JP4755545B2 - 基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は基板の製造方法に関し、より詳細には基板を厚さ方向に貫通して設けられる貫通電極を備える基板の製造方法に関する。

電子部品を搭載する基板には、たとえば半導体ウエハや樹脂基板などの基板に厚さ方向に貫通する貫通電極（ビア）を設け、貫通電極を介して基板の両面間での電気的接続を可能とした製品がある。これらの基板は、基板の両面に搭載した電子部品間、あるいは基板の一方の面に搭載した電子部品と基板の他方の面に形成した外部接続端子とを貫通電極を介して電気的に接続して電子部品を搭載するといった場合に用いられる。

貫通電極を設けた基板は、図４に示すように、半導体ウエハ等の基板１０に貫通孔１２を形成し（図４（ａ））、基板１０の一方の面に銅箔等からなる導電性基材１４を接着し（図４（ｂ））、導電性基材１４をめっき給電層とする電解めっき、たとえば銅めっきを施して貫通孔１２をめっき１６によって充填し（図４（ｃ））、次に、導電性基材１４を除去し、基板１０の他方の面を研磨して、貫通孔１２から突出しているめっき１６を平坦化して（図４（ｄ））形成される（たとえば、特許文献１、２参照）。
特開２００４−２２９９０号公報 特開２００６−５４３０７号公報

上述したように、貫通電極１６ａを備えた基板２０は、基板１０に設けた貫通孔１２にめっき１６を充填して形成するのであるが、基板１０に形成される貫通孔１２の孔径が異なったり、電解めっきの際のめっき条件がばらついたりすることによって、貫通孔１２に析出するめっき１６の析出速度にばらつきが生じる。貫通孔１２の孔径が異なるのは、同一の基板１０に異なる孔径の貫通孔１２を形成する場合の他に、貫通孔１２を形成する際の加工精度によって孔径がばらつくといったことによって生じる。また、貫通孔１２は、孔径が異なる他に、形成方法によって貫通孔１２が必ずしも直孔に形成されず、貫通孔１２の内面が傾斜面に形成されるといったように、孔形状が異なることもある。

図５（ａ）に、基板１０に異なる孔径、異なる形状の貫通孔１２が形成された状態を説明的に示した。一般に、貫通孔１２の孔径が小さいほど貫通孔１２内でのめっきの析出速度が遅くなる。したがって、貫通孔１２の孔径がばらつくと、同一のめっき条件でめっきした場合でも、貫通孔１２内におけるめっきの析出度合いがばらつくことになる。また、貫通孔１２の内容積によっても貫通孔１２内でのめっきの充填割合が異なってくる。この結果、導電性基材１４をめっき給電層として基板１０に電解めっきを施した際に、貫通孔１２に完全にめっき１６が充填されなかったり、貫通孔１２の外側に突出するめっき１６の高さがばらついたりするという問題が生じる（図５（ｂ））。このようなめっきのばらつきは、めっき液中での電流分布のばらつきやめっき液の攪拌度のばらつきといった、めっき装置に起因する場合もある。

前述した貫通電極を備えた基板の製造工程において、貫通孔１２の開口側からめっき１６が突出するようにめっきしている理由は、貫通孔１２内にめっき１６が完全に充填されないことによる不良を回避するためである。貫通孔１２からめっき１６が突出するようにめっきし、後工程で基板の表面を研磨して平坦化することによって確実な導通部として貫通電極１６ａが形成できるからである。しかしながら、基板の表面を研磨して貫通電極とする場合は、たとえば半導体ウエハなどを基板とする場合は、基板の表面に形成されている酸化膜が削られてしまったり、ウエハの厚さが薄くなると研磨時に割れてしまったりするといった問題がある。

貫通孔１２におけるめっき析出速度のばらつきを解消する方法としては、電解めっきを施す際の電流密度を下げる等により、めっきの析出速度を遅くし、めっきの析出度合いを均一にする方法が考えられる。しかしながら、めっき析出速度を遅くすることは製品の製造効率を低下させることに直結するから、生産性の点から問題となる。また、めっきの析出速度を遅くした場合でも、貫通孔の内容積が大きく異なるような場合には、めっきを均一の高さに仕上げることは困難となる。

そこで、本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、基板に形成された貫通孔の孔径や形状がばらついている場合であっても各々の貫通孔に確実にめっきを充填して電気的導通性が確保された貫通電極を備える基板を製造することができる基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成された基板の一方の面を導電性基材により被覆する工程と、前記導電性基材をめっき給電層とする電解めっきにより、前記貫通孔内にめっきを析出させ、さらに貫通孔の開口部から突出するようにめっきする第一のめっき工程と、前記基板の他方の面側からエッチングを施し、前記貫通孔から突出するめっき部分を除去するとともに、前記貫通孔内のめっきを部分的に除去するエッチング工程と、前記導電性基材をめっき給電層とする電解めっきにより、前記貫通孔内のめっきと一体に前記貫通孔にめっきを施し、貫通孔をめっきにより充填させる第二のめっき工程と、前記導電性基材を前記基板から除去する工程とを備えることを特徴とする。
なお、第二のめっき工程は、さらに複数のめっき工程に細分化されためっき工程としてなされる場合がある。この場合も、これら複数のめっき工程を包含して第二のめっき工程という。

また、前記第一のめっき工程におけるめっき析出速度が、前記第二のめっき工程におけるめっき析出速度よりも速くなるようにめっき条件が設定されていることにより、貫通電極を備えた基板の生産性を低下させることなく確実に基板を製造することができる。
前記第二のめっき工程においては、複数の貫通孔内におけるめっきの析出速度が均一になるようにめっき条件が設定されていることにより、貫通孔内に第二のめっきを均一に形成することができ、貫通孔を第一のめっきと第二のめっきとによって精度よく充填することが可能になる。

また、前記エッチング工程では、前記基板の他方の面に向けてエッチング液を噴射することによって、基板の他方の面から突出するめっきの突出部分を効率的にエッチングすることができ、一方、貫通孔内に充填されているめっきについてはエッチング速度が抑制されることによって、エッチング後に貫通孔に残るめっきの高さをほぼ均等に揃えることが可能となる。貫通孔に残るめっきの高さを均等に揃えることによって、第二のめっき工程で確実に貫通孔をめっきによって充填することが可能になる。
また、前記第一のめっき工程と前記第二のめっき工程として、異種のめっきを施して貫通電極を形成することも可能であるが、同種のめっきを施すことにより電気的特性の優れた貫通電極を備えた基板として得ることができる。
また、前記第一のめっき工程と前記第二のめっき工程として、ともに電解銅めっきを施すことができる。

また、前記基板として、厚さ方向に貫通して設けられる各々の貫通孔が、基板の一方の面と他方の面とで開口する開口穴が、単数対単数、単数対複数、複数対単数の関係により連通して形成された基板を用いることを特徴とする。このように本発明に係る発明によれば、厚さ方向に連通する種々の形状の貫通孔を備えた基板に適用することができる。

本発明に係る基板の製造方法によれば、基板に形成された貫通孔の孔径や形状がばらついている場合であっても、各々の貫通孔に確実にめっきを充填して電気的導通性が確保された貫通電極を備えた基板を確実に製造することができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。
図１は、本発明に係る基板の製造方法の製造工程を示す説明図である。図１は、図５に示した孔径や孔形状が異なる貫通孔１２が形成された基板１０について本発明方法を適用した例を示す。
図１（ａ）は、基板１０に貫通孔１２を形成した状態を示す。基板１０は、その材質や大きさ等が限定されるものではない。基板１０としては、シリコン等の半導体ウエハや樹脂基板、樹脂フィルムが使用できる。また、貫通孔１２の孔径もとくに限定されるものではない。

本発明方法を適用してめっきを施す実施例として使用したワークは、厚さ３００μｍのシリコンウエハを基板１０としたもので、貫通電極形成後、ダイシングし、２５００個のチップを切り出すものである。このシリコンウエハに、直径１００μｍ（設計値）の貫通孔１２を１チップあたり２０個、ピッチを２００μｍとして格子状に配置した。１枚のウエハあたりのチップ総数は２５００個、貫通孔１２の総数は５００００個である。貫通孔１２は、イオンビームエッチングによって形成した。実際の貫通孔１２の孔径は９０μｍ〜１１０μｍの範囲にばらついた。

図１（ｂ）は、基板１０の一方の面に導電性基材１４を被着形成した状態を示す。導電性基材１４は電解めっきにより貫通孔１２をめっきによって充填する際に、めっき給電層として使用される。本実施形態では、導電性基材１４として銅箔を使用し、銅箔をシリコンウエハの一方の面に接着剤により接着してシリコンウエハの一方の面を導電性基材１４により被覆した。

（第一のめっき工程）
基板１０の一方の面に導電性基材１４を被着形成した後、導電性基材１４をめっき給電層とする電解めっきにより、貫通孔１２の内部をめっき１６によって充填し、さらに貫通孔１２の開口部（基板１０の他方の面）からめっきが突出するようにめっきする。図１（ｃ）が、第一のめっき工程によって基板１０に電解めっきを施した状態を示す。
図は、貫通孔１２の孔径や孔形状によって貫通孔１２から突出するめっき１６の突出部分の高さがまちまちになることを示している。

本発明では、第一のめっき工程においては、貫通孔１２内でのめっきの析出速度を速めることを優先的な条件として、めっき液やめっき電流等のめっき条件を選択する。すなわち、第一のめっき工程では、貫通孔１２内でのめっき析出速度を速くすることを一次的な条件とし、貫通孔１２内でのめっきの析出速度のばらつきを抑えることを二次的な条件とする。したがって、第一のめっき工程では、貫通孔１２内でのめっきの析出速度がばらつき、貫通孔１２の開口部から突出するめっき１６の突出高さのばらつきも、めっきの析出速度のばらつきを抑えるようにめっき条件を設定した場合にくらべて大きくなる。

上記シリコンウエハをワークとする実施例では、以下のめっき条件により銅めっきを施した。
めっき液：硫酸銅：３００ｇ／Ｌ、硫酸：５０ｇ／Ｌ、液温：５０℃、電流密度：１０Ａ／dm2 、めっき時間１５０分。
これによって、基板１０の他方の面から約３０μｍ程度、めっきが突出した状態にめっきされた。本実施形態でのめっき条件は、めっきの析出速度のばらつきを抑えてめっきする場合にくらべて、めっきの析出速度が３倍程度、速くなる条件となっている。したがって、めっきの析出速度のばらつきを抑えるめっき条件による場合と比較して、本実施例の場合には、はるかに高速で貫通孔１２にめっきすることができる。なお、めっきの析出速度を上げるには、一般に、めっき液における金属成分の濃度を上げ、液温を上げるようにする。

（エッチング工程）
第一のめっき工程の後、基板１０の他方の面から突出しているめっき１６の突出部分をエッチングして除去する。図１（ｄ）は、基板１０の他方の面に対向させてエッチング用のノズル３０を配置し、ノズル孔３０ａから基板１０の他方の面に垂直に当たるようにエッチング液を噴出させてエッチングする状態を示す。なお、導電性基材１４が被着されている面側はマスクしてエッチングする。
基板１０の他方の面側に向けてエッチング液を吐出することにより、基板１０の表面から突出するめっき１６の部分がまずエッチングされて徐々に除去され、めっき１６の突出部分が除去されると、貫通孔１２に充填されているめっき１６がエッチングされはじめる。しかしながら、貫通孔１２の内側ではエッチング液の液循環は、基板１０の外部とくらべて悪いから、貫通孔１２の内側でのエッチングの進み方は抑制される。

図２（ａ）に、めっき１６の突起部分をエッチングした状態を示す。基板１０に向けてエッチング液を噴射してめっき１６をエッチングすると、図のように、基板１０の表面から外方に突出していためっき１６の突出部分が除去されるとともに、貫通孔１２の開口側が部分的にエッチングされた状態になる。
上述したように、貫通孔１２の内部では基板１０の外部よりもめっき１６に対するエッチングが進まなくなるから、めっき１６の突起部分が早目に除去された貫通孔１２の部分でも貫通孔１２の内部ではエッチングが進まず、エッチング完了時には図のように、貫通孔１２の内部に残るめっき１６の高さが略均一になる。

前述したように、第一のめっき工程では、めっきの析出速度を速く設定、貫通孔１２内におけるめっきの析出速度のばらつきを許容するようにした。したがって、貫通孔１２の開口部から突出するめっき１６の高さのばらつきは、めっきの析出速度を遅くした場合よりも大きくなるが、本エッチング工程で貫通孔１２から突出するめっき１６の突出部分の高さのばらつきが吸収される。

上記シリコンウエハをワークとする銅めっきを施した実施例では、次のエッチング条件でエッチングした。
エッチング液：NPE-300(三菱ガス化学製）２００ｇ／Ｌ、エッチング液温：室温、エッチング時間５分。
このエッチングにより、貫通孔１２の開口面からめっき１６の端面（上面）が２０〜３０μｍ程度入り込んだ状態にエッチングされる。すなわち、各々の貫通孔１２の開口側に凹部１２ａが形成された状態になる。

（第二のめっき工程）
図２（ｂ）は、導電性基材１４をめっき給電層として電解めっきを施し、めっき１６に接続するようにして一体的に第二のめっき１７を施した状態を示す。この第二のめっき１７は、貫通孔１２の開口部側に形成された凹部１２ａをめっき１７によって充填するように形成する。実際には、貫通電極１６としての電気的導通を確実にするため、めっき１７の端面が基板１０の端面よりもわずかに突出するように第二のめっきを施す。

この第二のめっき工程では、各々の貫通孔１２にめっきを析出させる場合に、めっきの析出速度がなるべく均等になるようにめっき条件を設定する。言い換えれば、めっきの析出速度を速くするよりも、めっきの析出速度がばらつくことを抑えることを優先してめっき条件を設定してめっきする。
このように、第二のめっき工程におけるめっき条件を設定すれば、前工程で、各々の貫通孔１２の開口側に形成されている凹部１２ａの深さはほぼ均等になっているから、確実に凹部１２ａをめっき１７によって充填することができ、基板１０を厚さ方向に貫通する貫通電極１６を形成することができる。

上記シリコンウエハをワークとする実施例では、次のめっき条件により第二のめっき１７を施した。
めっき液：硫酸銅：１００ｇ／Ｌ、硫酸：１５０ｇ／Ｌ、他に添加剤、液温：２０℃、電流密度：３Ａ／dm2 、めっき時間３０分。
第一のめっき工程でのめっき条件と比較すると、めっき液中の硫酸銅の濃度が低くなり、液温が低く設定され、電流密度が小さく設定されている。これによって、めっきの析出速度が遅くなるとともに、めっきが均一に、ばらつきなく析出する。

（導電性基材の除去工程）
第二のめっきを施した後、導電性基材１４を除去することにより貫通電極１８を備えた基板４０が得られる。図２（ｃ）は、導電性基材１４を剥離して除去した状態を示す。導電性基材１４は化学的にエッチングして除去することもできる。貫通電極１８が第一のめっき工程で設けられためっき１６と、第二のめっき工程によって設けられためっき１７の２層構成に形成され、貫通電極１８が基板１０を厚さ方向に貫通する。

本実施形態の貫通電極を備えた基板４０の製造工程によれば、貫通孔１２に確実にめっきを充填することができ、基板１０を厚さ方向に貫通する貫通電極１８が形成された基板４０として得ることができる。
第二のめっき工程では、めっきの析出速度のばらつきを抑え、めっきの析出速度を遅く設定してめっきするから、貫通孔１２の開口側に形成された凹部１２ａに精度よくめっき１７を充填することができる。したがって、第二のめっき工程後に、基板１０の表面を研磨して基板１０の表面から突出しているめっきの突出部分を平坦化するといった処理が不要になる。これによって、製造工程が簡素化できる。

また、研磨工程を不要としたことにより、半導体ウエハを基板１０として使用した場合に、半導体ウエハの表面を削ってしまったり、研磨時に半導体ウエハを割ってしまったりするという問題を回避することができる。また、より薄い半導体ウエハを基板１０に使用することができるようになる。

