JP5361946B2 - 位置センサ及びリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
伝搬方向と、放射ビームの伝搬方向に垂直で、互いに垂直な方向として画定された第1及び第2の回折方向とを有する放射ビームを照射するように構成された光源と、
放射ビームを、回折のために、第1の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも第1の回折ビーム内に回折するように構成された第1の格子と、
第1の回折ビームの光路内に配置され、第1の格子で回折された第1の回折ビームを、回折によって、第1の回折方向に垂直な第2の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも第2の回折ビーム内に回折するように構成された第2の格子であって、ターゲットに接続された第2の格子と、
第1の格子によって回折された第1の回折ビームの少なくとも一部を検出するように構成された第1の検出器と、
第1の格子と第2の格子によって回折された第2の回折ビームの少なくとも一部を検出するように構成された少なくとも1つの第2の検出器と
を含む位置センサが提供される。
伝搬方向と、放射ビームの伝搬方向に垂直で、互いに垂直な方向として画定された第1及び第2の回折方向とを有する放射ビームを照射するように構成された光源と、
第1の回折方向の放射ビームを、回折のために、第1の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも第1の回折ビーム内に回折するように構成された第1の格子と、
回折ビームを第1の格子へ反射して第1の格子によって再び回折する第1のレトロリフレクタと、
第1の格子によって回折されたビームの少なくとも一部を検出するように構成された少なくとも1つの検出器とを含み、
第1のレトロリフレクタは、第1の格子の第1の伝搬方向に沿って見て実質的に同じ位置に入射するように回折ビームを反射するように構成された位置センサが提供される。
1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は「基板支持体」がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」に対する基板テーブルWT又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (20)
- ターゲットの位置データを測定するように構成された位置センサであって、
伝搬方向を有する放射ビームを提供するように構成された放射源と、
前記放射ビームを、前記伝搬方向に実質的に垂直な第1の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも第1の回折ビーム内に回折するように構成された第1の格子と、
前記第1の回折ビームの光路内に配置され、前記第1の格子で回折された前記第1の回折ビームを、前記第1の回折方向と前記伝搬方向とに実質的に垂直な第2 の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも第2の回折ビーム内に回折するように構成された第2の格子であって、前記ターゲットに接続された第2の格子 と、
前記第1の格子によって回折された前記第1の回折ビームの少なくとも一部を検出するように構成された第1の検出器と、
前記第1の格子と前記第2の格子によって回折された前記第2の回折ビームの少なくとも一部を検出するように構成された第2の検出器と、
を備える位置センサ。 - 第1のレトロリフレクタと、
前記第1の格子による少なくとも1つの1次回折と、前記第2の格子によるゼロ次回折とを介して前記放射源から前記第1のレトロリフレクタまで提供された順方向光路と、
前記第2の格子によるゼロ次回折と、前記第1の格子による少なくとも1つの1次回折とを介して前記第1のレトロリフレクタから前記第1の検出器まで提供された逆方向光路と、
をさらに備える請求項1に記載の位置センサ。 - 前記第1のレトロリフレクタが、前記入射する1次回折ビームを反射して前記第1の回折方向に沿って前記第1の格子上の実質的に同じ位置に入射させるように構成される、
請求項2に記載の位置センサ。 - 第2のレトロリフレクタと、
前記第1の格子による少なくとも1つの1次回折と、前記第2の格子による1次回折とを介して前記放射源から前記第2のレトロリフレクタまで提供された第2の順方向光路と、
前記第2の格子による1次回折と、前記第1の格子による少なくとも1つの1次回折とを介して前記第2のレトロリフレクタから前記第2の検出器まで提供された第2の逆方向光路と、
をさらに備える請求項2又は3に記載の位置センサ。 - 2つの第2の格子と、2つの第2の検出器とを備える、
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の位置センサ。 - 前記第1の格子が、2次元格子である、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の位置センサ。 - 干渉計をさらに備え、
前記干渉計の入力ビームが、前記第1の格子のゼロ次回折ビームによって提供される、
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の位置センサ。 - 前記干渉計が、デュアルビームスプリッタと、デュアル干渉計レトロリフレクタとを備え、
前記干渉計ビームを前記ターゲット上で2回反射するように構成される、
請求項7に記載の位置センサ。 - 前記干渉計が、前記ビームを前記ターゲット上で少なくとも3回反射する複数のビームスプリッタを備える、
請求項7に記載の位置センサ。 - 前記第1の格子によって回折された前記1次回折ビームを前記ターゲットの透過部分を通して伝送するように配置される、
請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の位置センサ。 - パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するように配置されたリソグラフィ装置であって、
ステージと、
前記ステージの位置を測定するように構成された請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の少なくとも1つの位置センサと、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記位置センサを少なくとも2つ備え、
各々の前記位置センサが、前記ステージの位置を測定するように構成される、
