、1960年にレーザーが開発された以後、前記レーザーを干渉計の光源として利用するレーザー干渉計はさらに多様な分野でのさらなる精密な測定を可能にした。
原理的に、前記干渉計は基準光線の固定された経路長さ(a fixed optical path length of reference beam)に対して計測対象(target object)を経由する測定光線(measuring beam)の光経路長さ(optical path length)が変わる場合に現われる干渉現象という物理的現象(the physical phenomenon of interference of light)を利用する光学装置である。図1は前記マイケルスン干渉計の基本構造を説明するための構成図である。
図1を参照すると、光源(light source、S)から出た光波(lightwave)は光分配器(beam splitter、BS)によって各々基準ミラー(reference mirror、M1)と運動ミラー(moving mirror、M2)とに向けて進行する基準光線(reference beam、RB)と測定光線(measuring beam、MB)とに分けられる。前記基準光線RBと前記測定光線MBは各々前記基準ミラーM1と前記運動ミラーM2によって反射されて前記光分配器BSに戻る。以後、前記基準光線RBの一部は前記光分配器BSを通過して検出器Dに入射され、前記測定光線MBの一部も前記光分配器BSから反射されて前記検出器Dに入射される。前記検出器Dに入射された前記基準光線RBと前記測定光線MBは互いに重畳(superpose)されて干渉パターン(interference fringe)を形成する。
周知のように、このような干渉現象は以下の式(1)によって数学的に記述されることができる。 式(1)で、I、I及びIは各々前記干渉パターン、前記基準光線及び前記測定光線の強さ(intensities)であり、δは前記基準光線RBと前記測定光線MBとの間の相対的な位相差である。
Figure 0004800730
前記干渉パターンの強さの変化は前記位相差δによって誘発される。したがって、前記検出器Dで測定される干渉パターンが移動する数を測定すれば、前記運動ミラーM2の位置が以下の式(2)によって計算されることができる。
Figure 0004800730
この際、Xは前記運動ミラーM2の変位(displacement)であり、Xは初期位置(initial position)であり、Nは干渉パターンの個数(fringe number)であり、λは使用された光波の波長(wavelength)である。
図2は通常の従来技術によるX−Yステージシステム及びこのステージシステムの位置を測定するための変位干渉計(displacement interferometer)を説明するための装置構成図である。
図2を参照すると、X−Yステージシステム10は固定されたステージベース12、前記ステージベース12の上部に配置された下部ステージ14及び前記下部ステージ14の上部に配置された上部ステージ16を具備する。
前記下部ステージ14は前記ステージベース12に対してx方向に動くことができ、前記上部ステージ16は前記下部ステージ14に対してy方向に動くことができる。これによって、前記上部ステージ16は前記ステージベース12に対してx及びy方向への2次元的運動が可能である。
前記X−Yステージシステム10の周りには前記上部ステージ16のx位置、y位置及び左右搖れyawを測定するための干渉光学システムが配置される。前記干渉光学システムは所定波長のレーザーを生成させる光源50、前記光源50から放出されるレーザー光線55を分配する光分配器1、2、3、4、前記光分配器1、2、3、4によって分離されたレーザー光線55を利用して前記上部ステージ16のx位置、y位置及び左右搖れyawを各々測定するx、y及びyaw干渉計20、30、36を含む。これに加えて、前記X−Yステージシステム10の周りには温度及び圧力などのような環境的変化をモニタリングするため、空気の屈折率(refractive index)を測定する波長追跡器(wavelength tracker)40が配置される。
前記x干渉計20はx測定ミラー21、x光分配器22及びx検出器23で構成され、前記y干渉計30はy測定ミラー31、y光分配器32及びy検出器33で構成され、前記yaw干渉計36は前記y測定ミラー31、yaw光分配器34及びyaw検出器35で構成される。前記x測定ミラー21及び前記y測定ミラー31は前記上部ステージ16の位置変化による光経路差(optical path difference)を作るように、前記上部ステージ16の側壁に付着し、これらの方向は各々x及びy方向に平行である。また、前記x光分配器22、前記y光分配器32及び前記yaw光分配器34は各々基準光線を形成するように、内部に基準ミラーを具備する。
前記x測定ミラー21及び前記y測定ミラー31を除いた前記干渉光学システムの他の構成要素は前記ステージベース12に対して固定される。これによって、前記上部ステージ16は前記光源50に対して2次元的相手運動が可能である。一方、前記上部ステージ16の相手運動を測定するためには、前記x及びy測定ミラー21、31に入射されるレーザー光線55が正常に反射可能でなければならない。このために、前記測定ミラーは正常な反射を保障することができる大きさで製作されなければならない。例えば、前記x測定ミラー21の大きさが不十分である場合、前記上部ステージ16のy方向運動によって前記x測定光線55xは前記x測定ミラー21を脱することがある。このような逸脱を予防するため、前記x測定ミラー21は前記x光分配器22に対する前記上部ステージ16のy方向最大変位より大きい大きさで製作されなければならない。このような測定ミラーの大きさと係わる要求は前記y測定ミラー31でも同一である。
一方、半導体製造工程のような精密産業分野で使われるステージの場合、前記ステージの動きは非常に高い精密度で制御されなければならない。このような精密な制御のためには、変位測定のために使われる干渉計の測定ミラーも非常に高い均一度を有するように加工されなければならない。特に、露光装置の場合、前記測定ミラーの表面均一度はウェーハに転写されたパターンの変形(distortion)及び重畳精密度(overlay)に直接的な影響を及ぼすという点において、数nmレベルの均一度が要求されている。
しかし、上述のように、測定ミラーの大きさは測定光線の逸脱を防止することができる大きい大きさで製作されなければならないという点において、前記測定ミラーを数nmレベルの高い均一度で製作することは非常に難しく、費用が多く必要とされる過程である。これに加えて、測定ミラーの表面均一度は重力、温度変化、運動による加速などによって減少することができるので、前記測定ミラーの均一度を同一のレベルに維持するためには高費用が必要とされる維持/補修過程を持続的に実行しなければならない。
本発明の第1の課題は製作及び維持補修が容易な変位干渉計を提供することにある。
本発明の第2の課題は運動体の変位を改善した精密度で測定することができる変位干渉計を提供することにある。
本発明の第3の課題は改善した精密度でレティクルステージの変位を測定することができる変位干渉計を具備するスキャン型露光装置を提供することにある。
本発明の第4課題は第1方向に配置される測定ミラーなしに、運動体の第1方向変位を測定することができる変位干渉計を提供することにある。
上述の課題を達成するために、本発明は運動体のx方向の変位をy方向に進行する測定光線の経路差に変換させる変位変換器を具備する変位干渉計を提供する。この変位干渉計は光線を発生させる光源(light source)、前記光線を基準光線(reference beam)と測定光線(measurement beam)とに分ける光分配器(beam splitter)、前記基準光線の進行方向を変更するための基準ミラー(reference mirror)、前記測定光線の進行方向を変更するための変位変換器(displacement converter)及び前記方向変更された基準光線と測定光線を測定するための検出器(detector)を具備する。
この際、前記測定光線の進行方向に垂直の変位(displacement、ΔD)は前記変位変換器によって前記測定光線の経路差(path difference、ΔP)に変換される。このために、前記変位変換器は透過型格子または反射型格子を利用することができる。
本発明の一実施形態によると、前記変位変換器は前記透過型回折格子(transmission grating)及び前記透過型回折格子に対して所定の勾配角βを形成し、前記透過型回折格子から離隔されて配置される変位ミラー(displacement mirror)を具備する。この場合、前記透過型回折格子及び前記変位ミラーは前記経路差ΔP、前記勾配角β及び前記変位ΔDの間にΔP=2・ΔD・sinβの関係が成り立つように配置される。この際、前記透過型回折格子は前記測定光線の進行方向に垂直に配置されることが望ましい。