また、本実施形態では、前述したように、第一のめっき工程においては、めっきの析出速度を速くするめっき条件を設定してめっきするから、貫通孔１２の全体をめっきの析出速度のばらつきを抑える条件としてめっきする場合と比較して、めっきに要する時間をはるかに短縮することができる。また、めっきの析出速度が遅くなる第二のめっき工程では、貫通孔１２の開口側の凹部１２ａの部分をめっきによって充填するのみであるから、第一と第二のめっき工程を合わせた全体のめっき時間も短縮される。これによって、生産性を向上させ、かつ貫通電極１８を精度よく形成することができる。

なお、上記実施の形態では、基板１０の一方の面に導電性基材１４として銅箔を接着したが、導電性基材１４は銅箔に限らず適宜導電性材を使用することができる。また、導電性基材１４は、ポリイミドフィルム等の電気的絶縁性を有する基材に銅層等の導電層を設け、導電層を基板１０の一方の面側に接着する方法によって基板１０に被着形成することもできる。また、導電性基材１４を基板１０に接着する際には、貫通孔１２内で導電性基材１４あるいは導体部が露出するように接着する。このためには、貫通孔１２を除く基板１０の表面に接着層を形成して導電性基材１４を接着する方法や、導電性接着剤を用いて導電性基材１４を接着する方法が利用できる。

（貫通電極を備える基板の他の例）
前述したように、本発明方法は、基板１０に形成する貫通孔１２の孔径および孔形状に依存するものではない。一般的には貫通孔１２は基板１０を厚さ方向に貫通する１本の孔形状に形成するが、図３に示すように、屈曲した形態に貫通孔１２を形成した場合についても本発明方法を適用することができる。

図３（ａ）は、基板１０に屈曲形状の貫通孔を形成した例を示す。貫通孔１２１は直穴に形成したもの、貫通孔１２２は、基板１０の一方の面と他方の面とで開口位置が直線配置から偏位した形態に形成された例である。貫通孔１２３は、基板１０の一方の面で開口孔が２つ、基板１０の他方の面で開口孔が一つ設けられ、孔が中途で分岐する形態に形成された例である。貫通孔１２４は基板１０の一方の面では比較的大きな開口に形成され、基板１０の他方の面で２つの開口が設けられて、厚さ方向に連通する形状に形成された例である。これらの断面形状で屈曲する形態の貫通孔１２２、１２３、１２４は、たとえばイオンビームを用いて、基板１０の一方の面と他方の面から各々、穴加工することによって形成される。

図３（ａ）は、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４が形成された基板１０の一方の面に銅箔等の導電性基材１４を被着形成した状態を示す。
図３（ｂ）は、導電性基材１４をめっき給電層とする電解めっきを施す第一のめっき工程を示す。貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４にめっき１６が充填され、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４の開口側すなわち基板１０の他方の面側からめっき１６が突出するようにめっきされている。第一のめっき工程では、前述したように、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４内でのめっきの析出速度のばらつきを抑えるよりも、めっきの析出速度を速くすることを優先してめっきする。

図３（ｃ）は、エッチング工程により、基板１０の他方の面側からエッチング液を基板１０に向けて噴射し、基板１０の他方の面から突出するめっき１６の突出部分を除去した状態を示す。このエッチング工程では、貫通孔１２１〜１２４の開口側から若干内側部分までめっき１６がエッチングされる。
図３（ｄ）は、第二のめっき工程により、貫通孔１２１〜１２４に形成されているめっき１６の上に積み上げるようにして第二のめっき１７を析出させ、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４をめっき１６、１７によって充填した状態を示す。第二のめっき工程では、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４内でのめっきの析出速度のばらつきをなくすようにめっき条件を設定し、貫通孔１２１〜１２４の開口側に形成される凹部が均等にめっき１７によって充填されるようにする。

図３（ｅ）は、基板１０の一方の面に被着されている導電性基材１４を除去し、基板１０の厚さ方向に貫通する貫通電極１８を備えた基板４０が形成された状態を示す。
図３に示すように、基板１０に種々の形状の貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４を形成した場合でも、本発明方法によれば、貫通孔１２１、１２２、１２３、１２４に確実にめっきを充填させることができ、また、第二のめっき工程では、めっきの析出速度のばらつきを抑えてめっきすることにより、基板１０の他方の面とめっきの表面の高さを位置合わせするようにめっき１７を形成することができる。これによって、めっき後に基板１０の表面を研磨する工程が不要となり、基板１０を厚さ方向に貫通する貫通電極１８を備えた基板４０を確実に、かつ効率的に製造することが可になる。

以上説明したように、本発明方法は基板１０に形成する貫通孔１２が直穴に形成される場合に限らず、種々形状の、厚さ方向に連通する貫通孔が形成されている場合に適用することができる。
また、前述した実施形態ではシリコンウエハに貫通孔を形成した実施例について合わせて説明したが、本発明は基板１０の材質や大きさ等によって限定されるものではない。また、上記実施例では、電解めっきとして銅めっきを施した例について説明したが、本発明は銅めっき以外の電解めっきを施す場合についてももちろん適用できる。また、貫通孔１２に第一のめっきと第二のめっきとして銅−銅めっきのように同種のめっきを施すこともできるし、第一と第二のめっきとして異種のめっきを施すことも可能である。

また、さらに、貫通電極の端面に保護めっきを施すような場合には、第二のめっきとして金めっき等の保護めっきを施すことも可能である。また、貫通電極１８の端面に金めっき等の保護めっきを別に設ける必要がある場合には、第二のめっきと保護めっきとを組み合わせて貫通孔がめっきによって充填されるようにすることもできる。
すなわち、本発明は第一と第二のめっき工程を組み合わせる他に、第二のめっき工程をさらに複数のめっき工程に分けてめっきすることも可能である。第二のめっき工程を複数のめっき工程に分けてめっきする場合も、これらのめっき工程においてはめっきの析出速度を均等化し、ばらつきを抑えるめっき条件としてめっきすることは、上述した第二のめっき工程と同様である。

本発明に係る基板の製造工程における基板の断面図である。 本発明に係る基板の製造工程における基板の断面図である。 種々の貫通孔を備えた基板についての製造工程を示す基板の断面図である。 従来の貫通電極を備える基板の製造工程を示す基板の断面図である。 基板に種々形状の貫通孔が形成されている場合のめっき状態を示す基板の断面図である。

符号の説明

１０ 基板
１２ 貫通孔
１２ａ 凹部
１４ 導電性基材
１６、１７ めっき
１８ 貫通電極
２０ 基板
３０ ノズル
４０ 基板

Claims (7)

1. 厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成された基板の一方の面を導電性基材により被覆する工程と、
   前記導電性基材をめっき給電層とする電解めっきにより、前記貫通孔内にめっきを析出させ、さらに貫通孔の開口部から突出するようにめっきする第一のめっき工程と、
   前記基板の他方の面側からエッチングを施し、前記貫通孔から突出するめっき部分を除去するとともに、前記貫通孔内のめっきを部分的に除去するエッチング工程と、
   前記導電性基材をめっき給電層とする電解めっきにより、前記貫通孔内のめっきと一体に前記貫通孔にめっきを施し、貫通孔をめっきにより充填させる第二のめっき工程と、
   前記導電性基材を前記基板から除去する工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法。
2. 前記第一のめっき工程におけるめっき析出速度が、前記第二のめっき工程におけるめっき析出速度よりも速くなるようにめっき条件が設定されていることを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
3. 前記第二のめっき工程においては、複数の貫通孔内におけるめっきの析出速度が均一になるようにめっき条件が設定されていることを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
4. 前記エッチング工程では、前記基板の他方の面に向けてエッチング液を噴射して行うことを特徴とする請求項１または２記載の基板の製造方法。
5. 前記第一のめっき工程と前記第二のめっき工程において、同種のめっきを施すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の基板の製造方法。
6. 前記第一のめっき工程と前記第二のめっき工程において、ともに電解銅めっきを施すことを特徴とする請求項５記載の基板の製造方法。
7. 前記基板として、厚さ方向に貫通して設けられる各々の貫通孔における基板の一方の面と他方の面とで開口する開口穴が、単数対単数、単数対複数、複数対単数の関係により連通して形成された基板を用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の基板の製造方法。