請求項11に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置センサを少なくとも4つ備える、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 前記位置センサを少なくとも6つ備える、
請求項12に記載のリソグラフィ装置。 - 透過部分を有するターゲットの位置データを測定するように構成された位置センサであって、
伝搬方向を有する前記放射ビームを提供するように構成された放射源と、
前記ターゲットの前記透過部分の一表面に設けられており、且つ、第1の回折方向の前記放射ビームを、前記伝搬方向に実質的に垂直な第1の回折方向に伝搬方向成分を有する少なくとも1つの回折ビーム内に回折するように構成された第1の格子と、
前記ターゲットの前記透過部分の他の表面に設けられた予備の格子と、
前記回折ビームを前記第1の格子及び前記予備の格子へ反射して前記第1の格子及び前記予備の格子によって再び回折される第1のレトロリフレクタと、
前記第1の格子及び前記予備の格子によって回折された前記ビームの少なくとも一部を検出するように構成された検出器と、
を備え、
前記第1のレトロリフレクタが、前記回折ビームを反射して前記第1の回折方向から見て前記第1の格子上の実質的に同じ位置に入射させるように構成される、
位置センサ。 - 前記放射源、前記検出器及び前記第1のレトロリフレクタが、基準構造に接続される、
請求項15に記載の位置センサ。 - 前記ターゲットの前記一表面に提供された反射面を備える、
請求項16に記載の位置センサ。 - 前記ターゲットの前記透過部分は、周囲の媒体の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記透過部分が前記1次回折ビームの光路内に位置する、
請求項16に記載の位置センサ。 - 前記第1の検出器が、フォトダイオードを備え、検出されたビームの強度を表す出力信号を提供するように構成される、
請求項15から18のいずれか一項に記載の位置センサ。 - 前記回折ビームの光路長の変化及び/又は位相差を検出するように構成される、
請求項15から19のいずれか一項に記載の位置センサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35299910P | 2010-06-09 | 2010-06-09 | |
US61/352,999 | 2010-06-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011257394A JP2011257394A (ja) | 2011-12-22 |
JP5361946B2 true JP5361946B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=45095994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011124078A Expired - Fee Related JP5361946B2 (ja) | 2010-06-09 | 2011-06-02 | 位置センサ及びリソグラフィ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8736815B2 (ja) |
JP (1) | JP5361946B2 (ja) |
KR (1) | KR101264798B1 (ja) |
CN (1) | CN102314092B (ja) |
NL (1) | NL2006743A (ja) |
TW (1) | TWI448831B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE102006042743A1 (de) | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
NL1036080A1 (nl) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Position measurement system and Lithographic Apparatus. |
US8111377B2 (en) | 2008-01-10 | 2012-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with an encoder arranged for defining a zero level |
-
2011
- 2011-05-09 NL NL2006743A patent/NL2006743A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-05-11 US US13/105,731 patent/US8736815B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-25 CN CN201110147873.1A patent/CN102314092B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-27 TW TW100118720A patent/TWI448831B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-02 JP JP2011124078A patent/JP5361946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-09 KR KR1020110055736A patent/KR101264798B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI448831B (zh) | 2014-08-11 |
CN102314092B (zh) | 2014-10-08 |
US8736815B2 (en) | 2014-05-27 |
US20110304839A1 (en) | 2011-12-15 |
TW201207572A (en) | 2012-02-16 |
NL2006743A (en) | 2011-12-12 |
CN102314092A (zh) | 2012-01-11 |
KR20110134856A (ko) | 2011-12-15 |
JP2011257394A (ja) | 2011-12-22 |
KR101264798B1 (ko) | 2013-05-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121024 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |