JP4791697B2 - シリコン粒子の製造方法 - Google Patents

シリコン粒子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4791697B2
JP4791697B2 JP2004075521A JP2004075521A JP4791697B2 JP 4791697 B2 JP4791697 B2 JP 4791697B2 JP 2004075521 A JP2004075521 A JP 2004075521A JP 2004075521 A JP2004075521 A JP 2004075521A JP 4791697 B2 JP4791697 B2 JP 4791697B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
powder
particles
gas
silicon oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004075521A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005263522A (ja
Inventor
井一 佐藤
啓作 木村
卓 川崎
拓也 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP2004075521A priority Critical patent/JP4791697B2/ja
Priority to US10/592,864 priority patent/US7850938B2/en
Priority to PCT/JP2005/002574 priority patent/WO2005090234A1/ja
Priority to CN2005800082566A priority patent/CN1956920B/zh
Publication of JP2005263522A publication Critical patent/JP2005263522A/ja
Priority to US12/823,314 priority patent/US8221881B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4791697B2 publication Critical patent/JP4791697B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、ナノメートル(nm)サイズの高純度シリコン粒子の製造方法に関する。
ナノメートルオーダーの粒径を有するシリコン粒子(以下、「シリコンナノ粒子」と言う。)は、バルクシリコンとは著しく異なる物理的、化学的性質を有するため、近年、新規機能性材料として大きな関心を集めている。例えば、シリコンナノ粒子は、量子論的閉じ込め効果や表面準位効果に基づく、バルクシリコンとは異なるバンド構造を有しており、バルクシリコンでは観測されない発光現象が認められるため、新規なシリコン発光デバイス用原料としての応用が期待されている。
シリコンを微粉砕して得られる通常のシリコン微粉末は、バルクシリコンとほぼ一致する物理的、化学的性質を有している。これに対し、シリコンナノ粒子は、粒径が微細で粒度分布幅が比較的小さく、しかも高純度である。このため、バルクシリコンとは著しく異なる、発光現象等の特異な性質が発現すると考えられている。
従来、シリコンナノ粒子の製造方法としては、例えば、(1)対向するシリコン電極間で発生させた第一の高温プラズマによって蒸発させたシリコンを、減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ中に通過させる方法(特許文献1)、(2)電気化学的エッチングによって、シリコンウェハーからなる陽極からシリコンナノ粒子を分離・除去する方法(特許文献2)、(3)含ハロゲン有機シリコン化合物を、反応性電極を用いて電極還元する方法(特許文献3)等が用いられてきた。
特開平6−279015号公報 特表2003−515459号公報 特開2002−154817号公報
しかし、上記(1)、(2)の方法は、シリコンナノ粒子の生成速度が著しく小さいため、生産性向上が困難である。また、上記(3)の方法は、原料がCl等のハロゲン元素を含んでおり、これが生成物に混入しやすいため、Na,Fe,Al,Clの合計量10ppm以下にはなり難い。
従って、高性能な発光素子や電子部品用の原料粉末として有用な、高純度のシリコンナノ粒子を工業的な規模で生産することは、極めて困難であった。
そこで、本発明者等は高性能な発光素子や電子部品が実現可能な、高純度のシリコンナノ粒子を、工業的規模で生産可能な製造方法がないか鋭意検討した。その結果、特定の原料を用いて気相法で作製した、シリコン粒子内包シリコン酸化物を、特定の条件で加熱処理した後にフッ化水素酸で余分のシリコン酸化物を除去する方法によって、粒径が比較的揃った高純度のナノメートルサイズのシリコン粒子が、工業的規模で製造可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のシリコン粒子の製造方法は、モノシランガスと、該モノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを気相反応させて、シリコン粒子を内包するシリコン酸化物粒子を含む粉末を合成する工程と、該粉末を不活性雰囲気下800〜1400℃で保持した後、フッ化水素酸にて前記シリコン酸化物を除去する工程を有することを特徴とする。
