JP2003069131A - レーザモジュール - Google Patents

レーザモジュール

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JP2003069131A JP2001259979A JP2001259979A JP2003069131A JP 2003069131 A JP2003069131 A JP 2003069131A JP 2001259979 A JP2001259979 A JP 2001259979A JP 2001259979 A JP2001259979 A JP 2001259979A JP 2003069131 A JP2003069131 A JP 2003069131A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザモジュール内に配置された複数の温調
モジュールが互いに接触することによって生じる干渉を
防止する。 【解決手段】 パッケージ１内部の底面上に温調モジュ
ール２および温調モジュール３が配置されている。温調
モジュール２上にはプリズム１２、波長フィルタ１３、
フォトダイオード１５を保持するマウント１４が配置さ
れ、これらにより波長モニタ部を形成する。温調モジュ
ール３上にはアイソレータ７、レンズ５を保持するレン
ズホルダー６、レーザ素子９を固着するレーザマウント
８、レンズ１１を保持するレンズホルダー１０が配置さ
れ、レーザ発光部を形成する。温調モジュール２と、温
調モジュール３との間に絶縁板４を配置することによ
り、温調モジュール２と温調モジュール３との間に接触
が生じることを防止し、干渉が起こることを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ内部に
配置された複数の温調モジュールと、この複数の温調モ
ジュール上に配置されたレーザ素子と、アイソレータ
と、波長フィルタと、光電変換手段とを有するレーザモ
ジュールに関し、特に、複数の温調モジュールが互いに
接触することで温調モジュールの特性に影響を与えるこ
とを防止するレーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光データ通信用等の光源として半
導体レーザ素子を用いたレーザモジュールが知られてい
る。特に、光データ通信においては近年、波長分割多重
（以下、「ＷＤＭ」と言う）システムの進展に伴い、レ
ーザ光の発振波長は数ｐｍのオーダーで波長の制御をお
こなうことが要求されている。したがって、レーザモジ
ュール内部にはレーザ素子や必要な光学系に加えて波長
モニタ部が設けられ、波長モニタ部で得られた情報に基
づいて制御部が、レーザ素子の発振波長を所定の値に安
定化している。
【０００３】図１０は、波長モニタ部を有するレーザモ
ジュールの構造を示す模式図である。このレーザモジュ
ールは、パッケージ７０内にレーザ素子６９、光学系７
７、波長モニタ部６６を有し、蓋部６７によりパッケー
ジ７０の内部が密閉された構造を有する。そして、レー
ザマウント６８に保持されたレーザ素子６９から前方
（図１０における右方向）に出射したレーザ光をレンズ
等からなる光学系７７、ボールレンズ７３により収束さ
せ、光ファイバ７６に導くことにより、前方出射光を信
号光として利用する。
【０００４】一方で、後方（図１０における左方向）に
出射したレーザ光は波長モニタ部６６へと導かれて、波
長のモニタに用いられる。具体的には、後方へ出射した
レーザ光は、波長モニタ部６６内に設けられたフィルタ
を通過し、フォトダイオードに入射する。フォトダイオ
ードは入射した光を電流に変換することから、レーザ光
のうちフィルタを通過した特定波長成分の強度を電気的
に測定することができる。ここで、レーザ光の波長が特
定波長から変化した場合には、フィルタの働きにより、
フォトダイオードに入射する光の量が変化するため、フ
ォトダイオードから出力される電流をモニタリングする
ことでレーザ光の波長の変化が検出される。フォトダイ
オードによってレーザ光の波長の変化が検出された場
合、図示しない制御部が温調モジュール６４に流す電流
の量を変化させることでレーザ素子６９の温度が調整さ
れ、レーザ素子６９の発振波長が所定の値に戻される。
【０００５】ここで、波長モニタ部６６内に設けられた
フィルタは、一般に波長と透過率の特性波長弁別特性が
温度依存性を有し、フィルタの温度が変化すると、波長
と波長モニタＰＤ電流の特性（波長弁別特性という）が
ドリフトする。これにしたがって波長をロックするポイ
ントも所定波長からドリフトしてしまう。そこで波長弁
別特性を安定にするために、フィルタの温度を一定に制
御すればよい。波長モニタ部６６は温調モジュール６５
上に配置され、温調モジュール６５は波長モニタ部６６
の温度が一定に保たれるように温度の制御をおこなう。
【０００６】これに対して、レーザ素子６９について
は、あくまで発振波長を一定に保つことが制御の目的で
あるため、レーザ素子６９の温度は必ずしも一定に保つ
必要はない。例えば、レーザ素子６９に対する注入電流
の値が増大した場合には温度が一定でも発振波長は長波
長側にシフトするため、温調モジュール６４を制御して
レーザ素子６９の温度を下げる必要がある。
【０００７】このように、波長モニタ部６６の温度制御
とレーザ素子６９の温度制御とは、その内容が異なるこ
とから、レーザモジュールは温調モジュールを複数有す
る構造からなり、それぞれの温調モジュール６４、６５
が別個独立に温度の調整をおこなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
パッケージ７０の内部に２つの温調モジュール６４、６
５を配置することで新たな問題が生ずる。レーザモジュ
ールは通常、パッケージ７０として１４ピンのバタフラ
イパッケージを用いており、パッケージ７０の内部底面
は例えば１８ｍｍ×８ｍｍ程度の広さしかない。これに
対し、温調モジュールは１個あたり、小さいもので６ｍ
ｍ×５ｍｍ程度の広さを有する。したがって、パッケー
ジ７０の内部は、２つの温調モジュール６４、６５を配
置するには十分な広さとはいえず、温調モジュール６４
と温調モジュール６５との間には、設計上でも１ｍｍ程
度の空隙しか存在しないことが多々ある。温調モジュー
ル６４、６５の固定は通常は半田付けなどによっておこ
なうが、固定の際に１ｍｍ程度の位置のずれが生じてし
まうことで、２つの温調モジュールが互いに接触する場
合がある。このことにより、以下の問題が生じる。
【０００９】まず、２つの温調モジュール６４、６５の
間に熱のやりとりが発生するという問題がある。上述の
ように、波長モニタ部６６を保持する温調モジュール６
５は一定の温度に保たれているが、レーザ素子６９を保
持する温調モジュール６４は、レーザ光の波長を一定に
保つために温度を変化させる場合があり、その際には温
調モジュール６４と６５との間には温度差が生じること
となる。このような環境のもとで両者が近傍に位置す
る、もしくは接触すると、温調モジュール６４と温調モ
ジュール６５との間で容易に熱の移動が起こる。したが
って、所定の温度を維持するためには新たに流れ込む熱
による温度変化を抑える必要があり、温調モジュール６
４、６５に余分な電流を流さなくてはならない。その結
果、レーザモジュールの消費電力が増大するという問題
が生じる。また、温調モジュール６４と温調モジュール
６５との間の温度差が非常に大きい場合には、大量の熱
の移動が発生するために温度の制御そのものが不可能と
なり、レーザモジュールとしての使用ができなくなる問
題も生じる。
【００１０】また、２つの温調モジュール６４、６５の
間に導通が生ずるという問題がある。温調モジュール
は、温度を電流で制御することから温調モジュールには
電気回路が内蔵されている。そのため、温調モジュール
６４と温調モジュール６５が接触することにより、両者
に内蔵された電気回路も接触して電気的にショートする
という問題もある。また、温調モジュール同士が接触し
なくとも、他の部材を介して導通することや、電気回路
形成時等に用いられる半田により導通することもあり得
る。この場合には、温調モジュールに内蔵された電気回
路に正しい電流が流せなくなり、温調モジュール６４と
温調モジュール６５は所定の温度制御をおこなうことが
できない。したがって、レーザモジュールとしての使用
は不可能となる。
【００１１】これらの問題点を解決するために、パッケ
ージ７０を内部の底面積が大きなものとすることが考え
られる。しかし、レーザモジュールは小型化の要請が強
く、限界がある。また、通常のパッケージと異なる大き
さのパッケージを用いることで、通信システム全体の設
計を変更する必要が生じるという問題が新たに生じる。
【００１２】また、他の対策として、温調モジュール６
４および温調モジュール６５を小型化することが考えら
れる。しかし、現状では温調モジュールを小型化すると
温度制御機能が低下してしまうため、実用的ではない。
【００１３】さらに、図１０の従来技術では温調モジュ
ールを２つ配置した構造を示すが、他にも例えば、図１
０における光学系７７をレーザ素子６９と別の温調モジ
ュール上に配置する構造など、温調モジュールを３つ以
上配置する構造が考えられる。この場合には、温調モジ
ュール同士が接触する可能性はさらに増大するため、温
調モジュール同士の接触を防止する手段がさらに必要と
なる。
【００１４】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みてなさ
れたものであって、パッケージ内部に配置された複数の
温調モジュールが、互いの特性に影響を与えることを防
止することができるレーザモジュールを提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、請求項１に係るレーザモジュール
は、パッケージ内部に配置された第１の温調モジュール
と、第２の温調モジュールと、該第１の温調モジュール
上に配置されたレーザ素子と、該第２の温調モジュール
上に配置された波長モニタ部を有し、該レーザ素子から
出射された光の波長を該波長モニタ部で検知するレーザ
モジュールにおいて、前記第１、第２の温調モジュール
間に配置され、各温調モジュールを分離する素子分離部
材を備えたモジュール分離手段を有することを特徴とす
る。
【００１６】この請求項１の発明によれば、第１の温調
モジュールと第２の温調モジュールがパッケージ内に配
置されていた場合、それら温調モジュール間にモジュー
ル分離手段を配置することで、温調モジュール同士の接
触を防ぐことができる。
【００１７】また、請求項２に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記モジュール分離手段は絶
縁性の部材を有することを特徴とする。
【００１８】この請求項２の発明によれば、モジュール
分離手段が絶縁性を有するため、温調モジュール同士の
間で互いに導通することがなく、各温調モジュールが別
個独立に温度調節をおこなうことができる。
【００１９】また、請求項３に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記モジュール分離手段が断
熱性の部材を有することを特徴とする。
【００２０】この請求項３の発明によれば、モジュール
分離手段が断熱性を有するため、温調モジュール同士の
間で熱の移動が生じることを防ぐことができ、温度の調
整に費やす消費電力を低く抑えることができる。
【００２１】また、請求項４に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記モジュール分離手段は絶
縁性および断熱性の部材を有することを特徴とする。
【００２２】この請求項４の発明によれば、モジュール
分離手段が絶縁性および断熱性を有するため、温調モジ
ュール同士の間で導通することがなく、熱の移動を防止
することができる。
【００２３】また、請求項５に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記モジュール分離手段がパ
ッケージと一体的に形成されていることを特徴とする。
【００２４】この請求項５の発明によれば、モジュール
分離手段がパッケージと一体的に形成されることによっ
て、レーザモジュールを従来と同様の工程で製造でき、
かつ、温調モジュール同士が接触することを防止でき
る。
【００２５】また、請求項６に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記モジュール分離手段がレ
ーザ光通過窓を有することを特徴とする。
【００２６】この請求項６の発明によれば、モジュール
分離手段がレーザ光通過窓を有することによって、レー
ザ素子から発振されるレーザ光の進行を妨げることなく
温調モジュール同士の接触を防ぐことができる。
【００２７】また、請求項７に係るレーザモジュール
は、上記の発明において、前記温調モジュールは、外部
制御手段によって電流を印加されることにより温度制御
をおこなうものであって、該温調モジュールの側面に固
着し、隣接される温調モジュールとの間を分離するモジ
ュール分離手段を有することを特徴とする。
【００２８】この請求項７の発明によれば、あらかじめ
温調モジュールの側面にモジュール分離手段を固着する
ことで、従来形状のパッケージを用いても、温調モジュ
ール同士が接触することのないレーザモジュールを提供
することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施の形態に係るレーザモジュールについて詳細に説明
する。図面の記載において同一あるいは類似部分には同
一あるいは類似の符号を付している。また、図面は模式
的なものであり、装置の構成部分の大きさ、比率等は現
実のものとは異なることに留意するべきである。また、
図面の相互の間でも互いの寸法の関係や比率が異なる部
分が含まれていることはもちろんである。
【００３０】実施の形態１．実施の形態１に係るレーザ
モジュールについて、図１〜図３を用いて説明する。こ
こで、図１は、実施の形態１に係るレーザモジュールの
構造を示す断面図であり、図２は、実施の形態１に係る
レーザモジュールの構造を示す上面図である。また、図
３は、レーザモジュールを構成する温調モジュールの構
造を示す図である。実施の形態１に係るレーザモジュー
ルは、図１に示すようにパッケージ１の内部底面上に温
調モジュール２および温調モジュール３が配置されてい
る。また、温調モジュール２上にはプリズム１２、波長
フィルタ１３、マウント１４と、マウント１４上に固定
されたフォトダイオード１５、２３が配置されている。
また、温調モジュール３上には、アイソレータ７と、レ
ーザマウント８と、レンズホルダー６、１０が配置さ
れ、レーザマウント８上にはレーザ素子９が配置され、
レンズホルダー６、１０にはそれぞれレンズ５、１１が
保持されている。さらに、温調モジュール２と温調モジ
ュール３との間には絶縁板４が配置され、温調モジュー
ル２と温調モジュール３は電気的に分離されている。
【００３１】パッケージ１は、上部および前方（図１に
おいて右方向）に開口部を有する構造を有し、内部底面
において温調モジュール２、３を配置することができる
構造を有する。前方の開口部はレーザ光を光ファイバ２
２に結合するために設けられたものであり、この開口部
にはレンズホルダー１８を介してボールレンズ１９が固
定され、さらにフェルールスリーブ２０、フェルール２
１を介して光ファイバ２２が接続されている。また、パ
ッケージ１の上部開口部は、蓋部１６によって覆われ、
パッケージ１の内部は外部と遮蔽された密閉空間を形成
する。
【００３２】レーザマウント８は、レーザ素子９を固定
し、レーザ素子９で発生した熱を温調モジュール３に伝
達するためのものである。したがって、レーザマウント
８は熱伝導性に優れた部材からなり、たとえば、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）結晶から構成される。
【００３３】レーザ素子９は、例えば、活性層近傍に回
折格子を有し、単一縦モード発信するＤＦＢ（Distribu
ted Feed Back）レーザ等の半導体レーザ素子からな
る。本実施の形態１ではレーザ素子９として、活性層が
ＩｎＰからなる二重ヘテロ接合レーザ（ＤＨレーザ）を
用いるが、シングルヘテロ構造であってもよいし、他の
半導体からなるレーザを用いても良い。なお、本実施の
形態１では、レーザ素子９は共振器を形成する二つの反
射面の双方から前方および後方にレーザ光を出射する。
前方に出射したレーザ光は光ファイバ２２に導入され、
後方に出射したレーザ光は波長のモニタに用いられる。
【００３４】レンズ５は、レーザ素子９から前方に出射
されたレーザ光を図示しない光ファイバに結合するため
のものである。レンズ５はレンズホルダー６によって温
調モジュール３上において、レーザマウント８の前方に
配置されている。
【００３５】アイソレータ７は、いったん光ファイバ２
２へと出射されたレーザ光のうち、光ファイバ２２から
反射してレーザモジュール内部に戻ってきた光を遮断す
るためのものである。
【００３６】レンズ１１は、レーザ素子９から後方に出
射されたレーザ光を平行光にするためのものである。レ
ンズ１１はレンズホルダー１０によって温調モジュール
３上において、レーザマウント８の後方に配置されてい
る。
【００３７】プリズム１２は、図２に示すように、プリ
ズム１２はフォトダイオード１５およびフォトダイオー
ド２３に対してレーザ光が入射するように、レーザ素子
９から後方に出射したレーザ光を分離する構造となって
いる。プリズム１２の部材としてはガラスの他、各種樹
脂を用いることが可能である。
【００３８】波長フィルタ１３は、プリズム１２によっ
て分離されたうちの１方向のレーザ光について、特定の
波長のみを透過するためのものである。波長フィルタ１
３は、例えば誘電体多層膜フィルタからなり、波長フィ
ルタ１３に対する入射角度によって、透過波長が変化す
る性質を有する。そのため、波長フィルタ１３は図示し
ないホルダーによって温調モジュール２上に保持され、
このホルダーは波長フィルタ１３が鉛直方向を回転軸と
して回転することが可能な構造を有する。
【００３９】フォトダイオード１５は、レーザ素子９か
ら後方に出射し、プリズム１２によって分離されたレー
ザ光のうち、波長フィルタ１３を通過した特定波長の光
の強度を測定する。具体的には、フォトダイオード１５
は照射された光の強度に応じた電流を出力するため、図
示しない外部回路に接続して電流値を測定し、レーザ光
のうち信号光として用いる波長の光の強度変化をモニタ
する。
【００４０】フォトダイオード２３は、マウント１４上
に配置されており、レーザ素子９から後方に出射し、プ
リズム１２で分離された２方向のレーザ光のうち、波長
フィルタ１３を通過しないレーザ光の強度を測定する。
【００４１】温調モジュール２、３は、ペルチェ素子か
ら構成される。図３に示したように、ペルチェ素子は平
板状のセラミック板４３ａ、４３ｂ間にｎ型半導体３
１、３５、３９とｐ型半導体３３、３７、４１が交互に
配置され、相互の半導体の間は金属配線３０、３２、３
４、３６、３８、４０、４２によって電気的に接続され
ている。
【００４２】ｎ型半導体３１、３５、３９はシリコン
（Ｓｉ）結晶に燐（Ｐ）原子などのｎ型不純物を拡散さ
せたものからなり、ｐ型半導体３３、３７、４１はＳｉ
結晶に硼素（Ｂ）原子などのｐ型不純物を拡散させたも
のである。
【００４３】また、金属配線３０、４２はペルチェ素子
に電流を導入するために外部電源と電気的に接続されて
いる。外部電源と接続するため、金属配線３０、４２は
ペルチェ素子の側面に露出して配置されている。なお、
金属配線３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２は
Ｓｉ結晶とオーミック接合する金属からなり、例えば金
を材料とする。
【００４４】セラミック板４３ａ、４３ｂは、同一形状
からなる２枚の板状体である。温調モジュール２、３と
接触する物体を急速に加熱若しくは冷却するために、セ
ラミック板４３ａ、４３ｂは熱伝導率の高い部材からな
る。したがって、熱伝導性に優れた物質であって、上部
に物体を配置するのに十分な強度を有するものであれば
必ずしもセラミックに限定されない。なお、セラミック
板４３ａ、４３ｂは、接触する物体に対して熱伝導もし
くは熱吸収を効率的におこなうためにできるだけ大きな
表面積を有する必要がある。したがって、セラミック板
４３ａ、４３ｂはペルチェ素子の側面にまで達する構造
となっている。
【００４５】絶縁板４は、図１に示すように、温調モジ
ュール２と、温調モジュール３とを電気的に絶縁分離す
るためのものである。絶縁板４の材料としては、プリン
ト基板に用いられるガラスクロス強化エポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂の他、紙フェノール樹脂、雲母、ガラス等
を用いることができる。これら以外にも、エポキシ樹
脂、ポリエチレン、テフロン（登録商標）など絶縁性を
示すものであれば絶縁板４の材料として用いることがで
きる。
【００４６】次に、本実施の形態１に係るレーザモジュ
ールの動作について、説明する。本実施の形態１に係る
レーザモジュールは、主として光ファイバ通信における
信号光源として利用される。具体的には、レーザ素子９
から前方に出射したレーザ光を信号光として前方に設け
られた開口部を通して光ファイバ２２に出射する。ここ
で、レーザ光を信号光として用いるためには、出力強度
および波長が安定していることが必要条件である。
【００４７】一方で、レーザ素子９から出射するレーザ
光の出力強度は、基本的にはレーザ素子９の活性層に注
入する電流値に対して単調増加し、活性層の温度に対し
て単調減少する。また、発振波長は、注入電流および活
性層の温度に対して単調増加する。したがって、レーザ
素子９の活性層に注入する電流および活性層の温度を制
御することで、レーザ光の出力強度および波長を安定化
することができる。
【００４８】ここで、波長を安定化するために、レーザ
素子９の後方から出射したレーザ光を利用する。図２に
示すように、レーザ素子９の後方から出射したレーザ光
は、レンズ１１を通過する際に平行光となり、プリズム
１２に入射する。そして、プリズム１２に入射したレー
ザ光は２つの方向へ分離され、そのうちの１方向に進ん
だレーザ光は波長フィルタ１３に入射する。この際に、
所定の波長のレーザ光のみが波長フィルタ１３を透過
し、透過したレーザ光はフォトダイオード１５へ入射す
る。フォトダイオード１５は、入射した光の強度に応じ
た電流を出力するため、上記の所定の波長が信号光の波
長と同一波長となるように波長フィルタ１３を設定して
おくことで、信号光として用いる波長成分の強度を測定
することができる。ここで、プリズム１２によって分離
された他方のレーザ光を、参照光としてフォトダイオー
ド２３によって強度を測定することで注入電流の揺らぎ
などによるノイズを除去する。レーザ素子９から出射す
るレーザ光の波長が所定の波長からシフトした場合、フ
ォトダイオード１５から出力される電流の値は低下する
ため、図示しない制御部によって制御される温調モジュ
ール３によってレーザ素子９の温度を調整することによ
り、レーザ素子９の発振波長を所定波長へ戻すことがで
きる。
【００４９】次に、温調モジュール２、３による温度制
御について説明する。温調モジュール２、３は上述した
ようにペルチェ素子からなり、ペルチェ素子はペルチェ
効果に基づき温度の調整をおこなう。具体的には、ペル
チェ素子は図３に示す構造からなり、ｎ型半導体３１か
らｐ型半導体３３に向かって電流を流すと、ペルチェ効
果によりｎ型半導体３１とｐ型半導体３３との間の金属
配線３２で熱の吸収が起こる。同様の理由から、金属配
線３６、４０においても熱の吸収が起こる。ペルチェ素
子上部に配置されたセラミック板４３ａは金属配線３
２、３６、４０に接触するため、図３に示す方向に電流
を流すと、セラミック板４３ａ上に配置された物体は熱
を吸収され、温度は低下する。
【００５０】その一方で、ｐ型半導体３３からｎ型半導
体３５に向かって電流が流れることから、金属配線３４
では熱の放出が起こる。同様に、金属配線３８でも熱の
放出が起こる。セラミック板４３ｂは金属配線３４、３
８の下に配置されているため、図３に示す方向に電流を
流した場合に、セラミック板４３ｂの下面に接触する物
体の温度は上昇する。
【００５１】なお、熱の吸収、放出の量はペルチェ素子
に流した電流の大きさに比例する。また、電流を流す方
向を図３に示す向きと逆にした場合は、熱の移動は逆方
向に生じ、セラミック板４３ａでは熱の放出が起こり、
セラミック板４３ｂでは熱の吸収がおこなわれる。この
ように、ペルチェ素子は接触する物体の温度制御を素子
に流す電流の大きさおよび方向によって制御することが
できる。したがって、レーザ素子９、波長フィルタ１３
等の温度を精密に制御するためには温調モジュール２、
３に流れる電流を正確に制御する必要がある。
【００５２】そのため、本実施の形態１においては、温
調モジュール２と温調モジュール３との間に絶縁板４を
配置して、温調モジュール２と温調モジュール３との間
に導通が生じることを防止する。これは、温調モジュー
ル２、３を構成するペルチェ素子は、図３に示すように
金属配線が側面に露出した構造となっているため、温調
モジュール２と温調モジュール３が接触した場合、互い
の金属配線が導通して温調モジュール２と温調モジュー
ル３との間で電流が流れてしまう。そうすると、外部回
路からの温度制御が不可能となり、温調モジュールとし
ての機能を果たすことができない。したがって、絶縁板
４を配置することで、このような事態を確実に避けて、
温調モジュール２、３上に配置されたレーザ素子９等の
温度制御を正確におこなうことが可能となる。
【００５３】実施の形態２．次に、実施の形態２につい
て説明する。図４は、実施の形態２に係るレーザモジュ
ールの構造を示す断面図であり、図５は、実施の形態２
に係るレーザモジュールの構造を示す上面図である。な
お、実施の形態１と共通する部分については同一または
類似の符号を付すこととする。
【００５４】実施の形態２に係るレーザモジュールは、
パッケージ１内部の底面上に、温調モジュール２、温調
モジュール３が配置されており、温調モジュール２と温
調モジュール３との間には、断熱板２４が配置されてい
る。温調モジュール２上にはレーザマウント４４が配置
され、レーザマウント４４上にはレーザ素子４５が配置
されている。また、温調モジュール３上にはアイソレー
タ４９と、波長モニタ部４８とが配置され、さらにレン
ズホルダー４６に保持されたレンズ４７が配置されてい
る。そして、パッケージ１の内部空間は不活性ガスなど
によって満たされ、蓋部１６をパッケージ上部開口部に
配置して、外部からの影響を排除する構造としている。
【００５５】断熱板２４は、温調モジュール２と温調モ
ジュール３とを熱的に分離するために配置されたもので
ある。断熱板２４の形状は平坦な板状体からなる。ま
た、断熱板２４の材料としては、ガラス繊維、セラミッ
ク繊維、ロックウール、発泡セメントなど、多孔質体か
らなるものが用いられ、他にも発泡ウレタン、発泡ポリ
スチレンなどを材料として用いることができる。この他
の材料でも、断熱性が良好な場合、断熱板２４の材料と
して用いることが可能である。
【００５６】実施の形態２に係るレーザモジュールは、
実施の形態１と異なり、波長モニタ部４８をレーザ素子
４５の前方（図４における右方向）に配置し、レーザ素
子４５から前方に出射されたレーザ光の一部を用いて波
長のモニタをおこなう。また、アイソレータ４９を、レ
ーザ素子４５が配置された温調モジュール２上ではな
く、温調モジュール３上に配置している。
【００５７】波長モニタ部４８は、図５に示すように、
レーザ素子４５の前方にハーフミラー５０、５１が配置
され、ハーフミラー５０によって反射される一部のレー
ザ光の進路上に波長フィルタ５５と、波長フィルタ５５
の延長上にマウント５３上に固定されたフォトダイオー
ド５４が配置されている。ハーフミラー５１によって反
射される一部のレーザ光の進路上にはマウント５６上に
固定されたフォトダイオード５４が配置されている。
【００５８】波長モニタ部４８をレーザ素子４５の前方
に設けることで、次の利点が生じる。まず、波長モニタ
部４８を前方に設けることにより、レーザ素子４５の後
方にレーザ光を平行光にするためのレンズを配置しなく
てすむ。このことにより、部品の数を減らせるという利
点が生じる。また、波長モニタ部４８を前方に設けるこ
とで、レーザ素子４５は後方に設けられ、温調モジュー
ル２上にレーザマウント４４を介して配置できる。その
一方で、アイソレータ４９は、レーザモジュールと接続
する光ファイバ２２に近接した場所に配置する必要があ
るためにレーザ素子４５と異なり、温調モジュール３上
に配置される。
【００５９】なお、波長モニタ部４８は、前方に出射し
たレーザ光の一部を取り出して波長のモニタをおこな
う。具体的には、ハーフミラー５０によってレーザ光の
一部を取り出し、特定の波長のみを通過させる波長フィ
ルタ５５を介してフォトダイオード５４に入射させる。
フォトダイオード５４に入射したレーザ光は電流に変換
されて出力される。特定波長のレーザ光の強度を電気的
信号として検出し、別のハーフミラー５１によって取り
出されたレーザ光を参照光としてフォトダイオード５７
で電気的信号として検出することで波長のモニタをおこ
なう。
【００６０】アイソレータ４９は、外部からレーザモジ
ュール内部に入射してくるレーザ光を遮断するためのも
のであるが、遮断する波長および遮断する効率は温度に
よって変化する。したがって、レーザモジュールの動作
を安定化するためには、アイソレータ４９の温度を一定
に保つことがさらに望ましい。一方、レーザ素子４５の
温度は、波長の安定化のためにあえて変化させる場合も
あり、通常の温度とは異なる温度範囲でレーザ素子４５
の温度を制御する。したがって、アイソレータ４９をレ
ーザ素子４５とは異なる温調モジュール上に配置するこ
とで、さらに効果的に外部からの光を遮断することが可
能となる。
【００６１】実施の形態２に係るレーザモジュールで
は、レーザ素子４５と、アイソレータ４９および波長フ
ィルタを含む波長モニタ部４８とが異なる温調モジュー
ル２、３上に配置されているため、レーザ素子４５の温
度を大きく変化させてもレーザモジュール全体の性能に
影響を与えない。したがって、温調モジュール２はレー
ザ素子４５から出射するレーザ光を所定の波長に安定化
するだけでなく、レーザ素子４５の温度を積極的に変化
させることで、異なる波長のレーザ光を発振する状態で
発振波長を安定化することが可能である。
【００６２】このように、本実施の形態２に係るレーザ
モジュールでは、温調モジュール２と温調モジュール３
のそれぞれ上部に配置されたセラミック板の温度が異な
る場合が予想される。セラミック板は、熱伝導率の高い
部材であるため、温調モジュール２と温調モジュール３
とが接触した場合に、一方から他方へ熱が伝わるおそれ
がある。したがって、温調モジュール２と温調モジュー
ル３との間に断熱板２４を配置して、温調モジュール２
と温調モジュール３との間の熱の移動を遮断する。断熱
板２４を配置することで、温調モジュール２と温調モジ
ュール３との間の干渉を排除し、別個独立の温度制御が
できる。
【００６３】また、断熱板２４を温調モジュール２と温
調モジュール３との間に配置することで、レーザモジュ
ールの消費電力を低く抑えるという利点も存在する。す
なわち、温調モジュール２と温調モジュール３との間で
熱の移動が生じた場合、それぞれ所定の温度を維持する
ためにペルチェ素子に流す電流の量を増やす必要が生じ
る。断熱板２４を配置することで、このような電流を流
す必要がなくなるため、消費電力を低く抑えることがで
きる。
【００６４】また、温調モジュール２と温調モジュール
３との温度差が大きい場合において、温調モジュール同
士が接触していると、ペルチェ素子で制御しても熱が流
入もしくは流出し続けるため温度制御をおこなうことが
不可能となり、製品として使用することができない。断
熱板２４を温調モジュール２と温調モジュール３との間
に配置することでこのような事態を防ぐことができるた
め、本実施の形態２に係るレーザモジュールは歩留まり
の向上を図ることができる。 実施の形態３．
【００６５】次に、実施の形態３について図６を用いて
説明する。図６は、実施の形態３に係るレーザモジュー
ルの構造を示す断面図である。なお、本実施の形態にお
いて、実施の形態１、２と同一若しくは類似の部分につ
いては同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６６】実施の形態３に係るレーザモジュールは、
パッケージ１と、パッケージ１内部の底面上に配置され
た温調モジュール２と、温調モジュール３とを有し、温
調モジュール２上にはレーザマウント４４を介してレー
ザ素子４５が配置されている。また、温調モジュール３
上には、アイソレータ４９と、波長モニタ部４８と、レ
ンズホルダー４６に保持されたレンズ４７とが配置され
ている。また、パッケージ１の上部開口部において蓋部
１６が配置されており、パッケージ１内部は密閉されて
外部と遮断されている。さらに、パッケージ１内部の底
面上であって、温調モジュール２と温調モジュール３と
の間には絶縁板５９と、断熱板５８とが配置されてい
る。
【００６７】上述したように、温調モジュール２はレー
ザ素子４５から発振するレーザ光の波長を一定にするの
が目的であり、一方、温調モジュール３は波長モニタ部
４８内部に設けられた波長フィルタおよびアイソレータ
４９の温度を一定にすることが目的である。したがっ
て、温調モジュール２の温度と温調モジュール３の温度
とは一般に相違し、温調モジュール２を構成するペルチ
ェ素子に流れる電流の大きさと温調モジュール３を構成
するペルチェ素子に流れる電流の大きさとは相違する。
【００６８】これに対して、温調モジュール２と温調モ
ジュール３とが接触すると、ペルチェ素子の構造から、
互いの間に電気的な導通が生じる。電気的な導通が生じ
た場合には、温調モジュール２と温調モジュール３とを
独立に制御することが不可能となるため、絶縁板５９を
配置して絶縁を確保している。しかし、温調モジュール
２と温調モジュール３とが電気的に絶縁分離されていて
も、相互の間で熱の移動が生じる場合にはそれぞれの温
調モジュールを構成するペルチェ素子の消費電力が増大
する等の問題が生じてしまう。したがって、絶縁板５９
の他に、温調モジュール２と温調モジュール３との間に
断熱板５８を配置することで温調モジュール２と温調モ
ジュール３とを熱的に分離することができ、温度制御を
効率良くおこなうことができる。
【００６９】なお、絶縁板５９、断熱板５８を別々に温
調モジュール２と温調モジュール３との間に配置するの
ではなく、絶縁機能および断熱機能を有する１枚の板を
配置しても良い。このような機能を有する材料として
は、たとえば、焼結度が低く多孔質のアルミナが挙げら
れる。この他にも、断熱板の材料として上述したものの
中には絶縁体として機能する材料が存在する。１枚の板
で絶縁機能および断熱機能を有する場合には、実施の形
態３に係るレーザモジュールの製造において工程が単純
化でき、パッケージ１内部の底面を有効利用できるとい
う利点を有する。
【００７０】実施の形態４．次に、実施の形態４に係る
レーザモジュールについて図７および図８を用いて説明
する。図７は実施の形態４に係るレーザモジュールの構
造を示す断面図を示し、図８は実施の形態４に係るレー
ザモジュールのうちレーザ光の光軸方向から見たモジュ
ール分離板６０の構造を示す。
【００７１】実施の形態４に係るレーザモジュールは、
上部および右側面に開口部を有するパッケージ１内部の
底面上に、開口部を有する側面から左方向へ順に温調モ
ジュール３と、温調モジュール２とが配置されている。
温調モジュール３上には開口部を有する側面から左方向
へアイソレータ７、レンズホルダー６に保持されたレン
ズ５と、レーザマウント８を介して配置されたレーザ素
子９と、レンズホルダー１０に保持されたレンズ１１と
が配置されている。また、温調モジュール２上には温調
モジュール３に近い方から順にプリズム１２、波長フィ
ルタ１３、フォトダイオード１５を保持するマウント１
４が配置されている。また、温調モジュール３と温調モ
ジュール２との間にはモジュール分離板６０が配置さ
れ、パッケージ１の上部開口部は蓋部１６によって閉じ
られており、パッケージ１の内部空間は不活性ガスなど
で満たされて外気から遮断されている。
【００７２】モジュール分離板６０は、温調モジュール
２、３の間に配置されている平板上の部材からなり、そ
の高さは温調モジュール２、３の高さよりも高く、蓋部
１６にまで達していても良い。モジュール分離板６０の
材質は絶縁性若しくは断熱性を備えるものからなるが、
たとえば、ガラス繊維や発泡セメントのように絶縁性お
よび断熱性双方の性質を有するものでも良い。また、モ
ジュール分離板６０は、その上部部分において、レーザ
素子９から後方に出射したレーザ光を遮断することのな
いように窓が開けられている。
【００７３】本実施の形態４において、モジュール分離
板６０を設けることにより、実施の形態１〜３の場合と
同様に温調モジュール２と温調モジュール３とを分離す
るため、温調モジュール２と温調モジュール３とが接触
することによる熱の移動若しくは相互間の導通を防止す
ることができる。そして、モジュール分離板６０の高さ
を温調モジュール２、３の高さよりも高くすることによ
り次の効果が生ずる。
【００７４】本実施の形態４に係るレーザモジュール
は、一般に光データ通信の信号光源として用いられ、た
とえば、ＷＤＭ光通信システムの信号光源として用いら
れる。この場合、複数のレーザモジュールにより信号光
源を構成するため、自他のレーザモジュールから出射さ
れたレーザ光の一部が光コネクタによる反射等により本
実施の形態４に係るレーザモジュール内部に入射するこ
とがある。また、レーザ素子９の前方から出射されたレ
ーザ光の一部がパッケージ内で乱反射をおこす場合もあ
る。これらの光がフォトダイオード１５に入射した場
合、レーザ素子９から後方に出射したレーザ光の波長を
検出するという波長モニタの機能が損なわれることとな
る可能性がある。ここで、モジュール分離板６０を配置
することで、これらの光をフォトダイオード１５に入射
することを防ぐことができる。これらの迷光はレーザ素
子９よりも図７において右側で生ずるものであるため、
モジュール分離板６０を配置することでモジュール分離
板６０よりも左側の空間領域にこれらの迷光が侵入する
ことを防止できるためである。したがって、モジュール
分離板６０の高さを高くすることで精度の高い波長モニ
タをおこなうことができる。
【００７５】また、パッケージ１内部の空間は不活性ガ
スなどの気体により密封されている。このため、たとえ
ばレーザ素子９の温度が上昇することでパッケージ１内
部空間において対流が生じるおそれがある。したがっ
て、温調モジュール２と温調モジュール３との間を分離
し、輻射電熱を防止したとしても波長フィルタ１３の温
度が変化する懸念があり、モジュール分離板６０を設け
ることで、対流によって温度の高い気体が波長フィルタ
１３に接触し、電熱することを防止できる。この観点で
は、モジュール分離板６０は、蓋部１６に完全に接触さ
せることが好ましい。
【００７６】なお、モジュール分離板６０によってレー
ザ素子９から後方に出射されたレーザ光が遮断される
と、フォトダイオード１５において波長のモニタができ
なくなる。したがって、モジュール分離板６０の上部に
は、後方に出射されたレーザ光を通過させるための窓が
設けられている。この窓の形状を図８に示す。図８
（ａ）は楕円形のレーザ光透過窓６１を有する場合を示
し、図８（ｂ）は上部に切込部６２を有する場合のモジ
ュール分離板６０の構造を示す。これらレーザ光透過窓
６１や切込部６２によって形成される空隙部分をレーザ
光は通過して波長フィルタ１３およびフォトダイオード
１５へと入射する。したがってレーザ光が十分透過する
構造であればよく、モジュール分離板６０の形状は図８
（ａ）、（ｂ）に限定されない。たとえば、レーザ光透
過窓６１は円形でもよく、切込部６２が三角形ではなく
四角形からなっても良い。さらに、モジュール分離板６
０は、レーザ素子９の後方から出射するレーザ光以外の
光を効果的に遮断できるならば、ある程度レーザ光を遮
断する形状からなっても良い。波長のモニタはフォトダ
イオード１５に照射されるレーザ光強度の変化を検知す
ることによりおこなわれ、一定の割合でレーザ光を透過
できれば波長のモニタは十分可能なためである。
【００７７】なお、本実施の形態４において、レーザ光
透過窓６１および切込部６２は空隙からなるが、この領
域をレーザ光透過性の部材、たとえば板ガラスにより構
成されていても良い。この場合には、温調モジュール２
が配置された空間と、温調モジュール３が配置された空
間が互いに分離され、上述した対流による熱伝導をさら
に効率良く防止できる。
【００７８】実施の形態５．次に、実施の形態５につい
て、図９を用いて説明する。図９は、実施の形態５に係
る温調モジュールの構造を示す模式図である。図３に示
す実施の形態１における温調モジュールと同様の部分に
ついては同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７９】実施の形態５に係る温調モジュールは、ペ
ルチェ素子から構成されている。温調モジュールの側面
にはモジュール分離板６３が固着されている。ここで、
モジュール分離板６３は絶縁性もしくは断熱性の材料か
らなるが、両方の性質を有する材料を用いても良い。
【００８０】また、モジュール分離板６３は、レーザモ
ジュール内に複数配置される温調モジュール同士の間を
分離するためのものである。たとえば、本実施の形態５
に係る温調モジュールを図１０における温調モジュール
６５の代わりに用いた場合、温調モジュール６４はモジ
ュール分離板６３により実施の形態５に係る温調モジュ
ールと完全に分離することができる。
【００８１】レーザモジュールを構成するパッケージに
モジュール分離板をあらかじめ配置する構造とするので
なく、温調モジュール自体にモジュール分離板６３を固
着することによって次の利点が生ずる。すなわち、パッ
ケージにモジュール分離板を配置した場合には、モジュ
ール分離板をパッケージ内部の底面上に固着するための
工程が必要となる。これに対して実施の形態５に係る温
調モジュールを用いれば、モジュール分離板を配置する
工程は必要なく、従来通りの方法で製造することが可能
で、しかも、確実に温調モジュール同士を素子分離する
ことができる。したがって、本実施の形態５を用いてレ
ーザモジュールを製造した場合、従来の製造方法で歩留
まりを高めることができる。
【００８２】なお、本実施の形態５に係る温調モジュー
ルについて、モジュール分離板６３を配置する側面はペ
ルチェ素子の左側でも良く、また１つの側面にのみ固着
せずに、複数の側面においてモジュール分離板を固着し
ても良い。さらに、モジュール分離板６３の形状も、ペ
ルチェ素子側面を覆うのに十分な高さを有する場合のみ
ならず、ペルチェ素子側面の高さよりも低い構造からな
っても良い。たとえばペルチェ素子を構成するセラミッ
ク板４３ａがモジュール分離板６３によって覆われてい
なくとも、モジュール分離板６３が存在することで他の
温調モジュールとの間に間隔を保つことができるためで
ある。また、逆にモジュール分離板６３の高さがペルチ
ェ素子の高さよりも高くても構わない。この場合は、実
施の形態４におけるモジュール分離板６０の機能を果た
すことが可能となる。
【００８３】なお、上述のように本発明を実施の形態１
から実施の形態５によって説明をおこなったが、この発
明の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定
するものであると理解するべきではない。この開示から
当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技
術が明らかになると思われる。たとえば、実施の形態１
において、断熱効果を重視して、絶縁板４の代わりに断
熱性を有する部材によって温調モジュール２と温調モジ
ュール３とを分離しても良い。さらに、絶縁板４の代わ
りに断熱性と絶縁性を兼ね備えた部材からなる平板を配
置しても良い。
【００８４】また、実施の形態１〜４に係るレーザモジ
ュールは、温調モジュール２、３がペルチェ素子からな
るものに限定されるのではない。温度調節を電気的にお
こない、複数の温調モジュールが接触することで互いに
導通するおそれのある素子であれば、絶縁板４を温調モ
ジュール２、３間に配置することで、正確な温度制御を
おこなうことが可能である。また、相互の温調モジュー
ルを接触した場合に熱伝導が生じる構造からなる素子を
用いた場合には断熱板２４を利用することが可能であ
る。同様に、実施の形態５に係る温調モジュールについ
ても、ペルチェ素子以外の温調モジュールに適用するこ
とが可能である。
【００８５】また、実施の形態１および実施の形態４に
おいては、レーザ素子９から後方へ出射する光をプリズ
ム１２で２方向の光に分離するが、プリズム１２のかわ
りに、ハーフミラーを用いても良い。レーザ光を分離す
るという点では機能が共通するためである。
【００８６】さらに、レーザモジュール全体の構造が異
なるものであっても、レーザモジュール内において、複
数の温調モジュールによって異なる温度制御をおこなう
場合には、本発明を適用することが可能である。たとえ
ば、波長モニタ部を有さないが、レーザ素子９とアイソ
レータ７を備え、これらを別々に温度制御するレーザモ
ジュールの場合にも本発明を適用して温度制御をおこな
うことが可能である。同様に、レーザモジュールの用途
についても、光通信の信号光源に限られず、光通信の励
起源に用いても良いし、その他光ピックアップ装置の光
源や、半導体装置の製造における露光装置の光源につい
て用いることも可能である。
【００８７】また、絶縁板４、５９、断熱板２４、５
８、モジュール分離板６０はパッケージと別個独立な部
材であり、レーザモジュールの製造に際してパッケージ
に固着するものとしても良いが、可能ならばパッケージ
とこれらの板を一体的に形成しても良い。この場合、こ
れらの板をパッケージに固着する工程を省略することが
できるため、レーザモジュールの製造を容易化すること
ができる。
【００８８】また、本実施の形態１〜４では、レーザモ
ジュール内に温調モジュール２、３を配置した構造とし
ているが、温調モジュールの数はこれに限定する必要は
なく、可能であれば３個以上の温調モジュールをレーザ
モジュール内に配置しても良い。たとえば、図１におけ
るアイソレータ７も、波長フィルタ１３と同様に温度依
存性があるため、よりアイソレータ７の性能を発揮する
ためには温調モジュール３とは別の温調モジュールをレ
ーザモジュール内に設け、その上にアイソレータ７を配
置することも望ましい。この場合、新たに設けた温調モ
ジュールと、温調モジュール３との間には絶縁板を配置
するのは当然のことである。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、第１の温調モジュールと第２の温調モジュール
がパッケージ内に配置されていた場合、それら温調モジ
ュール間にモジュール分離手段を配置する構成としたこ
とで、温調モジュール同士の接触を防ぐことができると
いう効果を奏する。
【００９０】また、請求項２の発明によれば、モジュー
ル分離手段が絶縁性を有する構成としたため、温調モジ
ュール同士の間で互いに導通することがなく、各温調モ
ジュールが別個独立に温度調節をおこなうことができる
という効果を奏する。
【００９１】また、請求項３の発明によれば、モジュー
ル分離手段が断熱性を有する構成としたため、温調モジ
ュール同士の間で熱の移動が生じることを防ぐことがで
き、温度の調整に費やす消費電力を低く抑えることがで
きるという効果を奏する。
【００９２】また、請求項４の発明によれば、モジュー
ル分離手段が絶縁性および断熱性を有する構成としたた
め、温調モジュール同士の間で導通することがなく、熱
の移動を防止することができるという効果を奏する。
【００９３】また、請求項５の発明によれば、モジュー
ル分離手段がパッケージと一体的に形成される構成とし
たことによって、レーザモジュールを従来と同様の工程
で製造でき、かつ、温調モジュール同士が接触すること
を防止できる。
【００９４】また、請求項６の発明によれば、モジュー
ル分離手段がレーザ光通過窓を有する構成としたため、
レーザ素子から発振されるレーザ光を妨げずに複数の温
調モジュールの接触を防ぐことができるという効果を奏
する。
【００９５】また、請求項７の発明によれば、あらかじ
め温調モジュールの側面にモジュール分離手段を固着す
る構成としたため、従来形状のパッケージを用いても、
温調モジュール同士が接触することのないレーザモジュ
ールを提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係るレーザモジュールの構造を
示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係るレーザモジュールの構造を
示す上面図である。
【図３】実施の形態１における温調モジュールの構造を
示す断面図である。
【図４】実施の形態２に係るレーザモジュールの構造を
示す断面図である。
【図５】実施の形態２に係るレーザモジュールの構造を
示す上面図である。
【図６】実施の形態３に係るレーザモジュールの構造を
示す断面図である。
【図７】実施の形態４に係るレーザモジュールの構造を
示す断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、実施の形態４におけるモジ
ュール分離板の構造を示す図である。
【図９】実施の形態５に係る温調モジュールの構造を示
す断面図である。
【図１０】従来技術に係るレーザモジュールの構造を示
す模式図である。
【符号の説明】
１、７０ パッケージ ２、３、６４、６５ 温調モジュール ４、５９ 絶縁板 ５、１１、４７ レンズ ６、１０、１８、４６、７２ レンズホルダー ７、４９ アイソレータ ８、４４、６８ レーザマウント ９、４５、６９ レーザ素子 １２ プリズム １３、５５ 波長フィルタ １４、５３、５６ マウント １５、２３、５４、５７ フォトダイオード １６、６７ 蓋部 １９、７３ ボールレンズ ２０、７４ フェルールスリーブ ２１、７５ フェルール ２２、７６ 光ファイバ ４３ａ、４３ｂ セラミック板 ３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２ 金属配線 ３１、３５、３９ ｎ型半導体 ３３、３７、４１ ｐ型半導体 ４８、６６ 波長モニタ部 ２４、５８ 断熱板 ５０、５１ ハーフミラー ６０、６３ モジュール分離板 ６１ レーザ光透過窓 ６２ 切込部 ７７ 光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F073 AB25 AB27 AB28 AB29 AB30 BA01 EA29 FA02 FA06 FA15 FA25 FA30

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ内部に配置された第１の温調
    モジュールと、第２の温調モジュールと、該第１の温調
    モジュール上に配置されたレーザ素子と、該第２の温調
    モジュール上に配置された波長モニタ部を有し、該レー
    ザ素子から出射された光の波長を該波長モニタ部で検知
    するレーザモジュールにおいて、 前記第１、第２の温調モジュール間に配置され、各温調
    モジュールを分離する素子分離部材を備えたモジュール
    分離手段を有することを特徴とするレーザモジュール。
  2. 【請求項２】 前記モジュール分離手段は絶縁性の部材
    を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザモジ
    ュール。
  3. 【請求項３】 前記モジュール分離手段は断熱性の部材
    を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザモジ
    ュール。
  4. 【請求項４】 前記モジュール分離手段は絶縁性および
    断熱性の部材を有することを特徴とする請求項１に記載
    のレーザモジュール。
  5. 【請求項５】 前記モジュール分離手段はパッケージと
    一体的に形成されていることを特徴とする請求項１〜４
    のいずれか一つに記載のレーザモジュール。
  6. 【請求項６】 前記モジュール分離手段がレーザ光通過
    窓を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一
    つに記載のレーザモジュール。
  7. 【請求項７】 前記温調モジュールは、外部制御手段に
    よって電流を印加されることにより温度制御をおこなう
    ものであって、該温調モジュールの側面に固着し、隣接
    される温調モジュールとの間を分離するモジュール分離
    手段を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか
    一つに記載のレーザモジュール。
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