特に、前記変位ミラーは前記透過型回折格子によって回折される前記測定光線の1次回折光を反射させるように配置されることが望ましい。このために、前記透過型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、前記透過型回折格子の法線に対する前記測定光線の進行方向がなす角度がαであり、前記光線の波長がλである場合、前記透過型回折格子の法線に対する前記変位ミラーの勾配角βは、前記測定光線の1次回折光の回折角度を記述するarcsin(λ/d − sinα)であることが望ましい。
本発明の他の実施形態によると、前記変位変換器は前記測定光線の進行方向に対して所定の勾配角βを形成しながら配置される反射型回折格子(reflection grating)を具備する。この場合、前記反射型回折格子は前記経路差ΔP、前記勾配角β 及び前記変位ΔDの間にΔP=2・ΔD・tanβの関係が成り立つように配置される。
上述の実施形態と類似に、前記反射型回折格子から前記光分配器に戻る光線は1次回折光線であることが望ましい。このために、前記反射型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、前記光線の波長がλである場合、前記測定光線の進行方向に対する前記反射型回折格子の勾配角βは前記測定光線の1次回折光線の回折角度を記述するarcsin(λ/d)であることが望ましい。
一方、上述の変位変換器の構造とは別個に、前記光分配器、前記検出器、前記基準ミラー及び前記変位変換器の間の位置的可変性による変形された実施形態が可能である。
例えば、前記光分配器、前記検出器、前記基準ミラー及び前記変位変換器の間の相対的位置が固定される実施形態が可能である。このような実施形態によると、前記固定された光源に対して、前記光分配器、前記検出器、前記基準ミラー及び前記変位変換器がともに運動する(co−moving)。図3A及び図4Aはこの実施形態と係わる技術的内容を含む変位干渉計を説明するための図である。この実施形態によると、前記検出器で測定される結果は、前記測定光線の進行方向に対して垂直の方向に運動する変位変換器の変位が独立的に測定される。
また、前記光分配器、前記基準ミラー及び前記変位変換器の間の相対的位置が固定される変形された実施形態が可能である。このような変形された実施形態によると、前記固定された光源及び検出器に対して前記光分配器、前記基準ミラー及び前記変位変換器はともに運動する。図3B及び図4Bは、この実施形態と係わる技術的内容を含む変位干渉計を説明するための図である。この変形された実施形態の場合も、前記検出器で測定される結果は、前記測定光線の進行方向に対して垂直の方向に運動する変位変換器の変位が独立的に測定される。
本発明のもう一つの実施形態によると、前記光分配器、前記検出器及び前記基準ミラーの間の相対的位置は固定されるが、前記変位変換器は前記光分配器、前記検出器及び前記基準ミラーに対して相対的位置を変えることもできる。図3C及び図4Cは、この実施形態と係わる技術的内容を含む変位干渉計を説明するための図である。この実施形態によると、前記検出器で測定される変位は前記測定光線の進行方向に垂直の変位及び平行な変位が加えられた結果である。この場合、前記垂直の変位を決めるためには、前記測定光線の進行方向に平行な変位が独立的に測定されなければならない。
前記測定光線の進行方向に垂直の変位を決めるために、前記平行な変位を測定する第2変位干渉計をさらに具備するシステムは図7乃至図9に示した図を通じて説明されることができる。このシステムは前記測定光線の進行方向に平行な変位及び垂直の変位を決めるために、前記検出器に連結される制御器をさらに具備することができる。
本発明の他の実施形態によると、前記回折格子を使う変位干渉計はx−yステージのz変位を測定するために使われることもできる。この実施形態によると、前記回折格子を使う変位干渉計は少なくとも二つが必要である。
本発明のもう一つの実施形態によると、変位干渉計システムはx−yステージのx座標、y座標及び左右搖れyawを決めるため、一つの回折格子を使う変位干渉計と二つの一般的な変位干渉計で構成されることができる。
上述の本発明の実施形態による変位干渉計システムは露光装置のステージ位置測定システムとして使われることができる。特に、スキャン型露光装置の場合、上述の本発明の実施形態による変位干渉計システムはレティクルステージの位置測定のために使われることができる。
本発明によると、回折格子を利用する変位変換器を具備する変位干渉計を提供する。前記変位変換器は前記回折格子を利用して測定光線の進行方向(例えば、y方向)に垂直の変位ΔDxを測定光線の進行経路差ΔPに変換させる。この際、前記回折格子は、測定対象のx方向での最大変位に相応する大きさを有することで十分である。これによって、従来技術で要求される大きいサイズのミラーなしに、測定対象の変位を測定することができる。その結果、大きいサイズのミラーが利用される干渉計で要求される過度な製作/維持/補修費用を節減することができる。
これに加えて、前記回折格子は上述の大きいサイズを有する必要がなくて、均一な光学的特性を有するように維持することが容易である。これによって、測定ミラーの表面均一度の減少による測定精密度の低下を防止することができる。特に、スキャン型露光装置のレティクルステージは精密な直線往復運動が要求されるという点において、前記レティクルステージの位置制御システムに前記回折格子を変位変換器として利用する変位干渉計を使う場合、前記スキャン型露光装置の製造/維持/補修費用の節減及び測定精密度の向上を期待することができる。
以下、添付の図を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底して完全になれるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
図3A乃至図3C及び図4A乃至図4Cは本発明の実施形態による変位干渉計を説明するための図である。
まず、図3A乃至図3Cを参照すると、本発明の変位干渉計は光源(light source)100、光分配器(beam splitter)111、基準ミラー(reference mirror)141、検出器(detector)131及び変位変換器(displacement converter)121を具備する。
前記光源100は測定過程で使われる所定波長の光線を発生させる。前記光線は単一周波数レーザー、二重周波数レーザー、多重周波数レーザー、ラム(Lamb)レーザー、
ゼーマン(Zeeman)レーザー、インバートラムレーザー及びスペクトラル光線のうちの一つを使うことができる。前記光源100で生成された光線は前記光分配器111で各々前記基準ミラー141及び前記変位変換器121に向けて進行する基準光線211と測定光線201とに分けられる。このために、前記光分配器111は入射された光の一部分は反射させ、他の一部分は透過させることができる半透明ミラー(half mirror)を使うことが望ましい。
前記基準ミラー141は入射された基準光線211を前記光分配器111に反射させる。望ましくは、前記基準ミラー141から反射する基準光線211の方向は前記基準ミラー141に入射される基準光線211の方向に正反対である。このために、前記基準ミラー141は平面ミラー(plane mirror)、コーナーチューブ(corner cube)、角反射ミラー(angular reflector)及び再帰反射ミラー(retro−reflector)のうちの一つでありうる。
前記変位変換器121は入射された測定光線201を前記光分配器111に反射させる。 この際、前記変位変換器121は前記測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に垂直の変位ΔDを前記測定光線201の経路差ΔPに変換させるように構成された光学装置である。このために、前記変位変換器121は回折格子(diffraction grating)を含むことができる。
前記回折格子(diffraction grating)は使われる光の波長と類似の長さで離隔された反射体または透過体の集合である。言い換えれば、前記回折格子は透明なスクリーン内に形成された透明なスリット(slits)パターンであるか、基板上に形成された反射型溝(reflecting grooves)の集合を意味する。反射型格子(reflection grating)は反射表面上に形成された(superimposed)格子で構成される一方、透過型格子(transmission grating)は透明表面上に形成された格子で構成される。また、前記回折格子に入射される電磁気波は回折によって位相または振幅が所定の方式に変わる。本発明によると、 前記変位変換器121が透過型格子を利用する実施形態(図3A乃至図3C参照)及び反射型格子を利用する実施形態(図4A乃至図4C参照)が全部可能である。
図5A乃至図5Cは回折現象を説明するための図である。図5A及び図5Bは各々所定の入射光(incident light)が反射型格子及び透過型格子に入射されるときに発生する回折現象を示す図である。前記反射型格子は入射光と回折光が格子の同一の方に置かれ(図5A参照)、前記透過型格子は入射光と反射光が格子の反対側に置かれる特徴を有する(図5B参照)。図5Cは回折を幾何学的に説明するための図である。
