JP4777207B2 - セラミック膜の製造方法 - Google Patents
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Description
作花済夫著「ゾル−ゲル法の科学」アグネ承風社、1999年1月20日、p85−93
本発明のセラミック膜の製造方法の第2の態様は、前記第1の態様において、前記水層が、前記レーザ光またはマイクロ波の照射により発熱する発熱剤を含有することを特徴とする。
本発明における基材の材質は特に制限されない。例えば、ステンレス、チタン等の金属、ポリカーボネート、アクリル樹脂等の樹脂、アルミナ、ジルコニア等のセラミックス、宝石、サンゴ、化石等の鉱物、骨、歯牙、木、紙、革、シリコンウェハ等が挙げられる。
本発明で用いられるセラミック前駆体は、加熱によりセラミックを形成する化合物であり、必要に応じて加水分解用の水、均質溶液調製用の溶媒、触媒、その他の添加物を組み合わせて調製される。具体例としては、アルミニウムブトキシド、ゲルマニウムエトキシド、ストロンチウムエトキシド、チタンブトキシド、チタンエトキシド、チタンイソプロポキシド、チタンメトキシド、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムメトキシド、シリコンブトキシド、シリコンエトキシド、シリコンプロポキシド、シリコンメトキシド、バナジルエトキシド、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン等の金属アルコキシド;インジウムアセチルアセトネート、亜鉛アセチルアセトネート等の金属アセチルアセトネート;酢酸鉛、ステアリン酸イットリウム、シュウ酸バリウム等の金属カルボキシレート;硝酸イットリウム、硝酸ニッケル等の金属硝酸塩;オキシ塩化ジルコニウム、オキシ塩化アルミニウム等の金属オキシ塩化物;四塩化チタン等の金属塩化物;SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2などのセラミック微粒子等が挙げられる。
中でもテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン等のアルコキシシランとアルコール、水、触媒により調整された化合物が好ましい。
本発明のセラミック膜の製造方法の第1の実施形態について説明する。
まず、基材上にセラミック前駆体を含有するセラミック前駆体膜を形成する。具体的には、セラミック前駆体と溶媒を含有するコーティング液を基材上に塗布した後、溶媒を除去する。
コーティング液におけるセラミック前駆体の固形分濃度は、0.01〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。
コーティング液には触媒を添加してもよい。該触媒としては、塩酸、硫酸等の酸等が挙げられる。
コーティング液には、本発明の効果を損なわない範囲で、適宜の添加剤を含有させることができる。例えば、紫外線吸収剤、セラミックスまたは樹脂からなるフィラー、フッ素化合物、薬剤成分、光触媒、感光性成分、光沢剤等が挙げられる。
コーティング液の塗布に先立って、必要に応じて、塗布面の研磨や洗浄を行ってもよい。
コーティング液を塗布した後、溶媒を除去するために乾燥工程を行うことが好ましい。
また該水層用液に界面活性剤または過酸化水素水を含有させると、より均質な水層を形成できるため、膜質が良好なセラミック膜を形成するうえで好ましい。
水層用液の塗布量(または滴下量)は、セラミック前駆体膜の全部を水層で覆うことができる量以上であればよい。
本実施形態におけるレーザ光またはマイクロ波としては、水に吸収されるものが用いられる。かかるレーザ光の具体的としては、炭酸ガスレーザ(以下、CO2レーザということもある。)やEr(エルビウム)−YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザ等から発振されるレーザ光が挙げられる。マイクロ波は水に吸収されやすい波長を選択することが好ましい。例えば周波数10〜30GHzのマイクロ波を好適に用いることができる。
このようにして基材上に形成されるセラミック膜の厚さは、特に制限されないが、例えば0.01〜1μm程度が好ましく、0.1〜0.5μm程度がより好ましい。
本実施形態では、照射されたレーザ光またはマイクロ波が水層に吸収され、該水層が発熱して水蒸気が生じ、該水蒸気によりセラミック前駆体が加熱されてセラミック膜が形成されると考えられる。
本実施形態の方法は、焼成工程を必要としないため、基材の種類や用途によって焼成ができない場合にも適用できる。
さらに、レーザ光またはマイクロ波が基材に到達する前に水層に吸収されるため、レーザ光またはマイクロ波の照射による基材自身の温度上昇が抑えられる。
本発明のセラミック膜の製造方法の第2の実施形態について説明する。本実施形態が上記第1の実施形態と大きく異なる点は、セラミック前駆体膜上に形成する水層中に、レーザ光またはマイクロ波の照射により発熱する発熱剤を含有させる点である。
本実施形態におけるレーザ光の種類は特に限定されず、例えばCO2レーザ、Er−YAGレーザ、Nd(ネオジウム)−YAGレーザ等を用いることができる。マイクロ波は発熱剤に吸収されやすい波長を選択することが好ましい。
次いで、該セラミック前駆体膜上に、発熱剤を含有する水層を形成する。具体的には、第1の実施形態における水層用液に発熱剤を分散させた分散液を、セラミック前駆体膜上に塗布または滴下して、該セラミック前駆体膜の表面が水層で覆われた状態とする。
本実施形態において、発熱剤を含有する分散液の塗布量(または滴下量)は、セラミック前駆体膜の全部を水層で覆うことができる量以上であればよい。
本実施形態では、照射されたレーザ光またはマイクロ波が発熱剤に吸収されて発熱が生じ、該発熱剤の周辺の水が加熱されて水蒸気が生じ、該水蒸気によりセラミック前駆体が加熱されてセラミック膜が形成されると考えられる。
CO2レーザを用いた場合など、レーザ光の種類またはマイクロ波の波長によっては、照射されたレーザ光またはマイクロ波が水層中の水に吸収され、該水が発熱して水蒸気が生じ、該水蒸気がセラミック前駆体と反応して酸化膜を形成する現象も生じると考えられる。これによりセラミック膜の形成に要する時間がより短縮される。
さらに、レーザ光またはマイクロ波がより基材に到達しにくいため、レーザ光またはマイクロ波の照射による基材自身の温度上昇が抑えられる。
本発明のセラミック膜の製造方法の第3の実施形態について説明する。本実施形態が第1の実施形態と大きく異なる点は、セラミック前駆体膜上に水層を設けず、セラミック前駆体膜中に、レーザ光またはマイクロ波の照射により発熱する発熱剤を含有させる点である。
本実施形態におけるレーザ光の種類は特に限定されず、例えばCO2レーザ、Er−YAGレーザ、Nd−YAGレーザ等を用いることができる。マイクロ波は発熱剤に吸収されやすい波長を選択することが好ましい。
そして、基材上に形成されたセラミック前駆体膜に向かってレーザ光またはマイクロ波を照射する。
上記第1〜第3の実施形態において、セラミック前駆体膜を親水化剤に接触させた状態でレーザ光またはマイクロ波の照射を行ってもよく、これにより親水性のセラミック膜を生成させることができる。具体的には、セラミック前駆体膜上に親水化剤を塗布または滴下し、該セラミック前駆体膜の表面が親水化剤で覆われた状態で、レーザ光またはマイクロ波を照射すればよい。親水化剤としては、例えば過酸化水素水、オゾン水、酢酸水溶液、pH4.5〜9.5の水溶液、エタノール等のアルコール類等が挙げられる。
第1の実施形態、第2の実施形態、および第3の実施形態においてセラミック前駆体膜上に水層を形成する場合は、水層用液として親水化剤としての作用を有する水溶液、例えば過酸化水素水、オゾン水、酢酸水溶液、pH4.5〜9.5の水溶液等を用いるのが好ましい。
または、レーザ光またはマイクロ波照射時にオゾン噴射を行う方法によっても親水性のセラミック膜を生成させることができる。
基材として、シリコンウェハ(1cm×1cm)を使用した。コーティング液としては高純度化学研究所社製、ゾル−ゲルタイプコーティング剤(製品名:Si−05S)を用いた。
まず、基材の表面上にコーティング液40μlを流し塗り法で塗布し、120℃で10分間加熱乾燥してセラミック前駆体膜を形成した。
次いで、その上に過酸化水素水(濃度5質量%)40μlを滴下した。
この後、CO2レーザ(製品名:OPELASER、03SII、ヨシダ製作所社製)を、基材のコーティング液を塗布した面に向かって照射した。このとき、基材を、その表面に平行な面内で前後左右に可動させながら、表面全面にレーザ照射を行った。照射条件は、出力2Wで1分間照射を4回繰り返した。
基材として、ウシ歯冠部エナメル質を使用した。コーティング液は実施例1と同じゾル−ゲルタイプコーティング剤Si−05Sを用いた。
まず、基材の表面上にコーティング液40×10μlを流し塗り法で塗布し、120℃で10分間加熱乾燥してセラミック前駆体膜を形成した。
次いで、その上に過酸化水素水(濃度3質量%)40μlを滴下した。
この後、電子レンジ(製品名:HITACHI MR−M220、日立社製)内に前記基材を、そのコーティング液を塗布した面が上側となるように置き、マイクロ波を照射した。照射条件は、周波数2450MHz、出力500Wで1分間照射を5回繰り返した。このマイクロ波照射により過酸化水素水は蒸散し、シリカ膜が得られた。該シリカ膜の膜厚は0.1μmであった。
実施例1と同様にして、基材(シリコンウェハ)上にゾル−ゲルタイプコーティング剤Si−05を塗布し、乾燥してセラミック前駆体膜を形成した。
比較例1で得られた試料を、550℃で1時間焼成した。
表1において、1075cm−1付近のピークの高さについては、実施例1、2および比較例1、2のうちで最も大きいピークの高さを10としたときの相対値で表す。1155cm−1付近のピークの高さもついても同様である。
また実施例2についても、1155cm−1付近のピーク高さが減少し、1075cm−1付近のピーク高さが増大していることから、前駆体からシリカへの転化が認められた。また膜の表面状況は非常に良好であった。
これに対して、比較例2は前駆体からシリカへの転化は認められたものの、膜にクラックが発生した。これは焼成により基材自身の温度が上昇し、熱膨張が生じたために膜に亀裂が生じたものと推測される。また実施例1、2では、かかる膜の亀裂が生じなかったことから基板自身の温度上昇が良好に抑えられたと推測される。
Claims (2)
- 基材上に、セラミック前駆体を含有するセラミック前駆体膜を形成し、該セラミック前駆体膜上に、水と界面活性剤または過酸化水素水とを含有する水層を形成した後、前記セラミック前駆体膜及び前記水層に向かってレーザ光またはマイクロ波を照射して前記セラミック前駆体膜をセラミック膜に転化させる工程を有することを特徴とするセラミック膜の製造方法。
- 前記水層が、前記レーザ光またはマイクロ波の照射により発熱する発熱剤を含有することを特徴とする請求項1記載のセラミック膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006272959A JP4777207B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | セラミック膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006272959A JP4777207B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | セラミック膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008088032A JP2008088032A (ja) | 2008-04-17 |
JP4777207B2 true JP4777207B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=39372556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006272959A Active JP4777207B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | セラミック膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4777207B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5100077B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-12-19 | 敏夫 寺中 | シリカ膜の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5893811A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レ−ザ加熱方法 |
JP2002037677A (ja) * | 2000-05-16 | 2002-02-06 | Nippon Steel Corp | プレキャストブロックの乾燥方法 |
JP2001342082A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-11 | Kyocera Corp | 多孔質体の製造方法 |
JP2003038531A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-12 | Masushi Yamaguchi | 液体保持具 |
JP4949668B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物 |
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2006
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008088032A (ja) | 2008-04-17 |
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