JP4764955B2 - プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、２枚のガラス基板（前面ガラス基板および背面ガラス基板）を互いに貼り合わせて構成されており、ガラス基板の間に形成される空間（放電空間）に放電を発生させることで画像を表示する。画像における画素に対応するセルは、自発光型であり、放電により発生する紫外線を受けて赤、緑、青の可視光を発生する蛍光体が塗布されている。そして、１画素は、これらの赤、緑、青の可視光を発生する３つのセルにより構成されている。

例えば、３電極構造のＰＤＰは、Ｘ電極およびＹ電極間でサステイン放電を発生させることで、画像を表示する。サステイン放電を発生させるセル（点灯させるセル）は、例えば、Ｙ電極およびアドレス電極間で選択的にアドレス放電を発生させることにより、選択される。

一般的に、前面ガラス基板は、Ｘ電極およびＹ電極を有し、背面ガラス基板は、Ｘ電極の直交方向に延在する隔壁を有している。そして、上述の蛍光体は、隔壁により形成される溝（凹部）の側面および底面に塗布されている（例えば、特許文献１参照）。例えば、蛍光体が塗布される凹部の断面は、長方形に近い形状に形成されている。
特開２００５−１１６５０８号公報

凹部内の形状が長方形に近いＰＤＰでは、例えば、サステイン放電の広がりが凹部の側面で制限され、凹部の底面側の角付近までサステイン放電が広がらないおそれがある。この場合、凹部の底面側の角付近に塗布された蛍光体から効率よく可視光を発生させることは、困難である。あるいは、ＰＤＰの発光効率を向上させるために、凹部の底面側の角付近までサステイン放電を広げた場合、例えば、凹部の開口部に近い側面付近では、凹部の角付近に比べて強い放電が発生する。このため、凹部の側面に塗布された蛍光体は、凹部の角付近に塗布された蛍光体に比べて、早く劣化する。この場合、凹部の側面に塗布された蛍光体の寿命が短くなるため、ＰＤＰの寿命が短くなる。

本発明の目的は、ＰＤＰの発光効率を向上させることである。特に、本発明の目的は、蛍光体の劣化を抑制しつつ、ＰＤＰの発光効率を向上させることである。

プラズマディスプレイパネルは、第１および第２パネルを有している。第１パネルは、第１方向に延在する複数の表示電極が設けられた第１基板を有している。第２パネルは、放電空間を介して第１基板に対向する第２基板と、第２基板上に設けられた複数の第１隔壁と、第１基板側に開口した凹部とを有している。例えば、第１隔壁は、第２基板上に第１方向に沿って配列され、第１方向と交差する第２方向に延在している。また、凹部は、互いに隣接する隔壁間に設けられる。そして、凹部の第１方向に沿う幅は、少なくとも凹部の深さの半分の位置から底部までの範囲では、第１基板側から第２基板側に向かうにつれて狭く形成されている。

本発明では、ＰＤＰの発光効率を向上できる。特に、本発明では、蛍光体の劣化を抑制しつつ、ＰＤＰの発光効率を向上できる。

一実施形態におけるＰＤＰの要部を示す図である。 図１に示したＰＤＰの第１方向に沿う断面を示す図である。 図２に示した凹部の製造方法の一例を示す図である。 図３に示した製造方法のサンドブラストの条件と凹部の形状との関係の一例を示す図である。 図１に示したＰＤＰを用いて構成されたプラズマディスプレイ装置の一例を示す図である。 別の実施形態におけるＰＤＰの要部を示す図である。

図６に示したＰＤＰの第２方向に沿う断面を示す図である。 図３に示した製造方法のサンドブラストの条件と図７に示した凹部の形状との関係の一例を示す図である。 図１に示したＰＤＰの変形例における第１方向に沿う断面を示す図である。 図１に示したＰＤＰの別の変形例を示す図である。

以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。

図１は、本発明の一実施形態におけるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとも称する）の要部を示している。図中の矢印Ｄ１は、第１方向Ｄ１を示し、矢印Ｄ２は、第１方向Ｄ１に画像表示面に平行な面内で直交する第２方向Ｄ２を示している。ＰＤＰ１０は、画像表示面を構成する前面基板部１２（第１パネル）と、前面基板部１２に対向する背面基板部１４（第２パネル）とにより構成されている。前面基板部１２と背面基板部１４の間（より詳細には、背面基板部１４における蛍光体ＰＨ（PHｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂ）が塗布された凹部ＣＣ）に放電空間ＤＳが形成される。

前面基板部１２は、ガラス基材ＦＳ（第１基板）のガラス基材ＲＳ（第２基板）に対向する面上（図では下側）に第１方向Ｄ１に延在して設けられ、互いに間隔を置いて配置された複数のＸバス電極ＸｂおよびＹバス電極Ｙｂを有している。また、Ｘバス電極Ｘｂには、Ｘバス電極ＸｂからＹバス電極Ｙｂに向けて第２方向Ｄ２に延在するＸ透明電極Ｘｔが接続されている。Ｙバス電極Ｙｂには、Ｙバス電極ＹｂからＸバス電極Ｘｂに向けて第２方向Ｄ２に延在するＹ透明電極Ｙｔが接続されている。図の例では、Ｘ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔは、第２方向Ｄ２に沿って対向している。なお、透明電極Ｘｔ、Ｙｔは、第１方向Ｄ１に沿って対向するように設けられてもよいし、第１方向Ｄ１（あるいは、第２方向Ｄ２）に対して斜めの方向に沿って対向するように設けられてもよい。

例えば、Ｘバス電極ＸｂおよびＹバス電極Ｙｂは、金属材料等で形成された不透明な電極であり、Ｘ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔは、ＩＴＯ膜等で形成された可視光を透過する透明電極である。そして、Ｘ電極ＸＥ（表示電極）は、Ｘバス電極ＸｂおよびＸ透明電極Ｘｔにより構成され、Ｙ電極ＹＥ（表示電極）は、Ｙバス電極ＹｂおよびＹ透明電極Ｙｔにより構成され、Ｘ電極ＸＥと対をなしている。そして、互いに対をなすＸ電極ＸＥおよびＹ電極ＹＥ間（より具体的には、Ｘ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔ間）で繰り返して放電（サステイン放電）を発生させる。

なお、透明電極ＸｔおよびＹｔは、それぞれが接続されるバス電極ＸｂおよびＹｂとガラス基材ＦＳとの間に全面に配置されてもよい。また、バス電極ＸｂおよびＹｂと同じ材料（金属材料等）で、バス電極ＸｂおよびＹｂと一体の電極が透明電極ＸｔおよびＹｔの代わりに形成されてもよい。

電極Ｘｂ、Ｘｔ、Ｙｂ、Ｙｔは、誘電体層ＤＬに覆われている。例えば、誘電体層ＤＬは、ＣＶＤ法により形成された二酸化シリコン膜等の絶縁膜である。そして、誘電体層ＤＬ上（図では下側）には、バス電極Ｘｂ、Ｙｂの直交方向（第２方向Ｄ２）に延在する複数のアドレス電極ＡＥが設けられている。このように、前面基板部１２は、第１方向Ｄ１に延在する複数の電極ＸＥ、ＹＥ（表示電極）および第２方向Ｄ２に延在する複数のアドレス電極ＡＥが設けられたガラス基材ＦＳを有している。

アドレス電極ＡＥおよび誘電体層ＤＬは、保護層ＰＬに覆われている。例えば、保護層ＰＬは、放電を容易に発生させるために、陽イオンの衝突による２次電子の放出特性の高いＭｇＯ膜で形成される。

背面基板部１４は、放電空間ＤＳを介してガラス基材ＦＳに対向するガラス基材ＲＳ（第２基板）を有している。そして、ガラス基材ＲＳ上（ガラス基材ＲＳのガラス基材ＦＳ側）には、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延在する複数の隔壁（バリアリブ）ＢＲ（第１隔壁）が、第１方向Ｄ１に沿って配列されている。すなわち、放電空間ＤＳを介して前面基板部１２に対向する背面基板部１４は、ガラス基材ＲＳ上に互いに平行に形成され、バス電極Ｘｂ、Ｙｂに直交する方向（第２方向Ｄ２）に延在する複数の隔壁ＢＲを有している。例えば、この実施形態では、隔壁ＢＲは、ガラス基材ＲＳと一体に形成されている。この場合、凹部ＣＣの底部よりガラス基材ＦＳ側に位置する部分のガラス基材ＲＳを隔壁ＢＲと称する。

