JP4763966B2 - 複数ターゲットスパッタリング用の装置及び方法 - Google Patents
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Description
Handbook of Sputter Deposition Technology, K. Wasa and S. Hayakawa, Noyes Publication, 1992
Claims (14)
- 連続する均質層を被処理体上にスパッタ蒸着する方法であり、隣接する層は異なる種から成り、真空ハウジング内で実行されるところの方法であって、
(a)ターゲット基板の第1部分に第1スパッタ可能種を用意し、前記ターゲット基板の第2部分に第2スパッタ可能種を用意する工程と、
(b)前記被処理体を前記ターゲット基板の前記第1部分及び前記第2部分のうちの選択した部分に実質的に近接して配置する工程と、
(c)不活性ガスを前記真空ハウジング内に導入し、前記ターゲットからスパッタリングするためのイオンのソースを与えるべく前記真空ハウジング内に電気的プラズマ放電を確立する工程と、
(d)前記プラズマ放電を閉じ込めるよう磁場を付勢し、前記ターゲット部分にバイアスポテンシャルを印加し、前記プラズマから前記ターゲットの前記選択した部分へ入射するイオンを制限するための第1プラズマ制限アパーチャを有する第1マスクを挿入し、前記選択した部分の種のみを前記被処理体上へスパッタ蒸着する工程と、
(e)前記被処理体を前記ターゲット基板の選択した他の部分に実質的に近接して配置する工程と、
(f)第1スパッタ可能種、続いて第2スパッタ可能種を順に前記被処理体にスパッタリングする際、前記ターゲット基板を連続的に回転させ、それによって被処理体上に異なる種から成る連続する均質層を蒸着する工程と、
から成り、
前記ターゲット基板の第1部分及び第2部分の両方の部分が、前記第1プラズマ制限アパーチャに近づく角度の間は、スパッタリングが有効とならない、
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、さらに、選択された他の部分から他の種を前記被処理体上へスパッタ蒸着する工程を含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記配置する工程は、前記被処理体の表面を、前記ターゲット基板から離隔しかつそれに面して、実質的に等角に方向付ける工程から成る、ところの方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記スパッタ蒸着する工程は、前記ターゲット基板から離隔された前記表面へのスパッタ蒸着を、前記第1プラズマ制限アパーチャを有する第1マスクに加え、前記被処理体と前記第1マスクとの間に第2スパッタ制限アパーチャを有する第2マスクを前記被処理体に位置合わせして配置することにより制限する工程から成る、ところの方法。
- 共通のターゲット基板の連続したスパッタリングターゲット部分からのスパッタリングによって被処理体上に連続被覆を施す方法であって、
(a)スパッタリング処理中に前記被処理体と前記共通のターゲット基板との間に連続的な相対運動状態を生じさせる工程であって、第1プラズマ制限アパーチャを有する第1マスクが前記被処理体と前記ターゲット基板との間に配置され、前記第1プラズマ制限アパーチャは前記スパッタリングターゲット部分のいずれよりもサイズが小さいところの工程と、
(b)前記被処理体に対する前記ターゲット基板のひとつの部分の第1の予め選択した相対的配置を検知し、前記ターゲット基板の前記ひとつの部分からのスパッタ蒸着を開始する工程であって、前記相対的配置の間、前記ターゲット基板のひとつの部分のみが前記第1プラズマ制限アパーチャを通じて露出し、それにより第1種の第1均質層が被処理体に蒸着されるところの工程と、
(c)前記被処理体と前記共通のターゲット基板との間で連続的な相対運動を続ける間、前記第1プラズマ制限アパーチャを通じて前記ターゲットのひとつの部分のみが露出し、第2の予め選択した相対的配置を検知するとただちに前記ターゲット基板のひとつの部分からのスパッタ蒸着を終了する工程と、
(d)他の材料から成るターゲット基板の他の部分について、工程(b)及び(c)を繰り返す工程であって、それによって第1種と異なる第2種の第2の均質層を蒸着する工程と、
から成り、
前記ターゲット基板の前記ひとつの部分及び他の部分の両方の部分が、前記第1プラズマ制限パーチャに近づく相対的配置の間は、スパッタリングが有効とならない、
ことを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法であって、前記開始及び終了工程は前記相対運動状態中に生じる、ところの方法。
- 請求項5に記載の方法であって、さらに、前記感知する工程の後に前記相対運動状態を停止する工程を含む方法。
- 請求項6に記載の方法であって、前記終了する工程は、前記ターゲット基板の他の部分の相対的配置への接近が感知されるまで前記ターゲット基板を加速し、その後相対運動状態へ戻すよう前記ターゲット基板を減速する工程から成る、ところの方法。
- 複数のスパッタ可能材料をスパッタ蒸着するためのターゲット組立体であって、
(a)冷媒の循環用の入口及び出口を有するダクトのネットワークから成るヒートシンクと、
(b)前記ヒートシンクと熱連通するよう配置された複数のスパッタ可能なターゲット部分であって、該ターゲット部分の各々はひとつの選択したスパッタ可能材料を含み、各々は非同時的にスパッタ蒸着される、ところのターゲット部分と、
(c)回転駆動のための前記ヒートシンクを支持するシャフトであって、前記シャフトは、前記ヒートシンクの方向及びそれから離れる方向への前記冷媒の通路用の2つの空間を画成する同軸管状構造から成り、前記冷媒は前記ヒートシンクと熱連通している、ところのシャフトと、
(d)前記シャフトの角度位置を確立するためのシャフト位置エンコーダと、
を含むターゲット組立体。 - 請求項9に記載のターゲット組立体であって、さらに、前記複数のスパッタ可能なターゲット部分間に電気的分離体を含む、ターゲット組立体。
- 被処理体の表面上に連続の異なるスパッタ膜を蒸着するためのスパッタ蒸着モジュールであって、
(a)前記被処理体の挿入及び除去のために適応された真空ハウジングと、
(b)前記真空ハウジングの一部を形成するターゲット組立体であって、前記被処理体上に複数のスパッタ可能材料の各々を非同時的にスパッタ蒸着するためのターゲット組立体であり、
ヒートシンクを通じて冷媒を循環させるための入口及び出口を有するダクトのネットワークから成るヒートシンクと、
前記ヒートシンクと熱連通するように配置された複数のスパッタ可能なターゲット部分であって、前記ターゲット部分の各々はひとつの選択したスパッタ可能材料を含むスパッタ可能なターゲット部分と、
前記被処理体と前記ターゲット部分との間に配置された、第1プラズマ制限アパーチャを有する第1マスクと、
前記被処理体と前記第1マスクとの間に、前記被処理体と位置合わせして配置された第2スパッタ制限アパーチャを有する第2マスクと、
を含むターゲット組立体と、
(c)スパッタリング処理中に、前記ターゲット組立体と前記被処理体との間に連続的な相対運動を生成するよう適応されたモータと、
(d)プラズマ放電を開始するための電力ソースと、
(e)前記ターゲット組立体と前記被処理体の相対的位置を検知するためのシャフト位置エンコーダと、
から成るスパッタ蒸着モジュール。 - 請求項11に記載のスパッタ蒸着モジュールであって、さらに、前記プラズマ放電を選択した領域に閉じ込めるための磁極組立体を含む、スパッタ蒸着モジュール。
- 請求項12に記載のスパッタ蒸着モジュールであって、前記選択した領域はスパッタ蒸着される前記被処理体の面より大きい面積から成る、ところのスパッタ蒸着モジュール。
- 共通のターゲット基板上に配置された複数のスパッタリングターゲット部分からのスパッタリングにより、被処理体上に連続被覆を施す方法であって、
(a)スパッタリング処理中に、前記被処理体と前記共通のターゲット基板との間に連続的な相対運動状態を生じさせる工程と、
(b)前記被処理体に対する、第1スパッタリング種から成る前記ターゲットの第1部分の予め選択した第1の相対的配置を検知する工程と、
(c)前記被処理体に対する前記ターゲット基板の第1部分の予め選択した第2の相対的配置を検知し、前記ターゲット基板の第1部分からのスパッタ蒸着を終了させる工程と、
(d)前記被処理体に対する、第1スパッタリング種と異なる第2スパッタリング種から成る前記ターゲット基板の第2部分の予め選択した第1の相対的配置を検知し、前記ターゲット基板の第2部分からのスパッタ蒸着を開始する工程であって、それによって第2スパッタリング種の第2の均質層を蒸着する工程と、
から成り、
前記被処理体と前記ターゲット基板との間に第1プラズマ制限アパーチャを有する第1マスクが配置され、前記ターゲット基板の前記第1及び第2部分の両方の部分が、前記第1プラズマ制限アパーチャに近づくとき、スパッタリングは有効とならない、ことを特徴とする方法。
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