JP4725429B2 - 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 - Google Patents
原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4725429B2 JP4725429B2 JP2006161966A JP2006161966A JP4725429B2 JP 4725429 B2 JP4725429 B2 JP 4725429B2 JP 2006161966 A JP2006161966 A JP 2006161966A JP 2006161966 A JP2006161966 A JP 2006161966A JP 4725429 B2 JP4725429 B2 JP 4725429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holding member
- temperature
- thermo module
- gas cell
- atomic oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
モジュールを使用してランプ保持部材とガスセル保持部材間の温度差を最適化して原子発
振器の光学系を小型化する技術に関するものである。
ビジウムランプおよびルビジウムガスセルを用いた光学系をコア技術としており、この光
学系より原子の超微細準位間のエネルギに基づく周波数信号を検出して高安定な周波数信
号を出力している。
プ49及びルビジウムガスセル50はルビジウムの物性を生かすためそれぞれ適切な温度
に温度コントロールされており、制御される温度は夫々ルビジウムランプ49が約100
℃、ルビジウムガスセル50が約73℃程度であることが多いようである(設計思想など
により、設定する温度は多少変化する)。そしてルビジウムランプ49及びルビジウムガ
スセル50は、それぞれ温度を安定化させるために金属ブロック(以下、熱筒)42、4
4に封入されており、それぞれの熱筒にヒータ41、45を取りつけて個別に加熱してい
る。即ち、温度のコントロールは積極的な冷却手段を持たずに、ヒータ41、45の加熱
を強めたり弱めたりすることで行っている。
しての出力周波数が変動してしまう。これは、ルビジウムランプ49からルピジウムガス
セル50に入る間の光軸54が、振動により微小に動くことによるものである。光軸54
がぶれると、基準周波数信号の元となる光の信号がぶれてしまうため、結果として原子発
振器の出力周波数が変動してしまうことにつながる。したがって、光学系は固定用のスペ
ーサ51、52により主にベースとなるプリント基板53などに強固に固定している。
セル熱筒44を含む光学系部分、以下OMU部)は、制御温度の異なる2者を内包するた
め、互いに熱の影響を与えないだけの十分な距離を置いて設置せざるを得なかった。仮に
小型化のためにこの2者を近接させると、ルビジウムガスセル50の温度(73℃)がル
ビジウムランプ49の温度(100℃)に影響されてルビジウムガスセル50の温度が上
がってしまい、異常動作の原因となるといった問題がある。
また、振動に対する動作の安定性を高くするために光学系をベースとなるプリント基板
53などに強固に固定しているが、この固定部材は極力金属スベーサやねじなどで強固に
固定される必要があるため、振動対策をするためにこの部分から放熱してしまい消費電力
の上昇を招いていた。
スセル熱筒の間に断熱材を入れる手法を取っているが、光学系全体を小型化しようとした
場合には、断熱材を入れる空間が充分には確保できず断熱効果が得られにくくなるといっ
た問題がある。逆に断熱材を入れる空間を確保しようとすると、ランプを小さくすること
になり、充分な発光量が得られず、特性の悪化を招く虞がある。更に、上記したように光
学系は振動に弱く、提案されている構造だはでは、ランプを断熱材を介して強固に固定す
ることが出来ない。また、何かの堅牢性のある部材でランプを固定する場合は、ルビジウ
ムガスセル熱筒に対して固定しなくてはならないため、この固定部材を介してルビジウム
ガスセルと、ルビジウムランプの間の相互の熱の影響が避けられなくなるといった問題が
ある。
ールを挟み、ランプ保持部材とガスセル保持部材間の温度差を適切になるようにサーモモ
ジュールを制御することにより、ルビジウムガスセルとルビジウムランプ間の熱の影響を
低減すると共に、光学系を小型化することができる原子発振器を提供することを目的とす
る。
表裏関係にある第1の面と第2の面とを有するサーモモジュールと、電流により前記第1の面と前記第2の面との間の温度差を制御するサーモモジュール制御手段と、を備え、
前記光が入射する前記第1の保持部材の面と、前記サーモモジュールの第1の面とが対向し、且つ前記光が出射する前記第2の保持部材の面と、前記サーモモジュールの第2の面とが対向するように、前記第1の保持部材の面と前記第2の保持部材の面との間に前記サーモモジュールを挟みこんで配置したことを特徴する。
サーモモジュールは表裏関係にある2つの面の間に所定の温度差を生じる素子である。また、電流の大小、極性により一方の面を基準として他方の面の温度を上げたり下げたりすることができる。これにより、電流値と極性を制御することにより、容易に温度制御することができる。
ガスセル保持部材(第1の保持部材)とランプ保持部材(第2の保持部材)は夫々異なる温度により別々の加熱手段により加熱される。本発明はランプ保持部材の加熱手段(第2の加熱手段)を省略するための発明である。即ち、ガスセル保持部材の加熱手段(第1の加熱手段)はガスセル保持部材を約73℃に加熱する。一方、ランプ保持部材の加熱手段(第2の加熱手段)がある場合は約100℃にランプ保持部材を加熱する。そして両者の温度差は約27℃存在する。そこで本発明では、ランプ保持部材の加熱手段(第2の加熱手段)を省略して、ガスセル保持部材の73℃を基準として、サーモモジュールのランプ保持部材側の面の温度を100℃になるように、サーモモジュールに基準温度に対して27℃上昇する電流を流すことにより、加熱手段がなくともランプ保持部材を100℃に加熱するものである。これにより、ランプ保持部材の加熱手段を省略して、光学系の小型化とコストダウンを図ることができる。
ガスセル保持部材(第1の保持部材)とランプ保持部材(第2の保持部材)は夫々異なる温度により別々の加熱手段により加熱される。本発明はガスセル保持部材の加熱手段(第1の加熱手段)を省略するための発明である。即ち、ランプ保持部材の加熱手段(第2の加熱手段)はランプ保持部材を約100℃に加熱する。一方、ガスセル保持部材の加熱手段(第1の加熱手段)がある場合は約73℃にガスセル保持部材を加熱する。そして両者の温度差は約27℃存在する。そこで本発明では、ガスセル保持部材の加熱手段(第1の加熱手段)を省略して、ランプ保持部材の100℃を基準として、サーモモジュールのガスセル保持部材側の面の温度を73℃になるように、サーモモジュールに基準温度に対して27℃降下する電流を流すことにより、加熱手段がなくともガスセル保持部材を73℃に加熱するものである。これにより、ガスセル保持部材の加熱手段を省略して、光学系の小型化とコストダウンを図ることができる。
ランプ保持部材(第2の保持部材)とガスセル保持部材(第1の保持部材)は、光軸がずれないようにスペーサにより堅牢なベースに固定される。一般にこれらのスペーサは各保持部材と一体化された金属によって構成されている。従って、スペーサをベースに固定すると、そのスペーサを介してベースに温度が逃げてしまい、その分、加熱手段に電流を多く流さなければならなくなる。そこで本発明では、いずれか一方にのみスペーサを備えるようにして、スペーサを省略した保持部材をサーモモジュールを介してスペーサを備えた保持部材側に固定してベースから浮かせるものである。これにより、加熱温度が逃げるのを減少させて、加熱手段の効率を高めることができる。
サーモモジュールは2つの対向面を備えており、各対向面をランプ保持部材(第2の保持部材)の出射面とガスセル保持部材(第1の保持部材)の入射面に接触させている。しかし、出射面から出射されたルビジウム光を入射面から入射させる必要がある。そこで本発明では、ルビジウム光が透過するようにサーモモジュールに開口部を備えるものである。これにより、ルビジウム光を透過させつつ、各保持部材の温度を維持することができる。
。
ペルチェ素子は、2種類の金属の接合部に電流を流すと、片方の金属からもう一方の金
属へ熱が移動するペルチェ効果を利用した素子である。即ち、電流値や極性により任意に
温度や向きを制御することができるため、本発明の光学系に使用するには最適である。
表裏関係にある第1の面と第2の面とを有するサーモモジュールと、電流により前記第1の面と前記第2の面との間の温度差を制御するサーモモジュール制御手段と、を備え、
前記サーモモジュール制御手段は、前記第1の面か前記第2の面の何れか一方の面の温度を基準とし、他方の面の温度が前記基準温度に対して所定の温度差を有するように前記サーモモジュールを制御することを特徴とする。
本発明は上記の原子発振器と同様の作用効果を奏する。
本発明は上記の原子発振器と同様の作用効果を奏する。
本発明は上記の原子発振器と同様の作用効果を奏する。
載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限
り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
図1(a)は本発明のルビジウム原子発振器を構成する光学系の構成を示す図である。
この光学系100は、ルビジウム原子を封入したガスセルを保持するガスセル保持部材4
と、ガスセル中のルビジウム原子を励起するルビジウムランプを保持するランプ保持部材
2と、ガスセル保持部材4を加熱するガスセルヒータ(ガスセル加熱手段)5と、ランプ
保持部材2を加熱するランプヒータ(ランプ加熱手段)1と、熱エネルギと電気エネルギ
の直接相互交換による熱電効果により対向面に温度差を生ずるサーモモジュール3と、電
流の大小及び極性により対向面に生じる温度差の大小と向きを制御する温度制御部(サー
モモジュール制御手段)7と、を備えて構成される。また、ランプ保持部材2とガスセル
保持部材4には、温度を検知する温度センサ8、6を備え、温度制御部7は、温度センサ
8、6の温度データに基づいてランプヒータ1とガスセルヒータ5の温度も制御している
。
図である。同じ構成要素には図1(a)と同じ参照番号を付して説明する。例えば、サー
モモジュール3のガスセル保持部材4に接する面をa、サーモモジュール3のランプ保持
部材2に接する面をb、ガスセル保持部材4の加熱温度をt1、ランプ保持部材2の加熱
温度をt2、サーモモジュール3の制御温度をt3とした場合、a面の温度はガスセル保
持部材4の加熱温度t1と等しくなる。また、制御温度t3は、b面の温度がt2になる
ように設定されるのでt1+t3となる。即ち、b面の温度はt1+t3=t2となる。
t3=t2−t1=100℃−73℃=27℃
となる。従って、a面の温度は73℃、b面の温度は100℃となる。言い換えると、サ
ーモモジュール3は、a面の温度73℃を基準として、27℃上昇させてb面の温度が1
00℃になるように電流と極性を制御するものである。また、逆にb面の温度100℃を
基準とした場合は、27℃降下させてa面の温度が73℃になるように電流と極性を制御
する。
概略構成図である。同じ構成要素には図1と同じ参照番号を付して説明する。この光学系
110は、ルビジウム原子を封入したガスセル10と、ガスセル10を保持するガスセル
保持部材4と、ガスセル10中のルビジウム原子を励起するルビジウムランプ9と、ルビ
ジウムランプ9を保持するランプ保持部材2と、ガスセル保持部材4を加熱するガスセル
ヒータ5と、ランプ保持部材2を加熱するランプヒータ1と、熱エネルギと電気エネルギ
の直接相互交換による熱電効果により対向面に温度差を生ずるサーモモジュール3と、ラ
ンプ保持部材2をベース13に固定するランプスペーサ11と、ガスセル保持部材4をベ
ース13に固定するガスセルスペーサ12と、を備えて構成される。尚、図では温度制御
手段7と温度センサ8、6を省略しており、以下同様とする。
プ保持部材2の出射口を備えた出射面2aと、ルビジウム光14をガスセル10に入射さ
せるガスセル保持部材4の入射口を備えた入射面4aとの間に、各対向面3b、3cが接
するようにサーモモジュール3を挟み込んだ構成である。そして、図示しない温度制御部
7によりサーモモジュール3の電流値と極性を制御することにより、ランプ保持部材2の
温度とガスセル保持部材4の温度が相互に影響しないように制御すると共に、光学系を小
型化することができる。
ランプ保持部材2は約100℃、ガスセル保持部材4は約73℃が一般的である。従って
、両者の温度差は27℃あり、近接すると、特に温度の低いガスセル保持部材4の温度が
ランプ保持部材2の温度に影響されて高くなってしまう。それを防止するために、両者の
距離を離間したり、断熱材により温度の影響を遮断するようにしていたが、それにも限界
があって小型化、安定性を阻害していた。そこで本実施形態では、小型化を図りつつ、両
者の温度の影響を低減するために、ガスセル保持部材4とランプ保持部材2の間に、サー
モモジュール3を設置して、積極的に両者の温度差を利用して実質的に断熱するものであ
る(その原理は図1(b)で説明したとおりである)。これにより、ガスセル保持部材4
とランプ保持部材2の間を接近させることができるので、光学系110を小型化すること
ができ、且つ両者の温度差を維持することができる。
概略構成図である。同じ構成要素には図2(a)と同じ参照番号を付して説明する。この
光学系120が光学系110と異なる点は、ランプ保持部材2のランプスペーサ11を省
略して、ガスセルスペーサ12のみで光学系120をベース13に固定したことである。
尚、本実施形態では、ランプ保持部材2のランプスペーサ11を省略しているが、ガスセ
ルスペーサ12を省略してランプスペーサ11のみで光学系120をベース13に固定し
ても良い。
、12により堅牢なベース13に固定される。一般にこれらのスペーサ11、12は各保
持部材と一体化された金属によって構成されている。従って、スペーサ11、12をベー
ス13に固定すると、そのスペーサ11、12を介してベース13に温度が逃げてしまい
、その分、ヒータに電流を多く流さなければならなくなる。そこで本実施形態では、ガス
セル保持部材4にのみガスセルスペーサ12を備えるようにして、ランプスペーサ11を
省略したランプ保持部材2をサーモモジュール3を介してガスセル保持部材4側に固定し
てベース13から浮かせるものである。これにより、加熱温度が逃げるのを減少させて、
ランプヒータ1の効率を高めることができる。
概略構成図である。同じ構成要素には図2(a)と同じ参照番号を付して説明する。この
光学系130が光学系110と異なる点は、ランプ保持部材2のランプヒータ1を取り除
いたことである。
即ち、図示しない温度制御手段7は、ガスセル保持部材4の温度を基準とした場合、入
射面4aと接するサーモモジュール3の面3cと対向する面3bの温度を、ランプヒータ
1により加熱される温度と等しくなるようにサーモモジュール3を制御することにより、
ランプヒータ1を不要としたものである。
熱される。本実施形態はランプ保持部材2のランプヒータ1を省略するための発明である
。即ち、ガスセル保持部材4のガスセルヒータ5はガスセル保持部材4を約73℃に加熱
する。一方、ランプ保持部材2のランプヒータ1がある場合は約100℃にランプ保持部
材2を加熱する。そして両者の温度差は約27℃存在する。そこで本実施形態では、ラン
プ保持部材4のランプヒータ1を省略して、ガスセル保持部材4の73℃を基準として、
サーモモジュール3のランプ保持部材2側の面3bの温度を100℃になるように、サー
モモジュール3に基準温度73℃に対して27℃上昇する電流を流すことにより、ランプ
ヒータ1がなくともランプ保持部材2を100℃に加熱するものである。これにより、ラ
ンプ保持部材2のランプヒータ1を省略して、光学系の小型化とコストダウンを図ること
ができる。しかし、この実施形態では、ランプヒータ1を省略したので、ランプ保持部材
2の温度が100℃に上昇するまでに時間を要することになる。
概略構成図である。同じ構成要素には図3(a)と同じ参照番号を付して説明する。この
光学系140が光学系130と異なる点は、ランプ保持部材2のランプスペーサ11を省
略して、ガスセルスペーサ12のみで光学系120をベース13に固定したことである。
尚、本実施形態では、ランプ保持部材2のランプスペーサ11を省略しているが、ガスセ
ルスペーサ12を省略してランプスペーサ11のみで光学系120をベース13に固定し
ても良い。しかし、温度上昇が遅いランプ保持部材2の加熱効率を高めるためには、ラン
プスペーサ11を省略したほうが好ましい。
概略構成図である。同じ構成要素には図2(a)と同じ参照番号を付して説明する。この
光学系150が光学系110と異なる点は、ガスセル保持部材4のガスセルヒータ5を取
り除いたことである。
即ち、図示しない温度制御手段7は、ランプ保持部材2の温度を基準とした場合、出射
面2aと接するサーモモジュール3の面3bと対向する面3cの温度を、ガスセルヒータ
5により加熱される温度と等しくなるようにサーモモジュール3を制御することにより、
ガスセルヒータ5を不要としたものである。
熱される。本実施形態はガスセル保持部材4のガスセルヒータ5を省略するための発明で
ある。即ち、ランプ保持部材2のランプヒータ1はランプ保持部材2を約100℃に加熱
する。一方、ガスセル保持部材4のガスセルヒータ5がある場合は約73℃にガスセル保
持部材4を加熱する。そして両者の温度差は約27℃存在する。そこで本実施形態では、
ガスセル保持部材4のガスセルヒータ5を省略して、ランプ保持部材2の100℃を基準
として、サーモモジュール3のガスセル保持部材4側の面3cの温度を73℃になるよう
に、サーモモジュール3に基準温度100℃に対して27℃降下する電流を流すことによ
り、ガスセルヒータ5がなくともガスセル保持部材4を73℃に加熱するものである。こ
れにより、ガスセル保持部材4のガスセルヒータ5を省略して、光学系の小型化とコスト
ダウンを図ることができる。しかし、この実施形態では、ガスセルヒータ5を省略したの
で、ガスセル保持部材4の温度が73℃になるまでに時間を要することになる。
概略構成図である。同じ構成要素には図4(a)と同じ参照番号を付して説明する。この
光学系160が光学系150と異なる点は、ガスセル保持部材4のガスセルスペーサ12
を省略して、ランプスペーサ11のみで光学系160をベース13に固定したことである
。尚、本実施形態では、ガスセル保持部材4のガスセルスペーサ12を省略しているが、
ランプペーサ11を省略してガスセルスペーサ12のみで光学系160をベース13に固
定しても良い。しかし、温度降下が遅いガスセル保持部材4の加熱効率を高めるためには
、ガスセルスペーサ12を省略したほうが好ましい。
はペルチェ素子を使用したサーモモジュールの部分断面図、(b)は本発明の光学系に使
用するサーモモジュールの斜視図、(c)は本発明の光学系に使用するサーモモジュール
の変形実施例の斜視図である。
例えば、ペルチェ素子を使用したサーモモジュールの構成は、図5(a)のように、セ
ラミック基板22上に金属電極21a、21c、21dと半導体21b、21eにより1
つのペルチェ素子21が構成され、それを1つの単位として複数のペルチェ素子が縦続接
続されてサーモモジュールを構成している。そして金属電極21cからリード線29が接
続され、このリード線29より電流を流すことにより、セラミック基板22と23の間に
温度差を生じるものである。尚、ペルチェ素子の動作原理は公知であるので、ここでは詳
細な説明は省略する。
ーモモジュール3は、ルビジウム光14が透過するように開口部20を備えたセラミック
基板22、23と、図5(a)で説明したペルチェ素子21と、を備えて構成され、ペル
チェ素子21はセラミック基板22、23によりサンドイッチ状に挟み込まれた構成とな
っている。即ち、セラミック基板22、23が夫々ランプ保持部材2の出射面2aとガス
セル保持部材4の入射面4aと密着して備えられる。尚、この図では開口部20を円形と
して1枚のセラミック基板を加工して形成しているが、図5(c)のように、矩形のセラ
ミック基板24a、24bによりペルチェ素子21を挟んだものを4つ組み合わせて開口
部25を構成するようにしても良い。
ランプ保持部材2の出射面2aとガスセル保持部材4の入射面4aに接触させている。し
かし、出射面2aから出射されたルビジウム光14を入射面4aから入射させる必要があ
る。そこで本実施形態では、ルビジウム光14が透過するようにサーモモジュール3に開
口部20を備えるものである。これにより、ルビジウム光14を透過させつつ、ランプ保
持部材2とガスセル保持部材4の温度を維持することができる。
材、5 ガスセルヒータ、6、8 温度センサ、7温度制御部、9 ルビジウムランプ、
10 ガスセル、11 ランプスペーサ、12 ガスセルスペーサ、13 ベース、14
ルビジウム光、100 光学系
Claims (10)
- 原子発振器のガスセルと、該ガスセルを保持する第1の保持部材と、前記ガスセルに光を出射する発光手段と、前記発光手段を保持する第2の保持部材と、前記第1の保持部材を加熱する第1の加熱手段と、前記第2の保持部材を加熱する第2の加熱手段と、を備えた原子発振器であって、
表裏関係にある第1の面と第2の面とを有するサーモモジュールと、電流により前記第1の面と前記第2の面との間の温度差を制御するサーモモジュール制御手段と、を備え、
前記光が入射する前記第1の保持部材の面と、前記サーモモジュールの第1の面とが対向し、且つ前記光が出射する前記第2の保持部材の面と、前記サーモモジュールの第2の面とが対向するように、前記第1の保持部材の面と前記第2の保持部材の面との間に前記サーモモジュールを挟みこんで配置したことを特徴する原子発振器。 - 前記サーモモジュール制御手段は、前記第1の面か前記第2の面の何れか一方の面の温度を基準とし、他方の面の温度が前記基準温度に対して所定の温度差を有するように前記サーモモジュールを制御することを特徴とする請求項1に記載の原子発振器。
- 前記サーモモジュール制御手段は、前記第1の保持部材の温度を基準とし、前記サーモモジュールの第2の面の温度を、前記第2の加熱手段により加熱される温度と等しくなるように前記サーモモジュールを制御することにより、前記第2の加熱手段を不要としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の原子発振器。
- 前記サーモモジュール制御手段は、前記第2の保持部材の温度を基準とし、前記サーモモジュールの第1の面の温度を、前記第1の加熱手段により加熱される温度と等しくなるように前記サーモモジュールを制御することにより、前記第1の加熱手段を不要としたこと特徴とする請求項1又は2に記載の原子発振器。
- 前記第1の保持部材をベースに固定するスペーサ又は前記第2の保持部材をベースに固定するスペーサの何れか一方のみを備えていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の原子発振器。
- 前記サーモモジュールは、前記発光手段からの光を透過させる開口部を備えたことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の原子発振器。
- 前記サーモモジュールは、ペルチェ素子により構成されていることを特徴とする請求項
1乃至6の何れか一項に記載の原子発振器。 - 原子発振器のガスセルと、該ガスセルを保持する第1の保持部材と、前記ガスセルに光を出射する発光手段と、前記発光手段を保持する第2の保持部材と、前記第1の保持部材を加熱する第1の加熱手段と、前記第2の保持部材を加熱する第2の加熱手段と、を備えた原子発振器の温度制御方法であって、
表裏関係にある第1の面と第2の面とを有するサーモモジュールと、電流により前記第1の面と前記第2の面との間の温度差を制御するサーモモジュール制御手段と、を備え、
前記サーモモジュール制御手段は、前記第1の面か前記第2の面の何れか一方の面の温度を基準とし、他方の面の温度が前記基準温度に対して所定の温度差を有するように前記サーモモジュールを制御することを特徴とする原子発振器の温度制御方法。 - 前記サーモモジュール制御手段は、前記第1の保持部材の温度を基準とし、前記サーモモジュールの第2の面の温度を、前記第2の加熱手段により加熱される温度と等しくなるように前記サーモモジュールを制御することを特徴とする請求項8に記載の原子発振器の温度制御方法。
- 前記サーモモジュール制御手段は、前記第2の保持部材の温度を基準とし、前記サーモモジュールの第1の面の温度を、前記第1の加熱手段により加熱される温度と等しくなるように前記サーモモジュールを制御することを特徴とする請求項8に記載の原子発振器の温度制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006161966A JP4725429B2 (ja) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006161966A JP4725429B2 (ja) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335937A JP2007335937A (ja) | 2007-12-27 |
JP2007335937A5 JP2007335937A5 (ja) | 2009-06-25 |
JP4725429B2 true JP4725429B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=38935034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006161966A Expired - Fee Related JP4725429B2 (ja) | 2006-06-12 | 2006-06-12 | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4725429B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009218535A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Epson Toyocom Corp | 光学系及び原子発振器 |
JP5256999B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-08-07 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器の物理部 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5791260A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | Metallic foil multilayer heat insulating material |
JPS57160184A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Fujitsu Ltd | Gas cell type atomic oscillator |
JPS5828883A (ja) * | 1981-08-12 | 1983-02-19 | Fujitsu Ltd | ガスセル型原子発振器 |
JPS5879781A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-13 | Nec Corp | ルビジウム原子発振器 |
JPH06120584A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造 |
US5517157A (en) * | 1993-04-27 | 1996-05-14 | Ball Corporation | Evanescent-field interrogator for atomic frequency standards |
-
2006
- 2006-06-12 JP JP2006161966A patent/JP4725429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007335937A (ja) | 2007-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4877009B2 (ja) | Wdm光伝送用光直接増幅器 | |
US7856038B2 (en) | Light-emitting module installing thermo-electric controller | |
JP2008193003A (ja) | 光モジュール | |
JP2007006270A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2008060716A (ja) | 恒温槽型水晶発振器 | |
US7050673B2 (en) | Temperature control device and arrayed waveguide grating optical wavelength multiplexer/demultiplexer | |
JP5071157B2 (ja) | 光モジュール | |
US20090059979A1 (en) | Optical transmission module and optical transmission system | |
JP4725429B2 (ja) | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 | |
JP2007328012A (ja) | ファイバブラッググレーティング装置 | |
JP2017183869A5 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
JP4114603B2 (ja) | 光送信器 | |
CA2855913C (en) | Semiconductor laser excitation solid-state laser | |
JP2006261095A (ja) | 面状ヒータ装置 | |
JP2007324234A (ja) | 発光モジュール | |
JP2008277643A (ja) | 波長ロッカー用温度制御装置、波長ロッカー及び光モジュール | |
JPH09275244A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP5275203B2 (ja) | 波長ロッカー | |
JP2006114774A (ja) | 波長安定化半導体レーザ装置 | |
JP2005203997A (ja) | 水晶発振回路 | |
JP2008197301A (ja) | ファイバブラッググレーティング装置 | |
JP2000155227A (ja) | 導波路型光モジュール | |
JP2004296877A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2010281947A (ja) | 光導波路デバイス | |
JP2021064728A (ja) | 熱電モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090501 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090501 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4725429 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |