JP4796601B2 - 電子部品用コンタクタの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は電子部品用コンタクタの製造方法に係り、特にワイヤボンディング技術を利用して形成されたバンプをコンタクト電極として使用する電子部品用コンタクタの製造方法に関する。

近年、ＬＳＩデバイス等の電子部品（以下、代表してＬＳＩデバイスを例に挙げる）の高集積化，高密度実装化の勢いは著しく、ＬＳＩデバイスの電極（外部接続端子）自身も当然、微細化、多ピン化する傾向にある。

このような微細な電極を多数有するデバイスに対し、複数の電極に一括でコンタクトできるコンタクタの供給は大変困難なものとなってきており、デバイスの開発と同時に準備しておかねばならない重要な技術になりつつある。

具体的には、例えばＣＳＰ(Chip Size Package) 等のバッケージングされたＬＳＩデバイスは、端子ピッチが狭く、従来のソケットの技術では安定したコンタクト性が安価に得られずに深刻な課題となっている。しかし、これにも増して深刻なのは、パッケージングされていない状態のＬＳＩ，即ちベアチップへのコンタクト、或いはウエハー状態のＬＳＩへのコンタクトである。

このようにベアチップ状のＬＳＩデバイスは、携帯機器（携帯電話、携帯端末、テレビ一体型ビデオなど）の小型・軽量化のために、直接機器の基板に実装される方向にある。また、高速性能の観点から複数のベアチップ状のＬＳＩデバイスを組み込んだＭＣＭ(Multi Chip Module) が提供されているが、このＭＣＭの信頼性を向上させる面より、ベアチップやウエハー状態のＬＳＩデバイスを試験すること（ＫＧＤ：Known Good Die) が避けて通れない。

しかし、これらベアチップやウエハー等のＬＳＩデバイスの電極は、狭ピッチな上に、特にウエハーに関しては膨大なコンタクト数が必要なため、従来のソケットや針式のプローブカードのように、機械的な個々のバネを組み込むようなコンタクタでは技術的に対応が出来ない。

一方、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)の分野においても、端子の狭ピッチ化が進み、また膨大な端子数であるため、一括コンタクトできるコンタクタの提供が、前述したＬＳＩデバイスと同様、深刻な課題になってきている。

そこで、近年ではメンブレン式コンタクタとよばれるものが提案され、また提供されつつある（例えば、特許文献１参照）。図４０は、このメンブレン式コンタクタ１（以下、単にコンタクタという）の一例を示している。このコンタクタ１は、ポリイミド（ＰＩ）等の電気絶縁性を有した絶縁基板２上に銅（Ｃｕ）等の金属層の電極パッド４を形成し、このパッド４上に例えばメッキ法を用いて金属突起を形成し、この金属突起をコンタクト電極３として使用する構成とされている。

コンタクト電極３の材料としては、主としてＮｉが用いられることが多いが、コンタクト電極３としての性能を考えてこのＮｉの突起の上に、Ａｕメッキを施すのが一般的である。また、このコンタクタ１の外部から電気信号のやりとりを行うための外部接続端子（図示せず）は絶縁基板２の外周部に設けられており、外部接続端子とコンタクト電極３は、電極パッド４及び図示しない配線層を介して接続されている。

上記構成とされたコンタクタ１は、個々に準備した機械的な板ばねや針状のプローブ端子を狭ピッチに組み込む従来のＬＳＩソケット，プローブカードに比べ、メッキ技法でコンタクト電極３を形成するためコンタクト電極３を狭ピッチ化でき、位置精度も出しやすいというメリットがある。また、多数のコンタクト電極３を同時に形成できるため、多極化したほうが有利というメリットがある。更にファンアウトする配線部も合わせて持っているので、狭ピッチデバイスへのコンタクトに対しては大変有効なものである。
特開平８−３０６７４９号公報

しかし、上記のコンタクタ１（メンブレン式コンタクタ）には、下記のような課題がある。
（ａ）メンブレン式のコンタクタ１は製造コストが高い。

上記のように、メンブレン式のコンタクタ１は、メッキ製法を使ってコンタクト電極３を形成しているため、突起の成長に大変時間が係る（具体的には、最低でも４時間程度必要になる）。このため生産手番が長く、これに起因してコンタクタ１の製造コストが上昇してしまう。また、同様の理由により量産性に乏しく、生産性を上げるにはメッキ槽を増設したり、メッキの際に用いるマスクの増設をせねばならず膨大な設備投資と、立ち上げ期間が必要となってしまう。
（ｂ）生産手番が長いため、ＬＳＩデバイスの量産立ち上げに追従した供給ができない。

ベアチップやウエハーの端子のレイアウトは、パッケージング後のそれと異なり、個々のデバイスにより、また供給するデバイスメーカにより異なり汎用性がない。また、ＤＲＡＭに代表されるように、生産性を上げるためチップサイズのシュリンク化が随時行われる（世代交代）。

この点から、ベアチップやウエハーのコンタクタは開発期間、製造手番ともに短くないと必要な時期に手に入らないことになる。しかるに、従来のメンブレン式コンタクタは開発手番，製造手番が共に長く、ＬＳＩデバイスの量産立ち上げ時期／増産時にコンタクタの製造能力が追従できないという問題点がある。
（ｃ）電極形状の自由度が小さい。

通常、メッキ製法でコンタクト電極３を形成した場合、その形状はコンタクト面がフラットな平面状形状か、或いは半球形状のものが一般的である。

ところで、ＬＳＩデバイスの端子（チップ、ウエハーではＡ１パッドが主流でパッケージング後は半田が主流）の表面には、ＬＳＩデバイスの製造過程等においてその表面に酸化膜が形成されることが知られている。この酸化膜は電気的に絶縁性を有した膜であるため、コンタクタ１に装着した際、酸化膜が原因となってコンタクト電極３と良好な電気的接続が行われないおそれがある。

よって、良好な電気的接続を可能とするためには、ＬＳＩデバイスの端子表面に形成された酸化膜を破って接続する必要がある。具体的には、コンタクト電極３の形状を針状に尖った形状や、或いは部分的に突起を有した形状とすることが望ましい。これにより、コンタクト電極３と端子との接触面積は小さくなり面圧を高めることができるため、コンタクト電極３は酸化膜を破って端子と接続することが可能となる。

しかるに、上記のようにメッキ製法でコンタクト電極３を形成した場合、これらの酸化膜を破ることができる形状にコンタクト電極３を形成することが困難であった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、電子部品の端子に高い信頼性を持って接続できると共に、低コストでかつ生産性の向上を図りうる電子部品用コンタクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題は、本発明の第１の観点からは、電子部品に形成されている端子が圧接されることにより電気的に接続されるコンタクト電極を絶縁基板に形成された電極パッド上に形成し電子部品用コンタクタを製造する電子部品用コンタクタの製造方法において、
少なくとも、前記コンタクト電極となる導電部材を保持する保持機構と前記導電部材を前記電極パッドに接合する接合機能とを有するヘッドを用い、前記導電部材を前記保持機構により保持しつつ前記ヘッドを移動させることにより、前記導電部材を前記電極パッド上に搬送する搬送工程と、前記ヘッドにより前記導電部材を前記電極パッド上に接合する接合工程と、キャビティ部が形成された加圧ツールにて前記導電部材に対し成形処理を行うことにより、前記コンタクト電極を形成する成形工程と、前記加圧ツールと前記コンタクト電極との間に電圧を印加し放電を発生させることにより前記コンタクト電極の表面に硬化処理を行う表面硬化工程とを有することを特徴とする電子部品用コンタクタの製造方法により解決することができる。

また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、表面硬化工程において、加圧ツールに振動を与え、該振動により前記加圧ツールがコンタクト電極を叩くことにより前記コンタクト電極の表面に硬化処理を行っても解決することができる。

上述の如く本発明によれば、成形処理の終了後または成形処理と同時に、コンタクト電極の表面を硬化させる表面硬化処理を実施する表面硬化工程を行うことにより、端子の圧接時におけるコンタクト電極の変形発生を防止でき信頼性の向上を図ることができる。また、端子に酸化膜が形成されていてもこれを破って接続することが可能となり、電気的接続性を向上させることができる。

次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。

次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。

図１は、本発明の第１実施例である電子部品用コンタクタ１０Ａ（以下、単にコンタクタという）と、本発明の第１実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。尚、以下の説明においては、電子部品として微細端子４１を有したＬＳＩデバイス４０（図５参照）を用いた場合を例に挙げると共に、コンタクタ１０ＡをこのＬＳＩデバイス４０の試験に適用する例について説明するものとする。

先ず、図１（Ｃ）を用いて第１実施例であるコンタクタ１０Ａの構成について説明する。コンタクタ１０Ａは、大略すると絶縁基板１１Ａ，電極パッド１２Ａ，及びコンタクト電極１６Ａよりなる極めて簡単な構成とされている。

絶縁基板１１Ａは、例えばポリイミド（ＰＩ）等の絶縁性樹脂により形成されたシート状の部材であり、よって所定の可撓性を有した構成とされている。この絶縁基板１１Ａの上部には、電極パッド１２Ａが形成されている。この電極パッド１２Ａは例えば銅（Ｃｕ）により形成されており、図示しない配線により絶縁基板１１Ａの外周位置に形成された外部端子（例えば、ＬＳＩテスターに接続される）まで引き出された構成とされている。

また、コンタクト電極１６Ａは、後に詳述するようにワイヤボンディング技術を用いて形成されたスタッドバンプにより構成されている。このように、コンタクト電極１６Ａをスタッドバンプにより構成することにより、従来の機械的ばねを組み込んだＬＳＩソケットやばね式プローバに比べ、格段に狭ピッチ化を図ることができる。

また、図４０を用いて説明した従来のメンブレン式コンタクタ１のように、コンタクト電極１６Ａをメッキ成長で生成するのでなく、導電材料のワイヤ１４を電極パッド１２Ａに接合して形成するため、コンタクト電極１６Ａとなるバンプ（突起電極）の形成が極めて短時間で行え、かつＬＳＩデバイス４０の端子４１にコンタクトするのに有利な形状のコンタクト電極１６Ａを容易に得ることが可能となる。

更に、コンタクト電極１６Ａを電極パッド１２Ａを介して支持する絶縁基板１１Ａは弾性変形可能な構成とされているため、ＬＳＩデバイス４０の端子高さ及びコンタクト電極１６Ａの高さにバラツキが生じていたとしても、絶縁基板１１Ａが弾性変形（可撓）することによりこれを吸収することができる。よって、端子４１とコンタクト電極１６Ａとの電気的接続を、高い信頼性をもって行うことができる。

続いて、上記構成とされたコンタクタ１０Ａの製造方法について説明する。

コンタクタ１０Ａを製造するには、図１（Ａ）に示されるように、先ず予め絶縁基板１１Ａ上に電極パッド１２Ａ（配線及び外部端子４１も含む）を形成しておく。そして、図１（Ｂ）に示されるように、圧着ヘッド１３を電極パッド１２Ａに向け移動させ、超音波溶接法を用いてワイヤ１４を電極パッド１２Ａにワイヤボンディングする。

続いて、図１（Ｃ）に示されるように、ワイヤ１４をクランプした状態で圧着ヘッド１３を上動させ（引き上げて）、ワイヤ１４を引きちぎる。これにより、中央部が凸になったスタッドバンプ、即ちコンタクト電極１６Ａが形成される。以上の処理を行うことにより、コンタクタ１０Ａは形成される。

このように、コンタクタ１０Ａの製造は、既存の技術であるワイヤボンディング技術を利用して行うことができる。即ち、半導体装置の製造プロセスで広く用いられているワイヤボンディング装置を用いてコンタクト電極１６Ａを形成することができるため、新たに設備を要することはなく、設備コストの低減を図ることができる。

また、形成されるコンタクト電極１６Ａの大きさ、高さは、ワイヤ径やボンディング条件（ボンディング時にワイヤの先端に作るボールの径を変えたり、パッドへのボンディング圧力、温度、超音波振動のパワー、印加時間）を変えることによりバンプ形状を操作し、ＬＳＩデバイス４０の条件にあわせることが可能である。

また、図１（Ｃ）に示されるように、ワイヤ１４が引きちぎられたコンタクト電極１６Ａの先端は、引っ張りによって破断した部分であるため先端が細くなっている。このため、ＬＳＩデバイス４０に形成された端子４１が微細である場合、この微細端子４１へのコンタクト電極１６Ａの接続を有利に行うことができる。このコンタクト電極１６Ａの先端径は、端子４１とコンタクトすることにより若干潰されて径は太るが、平均するとφ１５〜２０μm 程度の細い針状のコンタクト電極を実現することができる。