図5A及び図5Bを参照すると、波長がλである光線が溝間隔(groove spacing)またはピッチ(pitch)がdである格子に対して角度αに入射された後、角度βmに回折される。前記入射角αと回折角βは全部(図の中央に、格子表面に対して垂直の点線で描かれた)格子法線(grating normal)から測定される。このような角度の符号表記(the sign convention for these angles)は光線が入射光と比べて、格子に対して同一の方面(side)であるか否かによって決められる。例えば、図5Aで、角度α及びβは正であり、角度β及びβ-1は負である。
一方、図5Cに示したように、隣接する溝を通る光線の経路差はd sinα +d sinβである。干渉原理(interference principle)によると、このような経路差が光の波長λまたはその定数倍と同一であるとき、隣接する溝を通る光線は同じ位相を有するようになって、補強干渉(constructive interference)を起こす。他のあらゆるβでは幾分の相殺干渉が示す。このような補強干渉条件によって、入射角α、回折角βm、ピッチd及び波長λの間には以下のような格子方程式(grating equation)が成り立つ。
Figure 0004800730
式(3)で、mは回折次数(diffraction order or spectral order)を示す定数である。式(3)によると、所定の回折次数mに相応する回折角βmは以下の式(4)によって求められる。
Figure 0004800730
再び、図3A乃至図3Cを参照すると、前記変位変換器121は透過型格子(transmission grating、TG)及び変位ミラー(displacement mirror、DM)で構成される。前記測定光線201が前記透過型格子TGに垂直に入射されるように、前記透過型格子TGの法線(normal)と前記測定光線201の進行方向は平行であることが望ましい。また、本発明によると、前記変位ミラーDMは前記透過型格子TGと所定の角度をなしながら配置される。望ましくは、前記変位ミラーDMは前記透過型格子TGから放出される1次回折光を正反対方向に反射させるように配置される。このために、前記変位ミラーDMの面方向は前記1次回折光の方向に平行に、前記透過型格子TGの法線に対して以下の式(5)によって記述される角度βに配置される。
Figure 0004800730
図6A及び図6Bは前記変位変換器121が前記回折格子を利用して前記変位ΔDを光経路差(optical path difference、OPD)に変換する過程を説明するための図である。図6A及び図6Bは各々前記変位変換器121で透過型格子TG 及び反射型格子RGが使用される実施形態を説明するための図である。
図6Aを参照すると、第1測定光L1及び第2測定光L2が透過型格子TGの表面に垂直に入射されるとすれば、前記第1及び第2測定光L1、L2は同一の波長λを有し、距離ΔDxだけ離隔されて前記透過型格子TGに入射され、前記透過型格子TGに形成された溝(grooves)のピッチはdである。この場合、前記第1及び第2測定光の一次回折光LF1、 LF2は前記透過型格子TGの法線に対しての上記式(5)によって決められる角度βに進行する。
変位ミラーDMが前記透過型格子TGに対して傾くように配置される場合、前記変位ミラーDMまで進行された前記第1及び第2測定光の一次回折光LF1、LF2の経路長さは互いに異なる。図示したように、前記変位ミラーDMが前記一次回折光LF1、LF2の方向に垂直の方向に配置される場合、前記一次回折光LF1、LF2が前記透過型格子TGと前記変位ミラーDMとの間を往復する間発生する総経路長さの差ΔPは以下の式(6)のように記述されることができる。
Figure 0004800730
式(6)は一次回折光の回折角を規定する上記式(5)によっての以下の式(7)のように表される。
Figure 0004800730
図6Bを参照すると、ピッチがdである溝を有する反射型格子RGが前記変位変換器121として使われる。この場合、前記反射型格子RGを距離ΔDxだけ離隔された前記第1及び第2測定光L1、L2の進行方向に対して式(5)によって記述される角度βに配置したら、前記反射型格子RGから放出される1次回折光LF1、LF2は前記測定光L1、L2の進行方向の正反対方向に進行する。この場合、前記第1及び第2測定光L1、L2の間には、上記式(6)及び(7)によって記述される経路長さの差が発生する。
式(7)は以後OPDとして言及される光学的経路差ΔPを表す。したがって、図6Aおよび図6Bの変位変換器は測定光線を受け、測定光線に垂直な方向での前記変位変換器の運動を前記変位変換器の反射面と前記測定光線との間の経路長さでの変化に変換させるように配置される。図6Aに示したように、前記変位変換器は測定ビームの経路に配置される前面を有する透過型回折格子TGおよび前記透過型回折格子の後面に向いている(facing)変位ミラーDMを含む。前記変位ミラーは所定の勾配角βを形成し、前記透過型回折格子の後面に面している(face)。この場合、前記経路長さでの変化ΔPと前記測定光線に垂直な平行での前記変器変換器の運動ΔDとの間にはΔP=2ΔDsinβの関係が成り立つ。図6Bを参照すると、前記変位変換器は反射型回折格子RGを含む。前記反射型回折格子はその主面の法線が前記測定光線に対して所定の角度βを形成するように配置される。この場合、前記経路長さでの変化ΔPと前記測定光線に垂直な方向での前記変位変換器の運動ΔDとの間にはΔP=2ΔDtanβの関係が成り立つ。
再び図3A乃至図3Cを参照すると、前記基準ミラー141及び前記変位変換器121から反射した前記基準光線211と前記測定光線201は前記光分配器111から前記検出器131に入射される。前記検出器131は前記基準光線211と前記測定光線201の重畳によって形成される干渉パターン(interference fringe)をセンシングする。この際、センシングされた干渉パターン変化は上記式(6)及び(7)によって記述される光経路差によって決められる。
図3Aに示した実施形態によると、前記光分配器111、前記基準ミラー141、前記変位変換器121及び前記検出器131は所定の運動体150に固定されて設置される。これによって、前記運動体150の位置が変わっても、前記光分配器111と前記基準ミラー141との間の距離及び前記光分配器111と前記変位変換器121との間の距離は変わらない。したがって、前記運動体150が前記測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に運動する場合、前記測定光線201と前記基準光線211との間の位相は同一に維持される。
しかし、前記運動体150が前記測定光線201の進行方向に垂直の方向(すなわち、x方向)に運動する場合、前記変位変換器121で反射される測定光線201の経路長さは変わる。その結果、前記測定光線201と前記基準光線211との間の位相差は前記測定光線201の経路長さ変化ΔPに相応して変わり、このような位相差の変化は前記検出器131でセンシングする干渉パターンの変化に観察される。前記経路長さの変化による干渉パターンの変化は従来技術で説明した式(1)によって記述されることができる。
本発明の変形された実施形態によると、前記検出器131は前記運動体150とともに運動せず、前記光源100に対する位置が固定されることもできる(図3B参照)。このために、前記検出器131は前記測定光線201及び前記基準光線211を受信することができるように、前記変位変換器121と前記光分配器111とを連結する延長線上に配置されることが望ましい。前記光分配器111と前記検出器131との間には、前記光源100から出る光線と前記検出器131に進行する光線を分けるためのもう一つの光分配器169が配置されることができる。
図3Cに示した実施形態によると、前記光分配器111、前記基準ミラー141及び前記検出器131は前記光源100に対して固定され、前記変位変換器121は前記運動体150に固定されてともに運動する。これによって、前記光分配器111と前記基準ミラー141 との間の距離は前記運動体150のどのような運動でも変化しない。
しかし、前記測定光線201の進行経路長さは前記運動体150の運動によって常に変わる。すなわち、前記運動体150が前記測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に運動する場合には、前記光分配器111と前記変位変換器121との間の距離(すなわち、y変位)が変わる。一方、前記運動体150が前記測定光線201の進行方向に垂直の方向(すなわち、x方向)に運動する場合、前記測定光線201が前記変位ミラーDMまで往復する経路長さが変わる。
結果的に、前記検出器131でセンシングされる干渉パターンの変化は、一般的に、前記運動体150のx位置だけではなく、y位置の変化による影響まで反映された結果である。したがって、x方向の実際変位が分かるためには測定された干渉パターンの変化から計算された総変位(total displacement)からy方向の変位を引かなければならない。
図4A乃至図4Cは前記変位変換器121が反射型格子RGだけで構成された実施形態を説明するための図である。図4A乃至図4Cは各々図3A乃至図3Cで、前記変位変換器121に代えて反射型格子RGが使われる実施形態に該当する。前記反射型格子RGは前記測定光線201の進行方向に対しての上記式(5)によって記述される角度βを形成するように配置されることが望ましい。これによって、前記測定光線201に対する前記運動体150のx方向の位置がΔDxだけ変わる場合、図6と係わって説明したように、式(6)及び(7)によって記述される経路長さの差が発生する。このような経路長さの差は前記検出器131で干渉パターンの変化によって測定される。
図7はx方向の実際変位が分かるための変位干渉計システムを説明するための図である。
図7を参照すると、この実施形態による変位干渉計システムは光源100、運動体150、第1変位干渉計101、第2変位干渉計102、制御器500及び光伝達係160を具備する。前記第1変位干渉計101及び前記第2変位干渉計102は各々前記運動体150の第1方向(すなわち、x方向)及び第2方向(すなわち、y方向)の変位を測定する。これのために、前記第1及び第2変位干渉計101、102は前記光源100に放出される光線を利用する。
前記第1変位干渉計101は第1光分配器111、第1基準ミラー141、第1変位変換器121及び第1検出器131で構成される。望ましくは、前記第1変位干渉計101では図3C及び図4Cで説明した変位干渉計が使われる。すなわち、前記第1変位変換器121は前記運動体150に付着して、前記第1光分配器111、前記第1基準ミラー141及び前記第1検出器131は前記光源100に対して固定された位置に設置される。この際、前記第1変位変換器121は前記第1測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に垂直の変位ΔDxを前記第1測定光線201の経路長さの変化ΔP1に変換させる。このために、図6A及び図6Bで説明された回折格子を含む光学装置が前記第1変位変換器121として使われることができる。
前記第2変位干渉計102は第2光分配器112、第2基準ミラー142、第2変位変換器122及び第2検出器132で構成される。前記光線は前記第2光分配器112で各々前記第2基準ミラー142及び前記第2変位変換器122に向けて進行する第2基準光線212及び第2測定光線202に分けられる。前記第2基準ミラー142及び前記第2変位変換器122は各々前記第2基準光線212及び前記第2測定光線202を前記第2光分配器112に反射させる。
一方、前記第2変位変換器122は前記運動体150のy方向変位ΔDyを前記第2測定光線202の経路長さの変化ΔP2に変換させる。また、前記第2基準ミラー142及び前記第2変位変換器122は各々前記第2基準光線212及び前記第2測定光線202を入射される方向の正反対方向に反射させることができるように配置されることが望ましい。このために、前記第2基準ミラー142及び前記第2変位変換器122は平面ミラー、コーナーチューブ、角反射ミラー及び再帰反射ミラーのうちの一つでありうる。結果的に、前記第2変位干渉計102は従来技術で使われる変位干渉計のうちの一つでありうる。
前記制御器500は前記第1及び第2検出器131、132で測定される光学的結果を利用して、前記運動体150の各方向での変位を計算する。この際、前記第2検出器132で測定される干渉パターンの変化は前記運動体150のy方向変位ΔDyによる結果である。これに比べて、前記第1検出器131で測定される干渉パターンの変化は、図3C及び図4Cで説明したように、前記運動体150のx方向変位ΔDxにy方向変位ΔDyが加えられた総変位値ΔD_totによる結果である。したがって、前記制御器500は前記運動体150のx方向変位ΔDxを求めるため、前記第1検出器131で測定した結果から得られる変位値ΔD_totから前記第2検出器132で測定した結果から得られるy方向変位ΔDyを引く過程を実行する。
前記光伝達係160は前記光源100と前記第1及び第2変位干渉計101、102の間には配置されて、前記光線を前記変位干渉計101、102に伝達する。この実施形態によると、前記光伝達係160は前記光源100から放出される光線を前記第1光分配器111及び第2光分配器112に進行する第1光線及び第2光線に分けるための光分配器161及び前記第1光線を前記第1光分配器111に反射させる反射ミラー162を含む。
図8は本発明による変位干渉計を具備するx−yステージシステムを説明するための図である。
図8を参照すると、この実施形態による変位干渉計システムは光源100、運動体150、第1変位干渉計101、第2変位干渉計102及び光伝達係160を具備する。前記第1変位干渉計101及び前記第2変位干渉計102は各々前記運動体150のx変位及びy変位を測定するための装置として、前記光源100に放出される光線を利用する。
前記第1変位干渉計101は第1光分配器111、第1基準ミラー141、第1変位変換器121及び第1検出器131で構成される。望ましくは、図3B及び図4Bで説明した変位干渉計が前記第1変位干渉計101として使用される。すなわち、前記第1変位変換器121、前記第1光分配器111及び前記第1基準ミラー141は前記運動体150に付着して、前記第1検出器131は前記光源100に対して固定された位置に設置される。この際、前記第1変位変換器121は前記第1測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に垂直の変位ΔDxを前記第1測定光線201の経路長さの変化ΔPxに変換させる。このために、図6A及び図6Bで説明された回折格子を含む光学装置が前記第1変位変換器121として使用されることができる。
一方、図7で説明した第2変位干渉計102及び光伝達係160はこの実施形態でも同一であるので、重複されない内容に対してだけ説明する。この実施形態で、前記光伝達係160を構成する前記反射ミラー162は図3B及び図4Bで説明されたもう一つの光分配器169に取り替えられることが望ましい。
この実施形態によると、前記運動体150のx変位及びy変位は各々前記第1変位干渉計101及び前記第2変位干渉計102を使って独立的に測定されることができる。特に、x変位を測定するために使われた前記第1変位干渉計101は回折格子を使うので、y方向の最大変位に相応する大きさのミラーを有する必要がないという長所がある。
図9は本発明による変位干渉計を具備するステージ位置制御システムを説明するための図である。
図9を参照すると、この実施形態による変位干渉計システムは光源100、運動体150、第1変位干渉計101、第2変位干渉計102、第3変位干渉計103、光伝達係160及び制御器500を具備する。この際、前記光源100及び前記運動体150は図3Aで説明した実施形態と同一である。
前記第1変位干渉計101は図3C及び図4Cで説明した変位干渉計、すなわち図7で説明された第1変位干渉計101が使われることができる。すなわち、前記第1変位干渉計101を構成する前記第1変位変換器121は前記運動体150に付着し、前記第1光分配器111、前記第1基準ミラー141及び前記第1検出器131は前記光源100に対して固定された位置に設けられる。この際、前記第1変位変換器121は前記第1測定光線201の進行方向(すなわち、y方向)に垂直の変位ΔDxを前記第1測定光線201の経路長さの変化ΔP1に変換させる。このために、図6A及び図6Bで説明された回折格子を含む光学装置が前記第1変位変換器121として使われることができる。
前記第2変位干渉計102は図7で説明した第2変位干渉計102が使われることができる。すなわち、前記第2変位変換器122は前記運動体150のy方向変位ΔDyを前記第2光分配器112から前記第2変位変換器122に向けて進行する第2測定光線202の経路長さの変化ΔP2に変換させる。
前記第3変位干渉計103は第3光分配器113、第3基準ミラー143、第3変位変換器123及び第3検出器133で構成される。
本発明の一実施形態によると、前記第3変位干渉計103は図7で説明された前記第1変位干渉計101と同一の構造を有することができる。図10Aに示したように、前記第3変位変換器123が透過型格子TG及び変位ミラーDMで構成される場合、前記第3変位変換器123は前記透過型格子TGから放出される1次回折光がx−y平面に対して式5によって記述される角度で進行されるように設けられる。この実施形態の変形例によると、図10Bに示したように、前記第3変位変換器123が反射型格子RGで構成される場合、前記第3変位変換器123は1次回折光が前記反射型格子RGから第3測定光線203の方向の正反対方向に回折されることができるように設けられる。
上述の実施形態において、前記第3変位干渉計123は前記運動体150のz変位ΔDzを前記第3測定光線203の経路長さの変化ΔP3に変換させる。前記第3測定光線203の経路長さの変化ΔP3は前記運動体150のz 方向の変位ΔDzを決めるために利用される。
一方、第1及び第3検出器131、133で測定される干渉パターンの変化は前記運動体150のy方向の変位による影響が含まれる。したがって、前記x変位及びz変位を決めるためには、図7で説明したように、前記第1及び第3検出器131、133で測定した結果から得られる変位値ΔDx_tot、ΔDz_totから前記第2検出器132で測定した結果から得られるy方向変位ΔDyを引く過程が必要である。このように実際x及びz変位を決めるためにy方向の変位を引く過程は前記制御器500で実行される。
本発明のもう一つの実施形態によると、前記第3変位干渉計103は図7で説明された前記第2変位干渉計102と同一の構造を有することができる。この実施形態によると、前記第2変位干渉計102と前記第3変位干渉計103は全部前記運動体150のy方向変位を測定することで、前記運動体150の左右搖れyawをモニタリングすることができる。このために、測定結果を分析した後、前記運動体150の運動を制御する前記制御器500が前記第2検出器132及び前記第3検出器133に電子的に連結される。
前記光伝達係160は前記光源100から放出される光線を前記第1、第2及び第3変位干渉計101、102、103に伝達するように、光分配器161、163及び反射ミラー162、164を具備する。前記光伝達係160の配置及び構造を多様に変更することができることは当業者において自明である。また、前記変位干渉計は基準光線に対する測定光線の光経路差を償うため、前記光分配器と変位変換器との間に配置される所定の補償板(図示しない)を具備することもできる。
図11は本発明による変位干渉計を具備するスキャン型露光装置を説明するための図である。
図11を参照すると、レティクル(reticle)304上に描かれた回路パターンは照明光学係340から入射される露光光(exposure light、300)を利用してウェーハ314上に形成されたフォトレジスト膜に転写される。通常、前記回路パターンは前記フォトレジスト膜に縮小露光される。例えば、前記フォトレジスト膜に形成される回路パターンの大きさは前記レティクル304に描かれた相応する回路パターンの大きさに比べて1/4倍でありうる。前記露光光300に対して前記レティクル304は一方向(例えば、y方向)に速力vで移動し、前記ウェーハ314は前記レティクル304の運動方向の反対方向(すなわち、−y方向)に速力v/mに移動する。この際、mは前記縮小露光倍率を意味する。
前記レティクル304はレティクル上部ステージ303上に配置され、前記レティクル上部ステージ303はレティクル下部ステージ302上に配置され、前記レティクル下部ステージ302はレティクル支持台301上に設けられる。前記レティクル上部ステージ303及び前記レティクル下部ステージ302はレティクルステージシステム309を構成する。前記レティクル支持台301は固定され、前記レティクル下部ステージ302は前記レティクル支持台301に対してy方向に移動することができ、前記レティクル上部ステージ303は前記レティクル下部ステージ302の上部で微細な範囲内でのみ移動することができる。
前記レティクルステージシステム309の一側には前記レティクル上部ステージ303の位置を測定するための複数個のレティクル変位干渉計305が配置される。前記レティクル変位干渉計305で測定された前記レティクル304の位置情報は制御器500に伝達される。前記制御器500は前記レティクル304が正しい運動をするように、前記レティクルステージシステム309の動作を制御する。
この実施形態によると、前記レティクル変位干渉計305は干渉光学係306及び変位変換器307を具備する。前記干渉光学係306は図3Aで説明した、前記光分配器111、前記基準ミラー141及び前記検出器131で構成される。前記変位変換器307は図7で説明された前記第1変位変換器121または前記第2変位変換器122のうちの一つでありうる。
スキャン型露光装置を使う場合、前記レティクル304は露光工程が進行される間完全な直線運動をしなければならない。しかし、図12に示したように、前記レティクル304がy方向に運動する間、yの位置に従って前記レティクル304のx方向の位置が変わる。すなわち、前記レティクル304のx方向変位ΔDxは前記レティクルのy座標の関数である。この場合、前記レティクル304がy方向に完璧な直線運動をするようにするためには、前記レティクル304のx変位ΔDxをモニタリングした後、これを補正する過程が必要である。
前記レティクル変位干渉計305のうちの一つは前記x方向の変位ΔDxをモニタリングするために設置される。この場合、前記変位変換器307は前記レティクル304のx方向変位をy方向に進行する測定光線の経路長さの差ΔPに変換させる前記第1変位変換器121であることが望ましい。
従来技術によると、前記x変位ΔDxをモニタリングすることができる干渉計を構成するためには、前記レティクル304の運動方向の最大変位Lyより大きいサイズの測定ミラーが必要であった。しかし、本発明によると、前記レティクル304の運動方向に垂直の方向の最大変位に相応する大きさの回折格子及び変位ミラーを使って前記x方向の変位ΔDxをモニタリングすることができる。前記垂直の変位ΔDxは前記運動方向の最大変位Lyに比べてずっと小さくて、本発明で使われる回折格子は低費用に製作されることができる。
一方、上述したように、スキャン型露光装置の縮小露光方式によって、前記ウェーハ314の運動長さに比べて前記レティクル304の運動長さが前記縮小露光倍率m倍だけさらに大きい。したがって、前記レティクルステージシステム309で要求される測定ミラーはウェーハステージシステム319で要求される測定ミラーより大きさでm倍さらに大きくならなければならない。このような点を考慮するとき、上述のように、前記レティクル変位干渉計305は少なくとも一つの前記第1変位変換器121を使うことが望ましい。
一方、前記変位変換器121は図6A及び図6Bで説明した透過型格子TG及び反射型格子RGを具備することができる。また、前記y方向の変位ΔDyをモニタリングするためには前記第2変位変換器122を使う図7乃至図9で説明した前記第2変位干渉計102が使われることができる。
前記ウェーハ314はウェーハ支持台310上に順次に積層された第1ウェーハステージ311、第2ウェーハステージ312及び第3ウェーハステージ313で構成されるウェーハステージシステム319の上部に真空吸着される。前記第1ウェーハステージ311は前記ウェーハ支持台310に対してy方向に移動でき、前記第2ウェーハステージ312は前記ウェーハ支持台310に対してx方向に移動でき、前記第3ウェーハステージ313は前記ウェーハ支持台310に対してz方向への移動及び回転移動ができる。
前記ウェーハステージシステム319の一側には前記第3ウェーハステージ313の位置を測定するための複数個のウェーハステージ干渉計315が配置される。前記ウェーハステージ干渉計315は干渉光学係316及び変位変換器317を具備する。前記干渉光学係316は図3Aで説明した前記光分配器111、前記基準ミラー141及び前記検出器131で構成される。前記変位変換器317は図7で説明された前記第1変位変換器121または前記第2変位変換器122のうちの一つでありうる。この実施形態によると、前記変位変換器317は前記第2変位変換器122であることが望ましい。
前記ウェーハステージ干渉計315で測定された前記ウェーハ314の位置情報は前記制御器500に伝達される。また、前記ウェーハ314が正しい移動をすることができるように、前記ウェーハステージシステム319には前記制御器500によって制御されるウェーハ駆動装置320が連結される。また、前記レティクルステージシステム309と前記ウェーハステージシステム319との間には、前記レティクル304に描かれた回路パターンに対する情報を含む露光光300を前記ウェーハ314に伝達する所定のレンズシステム330が配置される。
マイケルスン干渉計の基本構造を説明するための構成図である。 通常のX-Yステージシステム及びこのステージシステムの位置を測定するための変位干渉計を説明するための装置構成図である。 透過型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 透過型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 透過型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 反射型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 反射型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 反射型格子を使用する変位干渉計を具備する本発明の実施形態を説明するための装置構成図である。 回折格子で発生する回折現象を説明するための図である。 回折格子で発生する回折現象を説明するための図である。 回折格子で発生する回折現象を説明するための図である。 本発明の変位干渉計で変位が光経路差に変換される原理を説明するための図である。 本発明の変位干渉計で変位が光経路差に変換される原理を説明するための図である。 本発明による変位干渉計を具備する変位干渉計システムの実施形態を説明するための装置構成図である。 本発明による変位干渉計を具備する変位干渉計システムの実施形態を説明するための装置構成図である。 本発明による変位干渉計を具備する変位干渉計システムの実施形態を説明するための装置構成図である。 z方向の変位を測定するための変位干渉計の変位変換器を説明するための装置図である。 z方向の変位を測定するための変位干渉計の変位変換器を説明するための装置図である。 本発明による変位干渉計を具備するスキャン型露光装置を説明するための図である。 レティクルがy方向に運動することによって誘発されるx方向の変位を説明するための図である。
符号の説明
100 光源
111 光分配器
121 変位変換器
131 検出器
141 基準ミラー
150 運動体
201 測定光線
211 基準光線

Claims (30)

  1. 光線を発生させる光源と、
    前記光源に対して運動することができる運動体と、
    前記運動体の第1方向変位を測定するため、前記光線を利用する第1変位干渉計と、
    前記運動体の第2方向変位を測定するため、前記光線を利用する第2変位干渉計と具備し、
    前記第1変位干渉計は前記運動体の前記第1方向変位を前記第2方向で前記第1変位干渉計に入射される光線の経路差に変換させる第1変位変換器を具備し、
    前記第1変位干渉計は、
    前記光線を第1基準光線と前記第2方向に進行する第1測定光線とに分ける第1光分配器と、
    前記第1基準光線の進行方向を変更するための第1基準ミラーと、
    前記第1測定光線の進行方向を変更するための前記第1変位変換器と、
    前記方向変更された第1基準光線と第1測定光線を測定するための第1検出器とを具備し、
    前記第1光分配器、前記第1基準ミラー及び前記第1変位変換器は前記運動体に固定されて、前記運動体とともに運動することを特徴とする変位干渉計システム。
  2. 記第1変位変換器は前記運動体の前記第1方向の変位ΔD1を前記第1測定光線の経路差ΔP1に変換させることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  3. 前記第2変位干渉計は、
    前記光線を第2基準光線と前記第2方向に進行する第2測定光線とに分ける第2光分配器と、
    前記第2基準光線の進行方向を変更するための第2基準ミラーと、
    前記第2測定光線の進行方向を変更するための第2変位変換器と、
    前記方向変更された第2基準光線と第2測定光線を測定するための第2検出器とを具備し、
    前記運動体の第2方向の変位は前記第2測定光線の経路長さの変化の半分であることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  4. 前記第2光分配器、前記第2検出器及び前記第2基準ミラーは前記光源に対して固定された位置に配置され、
    前記第2変位変換器は前記運動体に固定されて前記運動体とともに運動することを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  5. 前記第1変位変換器は、
    透過型回折格子と、
    前記透過型回折格子に対して所定の第1勾配角β1を形成し、前記透過型回折格子から離隔されて配置される変位ミラーとを具備し、
    前記透過型回折格子及び前記変位ミラーは前記第1測定光線の経路差ΔP1、前記第1勾配角β1及び前記第1方向の変位ΔD1の間にΔP1=2・ΔD1・sinβ1の関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  6. 前記透過型回折格子は前記第1測定光線の進行方向に垂直に配置されることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  7. 前記透過型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記測定光線の進行方向がなす角度がαであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記変位ミラーの勾配角β1はarcsin(λ/d ― sinα)であることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  8. 前記第1変位変換器は前記第1測定光線の進行方向に対して所定の第1勾配角β1を形成しながら配置される反射型回折格子を具備し、
    前記反射型回折格子は前記第1測定光線の経路差ΔP1、前記第1勾配角β1及び前記第1方向の変位ΔD1の間にΔP1=2・ΔD1・tanβ1の関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  9. 前記反射型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記測定光線の進行方向に対する前記反射型回折格子の勾配角βはarcsin(λ/d)であることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  10. 前記光線は単一周波数レーザー、二重周波数レーザー、多重周波数レーザー、ラムレーザー、ゼーマンレーザー、インバートラムレーザー及びスペクトラル光線のうちの一つであることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  11. 前記第1方向と前記第2方向は互いに直交することを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  12. 前記運動体の第3方向の位置を測定するため、前記光線を利用する第3変位干渉計をさらに具備し、
    前記第3変位干渉計は、
    前記光線を第3基準光線と前記第2方向に進行する第2測定光線に分ける第3光分配器と、
    前記第3基準光線の進行方向を変更するための第3基準ミラーと、
    前記第3測定光線の進行方向を変更するための第3変位変換器と、
    前記方向変更された第3基準光線と第3測定光線を測定するための第3検出器とを具備し、
    前記第3変位変換器は前記運動体の前記第3方向の変位ΔD3を前記第3測定光線の経路差ΔP3に変換させることを特徴とする請求項に記載の変位干渉計システム。
  13. 前記第3光分配器、前記第3基準ミラー及び前記第3変位変換器は前記運動体に固定されて、前記運動体とともに運動することを特徴とする請求項12に記載の変位干渉計システム。
  14. 前記第3光分配器、前記第3検出器及び前記第3基準ミラーは前記光源に対して固定された位置に配置され、
    前記第3変位変換器は前記運動体に固定されて前記運動体とともに運動することを特徴とすることを特徴とする請求項12に記載の変位干渉計システム。
  15. 前記第3変位変換器は、
    透過型回折格子と、
    前記透過型回折格子に対して所定の第2勾配角β2を形成し、前記透過型回折格子から離隔されるように配置される変位ミラーとを具備し、
    前記透過型回折格子及び前記変位ミラーは前記第3測定光線の経路差ΔP3、前記第2勾配角β2及び前記第3方向の変位ΔD3の間にΔP3=2・ΔD3・sinβ2の関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項12に記載の変位干渉計システム。
  16. 前記透過型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記測定光線の進行方向がなす角度がαであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記変位ミラーの第2勾配角β2はarcsin(λ/d ― sinα)であることを特徴とする請求項15に記載の変位干渉計システム。
  17. 前記透過型回折格子は前記第3測定光線の進行方向に垂直に配置されることを特徴とする請求項15に記載の変位干渉計システム。
  18. 前記第3変位変換器は前記第3測定光線の進行方向に対して所定の第2勾配角β2を形成しながら配置される反射型回折格子を具備し、
    前記反射型回折格子は前記第3測定光線の経路差ΔP3、前記第2勾配角β及び前記第3方向の変位ΔD3の間にΔP3=2・ΔD3・tanβ2の関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項12に記載の変位干渉計システム。
  19. 前記反射型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記測定光線の進行方向に対する前記反射型回折格子の第2勾配角β2はarcsin(λ/d)であることを特徴とする請求項18に記載の変位干渉計システム。
  20. 光線を発生させる光源と、
    前記光源に対してy方向に運動することができるレティクルステージと、
    前記レティクルステージのx方向変位を測定するため、前記光線を利用する第1変位干渉計と、