本発明のシリコン粒子は、粒径が1〜50nmで比較的揃ったナノ粒子であり、しかもNa,Fe,Al,Clの合計量が10ppm以下であり高純度である。
一般に、シリコン粒子が、量子論的閉じ込め効果や表面準位効果に基づくバルクシリコンとは異なるバンド構造を有し、バルクシリコンでは観測されない発光現象を示す際の粒径は、1〜5nmとされており、電子部品に適用する際に重要になる量子井戸構造は、10nm以下でかつ揃った粒径を有する粒子の集合体において認められるとされている。本発明のシリコン粒子の粒径は1〜50nmであり、これらの量子論的閉じ込め効果、表面準位効果あるいは量子井戸構造が発現する粒径の範囲を包含している。
また、シリコンがNa,Fe,AlあるいはClなどの不純物を含むと、バンド構造内に不純物準位が形成されてこれが発光素子における発光効率の低下や電子部品の誤動作を引き起してしまう。本発明のシリコン粒子のNa,Fe,Al,Clの合計量は10ppm以下であるため、不純物準位は形成されず、発光素子や電子部品における上記の不具合は生じない。
このため本発明のシリコン粒子は、従来のシリコンナノ粒子とは異なり高性能な発光素子や電子部品用の原料粉末としての実用性が高い。
また、本発明のシリコン粒子の製造方法は、原料として特定のシリコン含有気体(モノシランガス)を用い、これを特定の条件で酸化性ガスと反応させて一旦シリコン粒子を内包するシリコン酸化物を合成し、さらにこれを特定の条件で加熱処理した後にフッ化水素酸で余分のシリコン酸化物を除去する方法であり、従来のシリコンナノ粒子製造方法とは異なり、生産性が高く工業的規模での生産も可能である。このため、工業的規模でのシリコンナノ粒子の発光素子や電子部品への適用が可能になり、産業上非常に有用である。
本発明のシリコン粒子は、粒径が1〜50nm、好ましくは1〜30nmである。粒径がこの範囲を外れると、発光素子や電子部品への応用に適した量子論的閉じ込め効果、表面準位効果、あるいは量子井戸構造が発現しない。また、本発明のシリコン粒子のNa,Fe,Al,Clの合計量は10ppm以下、好ましくは5ppm以下である。Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppmを超えると、発光素子や電子部品の特性に不純物の影響が生じ得る。
本発明のシリコン粉末は、本発明のシリコン粒子を90質量%以上含有する。本発明シリコン粒子の含有量が90質量%以上であれば、そのまま、または簡便な後処理で不要粒子を除去することができるが、90質量%未満では不要粒子の除去が容易でなくなる。
本発明のシリコン粒子は、例えば、モノシランガスと酸化性ガスを用いて気相から合成したシリコン粒子含有シリコン酸化物粒子を所定の雰囲気・温度で加熱処理した後、シリコン酸化物を除去することにより製造することができる。
具体的には、ます、モノシランガスを酸化性ガスと気相中で反応させることによって、シリコン粒子を内包するシリコン酸化物粒子を含む粉末が合成される。反応は、反応容器内にモノシランガスと酸化性ガスを導入することによって行われる。
ここで、本発明においてシリコン源となる原料は、モノシランガスである。モノシランガス以外のシリコン含有気体、例えばクロロシラン類(SiHnCl4-n、n=0〜3の整数)を原料として用いると、Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppmを超える。
酸化性ガスは、モノシランガスを酸化させるものであれば特に限定されないが、酸素ガス、空気、水蒸気、二酸化窒素、二酸化炭素等を用いることができ、取扱いの簡便性、反応制御の容易性等の点から、特に酸素ガスが好ましい。また、反応制御を容易にするために、モノシランガス及び酸化性ガスを希釈する目的で、アルゴン、ヘリウムのような不活性ガスの他、反応を妨げない限りで、水素、窒素、アンモニア、一酸化炭素等の第三のガスを反応容器内に導入することもできる。
反応は、反応容器の温度を500℃〜1000℃、圧力を10〜1000kPaに保持して行うことが好ましい。反応容器は、石英ガラス等の高純度材料で作製されたものが一般的に使用され、その形状は特に制限が無いが管状が好ましく、管の軸方向は、垂直、水平何れの方向であっても良い。反応容器の加熱方式については、抵抗加熱、高周波誘導加熱、赤外線輻射加熱等、任意の方式を用いることができる。
反応容器内で生成したシリコン粒子を内包するシリコン酸化物粒子を含む粉末は、ガス流とともに系外へ排出され、バグフィルター等の粉末捕集装置から回収される。
回収された粉末は、次いで不活性雰囲気下800〜1400℃で保持される。かかる処理によって、粉末のシリコン酸化物粒子に内包されるシリコン粒子の粒径が1〜50nmに調整される。保持温度が800℃未満では、シリコン粒子の粒径が1nm未満になるし、不純物がシリコン中に残留しやすくなり、Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppmを超えてしまう。また1400℃を超えると、シリコン粒子の粒径が50nmを超える。
不活性雰囲気ガスとしては、アルゴン、ヘリウムのような不活性ガスの他、水素、窒素、アンモニア、一酸化炭素等も使用可能ではあるが、取扱いの簡便性等の点から、特にアルゴンガスが好ましい。
