JP4700604B2 - データ処理システムにおけるメモリ管理 - Google Patents

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Description

本発明は、一般にデータ処理システムに関し、より詳細には、データ処理システムにおけるメモリ管理に関する。
データ処理システムにおいて、一部が異なるタイミング指定を有し得る種々のメモリを備えることは稀でない。それらのメモリのうちの一部では、全メモリ・マップのうちの非常に小さな部分が用いられる場合がある。データ処理システムが実時間アプリケーション・システムにおいて使用される場合、開発中には、一時的にメモリからの値の取得をより容易であるように変更するために、よりプログラムが困難なメモリ(例えば、フラッシュEEPROM(電気的消去可能なプログラマブル・リード・オンリ・メモリ)またはROM(リード・オンリ・メモリ))の一部の上に、プログラムが容易なメモリの小さなブロックを一時的にオーバレイすることが有用な場合がある。開発が完了すると、最終的な実時間システムでは、開発中に使用されたSRAMの代わりに、よりプログラムが困難なメモリが用いられる。多くの場合、よりプログラムが困難なメモリはデータ処理システムの他の部分と同じ集積回路に形成されるが、開発中に使用される、よりプログラムが容易なメモリは別個の集積回路上に形成される。
類似の参照が類似の要素を表す添付の図面によって本発明を例示するが、本発明は添付の図面によって限定されない。
図面における要素は簡明かつ平易に示されており、必ずしも縮尺に応じて描かれていないことが当業者には認められる。例えば、本発明の実施態様の理解の向上を補助するために、図面における要素の一部の寸法は他の要素に比べて誇張されている場合がある。
実時間システム用のソフトウェアの開発では、システムのパラメータの調整および較正を補助するため、メモリの1つの領域からフェッチした値を迅速かつ簡単に修正可能であることが要求である場合が多い。実時間システムの動作を最適化するために、多くの異なるパラメータを開発中に調節することが必要な場合がある。多くのシステムでは、システムの開発が完了すると、システム・オン・チップ(SoC)に大抵は埋め込まれている大きな不揮発性メモリに記憶された値に対して、調整プロセスの最終結果がコミットされる。
多くの場合、開発中に使用されるメモリ(例えば、オフチップ(off−chip)のSRAM)は、最終の実時間システムに使用されるメモリ(例えば、オン・チップのフラッシュEEPROM、ROM)とは異なるタイミング特性を有する。自動制御システムなど一部の実時間システムでは、最終の実時間システムにおける故障の見込みを減少させるため、開発中に使用されたのと同じタイミング特性を有することを最終の実時間システムに要求することが妥当な場合がある。開発中に使用されるアクセス時間と一致させるために、メモリの一部に対するアクセス時間を意図的に遅らせることが必要な場合であっても、この要求は用いられ得る。一部の実時間システムでは、信頼性はシステムの速度性能よりも重要である。
なお、一部のデータ処理システムでは、開発中にオーバレイされているメモリの領域がメモリ・マップ全域に分散されている場合がある。結果として、タイミング指定を独立に制御することが所望されるメモリ・マップにおけるブロックの粒度は、非常に細かくなり得る。したがって、制御レジスタを用いてメモリ・タイミング指定を記憶するには、メモリの分散された領域を覆うことを可能にするために、非常に多数の制御レジスタが必要となる場合がある。メモリにおける多くの分散されたブロックのタイミング特性を独立に指定するために多数の制御レジスタを要求しないような、別のアプローチが必要である。
図1を参照すると一実施態様では、データ処理システム10は、内部バス22を経由して双方向性に接続されている、プロセッサ12と、メモリ18と、メモリ19と、他の機能回路20と、外部バス制御装置(EBC)24とを備える。内部バス22は、制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28を含む。プロセッサ12は、プロセッサ12を制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28に双方向性に接続する、バス・インタフェース制御装置(BIC)13を備える。メモリ18は、メモリ・アレイ32とバス・インタフェース制御装置(BIC)30とを備える。BIC30は、メモリ18を制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28に双方向性に接続する。メモリ19は、メモリ・アレイ33とバス・インタフェース制御装置(BIC)31とを備える。BIC31は、メモリ19を制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28に双方向性に接続する。他の機能回路20は、制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28に双方向性に接続されている。外部バス制御装置(EBC)24は、制御信号26、アドレス信号27、およびデータ信号28に双方向性に接続されている。なお、本発明の別の実施態様では、プロセッサ12、メモリ18、メモリ19、他の機能回路20、およびEBC24は、それらのブロックがそれぞれの機能を実行可能なように、内部バス22の任意の所望の部分に接続されてよい。したがって、一部の実施態様では、必ずしもブロック12,18〜20,24の全てが内部バス22の信号の全てに接続されている必要はない。なお、本発明の一部の実施態様では、制御信号26,36のうちの少なくとも一部は状態の情報を転送するために使用されてよい。
プロセッサ12はアドレス生成回路14を備える。プロセッサ12の一部の実施態様はメモリ管理ユニット16を備えてよい。メモリ管理ユニット16はアドレス変換テーブル9を備えてよい。しかしながら、メモリ管理ユニット16は随意であるので、アドレス変換テーブル9はデータ処理システム10において適切な任意の場所に配置されてもよく、またはアドレス変換テーブル9自身が随意であってもよい。他の機能回路20は任意の所望の機能を実行してよい。他の機能回路20によって実行され得る機能の幾つかの例は、タイマ、入力/出力ポート、通信ポート(例えば、シリアル通信ポート、シリアル周辺インタフェースなど)、ドライバ(例えば、LCDドライバ)、アナログ−ディジタル・コンバータ、ディジタル−アナログ・コンバータ、追加のメモリ、DMAデバイス、または任意の他の所望の機能である。
外部バス制御装置(EBC)24は、内部バス22と外部バス35とを双方向性に接続するために用いられる。集積回路11は外部バス35を経由してメモリ34に双方向性に接続されている。外部バス35は、制御信号36、アドレス信号37、およびデータ信号38を含む。メモリ34は、メモリ・アレイ42とバス・インタフェース制御装置(BIC)40とを備える。BIC40は、メモリ34を制御信号36、アドレス信号37、およびデータ信号38に双方向性に接続する。本発明の代替の実施態様では、メモリ34および集積回路11は異なる集積回路に実装されている。本発明のさらに他の実施態様では、データ処理システム10の種々の部分は、異なる集積回路または同じ集積回路に実装されている。
データ処理システム10がメモリ18,19,34を有するように示したが、本発明の代替の実施態様では、集積回路11に任意の所望の数のメモリ(例えば、メモリ18,19)が実装されるとともに、集積回路11の外部に任意の所望の数のメモリ(例えば、メモリ34)が実装される。さらに、メモリ18、メモリ19、およびメモリ34は、静的ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)、動的ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)、リード・オンリ・メモリ(ROM)、消去可能なプログラマブル・リード・オンリ・メモリ(EPROM)、電気的消去可能なプログラマブル・リード・オンリ・メモリ(EEPROM)、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)などを含むが、これらに限定されない、任意の種類のメモリであってよい。なお、メモリ18,19,34は、同じ種類のメモリであってもよく、異なる種類のメモリであってもよい。
図2を参照すると、データ処理システム10における任意のメモリ(例えば、18,19,34)へアクセスするために、メモリ・アドレス50が用いられ得る。メモリ・アドレス50は、プロセッサ12内のアドレス生成回路34によって出力されてもよく、他の機能回路20を含む、データ処理システム10内の任意の他のアドレス生成源によって出力されてもよい。図示した例におけるメモリ・アドレス50では、低位のNビット[0〜23]は、メモリ・アレイ32,33,42のうちの1つにインデックスを与えるアレイ・インデックス・ビット52として使用される。次に大きなMビット[24〜28]は、メモリ・アレイ32,33,42のうちの1つのタイミング・パラメータを指定するタイミング・ビット54として使用される。
なお、一般にメモリ18,19,34は、1つ以上の異なるタイミング・パラメータを有する。一例は、待機サイクルの数、すなわちメモリにアクセスするために必要な待機状態の数である。本発明の一部の実施態様では、タイミング・ビット54には、第1の待機状態の数を指定するパラメータ53[ビット26〜28]および第2の待機状態の数を指定するパラメータ55[ビット24〜25]など、複数のタイミング・パラメータが含まれる。第1の待機状態は、アクセスのバーストにおける最初のアクセスの待機状態を表す。第2の待機状態は、アクセスのバーストにおける1つ以上の後続のアクセスの待機状態を表す。一般にバースト・アクセスでは、バースト転送の異なる部分に対して異なるタイミング・パラメータを要求する。本発明の代替の実施態様では、データ処理システム10においてメモリの任意のタイミング・パラメータを指定するために、タイミング・ビット54を用いてよい。なお、本発明の代替の実施態様では、アクセスされている回路における1つ以上の非タイミング・パラメータまたは属性を指定するために、アクセス・アドレスのうちの一部(例えば、ビット54)を用いてもよい。図2に示したメモリ・アドレス50では、最も大きなLビット[29〜31]は、メモリ・アレイ32,33,42のうちの1つを選択するためのデバイス選択ビット56として使用される。なお、本発明の代替の実施態様では、メモリ・アドレス50を、より少ない区分、より多い区分、または異なる区分に分割してもよく、各区分のビットの数も異なっていてよい。
なお、ここでは図2のメモリ・アドレス50は、デバイス内でデバイス間またはストレージ位置間を区別するために使用されない部分(タイミング・ビット54)を有する。代わりにそれらのビット(タイミング・ビット54)は、デバイス選択ビット56によって選択されるデバイスにおけるタイミング特性を指定するために使用される。これを実装するために本発明の一部の実施態様では、メモリ・アレイ(例えば、32,33,42)がプロセッサ12の物理メモリ・マップ70に多重マッピングされ(図1,3を参照)、多重マッピングに関連するアドレス・ビット54がメモリ・アレイ(例えば、32,33,42)のタイミング・パラメータを直接制御するために使用され、制御レジスタへの間接アクセスは必要でない。これによって、任意の追加の制御ストレージのオーバヘッドを必要とすることなく、アクセス・バイ・アクセス基準(access by access basis)で導かれる柔軟なタイミング指定が可能となる。
本発明の一部の実施態様では、典型的なデータ処理システム10のアドレス空間は希薄であるため多重マッピングが使用され得るので、アクセス用のメモリ・アドレス50の一部(例えば、タイミング・ビット54)をタイミング指定子用に転用することが可能であるという事実を利用する。メモリの多重マッピングによって、メモリ内の同じ位置を選択するために、アドレス50において幾つかの異なる値が使用され得る。タイミング・ビット54は異なり、デバイス選択ビット56の値は共通、且つアレイ・インデックス・ビット52は共通であるような特定の値を、アドレス50に対して選択することによって、タイミング・ビット54に対応する1つ以上のタイミング・パラメータの異なる組を用いながら、メモリ内の同じ位置へのアクセスを生じる。続いてデータ処理システム10のユーザは、メモリ・アドレス50の適切な値を生成することによって、タイミング・ビット54を直接制御し、メモリ・アレイ内の実際のデータ位置とは独立にタイミング属性の所望の組を選択してよい。
さらに、本発明では、システム条件(例えば、動作クロック周波数)の変更に従って、メモリ・タイミング・パラメータの指定がさらに効率的に変更される。システム条件の変更時に再プログラムするための、各メモリ(18,19,34)に対する別個のバス・インタフェース制御装置(30,31,40)は、本発明には要求されない。代わりに、データ処理システム10のユーザが修正する必要があるのは、メモリ・アドレス50のタイミング・ビット54のみである。したがって、本発明によって、低動力システム動作に必要な、異なるクロック・モードへのより速い転換が可能となる。これによって低動力システムの効率は改良され、より小さなソフトウェア・オーバヘッドで低動力(低周波数)モードへの転換および低動力(低周波数)モードからの転換が実行可能であるので、モード変更が実際に有益であるような閾値を低下させる。ますます多くの電子機器がハンドヘルド・バッテリ動作用途で使用されているので、バッテリ動力消費を減少することが可能な改良は、いずれも重要である。
図3には、図1のメモリ・アレイ32に対するメモリ・マップ70の一実施態様を示す。示した実施態様では、メモリ・アレイ32は、N個のアレイ・インデックス・ビット52(図2を参照)によってアクセスされる。したがって、メモリ・アレイ32は、0〜2−1のアドレス位置を有する。メモリ・アレイ32は、メモリ・ブロック71,72,73のように、多重すなわち複数倍にメモリ・マップ70にマッピングされることが可能である。図2を参照すると、アレイ・インデックス・ビット52およびデバイス選択ビット56は図3のブロック71〜73の各々に対して同じであるが、タイミング・ビット54はブロック71〜73の各々に対して異なるか、または同じであることが可能である。例えば、ブロック71はタイミング・ビット54に対して60の値を有するのに対して、ブロック72はタイミング・ビット54に対して62の値を有し、ブロック73はタイミング・ビット54に対して64の値を有することが可能である。60,62,64の値により、メモリ・アレイ32の多重マッピングのうちのいずれがアクセス中に使用されるかが決定される。また、ブロック71〜73のうちの任意の数のブロックがメモリ・アレイ32にマッピングされてよい。示した実施態様ではブロック71〜73の各々は同じサイズであるが、しかしながら、各ブロックには、メモリ・マップ70の異なる範囲のアドレス位置が含まれる。第1のブロックであるブロック71は、アドレス位置0で開始し、アドレス位置2−1で終了する。ブロック72および全ての他の中間のブロック(図示せず)は、各々2のサイズである。最後のブロックであるブロック73は2のサイズであり、アドレス位置2N+M−1で終了する。ここで、Mはタイミング・ビット54(図2を参照)に使用されるビット数である。
特定の例での数を用いると、メモリ18(図1を参照)が1メガバイト(Mbyte)のサイズの場合、メモリ・アレイ32内で1バイトのデータを選択するには、20のアドレス列(N=20)が要求される。メモリ・アレイ32がメモリ・マップにおいて4Mbyteの領域を占有して見えるように4倍に多重マッピングする(したがって、22のアドレス列をメモリ・アレイ32に割り当てる)ことによって、これらの余分な2ビットはアクセス・バイ・アクセス基準でタイミング・パラメータを指定するためのタイミング・ビット54として利用可能となる。アドレスのエイリアス化(aliasing)によって、データは4つの異なる仮想コピーに見えるので、これらの余分な2ビットは、タイミング・ビット54として、メモリ・アレイ32に記憶されたデータを選択するためには必要でない。代わりに、これらの高位の2ビットは、メモリ・アレイ32内で特定のブロック(例えば、71〜73)に対して適用されるタイミング・パラメータ(例えば、アクセス時間)を直接示すために使用される。本発明の一部の実施態様では、タイミング・ビット54が、メモリ・アレイ32の異なるタイミング・パラメータを指定するために各々使用され得る複数の部分に分割されてもよい。さらに、タイミング・ビット54のうちの1つ以上の部分によって、非タイミング関連パラメータが指定されてもよい。
図4には、メモリ管理ユニット(MMU)16のアドレス変換の一例を示す(図1を参照)。なお、MMU16は随意である。図4では、論理アドレスのページ90には、ページ80、ページ82、およびページ84が含まれる。なお、各論理アドレスのページ80,82,84は、MMU16によって、対応する物理アドレスのページにマッピングされてよい。各論理ページは任意の物理ページにマッピングされ得るので、物理ページのアドレスを対応する論理ページのアドレスに割り当てる際に完全な柔軟性が与えられる。図4に示すように、物理アドレスのページ92は、メモリ・アレイ32に多重マッピングされており、「a」、「b」、「c」、「d」の記された4つの異なるブロック(例えば、図3の71〜73などのブロック)に対応する。物理アドレスのページ80a,82a,84aでは、タイミング・ビット54に対して100の値が適用される。物理アドレスのページ80b,82b,84bでは、タイミング・ビット54に対して101の値が適用される。続いてブロック60,61,62,64は、次の物理アドレスのブロックを占有する。物理アドレスのページ80c,82c,84cでは、タイミング・ビット54に対して102の値が適用される。物理アドレスのページ80d,82d,84dでは、タイミング・ビット54に対して103の値が適用される。
なお、本発明の実施にはMMU16は要求されないが、MMU16が利用される場合、本発明は実際に用いられ得る。MMUを利用することの1つの利点は、タイミング・ビット54に対して異なる値を選択するために、論理アドレスのプログラムを修正することなく、図1のアドレス変換テーブル9に既に存在する性能を利用し、物理アドレスに対する論理アドレスのマッピングを使用して論理ページのマッピングを変更し得ることである。例えば、図4において論理ページ84を物理ページ84aにマッピングすることによって、タイミング・ビット54に対して100の値が使用される。これに代えて、異なるタイミングの選択が必要な場合、論理ページ84を物理ページ84bにマッピングして、タイミング・ビット54に対して101の値を選択してもよい。メモリ・アレイ32は物理アドレス空間(物理アドレスのページ92)において多重の位置に多重マッピングされており、各々の多重マッピングはタイミング・ビット54に対する異なる値に対応するので、これらのマッピングのうちのいずれが使用されるかにかかわらず、メモリ・アレイ32では同じ値がアクセスされる。
なお、本発明の代替の実施態様では、この多重マッピング技術をメモリ・アレイ以外の要素に利用してタイミング・パラメータを制御してよい。また、本発明の代替の実施態様では、データ処理システム10のうちの1つ以上の部分の動作モードを制御するため、またはデータ処理システム10のうちの1つ以上の要素からの応答を制御するためなど他の制御の目的で、多重マッピングに関連するタイミング・ビット54を使用してもよい。
上述の記載では、特定の実施態様に関連して本発明を説明した。しかしながら、以下の特許請求の範囲に述べられている本発明の範囲から逸脱することなく、種々の修正および変更がなされ得ることが、当業者には認められる。したがって、明細書および図面は限定的な意味ではなく例示の意味に見なされるものであり、そのような修正は全て本発明の範囲の内に含まれることを意図するものである。
利点、他の長所、および課題に対する解決法を、特定の実施態様に関連して上述にて説明した。しかしながら、利点、長所、および課題に対する解決法と、任意の利点、長所、または解決法を生じ得る若しくはより顕著にし得る任意の要素は、任意または全ての請求項の必須、必要、または不可欠な特徴若しくは要素として構成されるものでない。本明細書で用いられる、「含む(comprise)」、「含んでいる(comprising)」、またはそれらの任意の他の変形は、一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置が、それらの要素のみを含むのではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に対して他の明示的に挙げられない要素、すなわち固有の要素を含み得るような、非排他的な包含を覆うことを意図するものである。
本発明の一実施態様によるデータ処理システム10のブロック図。 本発明の一実施態様によるメモリ・アドレス50のブロック図。 本発明の一実施態様によるメモリ・マップ70のブロック図。 本発明の一実施態様によるメモリ管理ユニット(MMU)16の変換の一例のブロック図。

Claims (4)

  1. 第1のメモリ・アクセス・タイミング特性を有する第1のメモリと、第1のメモリ・アクセス・タイミング特性と異なる第2のメモリ・アクセス・タイミング特性を有する第2のメモリとを備える処理システムにおけるメモリ・アクセス・タイミングの制御方法において、
    第1のメモリにアドレスを出力するアドレス出力工程と、
    アドレスの一部を直接使用することによって、第1のメモリ・アクセス・タイミング特性を異なるメモリ・アクセス・タイミング特性に修正するメモリ・アクセス・タイミング特性修正工程とを含み、前記異なるメモリ・アクセス・タイミング特性は第2のメモリ・アクセス・タイミング特性である、方法。
  2. 第1のメモリ・アクセス・タイミング特性を修正するために使用したアドレスの一部を、第1のメモリをアドレス指定するために必要なアドレス・ビットを超える追加のアドレス・ビットとして実装するアドレス実装工程と、異なるメモリ・アクセス・タイミング特性として実装され得るアクセス・タイミング特性の数は追加のアドレス・ビットの総数によって決定されることとをさらに含む請求項1に記載の方法。
  3. 第1のメモリはフラッシュメモリであり、第2のメモリは静的ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)であり、第2のメモリ・アクセス・タイミング特性は第1のメモリ・アクセス・タイミング特性より遅い、請求項1に記載の方法。
  4. バスと、
    バスに接続されたバス・マスタと、
    バスに接続され、かつ第1のメモリ・アクセス・タイミング特性を有する第1のメモリと、
    第1のメモリはバス・マスタからアドレスを受信し、かつアドレスの一部を直接使用して第1のメモリ・アクセス・タイミング特性を第1のメモリ・アクセス・タイミング特性と異なる第2のメモリ・アクセス・タイミング特性に修正することと、第2のメモリ・アクセス・タイミング特性は第2のメモリに対するメモリ・アクセス・タイミング特性であることと、を含むデータ処理システム。
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