JP4714564B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態を図1および図2に基づいて説明する。図1は、本発明のSiGeベースへテロ接合バイポーラトランジスタの素子断面図であり、図2はエミッタ・ベース領域を中心とした部分拡大図である。
(工程5:図7参照) リソグラフィ法によりレジストパターンを設け、ドライエッチングにより、シリコン窒化膜8e、多結晶シリコン膜7e、シリコン膜5の順にエッチング加工する。このとき、ドライエッチングは、シリコン膜5を完全に除去するまで行わず、SiGe合金層4上の全面に一部が残存する状態で終了させる。この結果、シリコン膜5は断面凸状の形状70に仕上がる。さらに、シリコン膜5の表面80aにはエッチングダメージが入り、ダメージ層が形成される。なお、この際、多結晶シリコン膜7eは、エミッタ電極となる多結晶シリコン膜7aと、SiGe合金層4とシリコン膜5の周囲に多結晶シリコン膜からなる側壁膜7bとして加工される。シリコン窒化膜8eは、シリコン窒化膜8として加工され、多結晶シリコン膜7eをエッチング加工する際のマスクとして機能する。ドライエッチング条件としては、例えば、圧力15mT、ガス流量O2/HBr=2/180sccm、RFパワーUpper/Lower=250/12Wである。
図12は、本発明の第2実施形態によるSiGeベースへテロ接合バイポーラトランジスタの素子断面図である。第1実施形態と異なる箇所は、n型拡散層6の下面がSiGe合金層の中に設けられていることである。なお、シリコン膜5aは本発明の「第2の領域」およびn型拡散層6aは本発明の「第1の領域」の一例である。
2 コレクタ層(エピタキシャル層)
2a 活性領域
3 素子分離領域(STI)
4 シリコンゲルマニウム(SiGe)合金層
5 シリコン膜
6 n型拡散層(エミッタ層)
7a 多結晶シリコン膜(エミッタ電極)
9 シリコン酸化膜からなる側壁膜(サイドウォール)
10 p+拡散層
11a、11b シリサイド膜
50 n型拡散層と多結晶シリコン膜の界面
60 側壁膜の下面
70 凸状に形成されたシリコン膜の凸部
Claims (3)
- 素子分離領域に囲まれた活性領域が形成された半導体基板の上に、ベース層として機能する一導電型の導電層およびシリコン膜を形成する第1の工程と、
前記活性領域の上方における前記シリコン膜の上に、逆導電型の第1不純物を含むエミッタ電極を形成する第2の工程と、
前記エミッタ電極をマスクとして前記シリコン膜をエッチングし、前記エミッタ電極下方の前記シリコン膜が、その他の領域の前記シリコン膜に対して凸部を有するように、前記シリコン膜を加工する第3の工程と、
前記半導体基板上面を覆うように絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜をエッチバックすることによって、前記エミッタ電極の側壁及び前記シリコン膜の凸部の側壁を覆う側壁膜を形成する第4の工程と、
前記側壁膜の形成後に、前記活性領域の表面に達するように、一導電型の第2不純物を導入し、前記導電層および前記シリコン膜に一導電型の不純物領域を形成する第5の工程と、
前記エミッタ電極に含まれる前記第1不純物を前記シリコン膜の凸部の前記エミッタ電極との接触面から拡散させ、前記シリコン膜内に、前記第1不純物を含む逆導電型の第1の領域と前記第1不純物を含まない一導電型の第2の領域を形成する第6の工程と、
を備え、
前記第6の工程において、前記シリコン膜の第2の領域の少なくとも一部が、前記導電層と前記側壁膜との間に位置し、且つ、前記導電層および前記側壁膜と接するように形成されることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 前記導電層は、シリコンゲルマニウム(SiGe)合金層であり、前記第1の領域の下面が、前記導電層の中に達していることを特徴とした請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第6の工程の後に、前記不純物領域の表面にシリサイド膜を形成する第7の工程をさらに備え、
少なくとも前記第7の工程の前までに、前記不純物領域の表面のダメージ層を除去する第8の工程を行うことを特徴とした請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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