    前記レティクルステージのy方向変位を測定するため、前記光線を利用する第2変位干渉計とを具備し、
    前記第1変位干渉計は前記レティクルステージのx方向変位をy方向で前記第1変位干渉計に入射される光線の経路差に変換させる第1変位変換器を具備し、
    前記第1変位干渉計は
    前記光線をx方向に進行する第1測定光線とy方向に進行する第1基準光線とに分ける第1光分配器と、
    前記第1基準光線の進行方向を変更するための第1基準ミラーと、
    前記第1測定光線の進行方向を変更するための前記第1変位変換器と、
    前記方向変更された第1基準光線と第1測定光線を測定するための第1検出器とを具備し、
    前記第1光分配器、前記第1基準ミラー及び前記第1変位変換器は前記レティクルステージに固定されて、前記レティクルステージとともに運動することを特徴とするスキャン型露光装置。
  21. 記第1変位変換器は前記レティクルステージのx方向の変位ΔDxを前記第1測定光線の経路差ΔPに変換させることを特徴とする請求項20に記載のスキャン型露光装置。
  22. 前記第2変位干渉計は、
    前記光線をx方向に進行する第2測定光線とy方向に進行する第2基準光線とに分ける第2光分配器と、
    前記第2基準光線の進行方向を変更するための第2基準ミラーと、
    前記第2測定光線の進行方向を変更するための第2測定ミラーと、
    前記方向変更された第2基準光線と第2測定光線を測定するための第2検出器とを具備し、
    前記レティクルステージのy方向変位は前記第2測定光線の経路長さの変化の半分であることを特徴とする請求項21に記載のスキャン型露光装置。
  23. 前記第2光分配器、前記第2検出器及び前記第2基準ミラーは前記光源に対して固定された位置に配置され、
    前記第2測定ミラーは前記レティクルステージに固定されて前記レティクルステージとともに運動することを特徴とする請求項22に記載のスキャン型露光装置。
  24. 前記第1変位変換器は、
    透過型回折格子と、
    前記透過型回折格子に対して所定の勾配角βを形成し、前記透過型回折格子から離隔されて配置される変位ミラーとを具備し、
    前記透過型回折格子及び前記変位ミラーは前記第1測定光線の経路差ΔP、前記勾配角β及び前記レティクルステージのx方向変位ΔDxの間にΔP=2・ΔDx・sinβの関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項21に記載のスキャン型露光装置。
  25. 前記透過型回折格子を構成する格子柄のピッチがdであり、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記測定光線の進行方向が成す角度がαであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記透過型回折格子の法線に対する前記変位ミラーの勾配角βはarcsin(λ/d ― sinα)であることを特徴とする請求項24に記載のスキャン型露光装置。
  26. 前記透過型回折格子は前記第1測定光線の進行方向に垂直に配置されることを特徴とする請求項24に記載のスキャン型露光装置。
  27. 前記第1変位変換器は前記第1測定光線の進行方向に対して所定の勾配角βを形成しながら配置される反射型回折格子を具備し、
    前記反射型回折格子は前記第1測定光線の経路差ΔP、前記勾配角β及び前記レティクルステージのx方向変位ΔDxの間にΔP=2・ΔDx・tanβの関係が成り立つように配置されることを特徴とする請求項21に記載のスキャン型露光装置。
  28. 前記反射型回折格子を構成する格子パターンのピッチがdであり、
    前記光線の波長がλである場合、
    前記測定光線の進行方向に対する前記反射型回折格子の勾配角βがarcsin(λ/d)であることを特徴とする請求項27に記載のスキャン型露光装置。
  29. 前記光線は単一周波数レーザー、二重周波数レーザー、多重周波数レーザー、ラムレーザー、ゼーマンレーザー、インバートラムレーザー及びスペクトラル光線のうちの一つであることを特徴とする請求項20に記載のスキャン型露光装置。
  30. 前記レティクルステージの下に配置されるレンズシステムと、
    前記レンズシステムの下に配置されるウェーハステージと、
    前記レティクルステージ及び前記レンズシステムを通過する露光光線を発生させる露光光源とをさらに具備することを特徴とする請求項20に記載のスキャン型露光装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3913252B2 (ja) * 2005-01-14 2007-05-09 沖電気工業株式会社 光時分割多重送信装置
EP2037487A4 (en) * 2006-06-09 2014-07-02 Nikon Corp APPARATUS WITH MOBILE BODY, APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES
KR100781985B1 (ko) * 2006-07-14 2007-12-06 삼성전자주식회사 변위 간섭계 시스템 및 그가 채용되는 노광설비
KR100885656B1 (ko) * 2007-03-09 2009-02-26 한국기계연구원 다중간섭현상을 이용한 미세패턴의 형성장치 및 방법
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5268529B2 (ja) * 2008-09-29 2013-08-21 キヤノン株式会社 変位計測装置及び半導体製造装置
GB0821015D0 (en) * 2008-11-18 2008-12-24 Univ Cranfield Apparatus and method
JP5421013B2 (ja) * 2009-07-28 2014-02-19 株式会社 光コム 位置決め装置及び位置決め方法
JP5560628B2 (ja) * 2009-09-04 2014-07-30 ソニー株式会社 検査装置および検査方法
US20110157595A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Yerazunis William S Rotary Interferometer
TWI401410B (zh) * 2010-04-26 2013-07-11 Nat Univ Chung Hsing Micro - shift optical measurement system
CN101922918B (zh) * 2010-07-08 2012-09-05 上海雷尼威尔测量技术有限公司 环境光自适应位移测量装置及其测量方法
CN102175141B (zh) * 2011-01-13 2013-06-12 清华大学 一种双路单频激光干涉仪
JP5743697B2 (ja) * 2011-05-06 2015-07-01 キヤノン株式会社 計測装置
JP5905729B2 (ja) * 2011-10-26 2016-04-20 Dmg森精機株式会社 変位検出装置
US9186470B2 (en) * 2012-02-08 2015-11-17 Apple Inc. Shape reflector and surface contour mapping
JP5936399B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-22 Dmg森精機株式会社 位置検出装置
JP5918592B2 (ja) * 2012-03-30 2016-05-18 Dmg森精機株式会社 位置検出装置
JP5959279B2 (ja) * 2012-04-06 2016-08-02 太陽誘電株式会社 変位計測方法及び変位計測装置
DE102012008745B4 (de) * 2012-05-04 2015-11-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung
KR101399971B1 (ko) * 2013-09-13 2014-06-27 (주)엘투케이플러스 레이저 빔의 초점 위치 조절 장치
US9255788B1 (en) * 2014-12-12 2016-02-09 Metal Industries Research & Development Centre Measuring method for linear stage
US9927723B2 (en) 2015-03-24 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification
US10094648B2 (en) 2016-06-30 2018-10-09 Keysight Technologies, Inc. Homodyne optical sensor system incorporating a multi-phase beam combining system