内包するシリコン粒子の粒径調整後、シリコン酸化物粒子を含む粉末は、水中に添加・分散される。分散は、超音波や攪拌機を用いて行われるが、特に超音波を用いることが好ましい。粉末が水中に分散して懸濁化した後、この懸濁液にフッ化水素酸が添加される。フッ化水素酸によって、シリコン酸化物粒子に内包されるシリコン粒子は溶解しないが、周囲のシリコン酸化物は溶解・除去されるため、シリコンのみが残存して本発明のシリコン粒子を得ることができる。
以下、実施例及び比較例をあげて、さらに本発明を説明する。
<実施例1>
モノシランガス0.16L/min、酸素ガス0.4L/min及び希釈用の窒素ガス17.5L/minを、温度700℃、圧力90kPaに保持した石英ガラス製反応管(内径50mm、長さ1000mm)からなる反応容器に導入したところ、茶褐色の粉末が生成した。これを反応管の下流側に設けた金属製フィルターで捕集した。
捕集した生成粉末の比表面積をBET1点法で測定したところ55m2/gであった。化学分析を行ったところ、主成分はシリコン(Si)及び酸素(O)であった。またXPS(X線光電子スペクトル)のSi2pスペクトルによってSiの結合状態を調べた結果、Si−O結合に帰属されるピークの他に、Si−Si結合に帰属されるピークが認められ、生成したシリコン酸化物粒子にシリコン粒子が内包されていることが確認された。
この粉末20gをアルゴン雰囲気下、1100℃の温度で1時間保持した後、室温まで冷却し、蒸留水1リットルを加え、さらに超音波を1時間かけて粉末を分散させ、懸濁液を作製した。これに濃度5%のフッ化水素酸(HF)0.1リットルを加えて超音波を30分間かけ、シリコン酸化物を溶解・除去した。その後メンブレンフィルターを用いて懸濁液を濾過・洗浄して生成物を分離し、乾燥してシリコン粉末を得た。
この粉末の主成分はSiであり、Na,Fe,Al,Clの合計量は5ppmであることを化学分析により確認した。さらに透過型電子顕微鏡(TEM)で粉末に含まれる粒子の粒径を測定したところ、10〜40nmであった。
<実施例2>
モノシランガス0.08L/min、酸素ガス0.044L/min及び希釈用のアルゴンガス18L/minを、温度750℃、圧力50kPaに保持した実施例1と同じ石英ガラス製反応管からなる反応容器に導入したところ、茶褐色の粉末が生成した。これを実施例1と同様にして捕集した。
捕集した生成粉末の比表面積測定を行ったところ、150m2/gであった。化学分析を行ったところ、主成分はSi及び酸素、XPSのSi2pスペクトルを調べた結果、Si−Si結合に帰属されるピークが認められ、生成物がシリコン粒子を内包したシリコン酸化物粒子であることを確認した。
この粉末20gを、ヘリウム雰囲気下、900℃の温度で1時間保持した以外は実施例1と同様にしてシリコン粉末を得た。この粉末の主成分はSiであり、Na,Fe,Al,Clの合計量は8ppmであることを化学分析により確認した。さらにTEMで粒子の粒径を測定したところ、2〜24nmであった。
<比較例1>
Siを内包するシリコン酸化物粒子からなる粉末20gを、アルゴン雰囲気下1450℃の温度で1時間保持した以外は、実施例1と同様にしてシリコン粉末を得た。
この粉末の主成分はSiであり、Na,Fe,Al,Clの合計量は4ppmであることを化学分析により確認した。さらにTEMで粒子の粒径を測定したところ、50nmを超える粒子12質量%を含む、35nm以上の粒子からなる粉末であった。
<比較例2>
Siを内包するシリコン酸化物粒子からなる粉末20gを、アルゴン雰囲気下700℃の温度で1時間保持した以外は、実施例1と同様にしてシリコン粉末を得た。
この粉末の主成分はSiであり、Na,Fe,Al,Clの合計量は18ppmであることを化学分析により確認した。さらにTEMで粒子の粒径を測定し、1nm未満の粒子16質量%を含む、10nm以下の粒子からなる粉末であった。
<比較例3>
Siを内包するシリコン酸化物粒子からなる粉末20gを、ヘリウム雰囲気下700℃の温度で1時間保持した以外は、実施例2と同様にしてシリコン粉末を得た。
この粉末の主成分はSiであり、Na,Fe,Al,Clの合計量は23ppmであることを化学分析により確認した。さらにTEMで粒子の粒径を測定し、1nm未満の粒子40質量%を含む、6nm以下の粒子からなる粉末であることを確認した。
<比較例4>
モノシランガスの代わりに、多結晶シリコンの原料として多用される四塩化珪素(SiCl4)ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応容器にガスを導入したところ、茶褐色の粉末を生成し、これを実施例1と同様にして捕集した。
捕集した生成粉末の比表面積測定を行ったところ45m2/gであった。化学分析を行ったところ、主成分はSi及び酸素、XPSのSi2pスペクトルを調べた結果、Si−Si結合に帰属されるピークが認められ、生成物がシリコン粒子を内包したシリコン酸化物粉末粒子であることを確認した。
この粉末20gを用い、実施例1と同様にしてシリコン粉末を得た。この粉末の主成分はSiであり、TEMで測定した粒子の粒径は5〜35nmであったが、特に塩素(Cl)を多く含み、Na,Fe,Al,Clの合計量は50ppmであった。
本発明によれば、特別な電解装置やプラズマ発生装置等を必要とせず高い生産性でナノメートルサイズのシリコン粒子からなる粉末を、工業的規模で大量に合成することが可能であり、これを原料粉末として用いることによって、新規で高性能な発光素子や電子部品等の機能性材料の実用化に寄与することができる。

