JP4738596B2 - 抵抗型プロセス制御装置の診断 - Google Patents

Description

【０００１】
発明の背景
本発明は、プロセス制御産業で用いられる型式の装置に関する。より詳細には、本発明は、診断が抵抗の関数であるようなプロセス制御装置の診断に関する。
【０００２】
プロセス制御装置は、プロセス変数を監視して産業工程を制御するために用いられる。例えば、あるプロセス制御伝送器は温度を監視し、その情報を制御室へ伝送する。さらに、バルブ（弁）コントローラなどのプロセスコントローラがプロセスを制御するために用いられる。
【０００３】
センサが素子あるいはその他の部品を制御したり、苛酷な環境にさらされたりするのにつれて、システムの精度は低下する傾向がある。装置を定期的に再較正することによって、この精度低下を補正することが可能である。そのためには、典型的には、作業者が現場に入り、装置を現場で較正することが要求される。このことは不便であり、また作業者にとっては時間の浪費である。さらに、究極的な故障に先立って、装置の状態を判定することは困難である。
【０００４】
装置あるいはその部品が老朽化するにつれて、それらを定期的に交換することも必要である。しかしながら、いつ、そのような交換をしなければならないかを正確に決定することは難しい。したがって、典型的には、部品はその故障よりも十分前に交換されるし、またある場合には、予定外のシステム停止を余儀なくさせるような予期しない時に故障したりする。
【０００５】
発明の概要
プロセス制御システム内の装置は、抵抗を有する電気素子を含む。前記素子に接続された自己発熱回路は、電気素子の抵抗に関係する自己発熱信号を供給する。診断回路は、自己発熱信号出力の関数として、例えば素子の推定残寿命や較正出力などの出力を供給する。
【０００６】
図面の簡単な説明
図１は、本発明による伝送器を含むプロセス制御システムを示す。
図２は、本発明の伝送器のブロック図である。
図３は、本発明の１つの実施例による伝送器の簡略化された流れ図である。
図４は、本発明のある実施例による簡略化されたブロック図である。
図５は、本発明によるプロセス制御装置の簡略化されたブロック図である。
図６は、本発明の１つの実施例によるコリオリ流量計の簡略化されたブロック図である。
【０００７】
好ましい実施例の詳細な説明
図１は、それぞれ２線式プロセス制御ループ６および１４を介して制御室４に電気的に接続され、現場に設置される温度伝送器４０およびバルブコントローラ１２を含むプロセス制御システム２を示す図である。マニホールド上に設置され、マニホールドを介してパイプに連結された伝送器４０は、プロセスパイプ８内のプロセス流体のプロセス変数を監視する。本発明は、プロセス制御装置内のあらゆる電気素子に適用できる。抵抗を有するプロセス変数センサは、例えば圧力、流量、ｐH、濁度、レベル用等のセンサを含む。
【０００８】
１つの実施例では、伝送器４０はループ６を流れる電流を制御することによって、ループ６を介して、温度情報を制御室４に伝送する温度伝送器である。例えば、ループ６を通る電流は、４〜２０ｍＡの間で制御されて、温度を示すように較正されることができる。本発明による伝送器は、ＨＡＲＴ（登録商標）あるいはフィールドバス（Fieldbus）などの全デジタルプロトコルの様式で、付加的あるいは選択的に、ループ６を介して、温度に関するデジタル情報を制御室４に伝送することができる。伝送器４０は、本明細書によって詳細に説明される回路を含み、その回路は、センサの動作に関する高等な診断を提供する。
【０００９】
本発明の１つの特徴は、時には線形関係であるような、ＲＴＤセンサの「アルファ」（alpha）を示す自己発熱（ＳＨ）の緊密な相関関係の認識を含む。周知のとおり、センサのアルファは、センサの較正に関連があり、故にセンサの寿命に関連がある。したがって、ＳＨ指標を測定すれば、センサの寿命を推定することができる。さらにセンサ出力は、劣化の量（例えば、ＳＨ指標の予め設定した値と現在の実際値との差）の関数としてリアルタイムで補正されることができる。このことによって、伝送器出力は自動補正される。
【００１０】
本発明の１つの特徴は、伝送器内の抵抗性素子のＳＨ指標を決定するための新しい技術を含む。典型的には、従来技術による自己発熱指標測定は、印加された電流による素子内の温度変化を監視することによって実行された。しかしながらプロセス制御装置では、電力に制限があり、温度測定を別個に行なわなければならないので、前述のような測定を実行することは実用的でない。本発明は、電気素子への入力電力の与えられた変化に対する電気素子の抵抗の変化として、自己発熱指標を定義することを含む。
【００１１】
この技術は、温度に対して較正されるための抵抗性素子を必要としないので、プロセス制御装置にとって好ましい。さらにこの技術は、素子をプロセスから取り外す必要がないので、プロセスを中断することによる問題なしに、しかも費用をかけずに、（瞬時的な）リアルタイム・データを収集することができる。自己発熱指標は、プロセス制御装置内で、２つの異なる入力電流、例えば５ｍＡと１５ｍＡとを電気素子に印加することによって計算されることができる。その結果として生ずる、抵抗両端間の電圧が測定され、前記２つの異なる電流値での素子の抵抗が、例えば式Ｒ＝Ｖ／Ｉを用いて計算される。素子に供給される電力は、Ｐ＝Ｉ・Ｖとして２つの異なる電流に対して決定される。自己発熱指標は式１によって計算される。
ＳＨＩ＝（Ｒ₁−Ｒ₂）／（Ｐ₁−Ｐ₂） 式１
【００１２】
本発明は、プロセスシステム制御システム内の任意の多数の場所で実行されることができる。特に、ソフトウェアおよびマイクロプロセッサで実現される本発明は、中央コントローラ、あるいはバルブ、モータ、またはスイッチなどの最終制御素子内に備わることができる。さらに、フィールドバス、プロフィバス（Profibus）、およびその他の最新のデジタルプロトコルは、本発明を実行するためのソフトウェアがプロセス制御システム内の素子間で伝送されることを可能にし、またプロセス変数が１つの伝送器内で感知された後に前記ソフトウェアへ送られることを可能にする。
【００１３】
図２は、ＲＤＴ温度センサ１０に接続された温度伝送器４０内に装備される本発明の簡略化されたブロック図である。伝送器４０は端子ブロック４４、電流源４５、マルチプレクサ４６、差動増幅器４８、高精度Ａ／Ｄ変換器５０、マイクロプロセッサ５２、クロック回路５４、メモリ５６、および入出力回路５８を含む。
【００１４】
端子ブロック４４は、例えばＲＴＤ温度センサ１０に接続されるための端子１〜４を含む。センサ１０は伝送器４０の内部および外部のどちらにも配置されることができる。センサ１０は抵抗Ｒ₁を有するＲＴＤセンサ素子６１を含み、その抵抗Ｒ₁は環境温度の変化によって変化する。リード１６は、４つの素子リード６２、６４、６６、および６８を含む。リード６２はセンサ素子６１と端子４との間に、リード６４はセンサ素子６１と端子３との間に、リード６６はセンサ素子６１と端子２との間に、またリード６８はセンサ素子６１と端子１との間にそれぞれ接続される。
【００１５】
電流源４５は端子ブロック４４と接続され、端子４、センサ素子６１、端子１、基準抵抗Ｒ_REF、プルダウン抵抗Ｒ₂、およびグランド端子７２を通る測定電流Ｉ_Sを供給する。センサ素子６１は端子２と端子３との間に、抵抗Ｒ₁すなわちセンサ素子６１の温度の関数である電圧降下を生じる。基準抵抗Ｒ_REFが端子１とプルダウン抵抗Ｒ₂との間に接続される。
【００１６】
マルチプレクサ４６は２つの部分、すなわち、差動増幅器４８の非反転入力に接続された出力を有する能動マルチプレクサ、および差動増幅器４８の反転入力に接続された出力を有する基準マルチプレクサに分けられる。
【００１７】
マイクロプロセッサ５２はマルチプレクサ４６を制御し、端子１〜３からの信号を含む適当なアナログ信号の組を差動増幅器４８の非反転および反転入力へ選択供給する。差動増幅器４８はＡ／Ｄ変換器５０に接続された出力を有する。ある実施例では、Ａ／Ｄ変換器５０は１７ビットの精度および１４サンプル／秒の変換率（速度）を有する。Ａ／Ｄ変換器５０は、差動増幅器４８の出力に生じた電圧をデジタル値に変換し、分析のため、あるいは入出力回路５８を介してプロセス制御ループ６上で通信するために、その値をマイクロプロセッサ５２へ供給する。
【００１８】
好ましい実施例では、入出力回路５８は、選択されたプロトコルによる周知の手法で、ループ６を介するアナログあるいは双方向デジタル通信を行なうための、ＨＡＲＴ（登録商標）通信部、フィールドバス（FIELDBUS）通信部、および４−２０ｍＡアナログループ部を含む。他のプロトコルもまた用いられることができる。例えば、分離した電圧源から電力を受ける４線式構造が使用可能である。ループ６はまた、入出力回路５８を通じて、伝送器４０の多数の部品に給電もする。伝送器４０は、全面的に（完全に）２線式ループ６によって給電されるのが好ましい。
【００１９】
メモリ５６はマイクロプロセッサ５２のための命令および情報を記憶し、マイクロプロセッサ５２はクロック回路５４によって決定される速度で作動する。クロック回路５４は、リアルタイムクロックとプレシジョン（精細：precision）高速クロックとを含み、それらはＡ／Ｄ変換器５０の動作シーケンスのためにも用いられる。マイクロプロセッサ５２は、マルチプレクサ４６およびＡ／Ｄ変換器５０の制御、ループ６を介する通信の制御、温度補償、伝送器構造の変数の記憶、およびセンサ診断の遂行を含む様々な機能を果たす。
【００２０】
マイクロプロセッサ５２は次の式２を用いてＲＴＤセンサ素子６１の温度を計算する。
Ｒ₁＝（Ｒ_REFNOM）Ｖ_R1／Ｖ _RREF 式２
ここで、Ｒ₁＝ＲＴＤセンサ素子６１の抵抗、
Ｖ_R1＝ＲＴＤセンサ素子６１両端間の電圧降下、
Ｖ _RREF ＝抵抗Ｒ_REF両端間の電圧降下、
Ｒ_REFNOM＝基準抵抗Ｒ_REFの、および／あるいはメモリ５６に記
憶された抵抗の公称抵抗（Ω）
【００２１】
マイクロプロセッサ５２は、端子２と端子３との間にあるＲＴＤセンサ素子６１の両端間の電圧降下Ｖ_R1、および基準抵抗Ｒ_REFの両端間の電圧降下（Ｖ_RREF）をマルチプレクサ４６によって測定する。図２に示されるような４線式抵抗測定では、電流Ｉ_Sのほとんど全てが端子１と端子４との間を流れるので、端子２および端子３への接続部での電圧降下は大幅に低減され、その結果、測定の精度にほとんど影響を与えない。マイクロプロセッサ５２は、メモリ５６に記憶されたルックアップ表あるいは適切な数式によって、測定された抵抗Ｒ₁を温度単位に変換する。
【００２２】
例えば、前記式の１つは次のカレンダ−ヴァン デュ−ゼン（Callender-Van Dusen）式である。
Ｒ（ｔ）＝Ｒ₀[１＋α{ｔ−δ(ｔ／１００)(ｔ／１００−１)
−β(ｔ／１００−１) (ｔ／１００)³}] 式３
ここで、Ｒ（ｔ）＝温度ｔでの抵抗（Ω）、
Ｒ₀＝温度０での抵抗（Ω）、
ｔ＝温度（℃）、
α、δ、β＝較正定数、
ｔ＞０℃の時、β＝０である。
【００２３】
しかしながら、記憶されたルックアップ表あるいは式２のどちらも、特定のＲＴＤ温度センサのためには適当に較正されなければならない。さらに前記のような較正は、時間の経過にともない、センサのアルファ（α）がドリフトするのに従って変化する傾向がある。定数α、Ｒ₀、およびδを正確に決定するために、多数の正しい温度値を取得するように、ＲＴＤの較正には正確な温度計基準が必要である。式３および伝送器較正は、ローズマウント社によって発行され、援用によって本発明書に組み込まれた、１９８５年２月付けのＰＲＴハンドブック・ブルテン（Bulletin）に説明されている。
【００２４】
ＳＨ指標は、電流源１４０をセンサ素子６１に接続するようにマイクロプロセッサ５２がスイッチ１３８（図２と図４を参照）を作動する時に計算される。式１のＰ₁およびＲ₁は、センサ６１を流れる電流源１４０からの電流Ｉ_SHを用いて計算される。マイクロプロセッサ５２は、電流源４５からの電流Ｉ_SによってP₂およびR₂を決定する。ＳＨ指標は式１を用いて計算される。伝送器４０がループ６から完全に給電される場合には、電流Ｉ_SHおよびＩ_Sはループ６内の電流Ｉに制限され、伝送器４０内の回路を作動するために必要とされるいかなる電流よりも少ない。
【００２５】
マイクロプロセッサ５２は、ＳＨ指標を用いて伝送器４０の動作に関する診断を実行する。伝送器４０内に診断回路を実現（形成）するための多数の実施例を以下に述べる。前記診断はセンサの良さの状態を判定すること、差し迫ったセンサの故障を示すことがある残寿命を推定すること、あるいは温度測定を自動補正することなどを含む。
【００２６】
本発明の他の特徴は、アルファ（α）およびＲ₀内のドリフトによる誤差を低減するために、自己発熱指標を用いて温度測定を補正することを含む。ＲＴＤセンサが老朽化するにつれて、センサのための定数アルファ（α）およびＲ₀（式３に代入される）が変化し、その結果、温度測定の不正確さを生じさせる。ＳＨ指標と、アルファ（α）およびＲ₀内のドリフトによって生じる温度測定の誤差との間には、実質的な直線関係が存在することが発見された。温度は次式を用いて補正される。
Ｔ_corrected＝Ｔ_measured・ΔＳＨＩ・Ｋ 式４
ここで、Ｔ_measuredは測定された温度であり、
Ｋは比例定数であり、
ΔＳＨＩは自己発熱指標の変化であり、また
Ｔ_correctedは自動補正された温度である。
【００２７】
図３は、ＳＨ指標の関数としての温度出力の自動補正に関して本発明を示す流れ図１５０である。図１５０は、図２のマイクロプロセッサ５２によって典型的に実行される動作を示す。ブロック１５２で、例えばメモリ５６から、自己発熱指標（ＳＨＩ₁）の先行値が取得される。この値は製造時にメモリ内に記憶されるか、マイクロプロセッサ５２によって事前に生成されるか、または伝送器が指示されたとき、もしくは伝送器４０の動作中の予め選定された時でさえも決定して記憶されることができる。
【００２８】
ブロック１５４で、ＳＨ指標の現在値（ＳＨＩ ₂）がマイクロプロセッサ５２によって決定される。もしも、変化の割合ｍが許容変化割合の最大値（ｍ_MAX）以上である場合には、判断ブロック１５８が警報出力を供給する。一般的には、ＳＨＩ₂とＳＨＩ₁との差を示す値がブロック１５６で決定（評価）される。このような差の決定機能のための好ましい方法は、２つのＳＨＩ値の時間に対する傾きを計算することである。しかしながら、差の大きさを評価するその他の方法（そのいくつかは、閾値に対してＳＨＩ₂を単に比較するように単純である）がブロック１５６なしに実行されることもできる。
【００２９】
出力は、例えばループ６を介して伝送され、故障が差し迫っており、交換が必要である程度にまでセンサが劣化してしまったことを示すことができる。１９９６年１１月７日に出願された米国親特許出願第０８／７４４，９８０号で述べられているような、他の型式の診断もまた実行されることができる。ｍ_MAXの値はメモリ５６に記憶され、かつ特定のプロセスのためにユーザが所望する正確さに基づいて構成することが可能（user configuration）である。ブロック１５８の警報機能はオプションであるが、本発明にとっては好ましいものである。
【００３０】
警報状態が存在しない場合には、制御は判定ブロック１６０に進み、測定された自己発熱指標（ＳＨＩ₂）が記憶された自己発熱指標（ＳＨＩ₁）と比較される。それらがほとんど等しい場合には、制御はブロック１６２に進み、温度が決定される。一方、もしも２つの値に差がある場合には、ブロック１６４で、マイクロプロセッサ５２によって、式４のΔＳＨＩのための新しい値が計算される。さらに他の一層複雑な曲線当てはめ技術が、ＳＨＩをセンサ較正と相関させるために用いられることができる。制御はブロック１６２に進み、式４のΔＳＨＩのための新しい値が温度を決定するのに用いられる。ΔＳＨＩのための新しい値は、前回の値に代ってメモリに記憶される。
【００３１】
図３に示された様々な機能は、プロセス制御装置内、制御室内、オフサイト（off-site）配設されたコンピュータ内、あるいはそれらの配置の組合せ内で、遠隔的に実行されることができる。一般的には、本発明はプロセスシステム制御システム内の任意の多数の場所で実行されることができる。例えば、ソフトウェアおよびマイクロプロセッサで実現される本発明は、中央コントローラ内に配置されることができ、あるいは図１に示されるようなバルブ、モータ、またはスイッチなどの最終制御素子内にさえも配備されることができる。
【００３２】
さらに、フィールドバス、プロフィバス、およびその他の最新のデジタルプロトコルは、本発明を実行するソフトウェアがプロセス制御システム内の素子間で交信されることを可能にし、またプロセス変数が１つの伝送器内で感知された後に前記ソフトウェアへ伝送されることを可能にする。
【００３３】
本発明の診断回路の１つの実施例は、ＳＨ指標の関数である実験モデルや多項式曲線への当てはめ（fitting）を用いる。例えば、推定残寿命を計算するために、ＳＨ指標の関数である多項式が用いられる。定数および／あるいは式は、２線式ループを介して伝送器４０へ送られることができる。他の診断回路は多層神経回路網で実現される。異なる目標のための神経回路網モデルを開発するために、多数の訓練アルゴリズムが用いられることができるけれども、１つの実施例は、１組の入力と出力Ｓ（複数）との間の非線形関係を獲得するであろう神経回路網モジュールを開発するために、周知のバックプロパゲーション（Backpropagation）回路網（ＢＰＮ）を含む。
【００３４】
診断回路５２の他の実施例は、１組のｉｆ−ｔｈｅｎルールを用いて温度センサＲＴＤ６１の状態についての結論に達するものである。ＳＨ指標が監視され、その現在値が上限および下限値と比較される。上限および下限値は、多数のＲＴＤセンサのテストによって実験的に設定される。決定は比較結果に基づいてなされる。
【００３５】
本発明の他の特徴では、ＳＨ指標の変化の割合（ＲＯＣ）がセンサ６１の期待寿命と相関付けられる。センサの推定残寿命が最小値以下に低下した時の警報を含む、推定残寿命を示す出力を供給するマイクロプロセッサ５２内に装備された診断回路に、ＳＨ指標のＲＯＣが供給される。
【００３６】
図５は、本発明のさらに一般的な特徴によるプロセス制御装置２００の簡略化されたブロック図であり、プロセス制御ループ６に接続されている。装置２００は、測定可能な抵抗を有する電気素子を含む任意の型式のプロセス制御装置であってよい。図１の伝送器４０は計器２０２の１例である。装置２００は入／出力回路２０４を介してループ６に接続され、かつメモリ２０６にも接続されたマイクロプロセッサ２０２を含む。
【００３７】
自己発熱回路２０８はプロセス制御素子２１０に接続されて、マイクロプロセッサ２０２に自己発熱信号を供給する。プロセス制御素子２１０は電気抵抗を有する抵抗素子２１２を含み、前記抵抗のための自己発熱値が本発明による技術を用いて自己発熱回路２０８によって決定される。抵抗２１２への接続は、より正確な測定を得るために、４点ケルビン（Kelvin）接続を介する接続であってよい。破線は素子２１０とマイクロプロセッサ２０２との間の接続を示す。線２１４は、例えば素子２１０とマイクロプロセッサ２０２との間のあらゆる信号の接続や変換・授受を示す。
【００３８】
例えば、素子２１０がプロセス変数センサである場合には、接続２１４はマイクロプロセッサ２０２にプロセス変数データを供給する。同様に、素子２１０が制御素子である場合には、接続２１４はマイクロプロセッサ２０２から素子２１０へ制御入力を供給する。本発明の１つの特徴は、任意の型式のプロセス制御素子に対する診断を実行するために、自己発熱診断技術を用いることを含む。
【００３９】
例えば、本明細書で用いられているように、「プロセス制御素子」は、あるプロセス内の、抵抗を有するあらゆる素子（伝送器、ＲＴＤ、ひずみ計、ピックアップあるいは駆動コイル等）を含む。プロセス制御装置は、バルブアクチュエータ、ソレノイドなどの制御装置ばかりでなく、流量計（コリオリ、磁気、渦、差圧等）圧力、レベル、ｐＨ、濁度熱などを測定するための装置をも含む。ある種のプロセス制御素子は、例えば、電気コイル、センサ、成端（終端）、端子ブロックなどに接続する結線、ひずみ計またはその他のセンサ、アクチュエータ、あるいは電気部品ばかりでなく、前述のＲＤＴ６１をも含む。
【００４０】
装置２００は、１９９３年８月３日に発行された米国特許第５，２３１，８８４号に述べられるようなコリオリ流量計よりなることができ、そこでは、プロセス制御素子２１０は速度センサまたはドライバ内で用いられるコイルである。例えば図６は、本発明の１つの実施例によるコリオリ流量計２３０の簡略化されたブロック図であり、それは流体管２３２およびメータ電子回路２３４を含む。
【００４１】
測定管２３６は流体管２３２に連結し、駆動素子内の駆動コイル２４０は駆動信号に反応して管２３６を振動させ、かつ感知コイル２４２および感知磁石２４４を含むセンサ素子は、その結果として生ずる管２３６の振動に関する左右の速度信号を発生する。ＲＴＤ温度センサ２４６は、管２３６の温度に関するＲＴＤ信号を供給する。コリオリ流量計２３０内に含まれる本発明の診断回路は、コイル２４０または２４２、あるいはＲＴＤセンサ２４６を監視し、それぞれに対応して診断出力を供給するために用いられることができる。
【００４２】
つまり、本発明は、電気部品の腐食を含む、プロセス装置内の様々な型式の故障を検出することができる。例えば、ワイヤ、端子、コイル、ＲＴＤ、熱電対、プリント回路基板上の電気的トレース（trace）、あるいは時間の経過につれて腐食するその他の電気的部品内には、それに相応して抵抗の増大を生じさせる領域（面積）の減少が存在する。本発明は、装置の最終的な故障の前に前述のような劣化を検出することができる。電気部品は、結果的に生じる疲労故障をも引き起こし得るような複合使用（multiple uses）によって劣化することがある。本発明の自己発熱技術は、そのようは疲労を検出する。さらに、「冷間」半田（ろう）付けで生じるようなルーズ（loose）成端も、成端の劣化として検出されることができる。
【００４３】
本発明を用いて検出されることができる様々な故障は、例えばコイル結線、成端、あるいは粗末な半田接合内の破断（断線）、回路基板上の傷ついたトレース、粗末な被覆線の成端、半田付けの不良、取扱い不良による線または部品を損傷する粗末なコネクタ、温度循環による結線部品の損傷を含む。再び図３を参照して、例えば、自己発熱指標の変化（ΔＳＨＩ）が閾値と比較され、故障状態を示すために用いられるようなブロック１５８で、前述のような故障が検出されることができる。本発明の他の特徴では、診断出力は、電気素子内の劣化を補償するために用いられる。例えば、制御素子に供給される入力信号ばかりでなくセンサからの出力が補正されることができる。
【００４４】
本発明を好ましい実施態様を参照して説明してきたが、本発明の精神や範囲から逸脱することなく、形式や詳細な点において変更が可能であることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による伝送器を含むプロセス制御システムを示す。
【図２】 本発明の伝送器のブロック図である。
【図３】 本発明の１つの実施例による伝送器の簡略化された流れ図である。
【図４】 本発明のある実施例による簡略化されたブロック図である。
【図５】 本発明によるプロセス制御装置の簡略化されたブロック図である。
【図６】 本発明の１つの実施例によるコリオリ流量計の簡略化されたブロック図である。
【符号の説明】
６……プロセス制御ループ、２００……プロセス制御装置、２０２……計器、２０４……入／出力回路、２０６……メモリ、２０８……自己発熱回路、２１０……プロセス制御素子、２１２……抵抗素子

Claims (21)

1. 環境温度により変化する電気抵抗を有するＲＴＤ温度センサ、
   前記ＲＴＤ温度センサに接続され、前記電気抵抗による前記ＲＴＤ温度センサの自己発熱指標（以下、「ＳＨＩ」という）で表される自己発熱信号を提供する自己発熱回路、
   プロセス制御機能を実行するように前記ＲＴＤ温度センサを前記自己発熱回路に接続し、前記ＲＴＤ温度センサで検知された電気抵抗を基に温度出力を求め、前記自己発熱信号の変化ΔＳＨＩに比例する関数として前記温度出力を補正すると共に、前記ＲＴＤ温度センサの良さの状態に関する診断出力を応答的に提供するプロセス制御回路、および
   前記プロセス制御回路をプロセス制御ループに接続するように、該プロセス制御ループに接続された入／出力回路を具備し、
   前記自己発熱回路が、前記ＲＴＤ温度センサに印加される電力の変化に対応する前記ＲＴＤ温度センサの抵抗の変化の関数として、前記ＳＨＩを決定するプロセス制御システム内のプロセス制御装置。
2. 基準となる自己発熱信号を記憶するメモリを含む請求項１に記載の装置。
3. 前記診断出力が神経回路網モデル、ファジィ論理、又は回帰モデルより求められる請求項１に記載の装置。
4. 前記診断出力が前記ＲＴＤ温度センサの推定残寿命に関するものである請求項１に記載の装置。
5. 前記推定残寿命が、前記自己発熱信号の変化の割合（ＲＯＣ）の関数として決定される請求項４に記載の装置。
6. 前記自己発熱回路が電源および電圧測定回路を含む請求項１に記載の装置。
7. 前記ＳＨＩが（Ｒ₁−Ｒ₂）／（Ｐ₁−Ｐ₂）として計算される請求項１に記載の装置。
   ここに、Ｐ₁，Ｐ₂は、第１，第２の電源の電力、Ｒ₁，Ｒ₂は、前記Ｐ₁，Ｐ₂を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
8. 前記プロセス制御回路が、前記自己発熱信号の関数として前記ＲＴＤ温度センサを較正する請求項１に記載の装置。
9. 前記ＲＴＤ温度センサがひずみ計、制御素子、感知素子、熱電対、又はコイルよりなる請求項１に記載の装置。
10. プロセス制御装置内の環境温度により変化する電気抵抗を有するＲＴＤ温度センサを診断するための方法であって、
    前記ＲＴＤ温度センサに印加される電力の変化に対応する前記ＲＴＤ温度センサの抵抗の変化の関数としての自己発熱指標（以下、「ＳＨＩ」という）を取得すること、
    前記ＳＨ指標により表される自己発熱信号を提供すること、
    前記ＲＴＤ温度センサで検知された電気抵抗を基に温度出力を求めること、
    および
    前記自己発熱信号の変化ΔＳＨＩに比例する関数として、前記温度出力を補正すると共に、前記ＲＴＤ温度センサの良さの状態に関する診断出力を応答的に提供することを含む方法。
11. 前記自己発熱指標が、（Ｒ₁−Ｒ₂）／（Ｐ₁−Ｐ₂）として計算される請求項１０に記載の方法。
    ここに、Ｐ₁，Ｐ₂は、第１，第２の電源の電力、Ｒ₁，Ｒ₂は、前記Ｐ₁，Ｐ₂を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
12. 前記ＳＨＩの変化の割合に基づいて前記ＲＴＤ温度センサの残寿命を推定することを含む請求項１０に記載の方法。
13. 前記ＳＨＩの取得が、前記ＲＴＤ温度センサ内に少なくとも２つの異なる電流レベルを順次的に注入すること、およびその結果として生ずる前記ＲＴＤ温度センサ両端の電圧降下を測定することを含む請求項１２に記載の方法。
14. 前記診断出力の関数として前記ＲＴＤ温度センサの寿命予測を決定することを含む請求項１０に記載の方法。
15. 前記ＳＨＩの関数として前記ＲＴＤ温度センサを較正することを含む請求項１０に記載の方法。
16. プロセス制御ループに接続されるように構成された入／出力回路、
    環境温度により変化する電気抵抗を有するＲＴＤ温度センサ、
    前記ＲＴＤ温度センサに接続されて前記ＲＴＤ温度センサに給電する電流源、
    前記ＲＴＤ温度センサに接続され、前記ＲＴＤ温度センサの両端の電圧降下に関する出力を供給する電圧測定回路、
    供給された電流および前記抵抗に起因する前記ＲＴＤ温度センサ両端の電圧降下の関数として、自己発熱指標（以下、「ＳＨＩ」という）出力を提供する自己発熱回路、および
    前記ＲＴＤ温度センサで検知された電気抵抗を基に温度出力を求め、前記自己発熱信号の変化ΔＳＨＩに比例する関数として、前記温度出力を補正すると共に、前記ＲＴＤ温度センサの良さの状態に関する診断出力を応答的に提供する診断回路を具備し、
    該診断回路が前記入／出力回路を介して前記プロセス制御ループに接続されるようにしたプロセス制御システム内で用いられるための装置。
17. 前記診断回路が、前記ＳＨＩの関数として、前記ＲＴＤ温度センサの寿命予測出力を提供する請求項１６に記載の装置。
18. 前記ＲＴＤ温度センサからの出力および前記ＳＨＩの関数として、プロセス変数に関する出力を提供する測定回路を含む請求項１６に記載の装置。
19. 前記ＳＨＩが、前記ＲＴＤ温度センサに印加される電圧の変化に対応する、前記ＲＴＤ温度センサの抵抗の変化の関数として決定される請求項１６に記載の装置。
20. 前記自己発熱指標が、（Ｒ₁−Ｒ₂）／（Ｐ₁−Ｐ₂）として計算される請求項１６に記載の装置。
    ここに、Ｐ₁，Ｐ₂は、第１，第２の電源の電力、Ｒ₁，Ｒ₂は、前記Ｐ₁，Ｐ₂を用いて求められる第１，第２の抵抗値。
21. 前記ＲＴＤ温度センサがひずみ計、制御素子、感知素子、コイル、又は熱電対よりなる請求項１６に記載の装置。

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