JP4799533B2 - 半導体加速度センサ - Google Patents

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Description

本発明は、自動車や航空機等の輸送機器や携帯電話等の携帯機器等の機器に搭載されてその加速度や衝突等の測定に用いられる半導体加速度センサに関する。
従来の半導体加速度センサは、シリコンからなる矩形の枠状の固定部に、十字状に配置された可撓部により、揺動可能に支持された重錘部と、固定部の4隅に形成され、重錘部の上方への移動を制限するストッパとを有するセンサチップを、枠状の有底のケースとその上面に取付けられた平板状の蓋とで形成される空間に収納して構成され、ストッパに重錘部を衝突させて、重錘部の上方への過大な変位を制限することにより、過大な加速度によるセンサチップの破損を防止している(例えば、特許文献1参照。)。
また、センサチップの加速度検出試験を行う場合に、重錘部の上方への移動を制限するためのストッパとして機能する制御部材の下面に電極層を形成すると共に、これに対向する可撓部の上面にも電極層を形成し、対向する電極層間に同極性または異極性の電化を印加し、これにより生ずるクーロン力による反発力または引力を利用して可撓部を変形させ、これによるセンサチップからの信号出力を用いてセンサチップの試験を行っているものがある(例えば、特許文献2参照。)。
特開2002−198243号公報(主に第5頁段落0020−0025、第7頁段落0041、0044、第1図、第2図) 特開平3−200038号公報(主に第8頁左上欄−第9頁右上欄、第9図、第12図)
しかしながら、上述した従来の特許文献1の技術においては、固定部の4隅に設けたストッパに重錘部を衝突させて、重錘部の上方への過大な変位を防止しているため、半導体加速度センサに過大な加速度が印加されて重錘部がストッパに衝突したときに、重錘部とストッパとが凝着してしまう場合があり、凝着が生ずると、物理的な衝撃を加える以外に凝着状態を解除する手段がなく、センサチップからの信号出力が固定されて加速度の検出ができなくなるという問題がある。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、半導体加速度センサに過大な加速度による重錘部とストッパとの凝着が生じたときに、その凝着状態を自動的に解除する手段を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するために、有底のケースと、前記ケースの上面に取付けられた蓋と、前記ケースと蓋とにより形成された空間に収納され、枠状の固定部と、前記固定部の中央に可撓部により揺動可能に支持された重錘部と、前記重錘部の上方への移動を制限するストッパとを有するセンサチップと、を備えた半導体加速度センサであって、前記蓋を磁性材料で形成すると共に、前記蓋の周囲を少なくとも1巻する第1のコイルを設け、前記蓋の下面に対向する前記重錘部の上面の中央部に、1以上の巻数を有する第2のコイルを設けたことを特徴とする。
これにより、本発明は、重錘部とストッパとの間に凝着が生じた場合に、第1および第2のコイルに電流を流して、重錘部とストッパとの間に反発力を生じさせることができ、半導体加速度センサに過大な加速度による重錘部とストッパとの凝着が生じたときに、反発力を用いて凝着状態を自動的に解除することができるという効果が得られる。
以下に、図面を参照して本発明による半導体加速度センサの実施例について説明する。
図1は実施例の半導体加速度センサの断面を示す説明図、図2は実施例の半導体加速度センサの組立状態を示す説明図、図3は実施例のセンサチップの上面を示す説明図、図4は実施例の半導体加速度センサの制御系統を示す説明図である。
なお、図1に示すセンサチップの断面は、図3に示すA−A断面線に沿った断面で示してある。
図1、図2において、1は半導体加速度センサである。
2はケースであり、セラミック材料等で形成された底板3を有する有底の枠状部材であって、矩形の底板3の周囲を囲う枠状に形成された側壁4には、その開口側の上面4aから、底板3側に形成された内部端子5に達するスルーホールに埋込まれた導電プラグ6が形成されており、底板3と側壁4とで囲まれた内側の空間がセンサチップ10や制御チップ20を収納するチップ収納空間として機能する。
7は蓋であり、磁性材料の薄板で形成された板状部材であって、ケース2の側壁4の上面4aに接着剤等の接合部材で接合されており、その周囲の側面には、エナメル線等の被服導線が巻き付けられて、1巻の第1のコイル8が形成され、その両端部はそれぞれケース2の側壁4の上面4aに露出している導電プラグ6の端面(図2参照)に電気的に接続される。
これらの蓋7と第1のコイル8とにより、有心の第1の電磁石9aが形成される。
上記のセンサチップ10は、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸からなる3軸の加速度成分をピエゾ抵抗素子11で形成されたブリッジ回路12(図4参照)の平衡状態の変化を利用して出力するセンサである。