ガラス基材ＲＳと一体に設けられた隔壁ＢＲにより、背面基板部１４の前面基板部１２に対向する面側に、凹部ＣＣが形成される。すなわち、互いに隣接する隔壁ＢＲ間に、前面基板部１２側に開口した凹部ＣＣが設けられる。なお、後述する図２に示すように、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、開口部から底部に向かうにつれて狭く形成されている。また、第２方向Ｄ２から見た場合、凹部ＣＣの底部は、円弧状に形成されている。なお、第２方向Ｄ２から見た場合、凹部ＣＣの底部は、直線状に形成されてもよい。

また、隔壁ＢＲにより、セルの側壁が構成される。そして、隔壁ＢＲの側面と、互いに隣接する隔壁ＢＲの間のガラス基材ＲＳ上とには、紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光を発生する蛍光体ＰＨｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂが、それぞれ塗布されている。すなわち、互いに異なる色の光を発生する複数の種類の蛍光体ＰＨｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂは、凹部ＣＣ内の表面にそれぞれ設けられる。以下、可視光の色毎に区別しない場合等、蛍光体ＰＨｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂを、蛍光体ＰＨとも称する。

ＰＤＰ１０の１つの画素は、赤、緑および青の光を発生する３つのセルにより構成される。ここで、１つのセル（一色の画素）は、例えば、バス電極Ｘｂ、Ｙｂと隔壁ＢＲとで囲われる領域に形成される。このように、ＰＤＰ１０は、カラー画像を表示するためにセルをマトリックス状に配置し、かつ互いに異なる色の光を発生する複数種のセルを交互に配列して構成されている。特に図示していないが、バス電極Ｘｂ、Ｙｂに沿って形成されたセルにより、表示ラインが構成される。

ＰＤＰ１０は、前面基板部１２および背面基板部１４を、保護層ＰＬと隔壁ＢＲが互いに接するように貼り合わせ、Ｎｅ、Ｘｅ等の放電ガスを放電空間ＤＳに封入することで構成される。

図２は、図１に示したＰＤＰ１０の第１方向Ｄ１に沿う断面を示している。なお、図２は、Ｘ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔが互いに対向する位置での断面（互いに対をなすバス電極Ｘｂおよびバス電極Ｙｂ間での断面）を示している。図中の矢印Ｄ１の意味は、上述した図１と同じである。また、図中の網掛け部分は、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間で発生するサステイン放電ＳＤを示している。

この実施形態では、凹部ＣＣの深さＤＰは、凹部ＣＣの開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０より大きい。このように、この実施形態では、凹部ＣＣの深さＤＰを深くすることにより、放電効率を向上できる。また、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、上述したように、開口部から底部に向かうにつれて狭く形成されている。例えば、凹部ＣＣの開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０は、凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ２０より大きく、幅Ｗ２０は、凹部ＣＣの４分の３の深さ（３／４・ＤＰ）の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ３０より大きい。

このように、この実施形態では、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、少なくとも凹部ＣＣの深さＤＰの半分の位置（１／２・ＤＰ）から底部までの範囲では、ガラス基材ＦＳ側からガラス基材ＲＳ側に向かうにつれて狭く形成されている。これにより、この実施形態では、例えば、距離ＤＴ１と距離ＤＴ２との差を小さくでき、サステイン放電ＳＤを放電空間ＤＳ全体に広げることができる。ここで、例えば、距離ＤＴ１は、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間から近い位置に設けられた蛍光体ＰＨの表面とサステイン放電ＳＤの発生領域（放電位置）との距離であり、距離ＤＴ２は、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間から遠い位置に設けられた蛍光体ＰＨの表面とサステイン放電ＳＤの発生領域との距離である。

この実施形態では、距離ＤＴ１と距離ＤＴ２との差を小さくできるため、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間から遠い位置に設けられた蛍光体ＰＨから効率よく可視光ＶＬを発生させることができ、ＰＤＰ１０の発光効率を向上できる。また、この実施形態では、サステイン放電ＳＤを放電空間ＤＳ全体に広げることができるため、特定の位置（例えば、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間から近い位置）の蛍光体ＰＨのみが劣化することを防止でき、蛍光体ＰＨ全体の寿命を長くできる。すなわち、この実施形態では、蛍光体ＰＨの劣化を抑制しつつ、ＰＤＰの発光効率を向上できる。

また、この実施形態では、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅がガラス基材ＦＳ側からガラス基材ＲＳ側に向かうにつれて狭く形成されているため、ガラス基材ＦＳに平行な方向に発せられる可視光ＶＬ（表示に寄与しない可視光）を減らすことができる。すなわち、この実施形態では、ガラス基材ＦＳ側に可視光ＶＬを発する蛍光体ＰＨの量（表面積）を増やすことができ、ガラス基材ＦＳに到達する可視光ＶＬの量を増加させることができる。これにより、ＰＤＰ１０の発光効率を向上でき、ＰＤＰ１０に表示される画像の輝度を高くできる。

図３は、図２に示した凹部ＣＣの製造方法の一例を示している。なお、図３は、凹部ＣＣが形成されるまでの背面基板部１４（ガラス基材ＲＳおよび隔壁ＢＲ）の第１方向Ｄ１に沿う断面を示している。図中の矢印Ｄ１の意味は、上述した図１と同じである。

まず、隔壁ＢＲの頂部のパターンを有するフォトレジストＲ１０がガラス基材ＲＳ上に形成される（図３（ａ））。すなわち、凹部ＣＣの開口部が形成される領域を除いた部分のガラス基材ＲＳ上にフォトレジストＲ１０が設けられる。次に、サンドブラスト装置のノズルガンＮ１０からガラス基材ＲＳに向かって研磨材Ｇ１０が噴射される。（図３（ｂ））。サンドブラストにより、研磨材Ｇ１０が吹き付けられた部分（例えば、フォトレジストＲ１０で覆われていない部分）のガラス基材ＲＳが除去される（図３（ｃ））。なお、後述する図４に示すように、ノズルガンＮ１０の噴射圧力や研磨材Ｇ１０の粒径等のサンドブラストの条件を調整することにより、凹部ＣＣの深さＤＰや幅Ｗ１０、Ｗ２０、Ｗ３０等を調整できる。最後に、フォトレジストＲ１０が除去され、隔壁ＢＲおよび凹部ＣＣが形成される。（図３（ｄ））。

図４は、図３に示した製造方法のサンドブラストの条件と凹部ＣＣの形状との関係の一例を示している。なお、図中の幅Ｗ１０、Ｗ２０、Ｗ３０および深さＤＰは、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０に対する相対値を示している。サンドブラストの条件ｃ１では、ノズルガンＮ１０の噴射圧力ＰＲが０．１５ＭＰａであり、研磨材粒径Ｓ１０（研磨材Ｇ１０の粒径Ｓ１０）が３〜５μｍであり、加工時間（噴射時間）Ｔ１０が１時間である。条件ｃ２では、噴射圧力ＰＲが０．３ＭＰａであり、研磨材粒径Ｓ１０が３〜５μｍであり、加工時間Ｔ１０が１時間である。条件ｃ３では、噴射圧力ＰＲが０．１５ＭＰａであり、研磨材粒径Ｓ１０が２〜４μｍであり、加工時間Ｔ１０が１時間である。

条件ｃ１では、凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）の幅Ｗ２０は、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０の０．７５倍程度に形成され、凹部ＣＣの４分の３の深さ（３／４・ＤＰ）の幅Ｗ３０は、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０の０．６倍程度に形成される。また、凹部ＣＣの深さＤＰは、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０の１．３倍程度に形成される。例えば、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０が２００μｍの場合、幅Ｗ２０は、１５０μｍ程度であり、幅Ｗ３０は、１２０μｍ程度であり、深さＤＰは、２６０μｍ程度である。

条件ｃ２では、幅Ｗ２０は、幅Ｗ１０の０．７倍程度に形成され、幅Ｗ３０は、幅Ｗ１０の０．５５倍程度に形成され、深さＤＰは、幅Ｗ１０の１．９倍程度に形成される。例えば、幅Ｗ１０が２００μｍの場合、幅Ｗ２０は、１４０μｍ程度であり、幅Ｗ３０は、１１０μｍ程度であり、深さＤＰは、３８０μｍ程度である。このように、噴射圧力ＰＲが大きい条件ｃ２では、凹部ＣＣの深さＤＰは、条件ｃ１に比べて大きく形成される。すなわち、噴射圧力ＰＲを大きくすることにより、凹部ＣＣの深さＤＰを深くできる。なお、この実施形態では、上述したように、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅が開口部から底部に向かうにつれて狭く形成されているため、深い凹部ＣＣ（および、高い隔壁ＢＲ）を容易に形成できる。したがって、この実施形態では、凹部ＣＣの深さＤＰを深くすることにより、放電空間ＤＳを容易に大きくできる。

条件ｃ３では、幅Ｗ２０は、幅Ｗ１０の０．９５倍程度に形成され、幅Ｗ３０は、幅Ｗ１０の０．７倍程度に形成され、深さＤＰは、幅Ｗ１０の１．２５倍程度に形成される。例えば、幅Ｗ１０が２００μｍの場合、幅Ｗ２０は、１９０μｍ程度であり、幅Ｗ３０は、１４０μｍ程度であり、深さＤＰは、２５０μｍ程度である。このように、研磨材粒径Ｓ１０が小さい条件ｃ３では、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０と凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）の幅Ｗ２０との差は、条件ｃ１に比べて小さく形成される。すなわち、研磨材粒径Ｓ１０を小さくすることにより、凹部ＣＣの開口部から凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）までの範囲で、第１方向Ｄ１に沿う幅の変化量（例えば、幅Ｗ１０と幅Ｗ２０との差）を小さくできる。

図５は、図１に示したＰＤＰ１０を用いて構成されたプラズマディスプレイ装置の一例を示している。プラズマディスプレイ装置（以下、ＰＤＰ装置とも称する）は、ＰＤＰ１０、ＰＤＰ１０の画像表示面１６側（光の出力側）に設けられる光学フィルタ２０、ＰＤＰ１０の画像表示面１６側に配置された前筐体３０、ＰＤＰ１０の背面１８側に配置された後筐体４０およびベースシャーシ５０、ベースシャーシ５０の後筐体４０側に取り付けられ、ＰＤＰ１０を駆動するための回路部６０、およびＰＤＰ１０をベースシャーシ５０に貼り付けるための両面接着シート７０を有している。回路部６０は、複数の部品で構成されるため、図では、破線の箱で示している。光学フィルタ２０は、前筐体３０の開口部３２に取り付けられる保護ガラス（図示せず）に貼付される。なお、光学フィルタ２０は、電磁波を遮蔽する機能を有してもよい。また、光学フィルタ２０は、保護ガラスではなく、ＰＤＰ１０の画像表示面１６側に直接貼付されてもよい。

以上、この実施形態では、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、上述したように、開口部から底部に向かうにつれて狭く形成されている。これにより、この実施形態では、サステイン放電ＳＤを放電空間ＤＳ全体に広げることができ、ＰＤＰ１０の発光効率を向上できる。また、この実施形態では、特定の位置（例えば、透明電極Ｘｔ、Ｙｔ間から近い位置）の蛍光体ＰＨのみが劣化することを防止できるため、蛍光体ＰＨ全体の寿命を長くでき、ＰＤＰ１０の寿命を長くできる。すなわち、この実施形態では、蛍光体ＰＨの劣化を抑制しつつ、ＰＤＰの発光効率を向上できる。

図６は、別の実施形態におけるＰＤＰ１０の概要を示している。この実施形態では、上述した図１に示した構成に、隔壁ＢＲ２が追加されて構成されている。その他の構成は、図１−図５で説明した実施形態と同じである。なお、例えば、凹部ＣＣ２の製造方法は、フォトレジストＲ１０のパターンを除いて、上述した図３と同じである。図１−図５で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。

ガラス基材ＲＳ上には、隔壁ＢＲおよび隔壁ＢＲ２（第２隔壁）により構成される格子状の隔壁が形成されている。なお、上述した図１に示した各凹部ＣＣは、隔壁ＢＲ２により仕切られ、凹部ＣＣ２に分割されている。すなわち、背面基板部１４は、ガラス基材ＲＳに第１方向Ｄ１に延在して設けられ、上述した図１に示した凹部ＣＣを仕切る複数の隔壁ＢＲ２を有している。例えば、この実施形態では、隔壁ＢＲ２は、ガラス基材ＲＳおよび隔壁ＢＲと一体に形成されている。この場合、凹部ＣＣ２の底部よりガラス基材ＦＳ側に位置する部分のガラス基材ＲＳを隔壁ＢＲあるいは隔壁ＢＲ２と称する。

隔壁ＢＲ、ＢＲ２により、セルの側壁が構成される。そして、隔壁ＢＲ、ＢＲ２の側面と、隔壁ＢＲ、ＢＲ２により囲まれた部分のガラス基材ＲＳ上とには、紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光を発生する蛍光体ＰＨｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂが、それぞれ塗布されている。すなわち、互いに異なる色の光を発生する複数の種類の蛍光体ＰＨｒ、ＰＨｇ、ＰＨｂは、凹部ＣＣ２内の表面にそれぞれ設けられる。

図７は、図６に示したＰＤＰ１０の第２方向Ｄ２に沿う断面を示している。なお、図７は、図６に示したＸ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔ間での断面を示している。また、図６に示したＰＤＰ１０の第１方向Ｄ１に沿う断面は、上述した図２と同じため、説明を省略する。

凹部ＣＣ２の第２方向Ｄ２に沿う幅は、開口部から底部に向かうにつれて狭く形成されている。例えば、凹部ＣＣ２の開口部の第２方向Ｄ２に沿う幅Ｗ１２は、凹部ＣＣ２の半分の深さ（１／２・ＤＰ）の第２方向Ｄ２に沿う幅Ｗ２２より大きく、幅Ｗ２２は、凹部ＣＣ２の４分の３の深さ（３／４・ＤＰ）の第２方向Ｄ２に沿う幅Ｗ３２より大きい。また、この実施形態では、凹部ＣＣ２の底部の第２方向Ｄ２に沿う断面は、円弧状に形成されている。なお、凹部ＣＣ２の底部の第２方向Ｄ２に沿う断面は、直線状に形成されてもよい。

上述したように、凹部ＣＣ２の第２方向Ｄ２に沿う幅は、少なくとも凹部ＣＣ２の深さＤＰの半分の位置（１／２・ＤＰ）から底部までの範囲では、ガラス基材ＦＳ側からガラス基材ＲＳ側に向かうにつれて狭く形成されている。これにより、この実施形態では、サステイン放電を放電空間ＤＳ全体に広げることができ、蛍光体ＰＨの劣化を抑制しつつ、ＰＤＰの発光効率を向上できる。

図８は、上述した図３に示した製造方法のサンドブラストの条件と凹部ＣＣ２との形状の関係の一例を示している。なお、図中の幅Ｗ１２、Ｗ２２、Ｗ３２および深さＤＰは、凹部ＣＣ２の開口部の第２方向Ｄ２に沿う幅Ｗ１２に対する相対値を示している。また、括弧内の数値は、上述した図２−図４に示した凹部ＣＣ（図７および図８では、凹部ＣＣ２）の開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０に対する相対値を示している。サンドブラストの条件ｃ１、ｃ２、ｃ３は、上述した図４と同じである。

条件ｃ１では、凹部ＣＣ２の半分の深さ（１／２・ＤＰ）の幅Ｗ２２は、凹部ＣＣ２の開口部の幅Ｗ１２の０．７５倍程度に形成され、凹部ＣＣ２の４分の３の深さ（３／４・ＤＰ）の幅Ｗ３２は、凹部ＣＣ２の開口部の幅Ｗ１２の０．５９倍程度に形成される。また、凹部ＣＣ２の深さＤＰは、凹部ＣＣ２の開口部の幅Ｗ１２の０．５９倍程度に形成される。例えば、凹部ＣＣ２の開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅（上述した図４に示した凹部ＣＣの幅Ｗ１０）が２００μｍの場合、幅Ｗ１２は、４４０μｍ（幅Ｗ１０の２．２倍）程度である。この場合、幅Ｗ２２は、３３０μｍ（幅Ｗ１０の１．６５倍）程度であり、幅Ｗ３２は、２６０μｍ（幅Ｗ１０の１．３倍）程度であり、深さＤＰは、２６０μｍ（幅Ｗ１０の１．３倍）程度である。

条件ｃ２では、幅Ｗ２２は、幅Ｗ１２の０．７倍程度に形成され、幅Ｗ３２は、幅Ｗ１２の０．５４倍程度に形成され、深さＤＰは、幅Ｗ１２の０．８６倍程度に形成される。例えば、凹部ＣＣ２の開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅（図４に示した凹部ＣＣの幅Ｗ１０）が２００μｍの場合、幅Ｗ１２は、４４０μｍ（幅Ｗ１０の２．２倍）程度である。この場合、幅Ｗ２２は、３１０μｍ（幅Ｗ１０の１．５５倍）程度であり、幅Ｗ３２は、２４０μｍ（幅Ｗ１０の１．２倍）程度であり、深さＤＰは、３８０μｍ（幅Ｗ１０の１．９倍）程度である。

条件ｃ３では、幅Ｗ２２は、幅Ｗ１２の０．９３倍程度に形成され、幅Ｗ３２は、幅Ｗ１２の０．６８倍程度に形成され、深さＤＰは、幅Ｗ１２の０．５７倍程度に形成される。例えば、凹部ＣＣ２の開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅（図４に示した凹部ＣＣの幅Ｗ１０）が２００μｍの場合、幅Ｗ１２は、４４０μｍ（幅Ｗ１０の２．２倍）程度である。この場合、幅Ｗ２２は、４１０μｍ（幅Ｗ１０の２．０５倍）程度であり、幅Ｗ３２は、３００μｍ（幅Ｗ１０の１．５倍）程度であり、深さＤＰは、３００μｍ（幅Ｗ１０の１．２５倍）程度である。

以上、この実施形態においても、上述した図１−図５で説明した実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、上述した実施形態では、１つの画素が、３つのセル（赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ））により構成される例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、１つの画素を４つ以上のセルにより構成してもよい。あるいは、１つの画素が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外の色を発生するセルにより構成されてもよく、１つの画素が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外の色を発生するセルを含んでもよい。

上述した実施形態では、第２方向Ｄ２が、第１方向Ｄ１に直交する例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と、ほぼ直角方向（例えば、９０度±５度）に交差してもよい。この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

上述した実施形態では、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅が、開口部から底部に向かうにつれて狭く形成される例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、図９に示すように、凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）の幅Ｗ２４は、凹部ＣＣの開口部の幅Ｗ１０と同じでもよい。この場合、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、凹部ＣＣの深さＤＰの半分の位置（１／２・ＤＰ）から底部までの範囲では、ガラス基材ＦＳ側からガラス基材ＲＳ側に向かうにつれて狭く形成されている。この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

図９は、上述した図１に示したＰＤＰ１０の変形例における第１方向Ｄ１に沿う断面を示している。なお、図９は、Ｘ透明電極ＸｔおよびＹ透明電極Ｙｔが互いに対向する位置での断面（互いに対をなすバス電極Ｘｂおよびバス電極Ｙｂ間での断面）を示している。図９のＰＤＰ１０では、凹部ＣＣの形状が、上述した図１−図５で説明した実施形態と相違している。その他の構成は、上述した図１−図５で説明した実施形態と同じである。図１−図５で説明した要素と同一の要素については、同一の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。

凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う幅は、凹部ＣＣの深さＤＰの半分の位置（１／２・ＤＰ）から底部までの範囲では、ガラス基材ＦＳ側からガラス基材ＲＳ側に向かうにつれて狭く形成されている。例えば、凹部ＣＣの開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０は、凹部ＣＣの半分の深さ（１／２・ＤＰ）の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ２４と同じであり、幅Ｗ２４は、凹部ＣＣの４分の３の深さ（３／４・ＤＰ）の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ３４より大きい。すなわち、図９の例では、凹部ＣＣの第１方向Ｄ１に沿う断面は、Ｕ字形状に形成されている。なお、凹部ＣＣの底部の第１方向Ｄ１に沿う断面は、直線状に形成されてもよい。この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

上述した実施形態では、隔壁ＢＲが、ガラス基材ＲＳと一体に形成される例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、隔壁ＢＲは、ペースト状の隔壁材料を用いて形成されてもよい。この場合、先ず、ペースト状の隔壁材料がガラス基材ＲＳ上に塗布され、乾燥される。その後、上述した図３に示したフォトレジストＲ１０が、隔壁材料上に設けられる。そして、サンドブラスト等により、フォトレジストＲ１０で覆われていない部分の隔壁材料が除去され、隔壁ＢＲおよび凹部ＣＣが形成される。この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

上述した実施形態では、アドレス電極ＡＥが前面基板部１２に設けられる例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、図１０に示すように、アドレス電極ＡＥは、背面基板部１４に設けられてもよい。図１０の構成では、第２方向Ｄ２に延在する複数のアドレス電極ＡＥは、背面基板部１４のガラス基材ＲＳ上に設けられ、誘電体層ＤＬ２に覆われている。そして、誘電体層ＤＬ２上には、隔壁ＢＲが形成されている。

この場合、先ず、ペースト状の隔壁材料がガラス基材ＲＳ上に塗布され、乾燥される。その後、上述した図３に示したフォトレジストＲ１０が、隔壁材料上に設けられる。そして、サンドブラスト等により、フォトレジストＲ１０で覆われていない部分の隔壁材料が除去され、隔壁ＢＲおよび凹部ＣＣが形成される。この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

上述した実施形態では、凹部ＣＣの深さＤＰが、凹部ＣＣの開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０より大きく形成される例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、凹部ＣＣの深さＤＰは、凹部ＣＣの開口部の第１方向Ｄ１に沿う幅Ｗ１０より小さく形成されてもよいし、幅Ｗ１０と同じに形成されてもよい。この場合にも、凹部内の形状が長方形に近いＰＤＰに比べて、発光効率を向上できる。したがって、この場合にも、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。

以上、本発明について詳細に説明してきたが、上記の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。

本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法に適用できる。

Claims (5)

1. 第１方向に延在する複数の表示電極と前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数のアドレス電極とが設けられた第１基板を有する第１パネルと、
   放電空間を介して前記第１基板に対向する第２基板を有する第２パネルとを備え、
   前記第２パネルは、
   前記第２基板と一体に形成され、前記第２基板上に前記第１方向に沿って配列され、前記第２方向に延在する複数の第１隔壁と、
   互いに隣接する前記第１隔壁間に、前記第１基板側に開口した凹部とを備え、
   前記凹部内の表面には、互いに異なる色の光を発生する複数の種類の蛍光体が設けられており、
   前記凹部の前記第１方向に沿う幅は、前記凹部の開口部から底部に向かうにつれて狭くなり、前記凹部の開口部における前記第１方向に沿う幅Ｗ１に対して、前記凹部の深さＤＰは１．２５×Ｗ１以上で１．９×Ｗ１以下の範囲、前記凹部の半分の深さの前記第１方向に沿う幅Ｗ２は０．７×Ｗ１以上で０．９５×Ｗ１以下の範囲、前記凹部の４分の３の深さの前記第１方向に沿う幅Ｗ３は０．５５×Ｗ１以上で０．７×Ｗ１以下の範囲であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記第２パネルは、前記第２基板に前記第１方向に延在して設けられ、前記凹部を仕切る複数の第２隔壁を備え、
   前記凹部の前記第２方向に沿う幅は、少なくとも前記凹部の深さの半分の位置から底部までの範囲では、前記第１基板側から前記第２基板側に向かうにつれて狭くなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 第１方向に延在する複数の表示電極と前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数のアドレス電極とが設けられた第１基板を有する第１パネルと、
   放電空間を介して前記第１基板に対向する第２基板を有する第２パネルとを備えたプラズマディスプレイの製造方法であって、
   前記第２基板上に前記第１方向に沿って配列され、前記第２方向に延在する複数の第１隔壁を、前記第２基板と一体に形成し、
   前記第１隔壁を形成するとともに、前記第２パネルの互いに隣接する前記第１隔壁間に、前記第１基板側に開口した凹部を設け、
   前記凹部の開口部における前記第１方向に沿う幅Ｗ１に対して、前記凹部の深さＤＰを１．２５×Ｗ１以上で１．９×Ｗ１以下の範囲となるように、前記凹部の半分の深さの前記第１方向に沿う幅Ｗ２を０．７×Ｗ１以上で０．９５×Ｗ１以下の範囲となるように、前記凹部の４分の３の深さの前記第１方向に沿う幅Ｗ３を０．５５×Ｗ１以上で０．７×Ｗ１以下の範囲となるように、前記凹部の前記第１方向に沿う幅を、前記凹部の開口部から底部に向かうにつれて狭く形成し、
   前記凹部内の表面に、互いに異なる色の光を発生する複数の種類の蛍光体を設けることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記第２基板を選択的に除去することにより、前記第１隔壁および前記凹部を前記第２パネルに設けることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
5. 請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記第２基板上に、前記第１方向に延在して設けられ、前記凹部を仕切る複数の第２隔壁を設け、
   前記凹部の前記第２方向に沿う幅を、少なくとも前記凹部の深さの半分の位置から底部までの範囲では、前記第１基板側から前記第２基板側に向かうにつれて狭く形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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