JP4701779B2 - Integrated circuit package assembly structure - Google Patents

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この発明は、集積回路パッケージ組立構造に係り、詳しくは、回路基板上に集積回路と周辺部品とを組み合わせて実装するようにした集積回路パッケージ組立構造に関する。 This invention relates to an integrated circuit package assembly structure and, more particularly, to the integrated circuit package assembly structure adapted to implement a combination of the integrated circuit and the peripheral components on the circuit board.

LSI(Large Scale Integrated circuit:大規模集積回路)で代表される集積回路の多機能化に伴って、この集積回路が携帯電話、パーソナルコンピュータ等の各種電子機器に組み込まれている。これらの電子機器では機器全体の小型化、軽量化が要求され、特に携帯電話においては、それらに加えて携帯性の向上が要求されている。ここで集積回路は、共通な回路基板上に、バイパスコンデンサ、抵抗等の小型面実装部品としての周辺部品と組み合わせて実装される。要求されている上述のような諸条件を満足するためには、用いる集積回路、周辺部品の部品自身の小型化、軽量化、薄形化、さらには実装面積の削減を図ることが必要になる。   As integrated circuits represented by LSI (Large Scale Integrated circuit) become multifunctional, these integrated circuits are incorporated in various electronic devices such as mobile phones and personal computers. These electronic devices are required to be reduced in size and weight of the entire device, and in particular, cellular phones are required to improve portability in addition to them. Here, the integrated circuit is mounted on a common circuit board in combination with peripheral components as small surface mounting components such as a bypass capacitor and a resistor. In order to satisfy the required conditions as described above, it is necessary to reduce the size, weight, and thickness of the integrated circuit to be used and the peripheral components themselves, and to reduce the mounting area. .

そのため、用いられる集積回路及び周辺部品は、小型化のために構成部材を0.1mm未満の寸法で縮小することを争っている。バイパスコンデンサ、抵抗等の小型面実装部品においては、最近は、1.0mm×0.5mmのサイズのものが主流になっているが、さらに縮小化された0.6mm×0.3mmのものも登場してきている。一方、集積回路においても、0.1mmの寸法を縮小するために、何千万円を投資するような多大な努力が払われている。   For this reason, the integrated circuit and peripheral components used are competing to reduce the size of the component members to less than 0.1 mm for miniaturization. Recently, small size surface mount parts such as bypass capacitors and resistors have become the mainstream in the size of 1.0 mm x 0.5 mm, but there are also smaller ones of 0.6 mm x 0.3 mm. Has appeared. On the other hand, in an integrated circuit, great efforts are made to invest tens of millions of yen in order to reduce the size of 0.1 mm.

図10は、回路基板上に集積回路と周辺部品とを実装する従来の集積回路パッケージ組立構造の概念を示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成である。従来においては、まず図10(a)に示すように、予め表面に配線101及びランド102が形成された共通の回路基板103上に、集積回路としてのBGA(Ball Grid Array)パッケージ104が実装され、次に図10(b)に示すように、周辺部品としてチップ型の例えばバイパスコンデンサ105がその両端子が両ランド102に接続されるように実装されて外付けされる。ここで、BGAパッケージ104は実装面積の点で優れている集積回路の一例として用いられ、またチップ型のバイパスコンデンサ105も小型面実装部品として優れている点を生かして用いられている。   FIG. 10 shows a concept of a conventional integrated circuit package assembly structure in which an integrated circuit and peripheral components are mounted on a circuit board. FIG. 10A is a perspective view showing a configuration before mounting peripheral components, and FIG. This is a configuration after peripheral components are mounted. Conventionally, first, as shown in FIG. 10A, a BGA (Ball Grid Array) package 104 as an integrated circuit is mounted on a common circuit substrate 103 having wirings 101 and lands 102 previously formed on the surface. Next, as shown in FIG. 10B, a chip-type bypass capacitor 105, for example, is mounted as a peripheral component so that both terminals thereof are connected to both lands 102 and attached externally. Here, the BGA package 104 is used as an example of an integrated circuit that is excellent in terms of mounting area, and the chip-type bypass capacitor 105 is also used by taking advantage of being excellent as a small surface mounting component.

しかしながら、図10に示した従来の集積回路パッケージ組立構造では、BGAパッケージ104とバイパスコンデンサ105との間には配線101が形成されているので、この部分が無駄なスペースとなる。すなわち、周辺部品として例えば1.0mm×0.5mmのサイズのバイパスコンデンサ105を用いたとすると、この場合のバイパスコンデンサ105の実装面積は0.5mm2となるが、上述のような配線101による無駄なスペースがあると実質的な実装面積は周辺部品であるバイパスコンデンサ105のそれの何倍にもなるので、集積回路パッケージ組立構造の実装面積を削減することが不可能になる。 However, in the conventional integrated circuit package assembly structure shown in FIG. 10, since the wiring 101 is formed between the BGA package 104 and the bypass capacitor 105, this portion becomes a useless space. That is, if a bypass capacitor 105 having a size of, for example, 1.0 mm × 0.5 mm is used as a peripheral component, the mounting area of the bypass capacitor 105 in this case is 0.5 mm 2 , but wasted due to the wiring 101 as described above. If there is a large space, the substantial mounting area becomes many times that of the bypass capacitor 105, which is a peripheral component, so that it is impossible to reduce the mounting area of the integrated circuit package assembly structure.

また、図10に示した従来の集積回路パッケージ組立構造では、BGAパッケージ104直下の回路基板103内には、見えない配線101´を含めた複雑な配線が形成されているので、BGAパッケージ104からバイパスコンデンサ105までの配線経路が長くなって、回路基板103上の配線の効率化を図ることができなくなる。このように周辺部品としてのバイパスコンデンサ105の配線経路が長くなると、電源ノイズを軽減するために用いているバイパスコンデンサ105が電源から遠くなるので、バイパスコンデンサとしての働きが低下することになる。
そして、上述のように実装面積の削減が困難になり、また配線経路が長くなると、回路基板のサイズが大きくなるので、コストダウンが避けられなくなる。
In the conventional integrated circuit package assembly structure shown in FIG. 10, since complicated wiring including invisible wiring 101 ′ is formed in the circuit board 103 immediately below the BGA package 104, The wiring path to the bypass capacitor 105 becomes long, and the efficiency of wiring on the circuit board 103 cannot be achieved. As described above, when the wiring path of the bypass capacitor 105 as a peripheral component becomes long, the bypass capacitor 105 used for reducing power supply noise becomes far from the power supply, so that the function as the bypass capacitor is lowered.
As described above, it becomes difficult to reduce the mounting area, and when the wiring path becomes longer, the size of the circuit board becomes larger, and thus the cost reduction cannot be avoided.

複数の集積回路パッケージを組み合わせて、それぞれを上面方向、底面方向及び側面方向に接続して相互間の接合距離を短縮する等を図った集積回路パッケージ立体組立構造が、例えば特許文献1に開示されている。同集積回路パッケージ立体組立構造は、図11に示すように、回路基板100上に集積回路パッケージ160、162、164、166、168、170、172、174、176、178、180、182を3次元の組立て方式により、上面140及び底面142方向に積み重ねるとともに、側面144方向に並行接合している。集積回路パッケージ168を一例とすると、この上部接合面146により上面方向140に集積回路パッケージ174と接続し、その底部接合面148により底面方向142に集積回路パッケージ162と接続し、その側方接合面150により側面144方向に集積回路パッケージ166、170と接続している。   For example, Patent Document 1 discloses an integrated circuit package three-dimensional assembly structure in which a plurality of integrated circuit packages are combined and connected to each other in the upper surface direction, the bottom surface direction, and the side surface direction to shorten the bonding distance between them. ing. In the integrated circuit package three-dimensional assembly structure, as shown in FIG. 11, the integrated circuit packages 160, 162, 164, 166, 168, 170, 172, 174, 176, 178, 180, and 182 are three-dimensionally arranged on the circuit board 100. In this assembly method, the upper surface 140 and the bottom surface 142 are stacked in the direction and the side surface 144 is bonded in parallel. Taking the integrated circuit package 168 as an example, the upper joint surface 146 is connected to the integrated circuit package 174 in the upper surface direction 140, the bottom joint surface 148 is connected to the integrated circuit package 162 in the bottom surface direction 142, and the side joint surface thereof. 150 is connected to the integrated circuit packages 166 and 170 in the direction of the side surface 144.

また、半導体パッケージの側面に設けた金属パッドに終端用抵抗あるいはバイパスコンデンサを実装して、実装面積を減らす等を図った半導体パッケージが、例えば特許文献2に開示されている。また、BGAパッケージ基板の周側面のハーフスルー電極にバイパスコンデンサを半田付けして、半田付け不良があった場合にはハーフスルー電極を利用して電気的特性を改造するようにしたBGAパッケージが、例えば特許文献3に開示されている。
実用新案登録第3064379号公報 特開昭63−147355号公報 特許第3447908号公報
Further, for example, Patent Document 2 discloses a semiconductor package in which a terminating resistor or a bypass capacitor is mounted on a metal pad provided on a side surface of the semiconductor package so as to reduce a mounting area. In addition, a BGA package in which a bypass capacitor is soldered to the half-through electrode on the peripheral side surface of the BGA package substrate and the electrical characteristics are modified using the half-through electrode when there is a soldering failure, For example, it is disclosed in Patent Document 3.
Utility Model Registration No. 3064379 JP-A 63-147355 Japanese Patent No. 3447908

ところで、特許文献1〜3記載の従来の技術では、それぞれ以下に説明するような問題がある。
まず、特許文献1記載の従来の集積回路パッケージ立体組立構造では、図11に示すように、複数の集積回路パッケージ160、162、164、166、168、170、172、174、176、178、180、182が3次元の組立て方式により相互に接続されているが、相互間の接合距離の短縮を図るだけなら有効であるが、側面144方向だけでなく上面140及び底面142方向にも各集積回路パッケージが積み重ねられるので、特に前述したような携帯電話のように携帯性を向上するために薄形化を図る場合には大きなネックになる。
By the way, the conventional techniques described in Patent Documents 1 to 3 have problems as described below.
First, in the conventional integrated circuit package three-dimensional assembly structure described in Patent Document 1, a plurality of integrated circuit packages 160, 162, 164, 166, 168, 170, 172, 174, 176, 178, 180 are provided as shown in FIG. , 182 are connected to each other by a three-dimensional assembly method. However, it is effective to reduce the joint distance between them, but not only in the direction of the side surface 144 but also in the direction of the top surface 140 and the bottom surface 142, Since the packages are stacked, it becomes a big bottleneck in the case of reducing the thickness especially in order to improve portability like the mobile phone as described above.

次に、特許文献2記載の半導体パッケージでは、金属パッドを半導体パッケージを完成した後にこの側面に設けるようにしているので、製造工程が増加するようになって、コストアップが避けられなくなる。また、特許文献3記載のBGAパッケージでは、電気的特性を改造するためにハーフスルー電極の一部にくびれ部を形成する必要があるので、電極形状が複雑になってこの電極形状に起因した不良が生じ易くなるため、半導体パッケージの信頼性が低下する。また、この半導体パッケージでは半田付け不良の対策についてなされていて、BGAパッケージの薄形化については全く考慮されていない。   Next, in the semiconductor package described in Patent Document 2, since the metal pads are provided on the side surfaces after the semiconductor package is completed, the number of manufacturing processes increases, and the cost increase cannot be avoided. Further, in the BGA package described in Patent Document 3, since it is necessary to form a constricted portion in a part of the half-through electrode in order to remodel the electrical characteristics, the electrode shape becomes complicated and a defect caused by this electrode shape Therefore, the reliability of the semiconductor package decreases. Further, in this semiconductor package, measures against soldering defects are taken, and no consideration is given to the thinning of the BGA package.

この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、薄形化を実現し、かつ予め簡単な構造の周辺部品接続用電極を半導体パッケージの側面方向に設けることができるようにした半導体パッケージ組立構造を提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances. A semiconductor package assembly that realizes a reduction in thickness and can previously provide peripheral component connection electrodes having a simple structure in the side surface direction of the semiconductor package. Its purpose is to provide a structure .

上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、回路基板上に集積回路と周辺部品とを組み合わせて実装するようにした集積回路パッケージ組立構造に係り、電極が、前記集積回路のパッケージの側面に面接触する態様で設けられ、該電極は、前記集積回路のパッケージの側面下端縁から、前記集積回路が実装される前記回路基板接触する態様で、外方に屈曲形状に延在し前記パッケージの前記側面に面接触する前記電極の第1の部位と前記回路基板面に面接触する前記電極の第2の部位とに、前記周辺部品を前記パッケージの高さを越えない配置状態で、電気接続したことを特徴としている。 In order to solve the above problems, an invention according to claim 1 relates to an integrated circuit package assembly structure in which an integrated circuit and peripheral components are combined and mounted on a circuit board, and an electrode is a package of the integrated circuit. The electrode is provided in such a manner that it is in surface contact with the side surface of the integrated circuit, and the electrode is bent outwardly from the bottom edge of the side surface of the package of the integrated circuit in a mode of surface contact with the surface of the circuit board on which the integrated circuit is mounted. The peripheral part extends beyond the height of the package into a first portion of the electrode that extends and makes surface contact with the side surface of the package and a second portion of the electrode that makes surface contact with the circuit board surface It is characterized by electrical connection without any disposition .

この発明の集積回路パッケージ組立構造によれば、集積回路パッケージの側面に予め設けた簡単な形状のランドにバイパスコンデンサのような周辺部品を集積回路パッケージの高さを越えないような配置で電気的に接続するようにしたので、高さ方向の厚みが大きくなることはない。また、ランドを集積回路パッケージの完成と同時に側面に設けるようにしているので、製造工程が増加することはなく、コストアップが避けられる。また、ランドの形状が簡単なので不良が生じにくいため集積回路パッケージの信頼性が低下することもない。
また、この発明の集積回路パッケージの製造方法によれば、簡単に集積回路パッケージの製造と同時にランドを設けることができる。
According to the integrated circuit package assembly structure of the present invention, peripheral parts such as a bypass capacitor are placed on a simple land previously provided on the side surface of the integrated circuit package so as not to exceed the height of the integrated circuit package. The thickness in the height direction does not increase. Further, since the land is provided on the side surface at the same time as the integrated circuit package is completed, the manufacturing process is not increased, and the cost increase can be avoided. Further, since the land shape is simple, it is difficult for defects to occur, so that the reliability of the integrated circuit package does not deteriorate.
Further, according to the method of manufacturing an integrated circuit package of the present invention, the land can be easily provided simultaneously with the manufacture of the integrated circuit package.

集積回路パッケージ組立構造10は、回路基板1上にBGAパッケージ2とバイパスコンデンサ3とを組み合わせて実装するようにした構成において、BGAパッケージ2の側面2Sにランド4を設け、このランド4にバイパスコンデンサ3をBGAパッケージ2の高さを越えないような配置で電気的に接続する。
また、半導体パッケージの製造方法は、予め複数のLSIチップ6、7間のスペースに金属部材8を配置し全体を封止体12によりパッケージングした後、金属部材8の長さ方向に沿って封止体12を切断して、複数のLSIチップ6、7を分離することにより金属部材8を露出して、側面2Sにランド4を設けたBGAパッケージ2を製造する。
The integrated circuit package assembly structure 10 has a configuration in which a BGA package 2 and a bypass capacitor 3 are combined and mounted on a circuit board 1, and a land 4 is provided on a side surface 2S of the BGA package 2. 3 are electrically connected so as not to exceed the height of the BGA package 2.
Further, in the semiconductor package manufacturing method, the metal member 8 is disposed in the space between the plurality of LSI chips 6 and 7 in advance and the whole is packaged by the sealing body 12, and then sealed along the length direction of the metal member 8. The BGA package 2 in which the metal member 8 is exposed by cutting the stopper 12 and separating the plurality of LSI chips 6 and 7 and the land 4 is provided on the side surface 2S is manufactured.

図1はこの発明の実施例1である集積回路パッケージ組立構造を示す斜視図、図2は同集積回路パッケージ組立構造の主要部Aを拡大して示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す斜視図である。
この例の集積回路パッケージ組立構造10は、図1に示すように、プラスチック、セラミック等から成る回路基板1上に集積回路としてのBGAパッケージ2が実装され、このBGAパッケージ2の側面2Sには周辺部品としてチップ型の例えばバイパスコンデンサ3が電気的に接続されている。ここで、BGAパッケージ2は実装面積の点で優れている集積回路の一例として用いられ、またバイパスコンデンサ3は小型面実装部品として優れている点を生かして用いられている。また、BGAパッケージ2は、この技術分野で周知のようにその裏面に予め設けられている図示しない複数のボール状電極が、回路基板1に予め設けられている図示しない配線に電気的に接続されることにより、回路基板1上に実装されている。
1 is a perspective view showing an integrated circuit package assembly structure according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a main part A of the integrated circuit package assembly structure, and FIG. The perspective view which shows the structure of (b) is a perspective view which shows the structure after mounting a peripheral component.
In the integrated circuit package assembly structure 10 of this example, as shown in FIG. 1, a BGA package 2 as an integrated circuit is mounted on a circuit board 1 made of plastic, ceramic or the like. A chip-type bypass capacitor 3, for example, is electrically connected as a component. Here, the BGA package 2 is used as an example of an integrated circuit which is excellent in terms of mounting area, and the bypass capacitor 3 is used taking advantage of being excellent as a small surface mounting component. Further, as is well known in this technical field, the BGA package 2 has a plurality of ball electrodes (not shown) provided in advance on the back surface thereof electrically connected to wiring (not shown) provided in advance on the circuit board 1. Thus, it is mounted on the circuit board 1.

BGAパッケージ2は例えば1.0mmの高さ2hを有しその側面2Sには、図2(a)に示すように、予め導体から成る高さ4hが0.5mm、幅4wが0.25mmの長方形状の一対のランド4が周辺部品接続用電極として設けられている。これらのランド4は、BGAパッケージ2内の図視しない配線を通じて集積回路の対応した端子に電気的に接続されている。なお、一例としてランド4は1個のバイパスコンデンサを接続するための一対のみを示している。ランド4を含めたBGAパッケージ2は、後述するような製造方法によって製造される。   The BGA package 2 has a height 2h of 1.0 mm, for example, and the side surface 2S has a height 4h made of a conductor of 0.5 mm and a width 4w of 0.25 mm, as shown in FIG. A pair of rectangular lands 4 are provided as peripheral component connecting electrodes. These lands 4 are electrically connected to corresponding terminals of the integrated circuit through wiring (not shown) in the BGA package 2. As an example, the land 4 shows only a pair for connecting one bypass capacitor. The BGA package 2 including the land 4 is manufactured by a manufacturing method as described later.

バイパスコンデンサ3は、図2(b)に示すように、一例として高さ3hが0.3mm、長さ3lが1.0mm、幅3wが0.5mmのサイズのチップ形状のものが用いられ、このバイパスコンデンサ3の長さ3l方向に沿った両端にはそれぞれ幅5wが0.5mm、長さ5lが0.25mmのサイズの電極5が設けられている。そして、このバイパスコンデンサ3は電極5がそれぞれランド4に半田付けされることにより、図2(b)に示すように、電気的に接続される。ここで、バイパスコンデンサ3は、幅3w(0.5mm)方向がBGAパッケージ2の高さ2h(1.0mm)方向と一致するように配置され、この結果としてバイパスコンデンサ3はBGAパッケージ2の高さを越えないように配置される。したがって、周辺部品としてのバイパスコンデンサ3が電気的に接続されたBGAパッケージ2の薄形化を図ることができるようになる。   As shown in FIG. 2B, the bypass capacitor 3 is, for example, a chip-shaped chip having a height 3h of 0.3 mm, a length 3l of 1.0 mm, and a width 3w of 0.5 mm. Electrodes 5 having a width 5w of 0.5 mm and a length 5l of 0.25 mm are provided at both ends of the bypass capacitor 3 along the length 31 direction. The bypass capacitor 3 is electrically connected as shown in FIG. 2B by soldering the electrodes 5 to the lands 4. Here, the bypass capacitor 3 is arranged so that the width 3w (0.5 mm) direction coincides with the height 2h (1.0 mm) direction of the BGA package 2, and as a result, the bypass capacitor 3 has a height of the BGA package 2. Arranged so as not to exceed. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the BGA package 2 to which the bypass capacitor 3 as a peripheral component is electrically connected.

次に、図3(a)〜(c)を参照して、実施例1に用いたBGAパッケージ2の製造方法を工程順に説明する。
まず、図3(a)に示すように、所望の機能を有する複数のLSIチップ6(6a、6b、6c)を高さ方向に配置した第1のグループのチップ群C1と、他の機能を有する複数のLSIチップ7(7a、7b、7c)を高さ方向に配置した第2のグループのチップ群C2とを平面方向に配置して、第1及び第2のグループのチップ群C1、C2間のスペースにランドとなる複数の金属部材8を配置する。次に、第1のグループのチップ群C1の所望のLSIチップ(例えば6b)の図示しない所望の端子と対応した金属部材8との間を信号線(配線)9により電気的に接続し、同様にして第2のグループのチップ群C2の所望のLSIチップ(例えば7c)の図示しない所望の端子と対応した金属部材8との間を信号線(配線)11により電気的に接続する。
Next, with reference to FIGS. 3A to 3C, a method for manufacturing the BGA package 2 used in Example 1 will be described in the order of steps.
First, as shown in FIG. 3A, a first group of chips C1 in which a plurality of LSI chips 6 (6a, 6b, 6c) having desired functions are arranged in the height direction, and other functions are provided. A plurality of LSI chips 7 (7a, 7b, 7c) having a second group of chip groups C2 arranged in the height direction are arranged in a plane direction, and the first and second groups of chip groups C1, C2 are arranged. A plurality of metal members 8 to be lands are arranged in the space between them. Next, a desired terminal (not shown) of a desired LSI chip (for example, 6b) of the chip group C1 of the first group is electrically connected to a corresponding metal member 8 by a signal line (wiring) 9, and the like. Then, a desired terminal (not shown) of a desired LSI chip (for example, 7c) of the chip group C2 of the second group is electrically connected to the corresponding metal member 8 by a signal line (wiring) 11.

次に、図3(b)に示すように、第1及び第2のグループのチップ群C1、C2の各LSIチップ6a〜6c、7a〜7c、金属部材8、配線9、11を含む全体を、例えばトランスファモールド法によりエポキシ樹脂のような樹脂を流し込んで封止体12によりパッケージングする。   Next, as shown in FIG. 3B, the whole including the LSI chips 6a to 6c and 7a to 7c, the metal member 8, and the wirings 9 and 11 of the chip groups C1 and C2 of the first and second groups. For example, a resin such as an epoxy resin is poured by the transfer mold method and packaged by the sealing body 12.

次に、図3(c)に示すように、ダイヤモンドカッター等により金属部材8の長さ方向に沿って封止体12を切断して、第1のグループのチップ群C1と第2のグループのチップ群C2とを分離することにより、金属部材8を露出してランド4を形成する。以上により、BGAパッケージ2を完成する。なお、このBGAパッケージ2の裏面には複数のボール状電極(図示せず)が形成されるが、このような電極形成技術は当技術分野で周知であり、またこの発明には直接関係のない技術なので説明を省略している。そして、図1に示すように、周辺部品としてのバイパスコンデンサ3をそのBGAパッケージ2の側面2Sのランド4に半田付けすることにより電気的に接続して、この例の集積回路パッケージ組立構造10を完成させる。   Next, as shown in FIG. 3C, the sealing body 12 is cut along the length direction of the metal member 8 with a diamond cutter or the like, and the first group of the chip group C1 and the second group of the second group. By separating the chip group C2, the metal member 8 is exposed and the land 4 is formed. Thus, the BGA package 2 is completed. A plurality of ball-like electrodes (not shown) are formed on the back surface of the BGA package 2, but such electrode forming techniques are well known in the art and are not directly related to the present invention. The explanation is omitted because it is a technology. Then, as shown in FIG. 1, the bypass capacitor 3 as a peripheral component is electrically connected to the land 4 on the side surface 2S of the BGA package 2 by soldering, so that the integrated circuit package assembly structure 10 of this example is obtained. Finalize.

上述したような集積回路パッケージ組立構造10によれば、BGAパッケージ2の側面2Sに予め設けた簡単な形状のランド4にバイパスコンデンサ3をBGAパッケージの高さを越えないような配置で電気的に接続するようにしたので、高さ方向の厚みが大きくなることはない。また、ランド4をBGAパッケージ2の完成と同時に側面2Sに設けるようにしているので、製造工程が増加することはなく、コストアップが避けられる。また、ランド4の形状が簡単なので不良が生じにくいためBGAパッケージ2の信頼性が低下することもない。   According to the integrated circuit package assembly structure 10 as described above, the bypass capacitor 3 is electrically disposed in the land 4 having a simple shape provided in advance on the side surface 2S of the BGA package 2 so as not to exceed the height of the BGA package. Since the connection is made, the thickness in the height direction does not increase. In addition, since the land 4 is provided on the side surface 2S simultaneously with the completion of the BGA package 2, the manufacturing process does not increase, and an increase in cost can be avoided. Further, since the shape of the land 4 is simple, it is difficult for defects to occur, so that the reliability of the BGA package 2 is not lowered.

このように、この例の集積回路パッケージ組立構造10によれば、回路基板1上にBGAパッケージ2とバイパスコンデンサ3とを組み合わせて実装するようにした構成において、BGAパッケージ2の側面2Sにランド4を設け、このランド4にバイパスコンデンサ3をBGAパッケージ2の高さを越えないような配置で電気的に接続するようにしたので、BGAパッケージ2の高さ方向の厚みを小さくすることができる。
また、この例の半導体パッケージの製造方法によれば、予め複数のLSIチップ6、7間のスペースに金属部材8を配置し全体を封止体12によりパッケージングした後、金属部材8の長さ方向に沿って封止体12を切断して、複数のLSIチップ6、7を分離することにより金属部材8を露出して、側面2Sにランド4を設けたBGAパッケージ2を製造するので、簡単にBGAパッケージ2の製造と同時にランド4を設けることができる。
したがって、薄形化を実現し、かつ予め簡単な構造の周辺部品接続用電極を半導体パッケージの側面方向に設けることができる。
As described above, according to the integrated circuit package assembly structure 10 of this example, in the configuration in which the BGA package 2 and the bypass capacitor 3 are combined and mounted on the circuit board 1, the land 4 is formed on the side surface 2S of the BGA package 2. Since the bypass capacitor 3 is electrically connected to the land 4 so as not to exceed the height of the BGA package 2, the thickness of the BGA package 2 in the height direction can be reduced.
Further, according to the semiconductor package manufacturing method of this example, after the metal member 8 is disposed in advance in the space between the plurality of LSI chips 6 and 7 and the whole is packaged by the sealing body 12, the length of the metal member 8 is increased. By cutting the sealing body 12 along the direction and separating the plurality of LSI chips 6 and 7, the metal member 8 is exposed, and the BGA package 2 having the land 4 on the side surface 2S is manufactured. The land 4 can be provided simultaneously with the manufacture of the BGA package 2.
Therefore, it is possible to reduce the thickness and to provide peripheral component connection electrodes having a simple structure in the side surface direction of the semiconductor package in advance.

図4は、この発明の実施例2である集積回路パッケージ組立構造の主要部を拡大して示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す側面図である。この例の集積回路パッケージ組立構造の構成が、上述の実施例1のそれと大きく異なるところは、周辺部品を接続するランドを集積回路パッケージの側面から回路基板上まで延在して設けるようにした点である。
この例の集積回路パッケージ組立構造15は、図4(a)に示すように、プラスチック、セラミック等から成る回路基板1上に集積回路としてのBGAパッケージ2が実装され、このBGAパッケージ2の側面2Sには予め導体から成る高さ4hが0.5mm、幅4wが0.25mmの長方形状の一対のランド4が周辺部品接続用電極として設けられている。さらに、回路基板1上にはランド4と接するように、長さ13lが0.4mm、幅13wが0.25mmの長方形状の一対の補強用のランド13が補強用電極として設けられている。
4 is an enlarged view of the main part of an integrated circuit package assembly structure according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 4 (a) is a perspective view showing a configuration before mounting peripheral components, and FIG. 4 (b) shows peripheral components. It is a side view which shows the structure after mounting. The structure of the integrated circuit package assembly structure of this example is greatly different from that of the first embodiment described above, in that lands for connecting peripheral parts are provided extending from the side surface of the integrated circuit package to the circuit board. It is.
In the integrated circuit package assembly structure 15 of this example, as shown in FIG. 4A, a BGA package 2 as an integrated circuit is mounted on a circuit board 1 made of plastic, ceramic or the like, and a side surface 2S of this BGA package 2 is mounted. A pair of rectangular lands 4 made of a conductor and having a height 4h of 0.5 mm and a width 4w of 0.25 mm are provided as peripheral component connection electrodes. Further, a pair of rectangular reinforcing lands 13 having a length 13 l of 0.4 mm and a width 13 w of 0.25 mm are provided on the circuit board 1 as reinforcing electrodes so as to be in contact with the lands 4.

そして、バイパスコンデンサ3は電極5がそれぞれランド4、13に半田付けされることにより、図4(b)に示すように、電気的に接続される。ここで、バイパスコンデンサ3は、幅3w(0.5mm)方向がBGAパッケージ2の高さ2h(1.0mm)方向と一致するように配置され、実施例1と同様にバイパスコンデンサ3はBGAパッケージ2の高さを越えないように配置される。したがって、周辺部品としてのバイパスコンデンサ3が電気的に接続されたBGAパッケージ2の薄形化を図ることができるようになる。また、この例ではランド4に接して補強用のランド13が設けられているので、バイパスコンデンサ3の接続強度を増すことができるという効果を得ることができる。
これ以外は、上述した実施例1の構成と略同様であるので、図4において、図1〜図2の構成部分と対応する各部には同一の番号を付してその説明を省略する。
The bypass capacitor 3 is electrically connected as shown in FIG. 4B by soldering the electrodes 5 to the lands 4 and 13, respectively. Here, the bypass capacitor 3 is arranged so that the width 3w (0.5 mm) direction coincides with the height 2h (1.0 mm) direction of the BGA package 2, and the bypass capacitor 3 is the BGA package as in the first embodiment. It is arranged not to exceed the height of 2. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the BGA package 2 to which the bypass capacitor 3 as a peripheral component is electrically connected. Further, in this example, since the reinforcing land 13 is provided in contact with the land 4, an effect that the connection strength of the bypass capacitor 3 can be increased can be obtained.
Other than this, the configuration is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above. Therefore, in FIG. 4, each component corresponding to the configuration of FIGS.

このように、この例の構成によっても実施例1と略同様な効果を得ることができ、加えて周辺部品の接続強度を増すことができる効果も得ることができる。   As described above, the configuration of this example can provide substantially the same effect as that of the first embodiment, and can also obtain the effect of increasing the connection strength of peripheral components.

図5は、この例の実施例3である集積回路パッケージ組立構造を示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す斜視図である。この例の集積回路パッケージ組立構造の構成が、上述の実施例1のそれと大きく異なるところは、複数対のランドを設ける場合共通のランドは隣接して設けるようにした点である。
この例の集積回路パッケージ組立構造20は、図5(a)に示すように、プラスチック、セラミック等から成る回路基板1上に集積回路としてのBGAパッケージ2が実装され、このBGAパッケージ2の側面2Sには予め導体から成る高さ14h、16hが0.5mm、幅14w、16wが0.25mmの長方形状の二対のランド14、16が周辺部品接続用電極として設けられ、二対のランド14、16のうち共通の電極であるGND(グランド)用ランド14E、16Eは隣接して配置されている。
5A and 5B show an integrated circuit package assembly structure that is Embodiment 3 of this example, where FIG. 5A is a perspective view showing a configuration before mounting peripheral components, and FIG. 5B shows a configuration after mounting peripheral components. It is a perspective view shown. The configuration of the integrated circuit package assembly structure of this example is greatly different from that of the first embodiment described above in that when a plurality of pairs of lands are provided, common lands are provided adjacent to each other.
In the integrated circuit package assembly structure 20 of this example, as shown in FIG. 5A, a BGA package 2 as an integrated circuit is mounted on a circuit board 1 made of plastic, ceramic or the like, and a side surface 2S of the BGA package 2 is mounted. Are provided with two pairs of lands 14 and 16 having a rectangular shape with conductor heights 14h and 16h of 0.5 mm, widths 14w and 16w of 0.25 mm, as peripheral component connection electrodes. , 16 are GND (ground) lands 14E, 16E which are common electrodes.

そして、一対のバイパスコンデンサ3は電極5のうちGND用電極5EがそれぞれGND用電極14E、16Eに半田付けされることにより、図5(b)に示すように、電気的に接続される。ここで、各バイパスコンデンサ3は、実施例1と同様に幅3w(0.5mm)方向がBGAパッケージ2の高さ2h(1.0mm)方向と一致するように配置され、各バイパスコンデンサ3はBGAパッケージ2の高さを越えないように配置される。したがって、周辺部品としてのバイパスコンデンサ3が電気的に接続されたBGAパッケージ2の薄形化を図ることができるようになる。また、この例では二対のランド14、16のうち共通の電極であるGND用ランド14E、16Eは隣接して設けられているので、一対のバイパスコンデンサ3をGND用電極5Eが背中合わせになるような配置で接続することができ、多数の周辺部品を接続する場合にデッドスペースを減らせるため、BGAパッケージ2の側面2S方向の実装面積を削減することができるという効果を得ることができる。   The pair of bypass capacitors 3 are electrically connected as shown in FIG. 5B by soldering the GND electrode 5E of the electrodes 5 to the GND electrodes 14E and 16E, respectively. Here, each bypass capacitor 3 is arranged so that the width 3w (0.5 mm) direction coincides with the height 2h (1.0 mm) direction of the BGA package 2 as in the first embodiment. Arranged so as not to exceed the height of the BGA package 2. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the BGA package 2 to which the bypass capacitor 3 as a peripheral component is electrically connected. In this example, since the GND lands 14E and 16E, which are common electrodes of the two pairs of lands 14 and 16, are provided adjacent to each other, the pair of bypass capacitors 3 and the GND electrodes 5E are back to back. Since it is possible to connect in a simple arrangement and to reduce the dead space when connecting a large number of peripheral parts, it is possible to obtain an effect that the mounting area in the side surface 2S direction of the BGA package 2 can be reduced.

このように、この例の構成によっても実施例1と略同様な効果を得ることができ、加えてパッケージの側面方向の実装面積を削減することができるという効果も得ることができる。   Thus, the configuration of this example can provide substantially the same effect as that of the first embodiment, and in addition, the effect that the mounting area in the side surface direction of the package can be reduced.

図6は、この発明の実施例4である集積回路パッケージ組立構造を示す斜視図、図7(a)は図6の主要部Bを拡大して示す上面図、図7(b)は図6の主要部Bを拡大して示す側面図、図8は比較例を示す斜視図である。この例の集積回路パッケージ組立構造の構成が、上述の実施例1のそれと大きく異なるところは、集積回路の例としてBGAパッケージに代えてSOP(Small Out-line Package:SOパッケージ)を用いるようにした点である。
この例の集積回路パッケージ組立構造25は、図6、図7(a)、(b)に示すように、プラスチック、セラミック等から成る回路基板1上に集積回路としてのSOP17が実装され、このSOP17の両側面17Sからはリード18が引き出され、このリード18の回路基板1上に接する先端部分18Tには周辺部品としてバイパスコンデンサ3が電気的に接続されている。ここで、SOP17はBGAパッケージと同様には実装面積の点で優れている集積回路の一例として用いられ、またバイパスコンデンサ3は小型面実装部品として優れている点を生かして用いられている。SOP17のリード18の先端部分18Tは、回路基板1内の図示しない配線に接続されている。
6 is a perspective view showing an integrated circuit package assembly structure according to Embodiment 4 of the present invention, FIG. 7A is an enlarged top view showing a main part B of FIG. 6, and FIG. 7B is FIG. FIG. 8 is a perspective view showing a comparative example. FIG. The configuration of the integrated circuit package assembly structure of this example is greatly different from that of the above-described first embodiment. As an example of the integrated circuit, an SOP (Small Out-line Package: SO package) is used instead of the BGA package. Is a point.
In the integrated circuit package assembly structure 25 of this example, as shown in FIGS. 6, 7A and 7B, an SOP 17 as an integrated circuit is mounted on a circuit board 1 made of plastic, ceramic or the like. Leads 18 are drawn out from both side surfaces 17S of the same, and a bypass capacitor 3 is electrically connected as a peripheral component to a tip portion 18T of the lead 18 in contact with the circuit board 1. Here, the SOP 17 is used as an example of an integrated circuit that is excellent in terms of mounting area like the BGA package, and the bypass capacitor 3 is used taking advantage of being excellent as a small surface mounting component. A tip portion 18T of the lead 18 of the SOP 17 is connected to a wiring (not shown) in the circuit board 1.

例えばSOPの一種であるTSSOP(Thin Shrink SOP)の場合、リード18の長さは略1.0mm、この先端部分18Tの長さは略0.5mmなので、実施例1でも用いたバイパスコンデンサ3を用いることにより、リード18の先端部分18Tからはみ出すことなく、バイパスコンデンサ3を半田付けすることができる。したがって、回路基板1上に余分なスペースを占有することなくバイパスコンデンサ3を接続することができる。また、必要に応じて、先端部分18Tを平坦に加工することにより半田付け性を向上させることができる。   For example, in the case of TSSOP (Thin Shrink SOP) which is a kind of SOP, the length of the lead 18 is about 1.0 mm, and the length of the tip portion 18T is about 0.5 mm. By using it, the bypass capacitor 3 can be soldered without protruding from the tip end portion 18T of the lead 18. Therefore, the bypass capacitor 3 can be connected without occupying extra space on the circuit board 1. Moreover, solderability can be improved by processing the front-end | tip part 18T flatly as needed.

この例に対応した従来の集積回路パッケージ組立構造は、図8に示すように、SOP117からのリード118とバイパスコンデンサ105との間に配線106が必要になるので、この部分が無駄なスペースとなるため、集積回路パッケージ組立構造の実装面積を削減することが不可能になる。   In the conventional integrated circuit package assembly structure corresponding to this example, as shown in FIG. 8, since the wiring 106 is required between the lead 118 from the SOP 117 and the bypass capacitor 105, this portion becomes useless space. Therefore, it becomes impossible to reduce the mounting area of the integrated circuit package assembly structure.

また、リード18は0.4mmのピッチで配置されているので、図7(a)、(b)に示すように、複数のリード18A、18B、18C、18D…のうちリード18Cを跨いでリード18B、18D間にバイパスコンデンサ3を接続することができる。この場合、バイパスコンデンサ3の両電極5以外の部分を絶縁処理しておくことにより、バイパスコンデンサ3のリード18Cに対する絶縁性を完全にすることができる。そして、このようなリード配置で、リード18Bを電源線、リード18Cを制御信号線、リード18Dをグランド線として利用することができる。また、リード18B、リード18Dの斜面の部分も絶縁処理することにより、半田付け時にリード18B、18Dの平坦部のみに半田を制限することができ、実装歩留まりを改善することができる。さらに、リード18B、18C間、リード18C、18D間に隙間が存在しているので、放熱性を向上させることができるという効果も得ることができる。   Further, since the leads 18 are arranged with a pitch of 0.4 mm, as shown in FIGS. 7A and 7B, the leads 18A, 18B, 18C, 18D... A bypass capacitor 3 can be connected between 18B and 18D. In this case, by insulating the portions other than the electrodes 5 of the bypass capacitor 3, the insulation of the bypass capacitor 3 with respect to the lead 18 </ b> C can be made complete. With such a lead arrangement, the lead 18B can be used as a power supply line, the lead 18C as a control signal line, and the lead 18D as a ground line. Also, by insulating the slopes of the leads 18B and 18D, the solder can be limited only to the flat portions of the leads 18B and 18D during soldering, and the mounting yield can be improved. Furthermore, since there are gaps between the leads 18B and 18C and between the leads 18C and 18D, the effect of improving heat dissipation can also be obtained.

このように、この例の構成によっても実施例1と略同様な効果を得ることができ、加えて実装歩留まりを改善することができ、放熱性を向上させることができるという効果も得ることができる。   As described above, the configuration of this example can provide substantially the same effect as that of the first embodiment. In addition, the mounting yield can be improved and the heat dissipation can be improved. .

図9は、この発明の実施例5である集積回路パッケージ組立構造を示す側面図である。この例の集積回路パッケージ組立構造の構成が、上述の実施例4のそれと大きく異なるところは、SOPのリードのピッチに合わせたサイズの周辺部品を接続するようにした点である。
この例の集積回路パッケージ組立構造30は、図9に示すように、プラスチック、セラミック等から成る回路基板1上に集積回路としてのSOP19が実装され、このSOP17の両側面から引き出されたリード19の種々のピッチに合わせたサイズのバイパスコンデンサ22が電気的に接続されている。
FIG. 9 is a side view showing an integrated circuit package assembly structure according to Embodiment 5 of the present invention. The configuration of the integrated circuit package assembly structure of this example is greatly different from that of the above-described fourth embodiment in that peripheral components having a size matching the pitch of the SOP leads are connected.
In the integrated circuit package assembly structure 30 of this example, as shown in FIG. 9, an SOP 19 as an integrated circuit is mounted on a circuit board 1 made of plastic, ceramic or the like, and the leads 19 drawn out from both side surfaces of the SOP 17 are mounted. Bypass capacitors 22 having sizes adapted to various pitches are electrically connected.

例えば、図9に示すように、任意のピッチで複数のリード21A、21B、21C、21D、21E…がSOP19から引き出されているとすると、例えばリード21A、21E間に電極23を半田付けしてバイパスコンデンサ22を接続する。このようにリードピッチに合わせたサイズのバイパスコンデンサ22を接続することにより、予め規格化されたリードピッチに対応したサイズのバイパスコンデンサのみを用いなければならないという制約から開放されるので、種々の要求、用途等に応じたバイパスコンデンサを用いることができるようになり、ユーザの要求等に柔軟に対応することができるという効果が得ることができる。   For example, as shown in FIG. 9, if a plurality of leads 21A, 21B, 21C, 21D, 21E... Are drawn from the SOP 19 at an arbitrary pitch, for example, the electrode 23 is soldered between the leads 21A, 21E. A bypass capacitor 22 is connected. By connecting the bypass capacitor 22 sized according to the lead pitch in this way, it is freed from the restriction that only a bypass capacitor having a size corresponding to the lead pitch standardized in advance must be used. Thus, it becomes possible to use a bypass capacitor according to the application and the like, and it is possible to obtain an effect that it is possible to flexibly respond to the user's request and the like.

このように、この例の構成によっても実施例4と略同様な効果を得ることができ、加えてリードピッチに応じたサイズの周辺部品を用いることができるで、ユーザの要求等に柔軟に対応することができるという効果が得ることができる。   As described above, the configuration of this example can provide substantially the same effect as that of the fourth embodiment, and in addition, peripheral parts having a size corresponding to the lead pitch can be used, so that it can flexibly respond to user requests and the like. The effect that it can be done can be obtained.

以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、実施例では周辺部品としてはバイパスコンデンサを用いる例で説明したが、これに限ることなく抵抗等の他の部品を用いる場合にも適用することができる。また、実施例の集積回路パッケージの製造方法では、それぞれのグループに複数のLSIチップを配置した例で説明したが、これに限ることなく各グループのLSIチップは少なくとも一つ配置すればよい。また、集積回路パッケージの側面に設けるランドのサイズ、周辺部品として用いるバイパスコンデンサのサイズは一例を示したものであり、これに限ることなく異なったサイズのものにも適用することができる。   The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to this embodiment, and the present invention can be changed even if there is a design change or the like without departing from the gist of the present invention. include. For example, in the embodiment, the example in which the bypass capacitor is used as the peripheral component has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to the case where other components such as a resistor are used. In the integrated circuit package manufacturing method according to the embodiment, an example in which a plurality of LSI chips are arranged in each group has been described. However, the present invention is not limited to this, and at least one LSI chip in each group may be arranged. Further, the size of the land provided on the side surface of the integrated circuit package and the size of the bypass capacitor used as the peripheral component are shown as an example, and the present invention is not limited to this and can be applied to different sizes.

この発明の実施例1である集積回路パッケージ組立構造を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an integrated circuit package assembly structure that is Embodiment 1 of the present invention; FIG. 同集積回路パッケージ組立構造の主要部を拡大して示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す斜視図である。The main part of the integrated circuit package assembly structure is shown enlarged, (a) is a perspective view showing a configuration before mounting peripheral components, and (b) is a perspective view showing a configuration after mounting peripheral components. . 同集積回路パッケージ組立構造に用いる集積回路パッケージの製造方法を工程順に示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the integrated circuit package used for the integrated circuit package assembly structure in order of a process. この発明の実施例2である集積回路パッケージ組立構造の主要部を拡大して示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す側面図である。The main part of the integrated circuit package assembly structure which is Example 2 of this invention is expanded and shown, (a) is a perspective view which shows the structure before mounting a peripheral component, (b) is after mounting a peripheral component It is a side view which shows a structure. この例の実施例3である集積回路パッケージ組立構造を示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す斜視図である。FIG. 6 shows an integrated circuit package assembly structure that is Embodiment 3 of this example, (a) is a perspective view showing a configuration before mounting peripheral components, and (b) is a perspective view showing a configuration after mounting peripheral components. is there. この発明の実施例4である集積回路パッケージ組立構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the integrated circuit package assembly structure which is Example 4 of this invention. 図6の主要部を拡大して示し、(a)は上面図、(b)は側面図である。6 shows an enlarged main part of FIG. 6, (a) is a top view, and (b) is a side view. 実施例4に対する比較例を示す斜視図である。10 is a perspective view showing a comparative example with respect to Example 4. FIG. この発明の実施例5である集積回路パッケージ組立構造を示す側面図である。It is a side view which shows the integrated circuit package assembly structure which is Example 5 of this invention. 従来例の概念を示し、(a)は周辺部品を実装する前の構成を示す斜視図、(b)は周辺部品を実装した後の構成を示す斜視図である。The concept of a prior art example is shown, (a) is a perspective view which shows the structure before mounting a peripheral component, (b) is a perspective view which shows the structure after mounting a peripheral component. 従来例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

1 回路基板
2 BGAパッケージ
2S BGAパッケージの側面
3、22 バイパスコンデンサ
4 BGAパッケージのランド(周辺部品接続用電極)
5、23 バイパスコンデンサの電極
6a〜6c、7a〜7c LSIチップ
8 金属部材
9、11 配線
10、15、20、25、30 集積回路パッケージ組立構造
12 封止体
13 補強用のランド(周辺部品補強用電極)
14、16 ランド
14E、16E GND用ランド
17、19 SOP(SOパッケージ)
18A〜18D、21A〜21E リード
1 Circuit Board 2 BGA Package 2S Side of BGA Package 3, 22 Bypass Capacitor 4 BGA Package Land (Peripheral Component Connection Electrode)
5, 23 Bypass capacitor electrodes 6a-6c, 7a-7c LSI chip 8 Metal member 9, 11 Wiring 10, 15, 20, 25, 30 Integrated circuit package assembly structure 12 Sealing body 13 Reinforcement land (peripheral component reinforcement) Electrode)
14, 16 lands 14E, 16E GND lands 17, 19 SOP (SO package)
18A-18D, 21A-21E Lead

Claims (1)

回路基板上に集積回路と周辺部品とを組み合わせて実装するようにした集積回路パッケージ組立構造であって、
電極が、前記集積回路のパッケージの側面に面接触する態様で設けられ、該電極は、前記集積回路のパッケージの側面下端縁から、前記集積回路が実装される前記回路基板接触する態様で、外方に屈曲形状に延在し、前記パッケージの前記側面に面接触する前記電極の第1の部位と前記回路基板面に面接触する前記電極の第2の部位とに、前記周辺部品を前記パッケージの高さを越えない配置状態で、電気接続したことを特徴とする集積回路パッケージ組立構造。
An integrated circuit package assembly structure in which an integrated circuit and peripheral components are combined and mounted on a circuit board,
An electrode is provided so as to be in surface contact with a side surface of the package of the integrated circuit, and the electrode is in surface contact with a surface of the circuit board on which the integrated circuit is mounted from a lower end edge of the side surface of the package of the integrated circuit. The peripheral component extends outwardly in a bent shape and has a first part of the electrode in surface contact with the side surface of the package and a second part of the electrode in surface contact with the circuit board surface. An integrated circuit package assembly structure characterized in that an electrical connection is made in an arrangement state not exceeding the height of the package.
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