また、コンタクト電極１６Ａの中央部に形成された凸の先端部は、ワイヤ１４が引きちぎられた先破断面であるため細かい凹凸が形成され、よってその面状態は粗となっている。このため、ＬＳＩデバイス４０の端子４１とコンタクト電極１６Ａとの実質的な接触面積が減り、小さい力でも先端部に形成された各凸部が強い圧力で端子４１にコンタクトする。このため、端子表面に酸化膜（絶縁性を有している膜）が形成されていてもこれを確実に突き破ることができ、安定したコンタクト性を得ることができる。

ここで、コンタクト電極１６Ａの材料に注目し、以下説明する。

コンタクト電極１６Ａの材料は、そのままワイヤ１４の材料となる。本実施例では、このコンタクト電極１６Ａ（ワイヤ１４）の材料として、ＬＳＩデバイス４０に形成された端子４１の材料よりも硬度の高い材料を用いている。この端子４１とコンタクト電極１６（ワイヤ１４）の具体的な組み合わせとしては、次のような組み合わせが考えられる。
（ａ）端子４１としてアルミ端子を用いた場合は、コンタクト電極１６（ワイヤ１４）の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）よりも硬い、金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），パラジウム（Ｐｄ），ニッケル（Ｎｉ）等、或いは上記した各金属を主成分とする合金を用いることができる。
（ｂ）端子４１として半田バンプを用いた場合には、コンタクト電極１６（ワイヤ１４）の材料としては半田よりも硬い材料を選定すればよく、殆どの導電性金属及びそれを主成分とする合金を用いることができる。一例を挙げれば、アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），半田合金等を用いることができる。ここで、半田合金の一例を次に列記する。

Ｐｂ−Ａｇ／Ｐｂ−Ｂｉ／Ｐｂ−Ｓｂ／Ｐｂ−Ｓｎ−Ｂｉ／Ｐｂ−Ｓｎ−ＳｂＰｂ−Ｉｎ／Ｓｎ−３Ａｇ
上記のように、コンタクト電極１６Ａ（ワイヤ１４）の材料として、ＬＳＩデバイス４０の端子４１の材料よりも硬度の高い材料を用いることにより、端子４１が多ピン化し、これに伴いコンタクト圧が増大してもコンタクト電極１６Ａが潰れることを防止することができる。

即ち、通常コンタクタ１０Ａには多数の電ＬＳＩデバイス４０が装着脱され、よって各コンタクト電極１６Ａには繰り返し端子４１が接続されることとなる。また、近年では端子４１の多ピン化が進んでおり、よって当然のことながらコンタクト圧は増大する係合にある。よって、仮にコンタクト電極の材料が端子の材料に対して軟らかい場合を想定すると、繰り返し接続を行うことによりコンタクト電極が潰れて端子との接続が良好に行われないおそれがある。

しかるに、本実施例の構成とすることにより、コンタクト圧が増大してもコンタクト電極１６Ａが潰れることを防止することができる。よって、コンタクト電極１６Ａの耐久性は向上し、繰り返し接続処理を行ってもコンタクト電極１６Ａが潰れるようなことはなく、高い信頼性を有した接続を維持することができる。

また、コンタクト電極１６Ａ（ワイヤ１４）の材料は、前記したものに限定されるものではなく、コンタクト電極１６Ａの耐久性を向上しうる他の材料としては、(A)VIII 族金属元素に含まれるいずれかの金属,(B)VIII族金属元素に含まれるいずれかの金属を主成分として含むVIII族金属系合金,(C)金（Ａｕ）を主成分として含む合金,(D)金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金等を用いることができる。

また、前記した説明から明らかなように、本実施例で適用可能なコンタクト電極１６Ａの材料は、ワイヤとすることが必要である。よって、この点を考慮すると上記した各材料の内、特に有望な材料としては、パラジウム（Ｐｄ），ニッケル（Ｎｉ），ロジウム（Ｒｈ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）−銀（Ａｇ）合金等が挙げられる。

次に、本発明の第２実施例であるコンタクタについて説明する。

図２は、第２実施例であるコンタクタ１０Ｂを示している。本実施例に係るコンタクタ１０Ｂは、絶縁基板１１Ｂの端子４１と対応する位置に上下に貫通する開口部１７を形成すると共に、この開口部１７を塞ぐよう電極パッド１２Ｂを形成し、更にこの電極パッド１２Ｂの上部に開口部１７内に位置するようコンタクト電極１６Ｂを形成したことを特徴とするものである。

尚、絶縁基板１１Ｂ，電極パッド１２Ｂ，及びコンタクト電極１６Ｂの材料及び形成方法は、前記した第１実施例と同様である。また、開口部１７の形成は、プレス加工，エッチング加工，レーザ加工等により形成することができる。

本実施例の構成に係るコンタクタ１０Ｂは、コンタクト電極１６Ｂが開口部１７の内部に位置しているため、ＬＳＩデバイス４０をコンタクタ１０Ｂに押圧した際、ＬＳＩデバイス４０は絶縁基板１１Ｂの上面と当接することにより係止され、それ以上の押圧は絶縁基板１１Ｂにより規制される。よって、必要以上にコンタクト電極１６Ｂに加圧力が印加されることを防止でき、コンタクト電極１６Ｂに変形が発生することを防止することができる。

次に、本発明の第３実施例であるコンタクタ、及び本発明の第２実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。尚、図３において、図１に示した第１実施例に係るコンタクタ１０Ａの構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。また、以下説明する各実施例についても同様とする。

図３（Ｂ）は、第３実施例であるコンタクタ１０Ｃを示している。本実施例に係るコンタクタ１０Ｃは、電極パッド１２Ａ上に、第１バンプ１８Ａと第２バンプ１９Ａを積層した構成のコンタクト電極１６Ｃを形成したことを特徴としている。

本実施例では、第１バンプ１８Ａの形状と第２バンプ１９Ａの高さ及び形状は、共に等しくなるよう形成している。尚、本実施例では、第１及び第２バンプ１８Ａ，１８Ｂの二つのバンプ積層した構成としているが、この積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上の構成としてもよい。

この構成のコンタクタ１０Ｃを製造するには、図３（Ａ）に示されるように、先ず電極パッド１２Ａの上部にワイヤ１４をワイヤボンディングして第１バンプ１８Ａを形成する（第１バンプ形成工程）。続いて、この第１バンプ形成工程の終了後、図３（Ｂ）に示すように、第１バンプ１８Ａの上部に前記第１バンプ形成工程で用いたと同材料のワイヤ１４をワイヤボンディングし、第１バンプ１８Ａと略同一形状の第２バンプ１９Ａを第１バンプ１８Ａ上に形成する（第２バンプ形成工程）。

このように、本実施例の製造方法によれば、第１及び第２バンプ１８Ａ，１９Ａは、共にワイヤボンディング技術を用いて形成することが可能である。このため、コンタクタ１０Ｃを容易に形成することができ、また新たな製造設備を不要とすることができる。

上記した本実施例に係るコンタクタ１０Ｃでは、各バンプ１８Ａ，１８Ｂを積層することにより、コンタクト電極１６Ｃの高さを第１及び第２実施例で示したコンタクタ１０Ａ，１０Ｂに比べて高くすることができる。このように、コンタクト電極１６Ｃを高くしたことによる作用効果について、以下説明する。

例えば、コンタクタ１０Ｃのようなメンブレン式コンタクタの場合、各コンタクト電極１６Ｃはスタッドバンプであり、電極自身がばね性をあまり持たない構成である。よって、絶縁基板１１Ａの下側（コンタクト電極と反対の面）にゴム等の弾性体シート２０（図５参照）を敷くケースが多い。

そして、コンタクト時に印加される圧力がコンタクト電極１６Ｃに加わると、コンタクト電極１６Ｃの形成位置のみが沈みつつ、弾性体シート２０の弾性反力で押し返す作用が生まれるよう構成している。

これにより、個々のコンタクト電極１６の高さにバラツキが存在し、またＬＳＩデバイス４０の端子４１に平面度のバラツキが存在しても、この各種バラツキを弾性体シート２０の変形で吸収するよう構成している。

ところで、上記の使用態様の場合、コンタクト電極１６Ｃの高さがあまり低いと、コンタクト電極１６Ｃが沈んだ際にコンタクト電極１６Ｃの頂上部分と絶縁基板１１Ａの上面との高さが変わらなくなってしまう。この場合、絶縁基板１１ＡがＬＳＩデバイス４０の底面（端子４１が形成されている面）に触れてしまう等の不具合が生じ、安定したコンタクト性が得られないばかりか、ＬＳＩデバイス４０に傷をつけてしまう危険性がある。

しかるに、本実施例のように、第１及び第２バンプ１８Ａ，１９Ａを積層した構成とすることにより、コンタクト電極１６Ｃの高さを高くすることができ、上記した従来のコンタクタで発生していた問題を解決することができる。

また、図４０に示した従来のメンブレン式コンタクタ１において、コンタクト電極３の高さを高くしようとした場合、従来ではコンタクト電極３をメッキ製法で形成していたため、高背のコンタクト電極を形成するには膨大なメッキ成長時間が必要となる。また、メッキ製法では高さ方向だけに成長させることが難しく、コンタクト電極全体が大きく（平面方向も大きく）なってしまうという問題点がある。更に、コンタクト電極の大きさ（高さ）のばらつきも大きくなり、メンブレン式コンタクタとしての歩留りが著しく悪化してしまう。

これに対し、本実施例に係るコンタクタ１０Ｃでは、数回に渡りスタッドバンプ１８Ａ，１９Ａを重ねて圧着し積層することにより、容易にコンタクト電極１６Ｃの高さを高くすることができる。またコンタクト電極１６Ｃの高さは、バンプの積層数を適宜選定することにより任意に選定することができる。

次に、本発明の第４実施例であるコンタクタについて説明する。

図４は、第４実施例であるコンタクタ１０Ｄを示している。

本実施例に係るコンタクタ１０Ｄは、図３に示した第３実施例に係るコンタクタ１０Ｃと類似した構成とされている。しかるに、第３実施例に係るコンタクタ１０Ｃが第１バンプ１８Ａと第２バンプ１９Ａとを同一構成としたのに対し、本実施例に係るコンタクタ１０Ｄでは、第１バンプ１８Ｂと、その上部に形成される第２バンプ１９Ｂの材料，形状（大きさ）等を異ならせたことを特徴としている。

材料を変える例としては、下部に位置する第１バンプ１８Ｂを金（Ａｕ）で形成し、その上部に形成される第２バンプ１９Ｂをパラジウム（Ｐｄ）により形成する構成が考えられる。この構成は、Ａｕ線のほうが柔らかく均一な高さのバンプを形成しやすいため下部の第１バンプ１８Ｂの材料に採用し、ＬＳＩデバイス４０とコンタクトする上側の第２バンプ１９Ｂは硬度の高いＰｄを採用し、突起部の変形を避けようとする例である。

また、ＬＳＩデバイス４０によっては、端子４１が半田で形成されているため、金（Ａｕ）と接触すると（特にバーンイン試験のように、高温下で長時間接触していると、）Ａｕ−Ｓｎ合金がＬＳＩデバイス４０の端子４１に生成されてしまい、試験後のＬＳＩデバイス４０の実装性を損なうケースがある。このような場合も、直接デバイスに触れる部分だけ、別材料を用いることが有用である。

一方、形状／大きさを変える例として、下側に位置する第１バンプ１８Ｂを大きなバンプで形成し、上側に位置する第２バンプ１９Ｂを小さいバンプで形成することが考えられる（図４に示した構成例）。

この構成とされたコンタクタ１０Ｄによれば、コンタクト電極１６Ｄの強度、高さを確保しつつ、ＬＳＩデバイス４０の端子４１にコンタクトする凸部分（上部に位置する第２バンプ１９Ｂ形成される）を極力小さくすることができ、微細端子４１への対応を有利とすることができる。

尚、本実施例においても、バンプ１８Ｂ，１９Ｂを２層積層した構成を例に挙げて説明したが、バンプの積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上形成してもよいことは勿論である。

次に、本発明の第５実施例であるコンタクタについて説明する。

図５は、第５実施例であるコンタクタ１０Ｅを示しており、図５（Ａ）はコンタクタ１０Ｅの側面図、図５（Ｂ）はコンタクタ１０Ｅの平面図である。

本実施例においても、絶縁基板１１Ａはポリイミド（ＰＩ）の薄膜で作られており、この上面には銅（Ｃｕ）膜よりなる電極パッド１２Ａが形成されている。このように、絶縁基板１１Ａをポリイミド樹脂からなる薄膜で形成すると共に、電極パッド１２Ａを銅（Ｃｕ）膜により形成したことにより、コンタクタを汎用されている材料により形成できるためコスト低減を図ることができる。