TWI629475B (zh) 2017-04-18 2018-07-11 財團法人工業技術研究院 非接觸式雙平面定位方法與裝置
WO2019025871A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Opher Kinrot OPTICAL SYSTEMS AND METHODS FOR ROTATION MOTION MEASUREMENT
CN107588728B (zh) * 2017-08-24 2019-10-29 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于扫描干涉场曝光系统的精密光栅位移测量系统及方法
US10890527B2 (en) * 2018-06-28 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. EUV mask inspection apparatus and method, and EUV mask manufacturing method including EUV mask inspection method
RU2767589C1 (ru) * 2020-11-16 2022-03-17 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук Устройство для измерения линейных и угловых перемещений, скоростей и ускорений объектов
CN112857207B (zh) * 2021-03-09 2022-12-16 哈尔滨工业大学 基于阵列式探测器的单光束三自由度零差激光干涉仪
CN114088215A (zh) * 2021-11-15 2022-02-25 中国科学院微电子研究所 多干涉仪组合应用安装调整装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2240968A1 (de) * 1972-08-21 1974-03-07 Leitz Ernst Gmbh Optisches verfahren zur messung der relativen verschiebung eines beugungsgitters sowie einrichtungen zu seiner durchfuehrung
US4436424A (en) * 1981-07-27 1984-03-13 Gca Corporation Interferometer using transverse deviation of test beam
DD234070A1 (de) 1985-01-18 1986-03-19 Ilmenau Tech Hochschule Interferometrische mehrkoordinatenmesseinrichtung
JPS62172203A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Agency Of Ind Science & Technol 相対変位測定方法
FR2598797B1 (fr) 1986-05-07 1990-05-11 Nippon Telegraph & Telephone Procede de mesure et/ou d'ajustement du deplacement d'un objet et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede
US4870289A (en) 1987-09-25 1989-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer
JP3295846B2 (ja) * 1989-06-08 2002-06-24 株式会社ニコン 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置
JPH04179115A (ja) * 1990-11-08 1992-06-25 Nec Kyushu Ltd 縮小投影露光装置
US6111645A (en) 1991-04-29 2000-08-29 Massachusetts Institute Of Technology Grating based phase control optical delay line
EP0536655B1 (en) * 1991-10-03 1996-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Measuring method and measuring apparatus
JP3339630B2 (ja) 1993-04-02 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置
JPH07270119A (ja) * 1994-03-21 1995-10-20 Nikon Corp 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置
DE19615616A1 (de) 1996-04-19 1997-10-23 Stiftung Fuer Lasertechnologie Vorrichtung zur optischen Kohärenzmessung
DE19721884C1 (de) 1997-05-26 1998-06-04 Bosch Gmbh Robert Interferometrische Meßvorrichtung
US6020964A (en) * 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
JP3413122B2 (ja) 1998-05-21 2003-06-03 キヤノン株式会社 位置決め装置及びこれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法
JP2000088513A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Nikon Corp 非球面波発生レンズ系組立調整装置
KR100288072B1 (ko) * 1998-11-04 2002-02-28 김춘호 집적광학소자를이용한변위측정장치
DE19933290A1 (de) 1999-04-09 2001-03-08 Campus Technologies Ag Zug Vorrichtung und Verfahren zur optischen Spektroskopie
US6639686B1 (en) * 2000-04-13 2003-10-28 Nanowave, Inc. Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams
JP2001307983A (ja) 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US6583873B1 (en) * 2000-09-25 2003-06-24 The Carnegie Institution Of Washington Optical devices having a wavelength-tunable dispersion assembly that has a volume dispersive diffraction grating
DE10125785A1 (de) * 2001-05-26 2002-11-28 Zeiss Carl Verfahren zur Absolutkalibrierung eines Interferometers
US6912054B2 (en) 2001-08-28 2005-06-28 Zygo Corporation Interferometric stage system
KR100436055B1 (ko) 2001-11-14 2004-06-12 주식회사 하이닉스반도체 레티클 스테이지
DE10256273B3 (de) * 2002-12-03 2004-03-18 Carl Mahr Holding Gmbh Interferenzoptische Formmesseinrichtung mit Phasenschiebung
DE10256278A1 (de) 2002-12-03 2004-06-24 Daimlerchrysler Ag Federsystem für Fahrzeuge, insbesondere Personenkraftwagen
EP1583934A1 (en) 2002-12-12 2005-10-12 Zygo Corporation In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle

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