WO2009069416A1 - 半導体ナノ粒子とその製造方法 - Google Patents

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Masaru Takahashi
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    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
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Abstract

　スパッタリング法による製膜工程を含む半導体ナノ粒子製造方法を改善することにより、高輝度で近赤外光ないし赤外光を発光する半導体ナノ粒子を提供する。本発明の半導体ナノ粒子は、スパッタリング法による製膜工程を含む製造方法によって製造された半導体ナノ粒子であって、所定要件（１）～（４）を満たし、かつ励起光により励起されたときに近赤外光ないし赤外光を発光することを特徴とする。
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