また、本実施例では、絶縁基板１１Ａの裏に例えばゴムシートよりなる弾性体シート２０が配設されており、ＬＳＩデバイス４０の装着時にコンタクト圧を受けるとコンタクト電極１６Ａの下付近の弾性体シート２０が圧縮されてたわみながら反力を発生する構成となっている。

また、図５（Ｂ）に示されるように、絶縁晩１１Ａの上面には、コンタクト電極１６Ａの電気信号を外部（ＬＳＩテスター等）に取り出すための外部端子２２と、この外部端子２２と電極パッド１２Ａとを接続する配線２１が形成されている。このコンタクト電極１６Ａ，配線２１，及び外部端子２２は、同一のＣｕ膜をエッチング等で不要部分を除去することにより形成されている。

続いて、本発明の第３実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図６は、第３実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例では、先ず図１を用いて説明したと同様の方法により、電極パッド１２Ａの上部に圧着ヘッド１３を用いてワイヤ１４をワイヤボンディングし、バンプ２５を形成する（バンプ形成工程）。図６（Ａ）は、電極パッド１２Ａの上部にバンプ２５が形成された状態を示している。

前記した第１実施例に係るコンタクタの製造方法では、このようにして形成されたバンプ２５をそのままコンタクト電極１６Ａとして用いていた。これに対し、本実施例の製造方法では、図６（Ｂ）に示されるように、バンプ形成工程の終了後に加圧ツール（成形ツール）２３Ａを用い、バンプ２５に成形処理を行い所定形状のコンタクト電極１６Ｅを形成する工程（成形工程）を設けていることを特徴とする。この加圧ツール２３Ａの材料は、バンプ２５の材料（即ち、ワイヤ１４の材料）よりも硬い材料に選定されている。

このように、バンプ形成工程において電極パッド１２Ａ上にバンプ２５を形成した後、加圧ツール２３Ａを用いてこのバンプ２５に対し成形処理を行うことにより、コンタクト電極１６Ｅの形状を所定形状に高精度に成形することができ、ＬＳＩデバイス４０の端子４１とコンタクト電極１６Ｅとの電気的接続を良好に行うことができる。また、コンタクト電極１６Ｅに高さバラツキが発生することを抑制できるため、これによっても端子４１との電気的接続性を向上させることができる。

本実施例で用いている加圧ツール２３Ａは、絶縁基板１１Ａ上に複数高密度に形成された各バンプ２５に対し、一つずつ成形処理を行う構成としている。また、成形時において隣接するバンプ２５に触れないよう、加圧ツール２３Ａの先端形状は、先細形状とされたものを用いている。

これにより、高密度（狭ピッチ）で形成されている複数のバンプ２５の各々について、精度の高い成形処理を行うことができる。よって、バンプ形成工程において、形成された各バンプに形状差（例えば、高さバラツキ等）が存在するような場合であっても、均一な形状とされたコンタクト電極１６Ｅを確実かつ容易に形成することが可能となる。

また、本実施例では、加圧ツール２３Ａに図示しない超音波振動子或いはヒーターを配設することにより、加圧ツール２３Ａに加圧力だけでなく、同時にバンプ２５を軟化させるエネルギーを印加しうるよう構成している。

このように、加圧力に加えて、バンプ２５を軟化させるエネルギーを加圧ツール２３Ａを介してバンプ２５に印加し成形処理を行うことにより、バンプ２５が軟らかい状態で成形処理を行うことが可能となり、加圧力を低減しても確実に成形処理を行うことができる。また、バンプ２５が軟化することにより成形性が向上するため、所定形状のコンタクト電極１６Ｅを容易かつ確実に形成することができる。

尚、ここで加圧ツール２３Ａが印加する圧力は、実際にコンタクタとして使用する際に印加されるコンタクト圧よりも大きくしておくことが望ましく、この構成とすることにより、実際にＬＳＩデバイス４０をコンタクタに装着したときに発生するコンタクト電極１６Ｅの変形を小さくすることができる。

次に、本発明の第６実施例であるコンタクタ、及び第４実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図７は、第６実施例であるコンタクタ、及び第４実施例であるコンタクタの製造方法を示す図である。

本実施例に係るコンタクタ１０Ｆは、絶縁基板１１Ａ上に複数個形成されたコンタクト電極１７Ｆの高さが、同一高さに高精度に設定された構成となっている。このように、各コンタクト電極１７Ｆの高さを均一化するため、本実施例に係る製造方法では、その成形工程において、複数のバンプに一括的に接触する平面度の高い成形面を有したレベリングツール２６Ａ（成形ツール）を用い、複数形成された各バンプに対して一括的に高さを揃える成形処理（以下、レベリング処理という）を行うこととした。

このレベリングツール２６Ａを用いてレベリング処理を行うことにより、複数のバンプを一括して成形して同一高さのコンタクト電極１６Ｆを成形することができるため、成形処理の効率を向上させることができる。

本実施例によるレベリング処理では、バンプが潰されるため、バンプ形成時にその先端部分に形成された凸部は潰れて径が太りやすい欠点はあるが、各コンタクト電極１６Ｆの高さが正確によく揃うことと、短時間で行える利点がある。

また、本実施例において、レベリングツール２６Ａを各バンプに向け押圧する力は、バンプの形成数にあわせて設定するが、前述したように実際にコンタクタとして使用する際に印加されるコンタクト圧よりも大きくしておくことが望ましい。具体的には、例えばコンタクト圧を１０ｇ／ｐｉｎとした場合、レベリング力は『１５ｇ×ピン数』等に設定する。

次に、本発明の第５実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図８は、第５実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例における製造方法では、先ず電極パッド１２Ａの上部にワイヤ１４をワイヤボンディングして第１バンプ１８Ｃを形成する（第１バンプ形成工程）。

続いて、図８（Ａ）に示すように、図７を用いて説明したレベリングツール２６Ａを用い、絶縁基板１１Ａ上に形成された複数形成された第１バンプ１８Ｃの上面を一括的に平坦化する成形処理を実施する（成形工程）。そして、この成形工程の終了後、第１バンプ１８Ｃの上部に圧着ヘッド１３を用いて第２バンプ１９Ｃを形成し、コンタクト電極１６Ｇを形成する（第２バンプ形成工程）。

本実施例の製造方法によれば、成形工程を実施することにより、第１バンプ１８Ｃの上面をレベリングツール２６Ａを用いて平坦化し、その後に第２バンプ形成工程において第１バンプ１８Ｃの上部に第２バンプ１９Ｃを形成することとしたため、第２バンプ１９Ｃは平坦面とされた第１バンプ１８Ｃの上部に形成（ボンディング）することができる。

よって、第２バンプ１９Ｃの第１バンプ１８Ｃに対する接合性を向上させることができ、第１バンプ１８Ｃと第２バンプ１９Ｃを強固に接合させることができる。よって、複数のバンプ１８Ｃ，１９Ｃを積層した構成のコンタクト電極１６Ｇであってもその機械的強度は高く、よってコンタクト電極１６Ｇの信頼性を向上させることができる。

尚、本実施例においても、バンプ１８Ｃ，１９Ｃを２層積層した構成を例に挙げて説明したが、バンプの積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上形成してもよい。この際、最上部に位置するバンプを除き、他のバンプに対しては成形処理を行うことが効果的である。

次に、本発明の第７乃至第１０実施例であるコンタクタ、及び第６乃至第８実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図９は第７実施例であるコンタクタ及び第６実施例であるコンタクタの製造方法を示し、図１０は第８実施例であるコンタクタ及び第７実施例であるコンタクタの製造方法を示し、図１１は第９実施例であるコンタクタ及び第８実施例であるコンタクタの製造方法を示している。各実施例は、コンタクタ１０Ｇ〜１０Ｉの基本構成を等しくし、また製造方法においてもその基本的な製造手順は同じであるため、先ず各実施例の共通的な特徴について一括的に説明し、その後に個々の実施例で異なる点について説明するものとする。

各実施例に係る製造方法では、成形工程において、加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄとしてバンプ（各図で、成形処理後のコンタクト電極１６Ｈ〜１６Ｊのみを示している）の中央位置に対向する位置に凹んだキャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄが形成されると共に、バンプの外周部を押圧する押圧部３８Ａ〜３８Ｃが形成されたものを用いたことを特徴としている。

更に、各加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄは、超音波振動子或いはヒーター等が配設されることにより、加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄに加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーをも印加しうる構成とされている。

上記構成とされた加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄを用い、バンプに対し上記のエネルギーを印加しつつ加圧処理を行うと、バンプの外周部は潰され、これに伴いキャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄと対向するバンプの中央部分は押し上げられることとなる。

この際、加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄには加圧力だけでなくバンプを軟化させるエネルギーが印加されているためバンプは軟化しており、よって加圧力により外側部分のバンプ材料は容易にキャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄの内部に押し上げられる。よって、各キャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄ内は軟化したバンプ材料で満たされることとなり、各キャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄの形状に高精度に対応した形状を有したコンタクト電極１６Ｈ〜１６Ｊを成形することができる。

これにより、成形処理後における各コンタクト電極１６Ｈ〜１６Ｊにバラツキが発生することを抑制することができ、均一かつ高精度なコンタクト電極１６Ｈ〜１６Ｊを得ることができる。また、各キャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄの深さを大きく設定しておくことにより、バンプ形成時に形成される凸部（図１参照）に比べ、成形後のこの凸部の高さを高くすることも可能である（バンプ材料がキャビティ部２４Ｂ〜２４Ｄ内に押し上げられるため）。

図９（Ａ）に示した実施例は、加圧ツール２３Ｂの中央部分に円錐台状のキャビティ部２４Ｂを形成することにより、中央部分に円錐台状の凸部が形成されたコンタクト電極１６Ｈを示している。この構成では、コンタクト電極１６Ｈの先端部が凸状となるため、微細な端子４１との接続が可能となる。

また、図９（Ｂ）は、加圧ツール２３Ｃの中央部分に円錐形状のキャビティ部２４Ｃを形成することにより、中央部分に円錐形状の凸部が形成されたコンタクト電極１６Ｉを示している。この構成では、図９（Ａ）に示したコンタクト電極１６Ｈに比べ、コンタクト電極１６Ｈの先端部を更に尖った形状とすることが可能となり、更に微細化された端子４１に対応することが可能となる。

更に、図９（Ｃ）は、加圧ツール２３Ｄの中央部分に段差状のキャビティ部２４Ｄを形成することにより、中央部分に段差を有した凸部が形成されたコンタクト電極１６Ｊを示している。この構成では、コンタクト電極１６Ｊの表面に段差を有することにより形状剛性が向上し、コンタクト圧の向上に寄与することができる。

次に、図１０を用い、本発明の第１０実施例であるコンタクタと、第９実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

本実施例に係るコンタクタ１０Ｊは、絶縁基板１１Ａ上に複数個形成されたコンタクト電極１６Ｋの高さ及び形状が、高精度に等しく形成された構成となっている。このように、各コンタクト電極１６Ｋの高さを均一化するため、本実施例に係る製造方法では、その成形工程において、複数のバンプに一括的に成形しうるレベリングツール２６Ｂ（成形ツール）を用い、複数形成された各バンプに対して一括的に高さ及び形状を揃える成形処理（以下、レベリング処理という）を行うこととした。

このレベリングツール２６Ｂは、図９を用いて説明した各加圧ツール２３Ｂ〜２３Ｄと同様に、超音波振動子或いはヒーター等が配設されることにより、加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーをも印加しうる構成とされている。更に、レベリングツール２６Ｂの各コンタクト電極１６Ｋの形成位置と対応する位置には、複数のキャビティ部２４Ｅが形成されている。

このレベリングツール２６Ｂを用いてレベリング処理を行うことにより、複数のバンプを一括して成形して同一高さ及び形状のコンタクト電極１６Ｋを成形することができるため、成形処理の効率を向上させることができる。

また、本実施例で用いるレベリングツール２６Ｂも、超音波振動子或いはヒーター等が配設されることによりバンプに対し加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーを印加しうる構成とされているため、図９を用いて説明した各実施例と同様に、成形処理時にバンプの外周部は潰され、これに伴いキャビティ部２４Ｅと対向するバンプの中央部分は押し上げられることとなる。

よって、本実施例の製造方法においても、各キャビティ部２４Ｅ内は軟化したバンプ材料で満たされることとなり、各キャビティ部２４Ｅの形状に高精度に対応した形状を有したコンタクト電極１６Ｋを一括的に成形することができる。これにより、成形される各コンタクト電極１６Ｋの高さ及び形状を高精度に均一化することができる。

次に、図１１を用いて本発明の第１１実施例であるコンタクタ、及び第１０実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

本実施例に係る製造方法は、図１１（Ａ）に示されるような凸部を有しないコンタクト電極１６Ｌに対し成形処理を行うことにより、図１１（Ｃ）に示されるような中央部に凸部２８を有したコンタクト電極１６Ｍを形成することを特徴とするものである。

前記した説明から明らかなように、コンタクタは繰り返しＬＳＩデバイス４０が装着脱され、よってコンタクト電極にも繰り返し端子４１が接続されるため、始めは凸部が形成されていたコンタクト電極であっても、経時的に凸部が摩耗して図１１（Ａ）に示すような凸部を有しないコンタクト電極１６Ｌが形成される。このような凸部を有しないコンタクト電極１６Ｌでは、ＬＳＩデバイス４０の端子４１と良好な電気的接続が出来なくなる。

そこで、本実施例では、このように凸部が摩耗等により存在しなくなったコンタクト電極１６Ｌに凸部２８を形成することにより、コンタクタ１０Ｋの寿命を延ばすことができるよう構成したものである。

本実施例では、図１１（Ａ）に示されるような、加圧ツール２３Ｅとしてバンプの中央位置に対向する位置に凹部２７を有したキャビティ部２４Ｆが形成されたものを用いる。このキャビティ部２４Ｆは、前記した各実施例に比べ、比較的浅く形成されている。また、この加圧ツール２３Ｅには、超音波振動子或いはヒーター等が配設されることにより、加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーをも印加しうる構成とされている。

上記構成とされた加圧ツール２３Ｅを用い、図１１（Ｂ）に示すように、凸部がなくなったコンタクト電極１６Ｌに対し上記のエネルギーを印加しつつ加圧処理を行うと、これによりコンタクト電極１６Ｌの外周部分は潰され、これに伴い凹部２７と対向するコンタクト電極１６Ｌの中央部分は押し上げられることとなる。

よって、キャビティ部２４Ｆ内は凹部２７を含め軟化したバンプ材料で満たされることとなり、これにより図１１（Ｃ）に示されるように、中央部に凸部２８が形成されたコンタクト電極１６Ｍが形成される。上記のように、本実施例の製造方法によれば、図１１（Ａ）に示されるような凸部がないコンタクト電極１６Ｌであっても、図１１（Ｃ）に示されるような凸部２８を有したコンタクト電極１６Ｍに形成し直すことがでるため、コンタクタ１０Ｋの寿命を延ばすことが可能となる。

次に、本発明の第１２実施例であるコンタクタ、及び第１１実施例であるコンタクタの製造方法について図１２を用いて説明する。

本実施例に係るコンタクタ１０Ｌは、コンタクト電極１６Ｎの中央部分に円錐状凹部３０が形成されていることを特徴とする。このように、コンタクト電極１６Ｎにすり鉢状の円錐状凹部３０を形成することにより、特にＬＳＩデバイス４０の端子４１として球状バンプが用いられている場合、この球状バンプが円錐状凹部３０内に一部進入し係合することにより、球状バンプ（端子４１）とコンタクト電極１６Ｎとを安定して確実に接続することができる。

上記した中央部分に円錐状凹部３０が形成されたコンタクト電極１６Ｎを形成するには、成形工程において、中央位置に成形しようとするバンプに向け突出した円錐状凸部２９が形成された加圧ツール２３Ｆを用いる。また、この加圧ツール２３Ｆには超音波振動子或いはヒーター等を配設しておき、加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーをも印加できる構成としておく。

この加圧ツール２３Ｆをバンプに向け加圧するとバンプは軟化し、その中央には円錐状凸部２９の形状に対応した円錐状凹部３０が形成され、図に示されるコンタクト電極１６Ｎが形成される。このように、加圧ツール２３Ｆに凸部を形成しておくことにより、形成されるコンタクト電極に容易に凹部を形成することができる。尚、本実施例では、凹部の形状を円錐形状とした例を示したが、凹部の形状はこれに限定されるものではなく、ＬＳＩデバイスの端子形状に対応させて加圧ツールに形成される凸部の形状を適宜選択することにより、任意の凹部（例えば、半球状凹部，円錐台形状凹部等）を形成することが可能である。

次に、本発明の第１３，１４実施例であるコンタクタ、及び第１２乃至１４実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図１３（Ａ）は、第１３実施例であるコンタクタ１０Ｍ、及び第１２実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ１０Ｍは、ＬＳＩデバイス４０の端子４１と接続するコンタクト電極１６Ｐの接続面に粗面部３２Ａを形成したことを特徴とするものである。この粗面部３２Ａは、微小な凹凸が形成された構成とされている。

よって、このコンタクト電極１６Ｐに端子４１が接続された際、この微細な凹凸の内、先ず凸部が端子４１に当接する。よって、コンタクト電極１６Ｐと端子４１の当接面積は小さく、小さいコンタクト力でも面圧が向上し、端子４１の表面に酸化膜が形成されていても、粗面部３２Ａの凸部はこの酸化膜を確実に破ることができ、コンタクト電極１６Ｐと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、粗面部３２Ａが形成されたコンタクト電極１６Ｐを有するコンタクタ１０Ｍを製造するには、成形工程において、バンプと対向する位置に粗面形成部３１Ａが形成されたキャビティ部２４Ｇを有した加圧ツール２３Ｇを用いる。この粗面形成部３１Ａには、微細な凹凸が形成された構成とされている。そして、この加圧ツール２３Ｇをバンプに向け加圧することにより、粗面部３２Ａが形成されたコンタクト電極１６Ｐを有したコンタクタ１０Ｍが製造される。

図１３（Ｂ）は、第１４実施例であるコンタクタ１０Ｎ、及び第１３実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ１０Ｎは、ＬＳＩデバイス４０の端子４１と接続するコンタクト電極１６Ｑの接続面に凹凸部３４を形成したことを特徴とするものである。この凹凸部３４は、図１３（Ａ）に示した第１３実施例の粗面部３２に比べて大きな凹凸が形成された構成とされている。

よって本実施例の構成としても、ＬＳＩデバイス４０の端子がコンタクト電極１６Ｑに接続された際、コンタクト電極１６Ｑと端子４１の当接面積を小さくでき、よって小さいコンタクト力でも面圧を向上させることができる。これにより、端子４１の表面に形成されている酸化膜を確実に破ることができ、コンタクト電極１６Ｑと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、凹凸部３４が形成されたコンタクト電極１６Ｑを有するコンタクタ１０Ｍを製造するには、成形工程において、バンプと対向する位置に凹凸形成部３３が形成されたキャビティ部２４Ｈを有した加圧ツール２３Ｈを用いる。この凹凸形成部３３には、前記した粗面形成部３１Ａに比べ大きな凹凸が形成された構成とされている。そして、この加圧ツール２３Ｈをバンプに向け加圧することにより、凹凸部３４が形成されたコンタクト電極１６Ｑを有したコンタクタ１０Ｎが製造される。

図１４は、第１４実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係る製造方法で製造されるコンタクタは、図１３（Ａ）に示した構成のコンタクタ１０Ｎと同一構成である。

しかるに、本実施例の製造方法では、絶縁基板１１Ａ上に複数形成されたバンプに対して一括的に成形処理を行い、これにより粗面部３２Ａを有したコンタクト電極１６Ｐを一括的に形成できるよう構成したことを特徴とするものである。

このため、本実施例に係る成形工程では、絶縁基板１１Ａと対向する面全面に粗面形成部３１Ｂが形成されたレベリングツール２６Ｃを用いる。この粗面形成部３１Ｂには、微細な凹凸が形成された構成とされている。そして、このレベリングツール２６Ｃを絶縁基板１１Ａ上に形成された複数のバンプに向け一括的に加圧し、これにより粗面部３２Ａが形成されたコンタクト電極１６Ｐを有したコンタクタ１０Ｍが製造される。

上記した各実施例によれば、単に加圧ツール２３Ｇ，２３Ｈ或いはレベリングツール２６Ｃをバンプに向け加圧することにより粗面部３２Ａ，凹凸部３４を有するコンタクト電極１６Ｐ，１６Ｑが形成されるため、容易にコンタクタ１０Ｍ，１０Ｎを製造することができる。また、図１４に示した第１４実施例に係る製造方法によれば、複数のバンプを一括して成形処理できるため、成形処理の効率を向上させることができる。

尚、上記した各実施例において、成形工程が終了した後、粗面部３２Ａ及び凹凸部３４が形成されたコンタクト電極１６Ｐ，１６Ｑに表面硬化処理を行い、ＬＳＩデバイス４０の端子４１が圧接された際、酸化膜をより確実に破ることができるよう構成してもよい。

また、上記した加圧ツール２３Ｇ，２３Ｈ及びレベリングツール２６Ｃに超音波振動子或いはヒーター等を配設しておき、加圧力だけでなく、同時にバンプを軟化させるエネルギーを印加できる構成としてもよい。

次に、本発明の第１実施例であるコンタクタ製造装置について説明する。

図１５は、本発明の第１実施例であるコンタクタ製造装置３５を示している。尚、本実施例において、先に説明した各実施例で説明したと同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。

コンタクタ製造装置３５は、大略すると圧着ヘッド１３，加圧ツール２３Ｄ，駆動機構３６，及び画像認識装置３７等により構成されている。前記したように、圧着ヘッド１３はバンプ形成工程においてバンプ２５を形成する際に用いられるものであり、また加圧ツール２３Ｄは成形工程においてバンプ２５を所定形状に形成するのに用いられるものである。

また、駆動機構３６は、その上部に絶縁基板１１Ａが載置される共に、この絶縁基板１１Ａを平面方向（Ｘ−Ｙ座標方向）に移動可能な構成とされている。この駆動機構３６Ｆの上部には、画像認識装置３７が配設されている。

この画像認識装置３７は、ＣＣＤカメラ及び図示しない画像処理装置により構成されており、絶縁基板１１Ａ上に形成されたアライメントマーク（本実施例では、電極パッド１２Ａをアライメントマークとして用いている）を認識する構成とされている。そして、この認識結果より絶縁基板１１Ａの位置を確認し、この位置情報に基づき駆動機構３６を駆動制御し、圧着ヘッド１３及び加圧ツール２３Ｄと電極羽度１２Ａとの位置決め処理を行う構成とされている。

上記構成において、本実施例に係るコンタクタ製造装置３５では、圧着ヘッド１３と加圧ツール２３Ｄ（成形ツール）とを相対的な変位不能な状態で固定し、図示しない移動装置により圧着ヘッド１３と加圧ツール２３Ｄとが連動して移動するよう構成したことを特徴としている。

具体的には、圧着ヘッド１３及び加圧ツール２３Ｄは、同一のマウント（図示せず）に固定されており、移動装置はこのマウントを移動させることにより、圧着ヘッド１３と加圧ツール２３Ｄとを連動して移動させる構成とされている。

このように、圧着ヘッド１３と加圧ツール２３Ｄとを相対的な変位不能な状態で固定し、これにより圧着ヘッド１３と加圧ツール２３Ｄとが連動して移動するよう構成したことにより、圧着ヘッド１３によるバンプ形成処理と加圧ツール２３Ｄによる成形処理を連続的に行うことが可能となる。

よって、バンプ形成処理と成形処理を別々に行う場合に生じる位置ずれ（バンプ形成工程の原点と成形工程の原点が微妙にずれることに起因したバンプ中心と形成ツール中心とのずれ）の発生を抑制することができ、コンタクト電極１６Ｊを高精度に形成することができる。

尚、本実施例では、形成ツールとして第８実施例に係る製造方法で説明した加圧ツール２３Ｄを適用した例を示したが、上記してきた各実施例で用いた加圧ツール２３Ａ〜２３Ｈ及びレベリングツール２６Ａ〜２６Ｃについても同様に適用することができる。

また、上記した各実施例では、コンタクト電極１６Ａ〜１６Ｑをワイヤボンディング技術を用いて形成した例について説明したが、ワイヤ１４を電極パッド１２Ａ，１２Ｂに突出状態に接合しうる接合方法であれば、他の接合技術（例えば、アーク溶接、プラズマ溶接，電子ビーム溶接，抵抗溶接，超音波溶接，高周波溶接，電子ビーム溶接，レーザ溶接等の各種溶接法等）を用いることも可能である。

次に、本発明の第１６実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１５実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

図１６は、本発明の第１６実施例であるコンタクタ５０Ａと、本発明の第１５実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。

先ず、図１６（Ｃ）を用いて第１６実施例であるコンタクタ５０Ａの構成について説明する。コンタクタ５０Ａは、大略すると絶縁基板１１Ａ，電極パッド１２Ａ，及びコンタクト電極５６Ａよりなる極めて簡単な構成とされている。