図3において、13はセンサチップ10の固定部であり、センサチップ10の周縁部を形成するシリコン(Si)からなる略正方形の有底の枠状部材であって、その内側には十字状に配置された薄いシリコンからなる可撓部14に釣り下げられた重錘部15が揺動可能に収容されている。
本実施例の重錘部15は、固定部13の内側の中央部に配置された略正方形の錘支持部15aの各隅部に、4つの錘部15bを形成して構成され、その錘支持部15aは可撓部14に接続して、その上面は固定部13の上面、可撓部14の上面と面一に形成されており、錘部15bの上面は、錘支持部15aの上面より1段低く形成されている(図1参照)。
また、固定部13の4つ辺の中央にそれぞれ固定された可撓部14には、それぞれブリッジ回路12を形成するためのピエゾ抵抗素子11(図2における図示は省略)が形成されている。
16はコアであり、重錘部15の錘支持部15aの上面の中央部に接着等により取付けられた磁性材料からなる矩形の薄板であって、その周囲にはアルミニウム(Al)等の導電材料で形成されたメタル配線からなる1巻以上(本実施例では、2.5巻)の第2のコイル17が形成され、その両端部はそれぞれ可撓部14上に形成された接続配線18に接続している。
これらのコア16と第2のコイル17とにより、有心の第2の電磁石9bが形成される。
本実施例の第2のコイル17は、発生させる磁界に応じて、錘支持部15aの上面の一部または全部に形成される。
19はストッパであり、固定部13の内側の4つの隅部に、それぞれの隅を頂点とする直角3角形状に形成されており、図1に示すように、その下面は重錘部15の錘部15bの上面と、所定の隙間C(本実施例では、2〜5μm)を介して対向しており、センサチップ10に印加された過大な加速度により、重錘部15が上方に移動したときに、1ないし4の錘部15bが衝突させて、可撓部14に過大な変形が生じることを防止する。
図1、図4において、20はLSI(Large Scale Integrated circuit)等の制御チップであり、ケース2の底板3上に接着剤等により形成された接着層21により接合され、その上面にはセンサチップ10の下面が接着剤等により形成された接着層22により接合されている。
図4において、23は制御チップ20の制御部であり、制御チップ20内の各部を制御して凝着解除処理等を実行する。
24は記憶部であり、制御部23が実行するプログラムやそれに用いる各種のデータおよび制御部23による処理結果等が格納される。
25は時計部であり、水晶発振器等を有する周波数発生器等を備えており、発生した周波数を基に時間を計数して制御部23へ出力する機能を有している。
26は増幅器であり、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向のそれぞれの加速度検出用に形成されたブリッジ回路12が内部接続され、これらの信号出力を増幅する機能を有しており、DAコンバータ27、ADコンバータ28を介して制御部23に接続している。
また、制御部23には、外部端子29(図2参照)を介して外部との信号の送受を行うためのインタフェース回路31や、第1のコイル8および第2のコイル17へ電流を供給するための電流発生回路32が接続している。
更に、制御部23は、本実施例の半導体加速度センサ1を搭載した上位装置として図示しない機器の主制御部と通信可能に接続されている。
上記の構成の半導体加速度センサ1を組立てる場合は、図1、図2に示すように、制御チップ20の下面をケース2の底板3上の中央部に接着層21により接合し、その制御チップ20の上面にセンサチップ10を接着層22により接合して積層し、ワイヤボンディングにより、制御チップ20の図示しないパッドと、内部端子5および外部端子29に接続する図示しない内部端子とを金(Au)等の導電材料で形成されたワイヤ34で電気的に接続して、ケース2のチップ収納空間にセンサチップ10を積層した制御チップ20を設置し、ケース2の側壁4の上面4aに、周囲に、第1のコイル8を形成した蓋7の下面を接合部材で接合して取付け、第1のコイル8の両端部を、それぞれケース2の側壁4の上面4aの導電プラグ6の端面に半田等によりに電気的に接続する。
これにより、図1に示す、蓋7の下面と、重錘部15の錘支持部15aの上面とが所定の間隔K(本実施例では、30〜200μm)を介して対向する半導体加速度センサ1が組立てられると共に、図4に示す制御系統が結線される。
上記の制御チップ20の記憶部24には、センサチップ10からのX軸、Y軸、Z軸用のブリッジ回路12の信号出力を検出して、そのいずれかの信号出力が、正負の接近判定値の範囲外となったときに、信号出力が範囲外となっている維持時間を計測し、計測した維持時間が異常判定時間以上となった場合に、重錘部15とストッパ19との凝着を判定して、第1および第2のコイル8、17に、互いを反発させる方向に磁界を形成する電流を供給する機能を有する凝着解除処理プログラムが予め格納されており、制御部23が実行する凝着解除処理プログラムのステップにより本実施例の半導体加速度センサ1のハードウェアとしての各機能手段が形成される。
また、記憶部24には、重錘部15のストッパ19への接近を検出するための接近判定値、重錘部15の上面とストッパの下面とが凝着したことを判定するための異常判定時間、および凝着が解除されないことを判定するための不解除判定時間が予め設定されて格納されている。
本実施例では、接近判定値として、重錘部15の上面とストッパの下面とが当接したときの最大信号出力の70〜90%の範囲の加速度の正負の信号出力(本実施例では約±80%に相当する±2.5G)が設定され、異常判定時間として1秒、不解除判定時間として1秒が設定されている。
以下に、図5にSで示すステップに従って、本実施例の半導体加速度センサにおける凝着解除処理の作動について説明する。
制御チップ20へ電源が投入されると、制御チップ20の記憶部24に格納されている凝着解除処理プログラムが自動的に起動される。
S1、凝着解除処理プログラムが起動すると、制御部23は、記憶部24に格納されている接近判定値を読出し、センサチップ10からの信号出力を検出しながら、検出した信号出力と、正負の接近判定値とを比較し、信号出力が正負いずれかの接近判定値を超える接近判定値の範囲外(正の接近判定値以上、負の接近判定値以下の領域をいう。)となるのを待って待機し、信号出力が接近判定値の範囲外となったときにステップS2へ移行する。
信号出力が接近判定値の範囲内の場合は、前記の待機を継続する。
S2、信号出力が正負いずれかの接近判定値を超えたことを認識した制御部23は、記憶部24に格納されている異常判定時間を読出すと共に、時計部25により、信号出力が接近判定値の範囲外となったときからの維持時間Tの計測を開始してステップS3へ移行する。
S3、維持時間Tの計測を開始した制御部23は、時計部25により、信号出力が接近判定値の範囲外となっている維持時間Tを計測しながら、計測した維持時間Tが読出した異常判定時間以上となるのを待って待機し、維持時間Tが異常判定時間以上となったときに、重錘部15とストッパ19との間に凝着が生じたことを判定してステップS4へ移行する。
維持時間Tが異常判定時間に達する前に、信号出力が、範囲外となったときに超えた正または負の接近判定値を通過して、接近判定値の範囲内になった場合は、正常作動と判定してステップS1へ戻って、上記の処理を継続する。
この様子を、図6に示す時間経過に伴う信号出力の変化のグラフを用いて説明すると、運転の開始後に、最初に正の接近判定値を超えた場合の維持時間T1と、次に負の接近判定値を超えた場合の維持時間T2とは、ともに異常判定時間未満であるので、正常運転と判定され、維持時間T2を計測した後に、再び正の接近判定値を超えた場合の維持時間Tは異常判定時間以上であるので、凝着が生じたと判定される。
このような凝着は、例えば、図7に示すように、X軸方向またはY軸方向に過大な加速度が印加され、重錘部15の錘部15bの固定部13側の角部が、ストッパ19の下面に衝突したとき等に生ずる。
S4、凝着が生じたことを判定した制御部23は、電流発生回路32により、蓋7の周囲に形成された第1のコイル8および重錘部15の錘支持部15aの上面のコア16の周りに形成された第2のコイル17へ、互いを反発させる方向に磁界を形成するための電流、例えば、図2に示す第1のコイル8には、上面から見て時計方向に、第2のコイル17には、上面から見て反時計方向に流れるように電流を供給する。
これにより第1および第2のコイル8、17の間に生じた反発力を用いて、重錘部15とストッパ19との凝着は解除可能となる。
この場合に、制御チップ20の凝着解除処理に用いない演算回路等は、その作動を停止させるようにするとよい。このようにすれば、第1および第2のコイル8、17による磁界により発生する電磁誘導による電流の影響を抑制することが可能になる。
そして、制御部23は、記憶部24に格納されている不解除判定時間を読出し、時計部25により、凝着を判定したときからの経過時間を計測しながら、計測した経過時間が読出した不解除判定時間以上となるのを待って待機し、経過時間が不解除判定時間以上となったときに、重錘部15とストッパ19との凝着の解除不能を判定してステップS6へ移行する。
経過時間が不解除判定時間に達する前に、信号出力が、接近判定値の範囲外となったときに超えた正または負の接近判定値を通過して、接近判定値の範囲内になった場合は、凝着が解除されたことを判定して、第1および第2のコイル8、17への電流の供給を停止し、ステップS1へ戻って上記の処理を継続する。
S6、凝着の解除不能を判定した制御部23は、第1および第2のコイル8、17への電流の供給を停止すると共に、凝着発生の旨を記した凝着発生通知を図示しない上位装置の主制御部へ送信して、凝着解除処理を終了させる。
このようにして、本実施例の凝着解除処理が実行される。
以上説明したように、本実施例では、ケースの上面に取付けられた磁性材料からなる蓋の周囲に第1のコイルを設けると共に、ケースと蓋とにより形成されたチップ収納空間に収納されたセンサチップの、蓋の下面に対向する重錘部の上面の中央部に第2のコイルを設けたことによって、重錘部とストッパとの間に凝着が生じた場合に、第1および第2のコイルに電流を流して、重錘部とストッパとの間に反発力を生じさせることができ、半導体加速度センサに過大な加速度による重錘部とストッパとの凝着が生じたときに、反発力を用いて凝着状態を自動的に解除することができる。
また、センサチップからの信号出力が接近判定値の範囲外となったときに、接近判定値の範囲外となっている維持時間Tを計測し、その維持時間Tが異常判定時間以上となった場合に、重錘部とストッパとの間に凝着が生じたことを判定するので、瞬間的な異常状態を排除して、凝着状態を容易に、かつ確実に判定することができる。
なお、上記実施例においては、重錘部の上面の第2のコイルに囲まれた領域に磁性材料からなるコアを設けるとして説明したが、コアの設置を省略するようにしてもよい。
また、上記実施例においては、第1のコイルは1巻であるとして説明したが、2巻以上であってもよい。
更に、制御チップは、ケースの内部に配置するとして説明したが、ケース外に制御チップを配置して、外部端子を介して信号出力の検出や、第1および第2のコイルへの電流の供給を行うようにしてもよい。
実施例の半導体加速度センサの断面を示す説明図 実施例の半導体加速度センサの組立状態を示す説明図 実施例のセンサチップの上面を示す説明図 実施例の半導体加速度センサの制御系統を示す説明図 実施例の凝着解除処理を示すフローチャート 実施例のセンサチップの信号出力の変化を示すグラフ 実施例のセンサチップの凝着状態を示す説明図
符号の説明
1 半導体加速度センサ
2 ケース
3 底板
4 側壁
4a 上面
5 内部端子
6 導電プラグ
7 蓋
8 第1のコイル
9a 第1の電磁石
9b 第2の電磁石
10 センサチップ
11 ピエゾ抵抗素子
12 ブリッジ回路
13 固定部
14 可撓部
15 重錘部
15a 錘支持部
15b 錘部
16 コア
17 第2のコイル
18 接続配線
19 ストッパ
20 制御チップ
21、22 接着層
23 制御部
24 記憶部
25 時計部
26 増幅器
27 DAコンバータ
28 ADコンバータ
29 外部端子
31 インタフェース回路
32 電流発生回路
34 ワイヤ

Claims (4)

  1. 有底のケースと、
    前記ケースの上面に取付けられた蓋と、
    前記ケースと蓋とにより形成された空間に収納され、枠状の固定部と、前記固定部の中央に可撓部により揺動可能に支持された重錘部と、前記重錘部の上方への移動を制限するストッパとを有するセンサチップと、を備えた半導体加速度センサであって、
    前記蓋を磁性材料で形成すると共に、前記蓋の周囲を少なくとも1巻する第1のコイルを設け、
    前記蓋の下面に対向する前記重錘部の上面の中央部に、1以上の巻数を有する第2のコイルを設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。
  2. 請求項1において、
    前記ケースの底面と、前記センサチップとの間に、前記第1および第2のコイルへ供給する電流を制御する制御チップを配置したことを特徴とする半導体加速度センサ。
  3. 有底のケースと、
    前記ケースの上面に取付けられた磁性材料からなる蓋と、
    前記蓋の周囲を少なくとも1巻する第1のコイルと、
    前記ケースと蓋とにより形成された空間に収納され、枠状の固定部と、前記固定部の中央に可撓部により揺動可能に支持された重錘部と、前記重錘部の上方への移動を制限するストッパと、前記蓋の下面に対向する前記重錘部の上面の中央部に、1以上の巻数を有する第2のコイルとを有するセンサチップと、
    前記ケースの底面と、前記センサチップとの間に配置され、前記第1および第2のコイルへ供給する電流を制御する制御チップと、を備えた半導体加速度センサであって、
    前記制御チップは、
    前記重錘部と、前記ストッパとの凝着を判定するための異常判定時間と、前記重錘部の、前記ストッパへの接近を検出するための正負の接近判定値とを格納する手段と、
    前記センサチップからの信号出力を検出する手段と、
    前記信号出力が、前記接近判定値の範囲外となったときに、前記接近判定値の範囲外となっている維持時間を計測する手段と、
    前記維持時間が、前記異常判定時間以上となった場合に、前記第1および第2のコイルに、互いを反発させる方向に磁界を形成する電流を供給する手段と、を備えることを特徴とする半導体加速度センサ。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
    前記重錘部の上面の、第2のコイルに囲まれた領域に、磁性材料からなるコアを設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。
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