JP4788178B2 - 半導体製造用熱処理装置 - Google Patents
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また、本発明の別の目的は、適宜なガスが液化または固化した塵による半導体ウェハの品質低下を抑制し得る半導体製造用熱処理装置を提供することにある。
さらに、外筒体[30α、30α’、30β、30β’]は、内部空間[K]を形成する内壁面[31c]に適宜なガスまたは反応生成ガスが接触して発生した生成物[F]を外筒体[30α、30α’、30β、30β’]の外部に排出可能な隙間部[S、S’]を重力方向下側に有する。これにより、適宜なガスまたは反応生成ガスが外筒体[30α、30α’、30β、30β’]に接触してこれらの生成物[F]が外筒体[30α、30α’、30β、30β’]内で発生しても、このような生成物[F]を隙間部[S、S’]から外部に排出することができる。したがって、排気部本体[28]から外筒体[30α、30α’、30β、30β’]を取り外すことなく、このような生成物[F]を容易に除去することができる。
第1実施形態に係る拡散装置20では図1〜図6を参照する。まず、拡散装置20の基本的な構成を図1および図2に基づいて説明する。なお、図1には、拡散装置20の構成例が示されており、また図2には、拡散装置20を構成する外管31αの構成例が示されている。
筒状部31は、金属腐食性のある反応生成ガス等に高い耐性をもつ石英ガラス等の非金属からなる略円筒形状の筒体で、前述したスカベンジャ28内に収容可能な大きさで、かつ、半導体ウェハWを立てた横型ボートBが通過可能な内部空間Kを形成し得る内径Dに設定されている。
前述した外筒体30αでは、ドレンポート37として、重力方向に延びる板状のガイド部37aを備えたものを例示したが、例えば、図3に示す外筒体30β(改変例1-1 )のような貯留部47aを備えたドレンポート47でも良い。
第2実施形態に係る拡散装置20’では図7〜図10を参照する。
第2実施形態に係る拡散装置20’は、外筒体30α’、30β’、30γ’に設けられる排気ポート43の形成位置等が、第1実施形態で説明した外筒体30α、30β、30γに設けられる排気ポート33と異なる点が第1実施形態に係る拡散装置20と相違し、それ以外の点については第1実施形態に係る拡散装置20と同様である。そのため、第1実施形態に係る拡散装置20と実質的に同一の構成部分については図7〜図10において同一の符号を付し、またそれらの説明を省略する。
21…炉体
22…炉心管
22a…開口部
22b…ガス導入部
28、28’…スカベンジャ(排気部本体)
29…排気管
30α、30α’、30β、30β’、30γ、30γ’…外筒体
31…筒状部
31a…搬入端部(一端側)
31b…炉側端部(他端側)
31c…内壁面
31d…切欠部(排気口)
33、33’…排気ポート(排気口)
37、47、57…ドレンポート
37a…ガイド部
47a…貯留部
57a…受器部(貯留部)
F、F’、F”…生成物
K…内部空間
Ka…入出口
Kb…連通口
L…突出量(最小限の長さ)
S、S’…スリット(隙間部)
W…半導体ウェハ
Claims (6)
- 半導体ウェハを内部に搬入可能な開口部および適宜なガスを前記内部に導入可能なガス導入部を有し、前記ガス導入部から導入された前記適宜なガスにより前記内部に収容された前記半導体ウェハの周囲を当該ガス雰囲気に維持可能な炉心管と、
前記炉心管の外周を覆い当該炉心管を加熱して前記ガス雰囲気中の前記半導体ウェハを前記炉心管内で熱処理可能な炉体と、
前記半導体ウェハが通過可能な内部空間を前記炉体外で形成可能な筒状に非金属により形成され、外部から前記内部空間に前記半導体ウェハを取込可能かつ前記内部空間から前記外部に前記半導体ウェハを取出可能な入出口を一端側に有し、前記内部空間から前記炉心管内に前記半導体ウェハを搬入可能かつ前記炉心管内から前記内部空間に前記半導体ウェハを搬出可能に前記開口部に連通し得る連通口を他端側に有し、前記炉心管内で発生する金属腐食性の反応生成ガスを前記炉心管内から前記内部空間を介して前記外部に排気可能な排気口を前記連通口の近傍に有する外筒体と、
前記入出口、前記連通口および前記排気口を除いた前記外筒体の周囲を覆うとともに前記炉体に連結される排気部本体と、
を備え、
前記外筒体は、前記内部空間を形成する内壁面に前記適宜なガスまたは前記反応生成ガスが接触して発生した生成物を前記外筒体の外部に排出可能な隙間部を重力方向下側に有することを特徴とする半導体製造用熱処理装置。 - 前記炉心管の開口部は、前記炉心管内で発生した前記反応生成ガスを前記外筒体の内部空間に排気するために必要な最小限の長さであるミリメートルオーダの長さだけ前記炉体から前記外筒体の内部空間に突出していることを特徴とする請求項1記載の半導体製造用熱処理装置。
- 前記外筒体は、前記炉心管の加熱期間中においても、前記排気部本体から取り外し可能に構成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体製造用熱処理装置。
- 前記外筒体は、前記内部空間を形成する内壁面に前記適宜なガスまたは前記反応生成ガスが接触して発生した生成物を貯留可能な貯留部を重力方向下側に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体製造用熱処理装置。
- 前記外筒体は、前記内部空間を形成する内壁面が当該外筒体の径方向断面形状を略円形状とする曲面状に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体製造用熱処理装置。
- 前記外筒体は、前記内部空間を形成する内壁面が石英により構成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体製造用熱処理装置。
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