また、コンタクト電極５６Ａは、後に詳述するように個片化された球状導電部材５１を電極パッド１２上に配設すると共に、成形処理を行うことにより形成されている。このように、コンタクト電極５６Ａを個片化された球状導電部材５１から形成することにより、従来の機械的ばねを組み込んだＬＳＩソケットやばね式プローバに比べ、格段に狭ピッチ化を図ることができる。

また、同様の理由により、コンタクト電極５６Ａの形成を極めて短時間で行うことが可能となり、かつＬＳＩデバイス４０の端子４１にコンタクトするのに有利な形状のコンタクト電極５６Ａを容易に得ることが可能となる。

また、コンタクト電極５６Ａとなる球状導電部材５１の硬度は、端子４１の硬度よりも高い材料が選定されている。よって、経時的にコンタクト電極５６Ａが変形したり摩耗することを防止することができ、コンタクタ５０Ａの信頼性を向上させることができる。

更に、絶縁基板１１Ａは、弾性変形可能なフレキシブル基板により構成されている。よって、ＬＳＩデバイス４０の端子高さ及びコンタクト電極５６Ａの高さバラツキを吸収することができる。また、フレキシブル基板は比較的安価であるため、これを用いることによりコンタクタ５０Ａのコスト低減を図ることができる。

続いて、上記構成とされたコンタクタ５０Ａの製造方法について説明する。

コンタクタ５０Ａを製造するには、予め絶縁基板１１Ａ上に電極パッド１２Ａ（配線及び外部端子４１も含む）を形成しておき、図１６（Ａ）に示されるように、この電極パッド１２Ａ上に加圧ヘッド５３Ａを用いて球状導電部材５１を搬送する（搬送工程）。

本実施例では、球状導電部材５１の材質として、金（ＡＵ）或いはＰｄ（パラジウム）を用いている。また、本実施例において導電部材として球形状を有した球状導電部材５１を用いたのは、導電部材を球状に形成することは比較的容易でありコストの低減を図ることができるからである。また、搬送工程において加圧ヘッド５３Ａに球状導電部材５１を保持する際、球形状は方向異方性が無いため向きを考慮しなくてよく、よって保持する処理を容易に行うことができるためである。

加圧ヘッド５３Ａは、球状導電部材５１を保持する保持機構として真空孔５４を有しており、この真空孔５４は図示しない真空ポンプに接続されている。そして、球状導電部材５１は真空孔５４に吸引吸着されることにより、加圧ヘッド５３Ａに保持される構成とされている。また、加圧ヘッド５３Ａには、球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに接合する接合機能を奏するヒーター（図示せず）、及び後述する表面硬化処理を行う際に用いられる振動発生装置（図示せず）が設けられている。

上記各機構及び機能を有した加圧ヘッド５３Ａは、例えば搬送用ロボットにより任意に移動可能な構成とされており、これにより球状導電部材５１を所定の電極パッド１２上に搬送することができる。また、加圧ヘッド５３Ａの先端部には、後述するように球状導電部材５１を成形処理するためのキャビティ部６４Ａが形成されている。このキャビティ部６４Ａは、加圧ヘッド５３Ａの球状導電部材５１を保持する位置に設けられており、内側に向け窪んだ凹形状とされている。 上記の搬送工程が終了し、球状導電部材５１が電極パッド１２Ａの上部まで搬送されると、続いて図１６（Ｂ）に示されるように、加圧ヘッド５３Ａはヒーターにより球状導電部材５１を加熱しつつ下動し、球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに加圧しつつ接合する（接合工程）。

この際、加圧ヘッド５３Ａはヒーターにより加熱されるため、球状導電部材５１は軟化した状態で電極パッド１２Ａに向け押圧される。また、加圧ヘッド５３Ａには、形成しようとするコンタクト電極５６Ａの形状に対応したキャビティ部６４Ａが形成されている。

よって、単に加圧ヘッド５３Ａを電極パッド１２Ａに向け加圧するだけで、球状導電部材５１を所定形状のコンタクト電極５６Ａに成形することができる（成形工程）。また、本実施例では、搬送工程を実施する前に予め導電部材を端子４１に対応した大きさに加工しているため、成形工程において成形処理を円滑に行うことができ、またキャビティ部６４Ａから不要に導電部材がはみ出すようなこともなく、隣接するコンタクト電極５６Ａ間で短絡が発生することを防止することができる。

上記のように成形工程が終了すると、続いて加圧ヘッド５３Ａを振動させることにより、成形されたコンタクト電極５６Ａの表面を叩く処理を行う（表面硬化工程）。これにより、コンタクト電極５６Ａの表面は硬化し、よってコンタクト電極５６Ａと端子４１とが圧接する際、コンタクト電極５６Ａの変形発生を防止でき、コンタクタ５０Ａの信頼性を向上させることができる。

また、コンタクト電極５６Ａの表面が硬化することにより、端子４１に絶縁性の酸化膜が形成されていてもこれを破って接続することが可能となり、コンタクタ５０Ａの電気的接続性を向上させることができる。更に、単に加圧ヘッド５３Ａを振動させるだけでコンタクト電極５６Ａの表面硬化処理を行うことができるため、容易に表面硬化処理を行うことができる。

また、この表面硬化処理は、本実施例のように加圧ヘッド５３Ａを振動させる他にも、例えば加圧ヘッド５３Ａとコンタクト電極５６Ａとの間に放電を発生させることにより、またコンタクト電極５６Ａの表面にメッキ膜を形成することによっても実現することができる。尚、これについては、後に述べる他の実施例においても説明する。

上記の表面硬化工程が終了すると、続いて加圧ヘッド５３Ａが上動され、これにより図１６（Ｃ）に示すように、所定形状を有すると共に表面硬化がされたコンタクト電極５６Ａを有するコンタクタ５０Ａが製造される。

上記のように、本実施例で用いる加圧ヘッド５３Ａは、保持機構，接合機能，成形機能，及び表面硬化機能を併せ持った構成であるため、搬送工程，接合工程，成形工程，及び表面硬化工程を連続的に実施することができ、よってコンタクタ５０Ａの製造効率を向上させることができる。

尚、上記の各機能を分離させて別個の治具を用いて行うことも可能である。後述する第２３実施例以降に係る製造方法では、加圧ヘッドに保持機構及び接合機能のみを持たせ、成形ツールに成形機能及び表面硬化機能を持たせた構成としている。この構成の詳細については、第２３実施例以降の各説明において述べるものとする。

また、上記した本実施例における成形工程では、球状導電部材５１に対し成形処理を行うことにより、所定形状のコンタクト電極５６Ａを形成している。このため、従来のようにメッキを用いてコンタクト電極を形成する方法に比べ、短時間で効率よくコンタクト電極５６Ａを形成することができる。

また、前記した導電部材としてワイヤを用いた各実施例と異なり、本実施例では個片化された球状導電部材５１を用いており、また接合方法としてワイヤボンディング技術を用いていない。このため、球状導電部材５１の材質はワイヤボンディング可能な材料に限定されることはなくなり、よって球状導電部材５１の材料を選定する際の自由度を向上することができる。

具体的には、球状導電部材５１の材質として、電気的接続性，耐摩耗性，耐変形性を有した材料を選定することが可能となり、これによってもコンタクタ５０Ａの信頼性，電気的接続性を向上させることができる。また、成形工程で実施される成形処理では、キャビティ部６４Ａの形成を適宜選定することにより、任意形状のコンタクト電極５６Ａを成形することが可能であり、コンタクト電極５６Ａの形状の自由度も向上させることができる。

更に、コンタクト電極５６Ａは球状導電部材５１のみで形成されており、他の構成要素は存在いない。このため、コンタクタ５０Ａの製造工程（搬送工程，接続工程，成形工程，表面硬化工程）では、球状導電部材５１のみを取り扱えばよいため、部品点数が多い従来のコンタクタの製造方法に比べ、各工程の容易化及び処理時間の短縮を図ることができる。

次に、本発明の第１７実施例であるコンタクタ及び本発明の第１６実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図１７は、第１７実施例であるコンタクタ５０Ｂ及びその製造方法を説明するための図である。尚、図１７において、図１６を用いて説明した第１６実施例に係るコンタクタ５０Ａと同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。また、以下説明する各実施例においても、同様とする。

本実施例に係る製造方法では、加圧ヘッド５３Ｂとして隣接する導電部材（即ち、既に絶縁基板１１Ａ上に形成されているコンタクト電極５６Ｂ）に触れないよう先細形状とされたものを用いると共に、接合工程で電極パッド１２Ａ上に接合された球状導電部材５１の個々に対し一つずつ成形処理を行うようにしたことを特徴とするものである。

このように、電極パッド１２Ａ上に接合された個々の球状導電部材５１に対して一つずつ成形処理を行うことにより、個々の球状導電部材５１に形状差が存在するような場合であっても、均一形状のコンタクト電極５６Ｂを形成することができる。よって、製造されるコンタクタ５０Ｂの品質を一定に保つことができ、信頼性の向上を図ることができる。

また、本実施例で用いる加圧ヘッド５３Ｂに設けられたキャビティ部６４Ｂは、球状導電部材５１の中央位置（保持された状態における中央位置）と対向する位置に円錐状凹部７０Ａを有すると共に、その外周部分に台状の押圧部５６Ｂを有した構成とされている。

よって、この加圧ヘッド５３Ｂで球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに加圧した場合、球状導電部材５１の外周部は潰され、これに伴い中央部分は押し上げられる。この際、加圧ヘッド５３Ｂには前記のように加圧力だけでなく球状導電部材５１を軟化させるエネルギーが印加されているため、球状導電部材５１の中央部は容易にキャビティ部６４Ｂ内に押し上げられ円錐状凹部７０Ａ内に進入する。

これにより、成形されるコンタクト電極５６Ｂはキャビティ部６４Ｂの形状に精度良く対応したものとなり、よって成形処理後におけるコンタクト電極５６Ｂのバラツキ発生を抑制することができる。また、本実施例では、キャビティ部６４Ｂに円錐状凹部７０Ａが形成されているため、成形されたコンタクト電極５６Ｂの中央上部には円錐状凸部６９Ａが形成される。
よって、コンタクト電極５６Ｂが端子４１と接続する際、端子４１の表面に形成されている酸化膜を確実に突き破り接続することが可能となり、電気的接続性を向上することができる。この形状のコンタクト電極５６Ｂは、特にＬＳＩデバイス４０の端子４１が平面端子であり、かつその材質がアルミニウム端子である場合に利益が大である。

次に、本発明の第１８実施例であるコンタクタ及び本発明の第１７実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図１８は、第１８実施例であるコンタクタ及びその製造方法を説明するための図である。本実施例に係る製造方法では、加圧ヘッド５３Ｃとして球状導電部材５１に対応した複数のキャビティ部６４Ｂ，及び複数の真空孔５４を有したものを用いたことを特徴とするものである。

このように、複数のキャビティ部６４Ｂ，及び複数の真空孔５４を有した加圧ヘッド５３Ｃを用いることにより、複数の球状導電部材５１に対し、一括的に搬送処理，接合処理，及び成形処理を行うことが可能となる。よって、コンタクタの製造効率を向上させることができると共に、形成される各コンタクト電極の均一化を図ることができる。

続いて、本発明の第１９実施例であるコンタクタ及び本発明の第１８実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図１９は、第１９実施例であるコンタクタ５０Ｃ、及び第１８実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｃは、ＬＳＩデバイス４０の端子４１と接続するコンタクト電極５６Ｃの接続面に凹凸部７４Ａを形成したことを特徴とするものである。この凹凸部７４Ａの突起量（窪み量）及びそのピッチは、接続される端子４１の材質等により任意に設定することが可能である。

本実施例の構成とすることにより、端子４１がコンタクト電極５６Ｃに接続された時におけるコンタクト電極５６Ｃと端子４１の当接面積を小さくでき、よって小さいコンタクト力でも面圧を向上させることができる。これにより、小さいコンタクト力でも面圧が向上し、端子４１の表面に形成されている酸化膜を確実に破ることができ、コンタクト電極５６Ｃと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、この凹凸部７４Ａが形成されたコンタクト電極５６Ｃを有するコンタクタ５０Ｃを製造するには、成形工程において球状導電部材５１（図示せず）と対向する位置に凹凸形成部７３Ａが形成されたキャビティ部６４Ｃを有した加圧ヘッド５３Ｄを用いる。この加圧ヘッド５３Ｃにも、球状導電部材５１を搬送しうるよう、真空孔５４が形成されている。

加圧ヘッド５３Ｄに形成された凹凸形成部７３Ａには、端子４１の材質，大きさ等に対応した凹凸が形成されている。そして、この加圧ヘッド５３Ｄを用いて球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに向け加熱しつつ加圧することにより、凹凸部７４Ａが形成されたコンタクト電極５６Ｃを有したコンタクタ５０Ｃが製造される。

続いて、本発明の第２０実施例であるコンタクタ及び本発明の第１９実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図２０は、第２０実施例であるコンタクタ５０Ｄ、及び第１９実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｄは、端子４１と接続するコンタクト電極５６Ｄの接続面にスリット７６を形成したことを特徴とするものである。本実施例では、コンタクタ５０Ｄの平面を示す図２０（Ｂ）に示されるように、スリット７６は十字形状を有するよう形成されている。尚、このスリット７６の形状は十字形状に限定されるものではなく、端子４１の材質及び大きさ等により任意に設定することができる。

本実施例の構成とすることによっても、第１９実施例に係るコンタクタ５０Ｃと同様に、コンタクト電極５６Ｄと端子４１の当接面積を小さくでき、よってコンタクト電極５６Ｃと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、このスリット７６が形成されたコンタクト電極５６Ｄを有するコンタクタ５０Ｄを製造するには、成形工程において球状導電部材５１（図示せず）と対向する位置に溝部７５が形成されたキャビティ部６４Ｄを有した加圧ヘッド５３Ｅを用いる。この加圧ヘッド５３Ｅにも、球状導電部材５１を搬送しうるよう、真空孔５４が形成されている。

そして、この加圧ヘッド５３Ｅを用いて球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに向け加熱しつつ加圧することにより、溝部７５の当接位置以外の部位にスリット７６が形成され、よってコンタクト電極５６Ｄを有したコンタクタ５０Ｄを製造することができる。

続いて、本発明の第２１実施例であるコンタクタ及び本発明の第２０実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図２１及び図２２は、第２１実施例であるコンタクタ５０Ｄ、及び第２０実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｄは、図２１に示されるように、端子４１と接続するコンタクト電極５６Ｅの接続面にすり鉢状凹部７７を形成したことを特徴とするものである。

本実施例の構成とすることにより、ＬＳＩデバイス４０の端子４１として、図２２に示すようにバンプ電極４２（例えば、半田バンプ等）が用いられている場合、このバンプ電極４２はすり鉢状凹部７７内に入り込むようにしてコンタクト電極５６Ｅと係合し電気的に接続する。このため、バンプ電極４２とコンタクト電極５６Ｅとは安定した状態で係合し、よってバンプ電極４２とコンタクト電極５６Ｅとの接続性を向上させることができる。

また、このすり鉢状凹部７７が形成されたコンタクト電極５６Ｅを有するコンタクタ５０Ｅを製造するには、成形工程において球状導電部材５１（図示せず）と対向する位置に円錐状凸部６９が形成されたキャビティ部６４Ｅを有した加圧ヘッド５３Ｆを用いる。この加圧ヘッド５３Ｆにも、球状導電部材５１を搬送しうるよう、真空孔５４が形成されている。

そして、この加圧ヘッド５３Ｆを用いて球状導電部材５１を電極パッド１２Ａに向け加熱しつつ加圧することにより、バンプ電極４２との接続位置に鉢状凹部７７が形成されたコンタクト電極５６Ｅを有したコンタクタ５０Ｅを製造することができる。

続いて、本発明の第２２実施例であるコンタクタについて説明する。

図２３は、第２２実施例であるコンタクタ５０Ｆを説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｆは、先に図２を用いて説明した第２実施例に係るコンタクタ１０Ｂと類似するものであるが、本実施例の構成要素となるコンタクト電極５６Ｆも球状導電部材５１により形成されている。

即ち、絶縁基板１１Ｂの端子４１と対応する位置に形成された開口部１７を塞ぐよう形成された電極パッド１２Ｂに対しても、個片化された球状導電部材５１を搬送し，接合し，成形することは可能である。

よって、コンタクト電極５６Ｆに対し必要以上の加圧力が印加されることを防止できるコンタクタ５０Ｆを、高い製造効率をもって製造することができる。また、球状導電部材５１の材料選定の自由度は広いため、他の実施例の構成に比べて強度の弱い電極パッド１２Ｂであっても、接合性の高い球状導電部材５１を選定することが可能となる。よって、コンタクタ５０Ｆの製造歩留りの向上を図ることもできる。

次に、本発明の第２３実施例であるコンタクタ及び本発明の第２１実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図２４は、第２３実施例であるコンタクタ５０Ｇ及び第２１実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｇは、端子４１と接続するコンタクト電極５６Ｇの接続面に波面部８１を形成したことを特徴とするものである。

本実施例の構成とすることによっても、第１９及び第２０実施例に係るコンタクタ５０Ｃ，５０Ｄと同様に、コンタクト電極５６Ｇと端子４１の当接面積を小さくでき、よってコンタクト電極５６Ｇと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、このスリット７６が形成されたコンタクト電極５６Ｄを有するコンタクタ５０Ｄを製造するには、成形工程においてブロック状導電部材５２と対向する位置に波面形成部８０が形成されたキャビティ部６４Ｆを有した加圧ヘッド５３Ｇを用いる。この加圧ヘッド５３Ｇにも、ブロック状導電部材５２を搬送しうるよう、真空孔５４が形成されている。

そして、この加圧ヘッド５３Ｇを用いてブロック状導電部材５２を電極パッド１２Ａに向け加熱しつつ加圧することにより、波面部８１が形成されたコンタクト電極５６Ｇを有したコンタクタ５０Ｇを製造することができる。

また、前記のように導電部材の形状は任意であり、よって本実施例では直方体形状のブロック状導電部材５２を導電部材として用いている。即ち、本実施例では加圧ヘッド５３Ｇに形成された波面形成部８０の全域に導電部材を行き渡らせる必要があり、このため表面積の広いブロック状導電部材５２を用いている。

しかるに、導電部材の構成は、上記した球状導電部材５１，ブロック状導電部材５２に限定されるものではなく、任意の形状及び量を選定することが可能である。

次に、本発明の第２４実施例であるコンタクタ及び本発明の第２２実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

図２５及び図２６は、第２４実施例であるコンタクタ５０Ｋ及び第２２実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｈは、図２６に示されるように、複数積層された構造のコンタクト電極５６Ｋを有することを特徴とする。

具体的には、コンタクト電極５６Ｈは、複数（本実施例では２個）の電極体５８Ａ，５９Ａを積み重ねた構造とされている。第１及び第２の電極体５８Ａ，５９Ａは、後述するように球状導電部材５１（他の形状の導電部材でも可）を同一の電極パッド１２Ａ上に複数回にわたり積層形成することにより製造される。また、本実施例では、第１及び第２の電極体５８Ａ，５９Ａは、同一材質の導電部材により形成されている。

このように、コンタクト電極５６Ｋを複数積層された第１及び第２の電極体５８Ａ，５９Ａにより構成としたことにより、積層数によりコンタクト電極５６Ｋの高さを任意に設定することが可能となり、端子４１のＬＳＩデバイス４０からの突出量に容易に対応することができ、コンタクト電極５６Ｋと端子４１との電気的接続性を向上させることができる。

また、上記構成とされたコンタクタ５０Ｋを製造するには、先ず第１５実施例（図１６参照）で説明したと同様の方法を用い、第１電極体５８Ａとなる球状導電部材５１（第１の導電部材）を電極パッド１２Ａ上に搬送する処理（第１の搬送工程）と、この搬送された球状導電部材５１を電極パッド１２Ａ上に接合する接合処理（第１の接合工程）とを複数回繰り返し、これにより絶縁基板１１Ａに形成された複数の電極パッド１２Ａに導電部材を配設する。

その後、図２５（Ａ）に示すように、平面度の高い押圧面を有したレベリングツール６６Ａを用い、複数の電極パッド１２Ａに接合された導電部材を一括的に押圧し、その高さを均一化させるレベリング処理を行う。これにより、高さが均一化された第１電極体５８Ａが形成される（レベリング工程）。

その後、加圧ヘッド５３Ａを用い、レベリングされた第１電極体５８Ａ上に第２電極体５９Ａとなる球状導電部材５１（第２の導電部材）を搬送する処理（第２の搬送工程）と、この搬送された球状導電部材５１をレベリングされた第１電極体５８Ａ上に接合する接合工程（第２の接合工程）を複数回繰り返し実施する（図２５（Ｂ）参照）。

そして、積層された複数の電極体５８Ａ，５９Ａの内、最上部に位置する第２電極体５９Ａに対し端子４１と接合するに適した形状となるよう成形処理を行うことによりコンタクト電極５６Ｋは形成され、よって図２６に示すコンタクタ５０Ｋが製造される。

上記した製造方法によれば、第１の搬送工程及び第１の接合工程を実施することにより電極パッド１２Ａ上に導電部材を接合した後、レベリングツール６６Ａを用いてレベリング処理（レベリング工程）を実施するため、レベリング工程実施後における第１電極体５８Ａの高さは均一化する。

従って、第２電極体５９Ａは高さが均一化された第１電極体５８Ａの上部に形成されるため、第２電極体５９Ａの第１電極体５８Ａに対する接合性を向上させることができる。よって、第１及び第２の電極体５８Ａ，５９Ａは強固に接合され、コンタクト電極５６Ｋの信頼性を向上させることができる。尚、本実施例に係るコンタクタ５０Ｋにおいても、先に図３及び図４を用いて説明した効果を実現できることは勿論である。

図２７は、本発明の第２５実施例であるコンタクタ５０Ｌを示している。

同図に示すコンタクタ５０Ｌも積層構造のコンタクト電極５６Ｌを有している。このコンタクト電極５６Ｌも第１電極体５８Ｂと第２電極体５９Ｂを積層した構造を有しているが、本実施例では第１電極体５８Ｂを構成する導電部材の材質と、第２電極体５９Ｂを構成する導電部材の材質とを異ならせたことを特徴とするものである。

具体的には、下部に位置する第１電極体５８Ｂを軟質な金（Ａｕ）或いは半田により構成し、上部に位置する第２電極体５９Ｂを硬質なパラジウム（Ｐｄ）により構成している。このように、下部に位置する第１電極体５８Ｂに軟質な金属を用いることにより、レベリング処理が容易となり均一な高さを有した第１電極体５８Ｂを得やすくなる。また、上部に位置する第２電極体５９Ｂを硬質な金属とすることにより、コンタクト電極５６Ｌの端子４１との接続時における変形発生を防止するこができる。

また、ＬＳＩデバイス４０によっては、端子４１が半田により形成されているものがある。この場合、第２電極体５９Ｂを金（Ａｕ）により構成すると、Ａｕ−Ｓｎ合金が生成され、試験後のＬＳＩデバイス４０の実装性を損なうおそれがある。このような場合でも、コンタクト電極５６Ｌの直接端子４１と接触する分部だけ金以外の金属としておくことにより、上記不都合の発生を防止できる。

更に、図２６に示した第２４実施例に係るコンタクタ５０Ｋでは、第１電極体５８Ａと第２電極体５９Ａの大きさを略同一としたが、本実施例では第１電極体５８Ｂに対し第２電極体５９Ｂの大きさを小さくしている。この構成とすることにより、微細化された端子４１に対しても十分に対応することができる。

尚、第２４及び第２５実施例では、コンタクト電極５６Ｋ，５６Ｌとして、電極体が２層積層された構成を例に挙げて説明したが、積層数は２層に限定されるものではなく、３層以上形成してもよい。この際、最上部に位置する電極体を除き、他の電極体に対してはレベリング処理を行うことが効果的である。

次に、本発明の第２６実施例である電子部品用コンタクタ、本発明の第２３実施例である電子部品用コンタクタの製造方法、及び本発明の第２実施例であるコンタクタ製造装置について説明する。

図２８は、第２６実施例であるコンタクタ５０Ｉ、第２３実施例であるコンタクタ５０Ｉの製造方法、及び第２実施例であるコンタクタ製造装置８８Ａを説明するための図である。コンタクタ製造装置８８Ａは、大略するとディスペンサー８１（ディスペンス機構）と、加圧ツール６３Ａ（成形ツール）とにより構成されている。

ディスペンサー８１は、軟化した状態の導電部材５５Ａ（以下、溶融導電部材５５Ａという）を電極パッド１２Ａ上に滴下するものである。このディスペンサー８１には、図示しない導電部材溶融装置及び導電部材供給装置が接続されており、ＬＳＩデバイス４０に設けられた端子４１に接続するのに適した量の溶融導電部材５５Ａを電極パッド１２Ａ上に滴下しうる構成とされている。また、ディスペンサー８１は移動装置に取り付けられており、自由に移動しうる構成とされている。

また、加圧ツール６３Ａは、後述するように滴下された溶融導電部材５５Ａを所定形状に成形するためのキャビティ部６４Ｇが形成されており、図示しない移動装置により自由に移動しうる構成とされている。この加圧ツール６３Ａは、電極パッド１２Ａに配設された溶融導電部材５５Ａを所定形状に成形し、これによりコンタクト電極５６Ｉを形成する機能を奏するものである。尚、本実施例に係る加圧ツール６３Ａには、溶融導電部材５５Ａを軟化させるためのヒーター，超音波振動子等は設けられておらず、よって簡単な構成となっている。

上記構成とされたコンタクタ製造装置８８Ａを用いてコンタクタ５０Ｉを製造するには、図２８（Ａ）に示されるように、先ずディスペンサー８１を電極パッド１２Ａと対向する位置まで移動させ、続いて軟化させた溶融導電部材５５Ａを電極パッド１２Ａ上に所定量だけ滴下する。これにより、溶融導電部材５５Ａは電極パッド１２Ａに接合され、電気的に接続する（配設工程）。

続いて、ディスペンサー８１を電極パッド１２Ａと対向した位置から成形処理の邪魔にならない位置まで移動させると共に、加圧ツール６３Ａを電極パッド１２Ａと対向する位置まで移動させる。そして、加圧ツール６３Ａを下動させ、電極パッド１２Ａ上に配設された溶融導電部材５５Ａに対して成形処理を行う（成形工程）。これにより、図２８（Ｂ）に示すコンタクタ５０Ｉが製造される。

この際、本実施例で用いている加圧ツール６３Ａは、円錐形状のキャビティ６４Ｇを有している。よって、成形工程を実施することにより形成されるコンタクタ５０Ｉは、円錐形状のコンタクト電極５６Ｉを有した構成となる。

上記したコンタクト電極５６Ｉの製造方法によれば、配設工程では軟化状態の溶融導電部材５５Ａを所定量だけ滴下することにより、電極パッド１２Ａ上に溶融導電部材５５Ａを配設する構成としている。このため、前記した第１５実施例乃至第２２実施例に係る方法と異なり、導電部材を予め所定形状（例えば、球形状等）に成形する必要はなく、またディスペンス機構に導電部材を保持させるための保持機構も不要となる。よって、コンタクタ製造装置８８Ａの構成の簡単化を図ることができる。

また、形成工程では、電極パッド１２Ａ上に配設された溶融導電部材５５Ａに対して成形処理を行うが、この際滴下された直後の状態では溶融導電部材５５Ａはまだ軟化した状態を維持している。このため、ヒーター等を有していない加圧ツール６３Ａでも、溶融導電部材５５Ａの成形処理を容易に行うことができる。

また、溶融導電部材５５Ａを軟化させるためのエネルギーを印加する必要もなく、これによっても製造装置の簡単化，成形処理の容易化，及びランニングコストの低減を図ることができる。尚、本実施例で適用できる導電部材の材質としては、例えば金（Ａｕ），パラジウム（Ｐｄ），半田，或いはこれらの合金等が挙げられる。

図２９は、本発明の第２４実施例であるコンタクタの製造方法及び本発明の第３実施例であるコンタクタ製造装置を説明するための図である。

前記した第２実施例に係るコンタクタ製造装置８８Ａは、ディスペンサー８１と加圧ツール６３を別部材とした構成とされていた。これに対し、本実施例に係るコンタクタ製造装置８８Ｂでは、加圧ツール６３Ｂにディスペンス機構を組み込んだ構成としたことを特徴とするものである。具体的には、加圧ツール６３Ｂの中央には溶融導電部材５５Ａを通過させるディスペンス通路８２が形成されており、このディスペンス通路８２と連続した構成で加圧ツール６３Ｂの下部にはキャビティ部６４Ｈが形成されている。

この構成とすることにより、前記した第２実施例に係るコンタクタ製造装置８８Ａに比べて構造の簡単化を図ることができる。また、配設工程と形成工程を一括的に行うことができるため、コンタクト電極５６Ｊの形成処理を短時間で行うことができ、よってコンタクタ５０Ｊの製造効率の向上を図ることができる。

次に、本発明の第２５実施例であるコンタクタの製造方法及び本発明の第４実施例であるコンタクタ製造装置について説明する。

図３０は、本発明の第４実施例であるコンタクタ製造装置８８Ｃを示している。尚、図３０において、図２８に示した第２実施例であるコンタクタ製造装置８８Ａと同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。

本実施例に係るコンタクタ製造装置８８Ｃでは、棒状或いはワイヤ状の導電部材５７（以下、ワイヤ状導電部材５７という）と、このワイヤ状導電部材５７を溶断させるための溶断ヘッド８３とによりディスペンス機構を構成したことを特徴とするものである。

ワイヤ状導電部材５７は、例えば金（Ａｕ），パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ），ロジウム（Ｒｈ）等の第VIII族金属元素、或いはこれらの合金、或いはニッケル（Ｎｉ），半田合金等を用いることが可能である。また、溶断ヘッド８３としては、例えばワイヤボンディング装置に設けられているスパークロッド，或いは加熱ヘッド等を用いることが可能である。

上記構成とされたコンタクタ製造装置８８Ｃを用いて配設工程を実施するには、先ずワイヤ状導電部材５７に溶断ヘッド８３（加熱ヘッドを例に挙げる）を当接させることにより、ワイヤ状導電部材５７を溶断する。

この際、溶断ヘッド８３はワイヤ状導電部材５７が溶融する温度以上に加熱されており、よってワイヤ状導電部材５７は溶断時に溶断ヘッド８３により加熱されることにより軟化し、溶融導電部材５５Ｂとなる。そして、この溶融状態とされた溶融導電部材５５Ｂが電極パッド１２Ａ上に滴下される。

このように本実施例では、配設工程においてワイヤ状導電部材５７に加熱された溶断ヘッド８３を当接することにより、これを溶断すると共に溶融導電部材５５Ｂを生成し、電極パッド１２Ａに向け滴下する構成としている。このため、溶断前の状態におけるワイヤ状導電部材５７は棒状或いはワイヤ状（固体）であるため、取扱を容易にすることができる。

また、溶断に際し、ワイヤ状導電部材５７は部分的に加熱処理がされるため（その全体を溶融する必要がないため）、ワイヤ状導電部材５７を溶断及び軟化させるのに必要とされるエネルギー量を少なくでき、コンタクタ製造装置８８Ｃのランニングコストを低く抑えることができる。

次に、図３１乃至図３８を用いて、本発明の第２７乃至第３２実施例であるコンタクタ及び本発明の第２６乃至３３実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

尚、以下図３１乃至図３８を用いて説明する各実施例は、コンタクタ製造装置８８Ａ，８８Ｃで用いる加圧ツール６３Ａの他実施例であるため、各図において装置全体の図示は省略し加圧ツール６３Ｃ〜６３Ｉ近傍のみを図示して説明するものとする。

また、前記したように、図１６乃至図２５を用いて説明した各実施例では、加圧ヘッド５３Ａ〜５３Ｇに成形機能をも持たせた構成としたが、成形機能を加圧ヘッド５３Ａ〜５３Ｇから分離させ、成形ツールにより成形処理を行うよう構成することも可能である。以下説明する各加圧ツール６３Ｃ〜６３Ｉは、このように成形機能を加圧ヘッド５３Ａ〜５３Ｇから分離させた場合の成形ツールとしても用いることができるものである。

図３１は、第２７実施例であるコンタクタ５０Ｍ及び第２６実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。

本実施例で用いる加圧ツール６３Ｃは、図３１（Ａ）に示すように、円錐台状のキャビティ部６４Ｉを有しており、また絶縁基板１１Ａ上に複数高密度に形成されたコンタクト電極５６Ａ（成形処理前の状態）に対して一つずつ成形処理を行う構成とされている。

また、成形時において隣接するコンタクト電極５６Ａに触れないよう、加圧ツール６３Ｃの先端形状は、先細形状とされたものを用いている。この加圧ツール６３Ｃは、図３１（Ｂ）に示すように、成形処理前の状態のコンタクト電極５６Ａに加圧され、これにより円錐台状突起が形成されたコンタクト電極５６Ｍを有したコンタクタ５０Ｍが製造される。

この際、上記のように加圧ツール６３Ｃの先端形状は先細形状とされているため、バンプ２５が高密度（狭ピッチ）に配設されている場合であっても、精度よく成形処理を行うことができる。よって、成形処理前状態のコンタクト電極５６Ａに形状差（例えば、高さバラツキ等）が存在するような場合であっても、成形処理を実施することにより、均一な形状とされたコンタクト電極５６Ｍを容易に形成することが可能となる。

尚、本実施例の構成においても、加圧ツール６３Ｃが印加する圧力は、実際にコンタクタとして使用する際に印加されるコンタクト圧よりも大きくしておくことが望ましく、この構成とすることにより、実際にＬＳＩデバイス４０をコンタクタ５０Ｍに装着したときに発生するコンタクト電極５６Ｍの変形を小さくすることができる。

次に、本発明の第２８実施例であるコンタクタ及び本発明の第２７実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

図３２は、第２８実施例であるコンタクタ５０Ｎ、及び第２７実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。

本実施例では、加圧ツール６３Ｄとして中央部分に段差状のキャビティ部６４Ｊが形成されたものを用いることにより、中央部分に段差を有した凸部が形成されたコンタクト電極５６Ｎを形成したことを特徴とするものである。この構成のコンタクタ５０Ｐでは、コンタクト電極５６Ｎの表面に段差を有することにより形状剛性が向上し、コンタクト圧の向上に寄与することができる。

また、本実施例で用いている加圧ツール６３Ｄは、前記したキャビティ部６４Ｊと共に導電部材（例えば、溶融導電部材５５Ａ）の外周部を押圧する押圧部７８Ｂが形成されている。この加圧ツール６３Ｄで導電部材を加圧した場合、導電部材の外周部は潰され、これに伴いキャビティ部６４Ｊと対向する中央部分は押し上げられる。よって、成形されるコンタクト電極５６Ｎは、キャビティ部６４Ｊの形状に精度良く対応したものとなり、よって成形処理後におけるコンタクト電極５６Ｎのバラツキ発生を抑制することができる。

次に、本発明の第２９実施例であるコンタクタ及び本発明の第２８実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

図３３は、第２９実施例であるコンタクタ５０Ｐ、及び第２８実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｐは、コンタクト電極５６Ｐの中央部分に円錐状凹部７０Ｂが形成されていることを特徴とする。これにより、特にＬＳＩデバイス４０の端子４１として球状バンプが用いられている場合に、球状バンプ（端子４１）とコンタクト電極５６Ｐとを安定して接続することができる。

また、中央部分に円錐状凹部７０Ｂが形成されたコンタクト電極５６Ｐを形成するには、成形工程において円錐状凸部６９Ｃが形成された加圧ツール６３Ｅを用いる。そして、この加圧ツール６３Ｅを電極パッド１２Ａに配設された溶融導電部材５５Ａ（５５Ｂ）に向け加圧することにより、円錐状凹部７０Ｂを有するコンタクト電極５６Ｐが形成される。

次に、本発明の第２９実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

図３４は、第２９実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本製造方法により製造されるコンタクタ５０Ｑは、絶縁基板１１Ａ上に複数個形成されたコンタクト電極５６Ｑの高さ及び形状が、高精度に等しく形成された構成となっている。

このように、各コンタクト電極５６Ｑの高さを均一化するため、本実施例に係る製造方法では、その成形工程において電極パッド１２Ａに形成された複数の導電部材（溶融導電部材５５Ａ，５５Ｂ）に対し、一括的に成形しうるレベリングツール６６Ｂ（成形ツール）を用いて一括的に高さ及び形状を揃える成形処理（以下、レベリング処理という）を行うこととしたものである。

このレベリングツール６６Ｂは、各コンタクト電極５６Ｑの形成位置と対応する位置に夫々キャビティ部６４Ｋが形成されている。このレベリングツール６６Ｂを用いてレベリング処理を行うことにより、電極パッド１２Ａに形成された複数の導電部材（溶融導電部材５５Ａ，５５Ｂ）を一括的に成形することができるため、成形処理の効率を向上させることができる。

次に、本発明の第３０実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第３０実施例である電子部品用コンタクタの製造方法について説明する。

本実施例に係る製造方法は、図３５（Ａ）に示されるような凸部を有しない、溶融導電部材５５Ａ（５５Ｂ）から形成されたコンタクト電極５６Ｒに対し成形処理を行うことにより、図３５（Ｃ）に示されるような中央部に凸部６８Ｂを有したコンタクト電極５６Ｓを形成することを特徴とするものである。

前記したように、滴下された溶融導電部材５５Ａ，５５Ｂは、電極パッド１２Ａ上に配設された状態において、図３５（Ａ）に示すような表面に凸部を有しない形状となっている。このような凸部を有しないコンタクト電極５６Ｒのままでは、端子４１と良好な電気的接続ができないことは明白である。そこで、本実施例では、このような凸部を有しないコンタクト電極５６Ｒに凸部６８Ｂを形成することにより、コンタクタ５０Ｒの電気的接続性を向上させるよう構成したものである。

本実施例では、図３５（Ａ）に示されるような、加圧ツール６３Ｆとして中央位置に凹部６７を有したキャビティ部６４Ｌが形成されたものを用いる。そして、この加圧ツール６３Ｆを用い、図３５（Ｂ）に示すように、凸部を有しないコンタクト電極５６Ｒに対し、加圧ツール６３Ｆを加圧する。これによりコンタクト電極５６Ｒの外周部分は潰され、これに伴い凹部６７と対向するコンタクト電極５６Ｒの中央部分は押し上げられることとなる。

よって、キャビティ部６４Ｌ内は凹部６７を含め導電部材（溶融導電部材５５Ａ，５５Ｂ）で満たされることとなり、これにより図３５（Ｃ）に示されるように、中央部に凸部６８Ｂが形成されたコンタクト電極５６Ｓが形成される。

本実施例の製造方法によれば、滴下されることにより図３５（Ａ）に示されるような凸部がないコンタクト電極５６Ｒであっても、図３５（Ｃ）に示されるような凸部６８Ｂを有したコンタクト電極５６Ｓとすることができるため、コンタクタ５０Ｒの電気的接続性を向上させることができる。尚、先に図３１乃至図３４を用いて説明した各製造方法においても、本実施例と同様の効果を実現することができる。

次に、本発明の第３１実施例であるコンタクタ及び本発明の第３１実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

図３６は、第３１実施例であるコンタクタ５０Ｓ、及び第３１実施例であるコンタクタの製造方法を説明するための図である。本実施例に係るコンタクタ５０Ｓは、ＬＳＩデバイス４０の端子４１と接続するコンタクト電極５６Ｔの接続面に粗面部７２を形成したことを特徴とするものである。この粗面部７２は、微小な凹凸が形成された構成とされている。この構成とすることにより、コンタクト電極５６Ｔと端子４１の当接面積は小さくなり、小さいコンタクト力でも面圧を向上させることができる。よって、端子４１の表面に酸化膜が形成されていても粗面部７２の凸部はこの酸化膜を確実に破るため、コンタクト電極５６Ｔと端子４１との電気的接続を確実に行うことができる。

また、粗面部７２が形成されたコンタクト電極５６Ｔを有するコンタクタ５０Ｓを製造するには、中央部に粗面形成部７１が形成されたキャビティ部６４Ｍを有した加圧ツール６３Ｇを用いる。そして、この加圧ツール６３Ｇを電極パッド１２Ａに配設された溶融導電部材５５Ａ（５５Ｂ）に向け加圧することにより、粗面部７２が形成されたコンタクト電極５６Ｔを有したコンタクタ５０Ｓを製造することができる。

次に、図３７乃至図３９を用いて、本発明の第３２及び第３３実施例であるコンタクタと、本発明の第３２乃至第３４実施例であるコンタクタの製造方法について説明する。

第３２及び第３３実施例に係るコンタクタ５０Ｔ，５０Ｕは、コンタクト電極５６Ｕ，５６Ａの表面を硬化させた構成としたことを特徴とするものである。即ち、図３７及び図３８に示すコンタクタ５０Ｔは、成形工程後同時にコンタクト電極５６Ｕの表面に物理的な表面硬化処理（表面硬化工程）を行うことにより表面硬化層を形成したものである。また、図３０に示すコンタクタ５０Ｕは、成形工程後にコンタクト電極５６Ａの表面にメッキ膜８６を形成す処理（表面硬化工程）を行うことにより表面の硬化を図ったものである。

このように、成形処理の終了後に、コンタクト電極５６Ｕ，５６Ａの表面を硬化させる表面硬化処理を実施することにより、端子４１の圧接時におけるコンタクト電極５６Ｕ，５６Ａの変形発生を防止でき、コンタクタ５０Ｔ，５０Ｕの信頼性を向上させることができる。また、端子４１に酸化膜が形成されていても，コンタクト電極５６Ｕ，５６Ａはこれを破って接続することが可能となり、コンタクタ５０Ｔ，５０Ｕの電気的接続性を向上させることができる。

コンタクタ電極５６Ｕの表面を硬化させる方法としては、図３７に示すように、キャビティ部６４Ｎを有した加圧ツール６３Ｈに振動発生装置を取り付けておき、キャビティ部６４Ｎによる成形処理が終了した後、振動発生装置により加圧ツール６３Ｈを振動させる。この振動によりコンタクタ電極５６Ｕの表面は加圧ツール６３Ｈにより叩かれ、これによりコンタクタ電極５６Ｕの表面を硬化させることができる。

また、他の方法としては、図３８に示すように、加工ツール６３Ｉに電源８４を接続しておき、加圧ツール６３Ｉとコンタクト電極５６Ｕとの間に電圧を印加して放電を発生させる。このように、加圧ツール６３Ｉとコンタクト電極５６Ｕとの間に放電を発生させることによっても、コンタクト電極５６Ｕの表面を硬化させることができる。この方法の場合には、放電中は加圧ツール６３Ｉとコンタクト電極５６Ｕとの間に微小な間隙を形成しておく必要がある。

また、コンタクト電極５６Ａの表面にメッキ膜８６を形成することにより表面硬化を図る方法としては、図３９に示すように、コンタクト電極５６Ａ以外の部位を覆うマスク３５を絶縁基板１１Ａ上に配設し、電解メッキ法或いは無電解メッキ法等を用いてメッキ膜８６を形成する。この時に用いるメッキ金属としては、パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），金（Ａｕ）等を用いることができる。尚、メッキ法に代えて、スパッタリング，蒸着等の薄膜形成方法を用いることも可能である。

上記した各表面硬化処理方法を用いることにより、容易にかつ短時間で確実にコンタクト電極５６Ｕ，５６Ａの表面を硬化させることができる。

図１は、本発明の第１実施例である電子部品用コンタクタ及びその製造方法を説明するための図である。 図２は、本発明の第２実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図３は、本発明の第３実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図４は、本発明の第４実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図５は、本発明の第５実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図６は、本発明の第３実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図７は、本発明の第６実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第４実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図８は、本発明の第５実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図９は、本発明の第７乃至９実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第６乃至８実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１０は、本発明の第１０実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第９実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１１は、本発明の第１１実施例である電子部品用コンタクタ及び第１０実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１２は、本発明の第１２実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１１実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１３は、本発明の第１３及び１４実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１２及び１４実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１４は、本発明の第１５実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１４実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１５は、本発明の第１実施例であるコンタクタ製造装置を説明するための図である。 図１６は、本発明の第１６実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１５実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１７は、本発明の第１７実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１６実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１８は、本発明の第１８実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１７実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図１９は、本発明の第１９実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１８実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図２０は、本発明の第２０実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第１９実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図２１は、本発明の第２１実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２０実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図２２は、第２１実施例である電子部品用コンタクタに電子部品を装着した状態を示す図である。 図２３は、本発明の第２２実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図２４は、本発明の第２３実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２１実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図２５は、本発明の第２２実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図２６は、本発明の第２４実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図２７は、本発明の第２５実施例である電子部品用コンタクタを説明するための図である。 図２８は、本発明の第２６実施例である電子部品用コンタクタ、本発明の第２３実施例である電子部品用コンタクタの製造方法、及び本発明の第２実施例であるコンタクタ製造装置を説明するための図である。 図２９は、本発明の第２４実施例である電子部品用コンタクタの製造方法及び本発明の第３実施例であるコンタクタ製造装置を説明するための図である。 図３０は、本発明の第２５実施例である電子部品用コンタクタの製造方法及び本発明の第４実施例であるコンタクタ製造装置を説明するための図である。 図３１は、本発明の第２７実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２６実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３２は、本発明の第２８実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２７実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３３は、本発明の第２９実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第２８実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３４は、本発明の第２９実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３５は、本発明の第３０実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第３０実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３６は、本発明の第３１実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第３１実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３７は、本発明の第３２実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第３２実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３８は、本発明の第３３実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図３９は、本発明の第３３実施例である電子部品用コンタクタ及び本発明の第３４実施例である電子部品用コンタクタの製造方法を説明するための図である。 図４０は、従来の電子部品用コンタクタの一例を説明するための図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｎ，５０Ａ〜５０Ｕ コンタクタ
１１Ａ，１１Ｂ 絶縁基板
１２Ａ，１２Ｂ 電極パッド
１３ 圧着ヘッド
１４ ワイヤ
１６Ａ〜１６Ｑ，５６Ａ〜５６Ｕ コンタクト電極
１７ 開口部
１８Ａ〜１８Ｃ 第１バンプ
１９Ａ〜１９Ｃ 第２バンプ
２０ 弾性体シート
２１ 配線
２２ 外部端子
２４Ａ〜２４Ｈ，６４Ａ〜６４Ｐ キャビティ部
２５ バンプ
２６Ａ〜２６Ｃ，６６Ａ，６６Ｂ レベリングツール
２７，６７ 凹部
２８，６８Ａ，６８Ｂ 凸部
２９，６９Ａ〜６９Ｃ 円錐状凸部
３０，７０Ａ，７０Ｂ 円錐状凹部
３１Ａ，３１Ｂ，７１ 粗面形成部
３２Ａ，７２ 粗面部
３３，７３Ａ 凹凸形成部
３４，７４Ａ 凹凸部
３５ コンタクタ製造装置
３６ 駆動機構
３７ 画像認識装置
５１ 球状電極部材
５２ ブロック状導電部材
５３Ａ〜５３Ｇ 加圧ヘッド
５４ 真空孔
５５Ａ，５５Ｂ 溶融導電部材
５７ ワイヤ状導電部材
５８Ａ，５８Ｂ 第１電極体
５９Ａ，５９Ｂ 第２電極体
６３Ａ〜６３Ｉ 加圧ツール
７５ 溝部
７６ スリット
７７ すり鉢状凹部
７８ 押圧部
７９ 波面形成部
８０ 波面部
８１ ディスペンサー
８２ ディスペンス通路
８３ 溶断ヘッド
８４ 電源
８５ マスク
８６ メッキ膜

Claims (2)

1. 電子部品に形成されている端子が圧接されることにより電気的に接続されるコンタクト電極を絶縁基板に形成された電極パッド上に形成し電子部品用コンタクタを製造する電子部品用コンタクタの製造方法において、
   少なくとも、前記コンタクト電極となる導電部材を保持する保持機構と前記導電部材を前記電極パッドに接合する接合機能とを有するヘッドを用い、前記導電部材を前記保持機構により保持しつつ前記ヘッドを移動させることにより、前記導電部材を前記電極パッド上に搬送する搬送工程と、
   前記ヘッドにより前記導電部材を前記電極パッド上に接合する接合工程と、
   キャビティ部が形成された加圧ツールにて前記導電部材に対し成形処理を行うことにより、前記コンタクト電極を形成する成形工程と、
   前記加圧ツールと前記コンタクト電極との間に電圧を印加し放電を発生させることにより前記コンタクト電極の表面に硬化処理を行う表面硬化工程と
   を有することを特徴とする電子部品用コンタクタの製造方法。
2. 電子部品に形成されている端子が圧接されることにより電気的に接続されるコンタクト電極を絶縁基板に形成された電極パッド上に形成し電子部品用コンタクタを製造する電子部品用コンタクタの製造方法において、
   少なくとも、前記コンタクト電極となる導電部材を保持する保持機構と前記導電部材を前記電極パッドに接合する接合機能とを有するヘッドを用い、前記導電部材を前記保持機構により保持しつつ前記ヘッドを移動させることにより、前記導電部材を前記電極パッド上に搬送する搬送工程と、
   前記ヘッドにより前記導電部材を前記電極パッド上に接合する接合工程と、
   キャビティ部が形成された加圧ツールにて前記導電部材に対し成形処理を行うことにより、前記コンタクト電極を形成する成形工程と、
   前記加圧ツールに振動を与え、該振動により前記加圧ツールが前記コンタクト電極を叩くことにより前記コンタクト電極の表面に硬化処理を行う表面硬化工程と
   を有することを特徴とする電子部品用コンタクタの製造方法。

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