Claims (1)

  1. モノシランガスと、該モノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを気相反応させて、シリコン粒子を内包するシリコン酸化物粒子を含む粉末を合成する工程と、該粉末を不活性雰囲気下800〜1400℃で保持した後、フッ化水素酸にて前記シリコン酸化物を除去する工程を有することを特徴とするシリコン粒子の製造方法。
JP2004075521A 2004-03-17 2004-03-17 シリコン粒子の製造方法 Expired - Fee Related JP4791697B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004075521A JP4791697B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 シリコン粒子の製造方法
US10/592,864 US7850938B2 (en) 2004-03-17 2005-02-18 Silicon particles, silicon particle superlattice and method for producing the same
PCT/JP2005/002574 WO2005090234A1 (ja) 2004-03-17 2005-02-18 シリコン粒子、シリコン粒子超格子及びこれらの製造方法
CN2005800082566A CN1956920B (zh) 2004-03-17 2005-02-18 硅粒子、硅粒子超晶格以及它们的制备方法
US12/823,314 US8221881B2 (en) 2004-03-17 2010-06-25 Silicon particle, silicon particle superlattice and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004075521A JP4791697B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 シリコン粒子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005263522A JP2005263522A (ja) 2005-09-29
JP4791697B2 true JP4791697B2 (ja) 2011-10-12

Family

ID=35088456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004075521A Expired - Fee Related JP4791697B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 シリコン粒子の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4791697B2 (ja)
CN (1) CN1956920B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006024490A1 (de) * 2006-05-26 2007-11-29 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Siziliumschicht, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung, Suspension, enthaltend Siziliumpartikel, und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2009069416A1 (ja) * 2007-11-29 2009-06-04 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 半導体ナノ粒子とその製造方法
JP2013119489A (ja) * 2011-12-06 2013-06-17 Bridgestone Corp ケイ素微粒子の製造方法
KR101583216B1 (ko) * 2013-02-05 2016-01-07 주식회사 케이씨씨 실리콘 나노 입자의 연속 제조 방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지용 음극활물질
CN103204507B (zh) * 2013-04-07 2018-03-06 李绍光 一种制取太阳能级硅的无卤硅烷法
JP6546384B2 (ja) * 2014-10-02 2019-07-17 山陽特殊製鋼株式会社 導電フィラー用粉末
WO2016052643A1 (ja) * 2014-10-02 2016-04-07 山陽特殊製鋼株式会社 導電フィラー用粉末
JP6581771B2 (ja) * 2014-12-04 2019-09-25 山陽特殊製鋼株式会社 導電フィラー用粉末
CN104528727B (zh) * 2014-12-24 2016-08-24 东北大学 一种具有多级定向孔的多孔硅块体材料及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2544280B2 (ja) * 1992-08-26 1996-10-16 宇部興産株式会社 結晶質珪素超微粒子の製造方法
JPH06279015A (ja) * 1993-03-30 1994-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd シリコン超微粒子の製造方法
US6585947B1 (en) * 1999-10-22 2003-07-01 The Board Of Trustess Of The University Of Illinois Method for producing silicon nanoparticles

Also Published As

Publication number Publication date
CN1956920B (zh) 2012-03-07
JP2005263522A (ja) 2005-09-29
CN1956920A (zh) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8221881B2 (en) Silicon particle, silicon particle superlattice and method for producing the same
JP5825145B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
TWI488811B (zh) 合成之非晶質二氧化矽粉末及其製造方法
JP5648640B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末
JP2007513041A (ja) ナノスケールの結晶質シリコン粉末
JP5724881B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
Liu et al. Self-assembly of [101 [combining macron] 0] grown ZnO nanowhiskers with exposed reactive (0001) facets on hollow spheres and their enhanced gas sensitivity
JP4791697B2 (ja) シリコン粒子の製造方法
JP7078038B2 (ja) 繊維状炭素ナノ構造体分散液及びその製造方法、並びに繊維状炭素ナノ構造体
WO2011083697A1 (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
JP2013532626A (ja) 炭化珪素及びその製造方法
JP4556015B2 (ja) 硫化亜鉛・珪素コア・シェルナノワイヤーとその製造方法
CN107598183B (zh) 一种纳米银颗粒的宏量制备方法
JP2007084369A (ja) TiC超微粒子又はTiO2超微粒子担持カーボンナノチューブ、及びTiCナノチューブとこれらの製造方法
CN107473228A (zh) 一种纳米级晶体硅及其制备方法
JP5962219B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
JP2005139044A (ja) 単結晶の珪素ナノチューブとその製造方法
WO2008071504A2 (en) Porous silicon
JP2004161507A (ja) 炭化ケイ素ナノロッドとその製造方法
WO2021049557A1 (ja) 精製シリコン微粒子の製造方法
JP4756239B2 (ja) 窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法
KR101796076B1 (ko) 소수성 규소 미립자의 제조방법 및 그로부터 제조된 소수성 규소 미립자
JPH06171940A (ja) 酸化チタン粉末の処理方法
JP4576603B2 (ja) リン化インジウムナノチューブの製造方法
Wang et al. Characterization of ZnO nanorods grown on Si substrates coated with NiCl2

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110722

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4791697

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees