JP4754652B1 - 接触燃焼式ガスセンサの制御回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 相互に熱隔離した検知素子1及び参照素子2を対にして備える接触燃焼式ガスセンサにおいて、検知素子1は、サーミスタ・セラミクス3aに白金系電極線4を埋め込むと共に、当該サーミスタ・セラミクス3aの表面に検知ガスの反応触媒を混合した反応膜1aを備え、参照素子2は、サーミスタ・セラミクス3aに白金系電極線4を埋め込むと共に、当該サーミスタ・セラミクス3aの表面に検知ガスの反応触媒を含まず前記反応膜1aと熱容量が等しい非反応膜2aを備え、検知素子1及び参照素子2に、各々の電極線4に繋がる端子5を備える接触燃焼式ガスセンサ。
【選択図】 図1
Description
加えて、触媒材料の焼成温度が高温になる場合は、コイルに白金等の貴金属線を使用する必要があり、当該コイルを含むセンサがより高価なものとなる。
加えて、触媒材料の反応発熱が微量である場合は、コイルの電気抵抗の変化幅が小さく、検知極と参照極の抵抗差が僅かとなるため、濃度変化に対する分解能が乏しく、応答性の乏しいセンサとならざるを得ないと言う問題がある。
サーミスタ・セラミクスとは、温度変化に抵抗値が追従する性質を有し、且つ通電による自己発熱性を有するセラミクスである。サーミスタ・セラミクスは、金属よりも大きな抵抗値温度依存性を持っているため、温度検出にこれを用いることで、高感度及び高分解能を実現することが出来る他、今日、材料技術の進歩によって、金属と比較して高精度な抵抗器を製造し易いという特色がある。
即ち、温度検出部兼ヒータの表面に、検知素子では反応触媒を担持する反応膜をコーティングする一方、参照素子では、検知素子と同等の熱容量の不活性膜である非反応膜をコーティングし、検知対象たるガスが存在した時に検知素子で生じる燃焼反応に起因した温度上昇の検出により生じる電気信号(反応信号)と、参照素子より生じる電気信号(基準信号)とを出力するセンサである。
しかも、サーミスタ・セラミクスをヒータとして用いることにより、検知極でガスの燃焼が起こりやすい温度となる様に自己発熱を調整することができ、検知極と参照極との間で発熱を補償することができるので、検知極と参照極との間で正確な温度差分の検出が可能となり、精度の高いセンサを提供することが可能となる。
また、サーミスタ・セラミクスに白金系電極線が埋め込まれていることで、薄膜構造とは異なり、ヒータとして使う際にも充分な耐久性を与えることができるのみならず、白金系電極線の膨張係数が極めて小さいことから、加熱を繰り返したとしてもサーミスタ・セラミクスや反応膜との界面に割れや剥離が発生する様な応力は生じない。
これらより、耐熱性、耐衝撃性、耐久性、及び安定性の高い接触燃焼式ガスセンサを提供することができる。
図1に示すガスセンサは、熱的に隔絶した検知極及び参照極を対にして備えるガスセンサである。
参照極の参照素子2は、サーミスタ・セラミクス3aに白金系電極線4を埋め込むと共に、当該サーミスタ・セラミクス3aの表面に検知ガスの反応触媒を含まず前記反応膜1aと熱容量が等しい非反応膜2aを備える。
検知極及び参照極には、各々検知素子1及び参照素子2の電極線4に繋がる端子5を備える。
例えば、公知のMnCoNiFe系や、CaYMnCr系であれば、常温から200℃を越える温度にて運転しても、実用的な抵抗値、抵抗温度係数、及び長期耐久性を得ることができる。
上記サーミスタ組成を持つスラリ(以下サーミスタスラリと記す)を一対の白金系電極線4が間隔をあけて平行に張られたジグに塗布し、乾燥・焼成することで、当該白金系電極線4がインサートされた一単位のビード型のサーミスタ素子3を得る(素子形成工程)。
尚、このガスセンサでは、同一のサーミスタ素子3を二単位用いる。
反応触媒は、検知目的のガスによって異なり、例えば、水素であれば白金、一酸化炭素であればパラジウムやコバルト酸化物等といった具合に選択すれば良い。
セラミクスは、上記サーミスタ・セラミクス3aの熱膨張係数(例えば、9×10-6/K)付近に調整され、当該サーミスタ・セラミクス3aの熱膨張係数に整合したものを用いる。
例えば、Y203、Cr203、Al203等の酸化物を選択すれば良い。
焼結助剤は、ガラスフリット等を選択すれば良い。
この際、前記反応膜1aと非反応膜2aの熱量が等しくなる様に膜厚を調整する。
膜厚は、検知極コーティングスラリの粒径の数倍以上にあたる約5μmから約10μm以上あれば、反応信号と基準信号の間で実効性のある差分を得ることができる。
当該例は、温度検出兼ヒータとしてサーミスタを用いたガスセンサである。
即ち、
(1)酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、及び酸化鉄を、それぞれ、40mol%、40mol%、10mol%、10mol%となる様に秤量を行い、ボールミルにて12時間湿式混合を行なう。
(2)得られた混合物をアルミナ角鉢に入れ、900℃にて2時間仮焼きを行い合成する。
(3)得られた合成物をボールミルにて24時間湿式粉砕を行い、1μm程度の粒径のサーミスタ粉末を得る。
(4)得られたサーミスタ粉末を70重量%、及び有機ビヒクルとしてエチルセルロース10cpの5重量%溶解品30重量%を秤量・混合しサーミスタスラリを得る。
尚、当該例における反応触媒は、一酸化炭素に対して触媒反応を有するパラジウムである。
(1)1μm程度に粒径を調整した、パラジウム粉末、アルミナ粉末、及び焼結助剤を、それぞれ、7重量%、92重量%、及び1重量%となる様に秤量を行い、それらを混合することで検知極コーティング材料を得る。
(2)得られた検知極コーティング材料を70重量%、及び有機ビヒクルとしてエチルセルロース10cpの5重量%溶解品30重量%を秤量・混合し検知極コーティングスラリを得る。
(1)1μm程度に粒径を調整した、アルミナ粉末及び焼結助剤を、それぞれ、98重量%及び2重量%となる様に秤量を行い、それらを混合することで参照極コーティング材料を得る。
(2)得られた参照極コーティング材料を70重量%、及び有機ビヒクルとしてエチルセルロース10cpの5重量%溶解品30重量%を秤量・混合し参照極コーティングスラリを得る。
サーミスタ・セラミクス3aと同程度の熱膨張係数を持つセラミクスに反応触媒を担持させ、それを反応膜1aとすることで、加熱を繰り返しても特性の劣化を招来することなく長期にわたって高い精度で使用することができる。
尚、各極の台座6,7及び連結台座9、並びに熱隔壁10は、熱伝導性の悪いセラミクス等の素材で形成すれば良い。
即ち、分圧抵抗器Rsと検知素子1を直列に接続した検知電圧発生回路11と、温度設定抵抗器Rcと参照素子2を直列に接続した参照電圧発生回路12と、二つの電源抵抗器Rx,Ryを直列接続してなる電源電圧発生回路13を並列接続して構成され、前記検知電圧発生回路11と参照電圧発生回路12でブリッジ回路を構成し、更に、電源電圧発生回路13の分圧点電圧VRと参照電圧発生回路12の分圧点電圧VQを両分圧点R,Qにおいて電流を流出入させることなく強制的に一致させる仮想短絡回路14を付加したものである。
温度上昇で抵抗値が低下するサーミスタの特性により、等電源電圧下であれば検知電圧発生回路11と参照電圧発生回路12の電流が増加するが、参照電圧発生回路12の分圧点Qにおける電圧降下により、電源電圧発生回路13の発生電圧が低下し、当該電源電圧を受ける検知電圧発生回路11と参照電圧発生回路12の電流を減少させる様に働く。
ここで従来のガスセンサとして用いた例は、30μmのニッケル線を21ターンのコイル状に整形して一対形成し、一方には上記実施の形態と同一の検知極コーティングスラリを塗布し、他方には参照極コーティングスラリを塗布した上で、上記実施の形態と同一の温度で焼成することにより、検知極及び参照極を形成したものである。
3 サーミスタ素子,3a サーミスタ・セラミクス,
4 白金系電極線,5 端子,
6 台座(検知素子),7 台座(参照素子),8 メッシュ,9 連結台座,
10 熱隔壁,
11 検知電圧発生回路,12 参照電圧発生回路,13 電源電圧発生回路,
14 仮想短絡回路,15 制御回路,
P 分圧点(検知電圧発生回路),VP 分圧点電圧,
Q 分圧点(参照電圧発生回路),VQ 分圧点電圧,
R 分圧点(電源電圧発生回路),VR 分圧点電圧,
Rs 分圧抵抗器,Rc 温度設定抵抗器,Rx 電源抵抗器,Ry 電源抵抗器,
Claims (1)
- 相互に熱隔離した検知素子(1)及び参照素子(2)を対にして備える接触燃焼式ガスセンサにおいて、
検知素子(1)は、サーミスタ・セラミクス(3a)に白金系電極線(4)を埋め込むと共に、当該サーミスタ・セラミクス(3a)の表面に検知ガスの反応触媒を混合した反応膜(1a)を備え、
参照素子(2)は、サーミスタ・セラミクス(3a)に白金系電極線(4)を埋め込むと共に、当該サーミスタ・セラミクス(3a)の表面に検知ガスの反応触媒を含まず前記反応膜(1a)と熱容量が等しい非反応膜(2a)を備え、
検知素子(1)及び参照素子(2)に、各々の電極線(4)に繋がる端子(5)を備える接触燃焼式ガスセンサを含み、
分圧抵抗器(Rs)と検知素子(1)を直列に接続した検知電圧発生回路(11)と、
温度設定抵抗器(Rc)と参照素子(2)を直列に接続した参照電圧発生回路(12)と、
二つの電源抵抗器(Rx,Ry)を直列接続してなる電源電圧発生回路(13)を並列接続して構成され、
前記検知電圧発生回路(11)と参照電圧発生回路(12)でブリッジ回路を構成し、
電源電圧発生回路(13)の分圧点電圧(VR)と参照電圧発生回路(12)の分圧点電圧(VQ)を両分圧点(R,Q)において電流を流出入させることなく強制的に一致させる仮想短絡回路(14)を備え、
検知電圧発生回路(11)の分圧点(P)と、参照電圧発生回路(12)の分圧点(Q)を検知ガスの濃度に対応した出力の検出点とする接触燃焼式ガスセンサの制御回路。
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