JP4697524B2 - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents
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Description
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、特に半導体スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor.以下「TFT」という。)を使用したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、静電気によるTFTの破壊防止手段を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。 The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) as a semiconductor switching element, and provided with means for preventing TFT breakdown due to static electricity. The present invention also relates to an active matrix liquid crystal display device.
一般に液晶表示装置には薄型軽量、低消費電力という特徴があり、特に、薄膜トランジスタ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置は携帯電話機、携帯端末から大型テレビに至るまで幅広く利用されている。 In general, liquid crystal display devices are characterized by thinness, light weight and low power consumption. In particular, thin film transistor type active matrix liquid crystal display devices are widely used from mobile phones and portable terminals to large televisions.
まず、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の一般的な構成を、数画素部分の平面図である図4、その数画素分の模式的な等価回路図である図5及び図4のZ−Z断面図である図6を参照して簡単に説明する。従来の液晶表示装置10Aは、第1の透光性基板11上にマトリクス状に設けられた走査線X1、X2・・・Xnと信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた領域毎に画素電極12が設けられており、この画素電極12は図5においては等価的に液晶容量CLCで表わされている。通常液晶容量CLCには補助容量電極13により形成された補助容量Csが並列に接続されている。液晶容量CLCの一端は駆動用のスイッチングトランジスタ14に接続されているとともに、他端は第2の透光性基板15にカラーフィルタ層CFを介して設けられた共通電極16に接続されて所定のコモン電位Vcが印加されている。
First, a general configuration of a conventional active matrix liquid crystal display device is shown in FIG. 4 which is a plan view of several pixel portions, and a schematic equivalent circuit diagram corresponding to several pixels in FIG. 5 and FIG. This will be briefly described with reference to FIG. 6 which is a sectional view. The conventional liquid
スイッチングトランジスタ14は絶縁ゲート電界効果型の薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor)からなり、そのソース電極Sは信号線Y1、Y2・・・Ymに接続されて画像信号Vsの供給を受け、また、ドレイン電極Dは液晶容量CLCの一端、すなわち画素電極12に接続されている。さらに、スイッチングトランジスタ14のゲート電極Gは走査線X1、X2・・・Xnに接続されて所定の電圧を有するゲートパルスVgが印加されるようになされている。
The
また、画素電極12及び共通電極16の表面にはそれぞれ配向膜(図示せず)が設けられているとともに、第1の透光性基板11と第2の透光性基板15との間には液晶17が封入されている。なお、符号18及び19はそれぞれSiO2もしくはSiNからなる絶縁膜を示し、符号20はa−Si層を示す。そして複数本の走査線X1、X2・・・Xn及び信号線Y1、Y2・・・Ymは、基板の額縁部(基板の周縁部)の2方向ないしは1方向に引き出され、それぞれの終端部に走査線用入力端子21及び信号線用入力端子22が設けられている。
An alignment film (not shown) is provided on the surface of each of the
このような構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、携帯電話機用の小型のものから対角40インチ(約102cm)ないし50インチ(約127cm)サイズ程度の大型のものまで製造されるようになってきている。しかしながら、液晶表示装置は、製造工程において表示領域内に静電気が浸入すると、液晶表示装置としてでき上がった段階で表示欠陥が生じる。特に中小型機種においては高精細化が進むにつれて今まで以上に静電気不良が発生しやすくなっている。静電気は、製造工程においても、パネルを搬送する際にも、他のものと接触するだけで発生してしまう。また、配向膜のラビング時には摩擦により最も静電気が発生しやすい。したがって、液晶表示装置の製造技術分野では、静電気による表示欠陥が生じないようにすることは特に急務である。 The active matrix liquid crystal display device having such a structure has been manufactured from a small size for a mobile phone to a large size of about 40 inches (about 102 cm) to 50 inches (about 127 cm) diagonal. ing. However, in the liquid crystal display device, when static electricity enters the display region in the manufacturing process, a display defect occurs when the liquid crystal display device is completed. Especially in small and medium-sized models, static electricity defects are more likely to occur as the resolution becomes higher. Static electricity is generated only by contact with other objects in the manufacturing process and when the panel is transported. Further, when the alignment film is rubbed, static electricity is most likely to occur due to friction. Therefore, in the manufacturing technical field of liquid crystal display devices, it is particularly urgent to prevent display defects due to static electricity.
このような静電気による画素欠陥の発生を防止する技術も幾つか知られている。たとえば、下記特許文献1に開示されているアクティブマトリクス型液晶表示装置30の発明は、図7に示すように、基板上にストライプ状のゲート信号線31と、これと直交するストライプ状のソース信号線32と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチング素子TFTと、前記スイッチング素子TFTに接続され、マトリクス状に複数形成された画素電極とを有し、前記画素電極が、有効表示領域内に設けられ表示に寄与する表示用画素電極33Aと、非有効表示領域に設けられ表示に寄与しないダミー画素電極33Bとからなっており、このダミー画素電極33B駆動用のゲート信号線34を有効表示領域のゲート信号線31から分岐させることにより形成している。さらに、下記特許文献1には、有効表示領域を確実に保護するため、ダミー画素電極33Bを複数列設けることも示唆されている。
Several techniques for preventing the occurrence of pixel defects due to static electricity are also known. For example, in the invention of the active matrix type liquid
すなわち、この液晶表示装置30は、液晶表示装置の製造工程中に前記第1又は第2の信号線31、32を伝って静電気が侵入した場合、非有効表示領域に設けられたダミー画素電極33Bに接続されたスイッチング素子が優先的に破壊されるので、有効表示領域内の表示用画素電極に接続されたスイッチング素子を保護することが可能となるというものである。
That is, the liquid
一方、下記特許文献2に開示されている液晶表示装置40は、図8に示すように、互いに直交するように形成される走査線41及び信号線42と、上記走査線41及び信号線42の交差部に形成されるスイッチング素子TFTと、上記スイッチング素子TFTに接続され、上記走査線41及び信号線42から供給される信号により駆動制御される表示用画素電極43Aを有効表示領域に複数形成する一方、上記有効表示領域の周辺部に上記走査線41及び信号線42から切り離されたダミー画素電極43Bを複数形成し、このダミー画素電極43Bに対向するように追加補助容量電極44を形成したものである。
On the other hand, as shown in FIG. 8, the liquid
すなわち、この液晶表示装置40は、液晶表示装置の製造工程中に前記第1又は第2の信号線41、42を伝って静電気が侵入した場合、非有効表示領域に設けられたダミー画素電極43Bにチャージされた状態となり、このチャージされた静電気は付加補助容量電極44ないしは他の補助容量電極45を介して放電するために、有効表示領域内の表示用画素電極43Aに接続されたスイッチング素子TFTを保護することが可能となるというものである。
しかしながら、上記特許文献1に開示されている液晶表示装置30では、ゲート信号線31ないしはソース信号線32に対して一つのダミー画素電極33Bしか設けられていないため、一度静電気によりダミー画素電極33Bのスイッチング素子TFTが破壊された場合には、そのダミー画素電極33Bはその能力を失ってしまうため、再度静電気が浸入した場合には、表示領域の画素電極33Aのスイッチング素子TFTが破壊されてしまう虞がある。すなわち、液晶表示装置の製造時においては、配向膜のラビング時だけではなく、パネルの搬送時においても他のものと接触するだけで静電気が発生してしまうために、完成品が得られるまでに何度も静電気が浸入する可能性があるが、上記特許文献1に開示されている液晶表示装置30はこのような多数回の静電気浸入に対処できない可能性がある。
However, in the liquid
なお、上位特許文献1には、有効表示領域を確実に保護するため、ダミー画素電極33Bを複数列設けることも示唆されている(段落[0039]参照)が、この場合、ダミー画素電極33Bは有効表示領域の画素電極33Aと同じ大きさないしはそれよりも大きく(請求項3、段落[0048]参照)しているため、非有効表示領域が大きくなってしまうという問題点が存在する。
In the
また、上記特許文献2に開示されている液晶表示装置40では、液晶表示装置の製造工程中に走査線41、信号線42を伝って静電気が侵入した場合、非有効表示領域に設けられたダミー画素電極43Bにチャージされた状態となるが、ダミー画素電極43Bは走査線41、信号線42とは切り離されているのでコンデンサとして機能するものであるから、この静電気が付加補助容量電極44ないしは他の補助容量電極45を介して放電する前に有効表示領域の画素電極43Aにまで浸入し、この有効表示領域内の画素電極43Aに接続されたスイッチング素子TFTが静電破壊を受ける可能性が存在する。
Further, in the liquid
本願の発明者は、上述のような従来例の静電気による有効表示領域の画素電極に接続されているスイッチング素子の静電破壊を防止する技術の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、外部から侵入した静電気を有効に放電させるには、非有効表示領域に設けるダミー画素として有効表示領域の画素電極に接続されているスイッチング素子TFTと同様の構成のみを設ければ、ダミー画素電極の面積が極めて小さくても、このダミー画素のスイッチング素子が優先的に静電破壊を起こすために静電気が有効表示領域にまで浸入する虞がなくなり、画素電極に接続されているスイッチング素子を有効に保護することができること、しかも、従来の有効表示領域の画素電極と同じ面積内に約10倍もの数のダミー画素を設けることができるため、非有効表示領域の面積を増加させることなく、多数回の静電気浸入にも対処することができることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。 The inventor of the present application has conducted various studies to solve the problems of the technology for preventing electrostatic breakdown of the switching element connected to the pixel electrode in the effective display area due to static electricity in the conventional example as described above. In order to effectively discharge static electricity that has entered from the outside, if only a configuration similar to the switching element TFT connected to the pixel electrode in the effective display area is provided as a dummy pixel provided in the ineffective display area, the dummy pixel electrode Even if the area is extremely small, the switching element of this dummy pixel preferentially causes electrostatic breakdown, so there is no risk of static electricity entering the effective display area, effectively protecting the switching element connected to the pixel electrode. In addition, since about 10 times as many dummy pixels can be provided in the same area as the pixel electrode of the conventional effective display area. Without increasing the area of the non-effective display region, in a large number of times static electricity entering found that it is possible to cope is of the present invention has been completed.
すなわち、本発明は、非有効表示領域の面積を増加させることなく多数個のダミー画素電極を設け、端子側からの多数回の静電気浸入に対処できる液晶表示装置を提供することを目的とする。 That is, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which a large number of dummy pixel electrodes are provided without increasing the area of the ineffective display area and which can cope with a large number of electrostatic intrusions from the terminal side.
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、基板と、前記基板上に配置された複数の信号線と、前記基板上に配置された複数の走査線と、表示に寄与する有効表示領域と、前記有効表示領域周辺の表示に寄与しない非有効表示領域と、を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記信号線と前記走査線はマトリクス状に配置されており、前記有効表示領域においては、隣接する前記信号線及び隣接する前記走査線で囲まれた領域に一つのトランジスタが形成されており、前記非有効表示領域においては、隣接する前記信号線及び隣接する前記走査線で囲まれた領域に複数のトランジスタが形成されており、前記有効表示領域のトランジスタには表示用画素電極が接続され、前記非有効表示領域の複数のトランジスタには各々ダミー画素電極が接続され、前記ダミー画素電極の面積は、前記表示用画素電極の面積の1/2以下であることを特徴とする。
The above object of the present invention can be achieved by the following configurations. That is, the active matrix liquid crystal display device of the present invention includes a substrate, a plurality of signal lines arranged on the substrate, a plurality of scanning lines arranged on the substrate, and an effective display area contributing to display. In the active matrix type liquid crystal display device comprising a non-effective display area that does not contribute to display around the effective display area, the signal lines and the scanning lines are arranged in a matrix, and in the effective display area, One transistor is formed in a region surrounded by the adjacent signal line and the adjacent scanning line, and the ineffective display region is surrounded by the adjacent signal line and the adjacent scanning line. A plurality of transistors are formed in the region, a display pixel electrode is connected to the transistors in the effective display region, and a plurality of transistors in the ineffective display region are connected. Each dummy pixel electrode is connected to the static area of the dummy pixel electrode, wherein the at most 1/2 of the area of the display pixel electrode.
また、上記のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素電極の面積は前記表示用画素電極の面積の1/2以下1/20以上であることを特徴とする。
In the above active matrix liquid crystal display device, the area of the dummy pixel electrode is 1/2 or less and 1/20 or more of the area of the display pixel electrode.
また、上記のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素電極に接続されているスイッチングトランジスタは、それぞれソース電極が並列に前記信号線に接続され、ゲート電極が並列に走査線に接続されていることを特徴とする。
Further, in an active matrix type liquid crystal display device described above, the switching transistor connected to the dummy pixel electrode is connected to the signal line to the source electrode, each parallel, a gate electrode is connected to the scanning line in parallel It is characterized by that.
また、上記のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ダミー画素電極に接続されているスイッチングトランジスタは、前記表示用画素電極に接続されているスイッチングトランジスタのチャネル幅及びチャネル長よりも小さくなっていることを特徴とする。
In the above active matrix liquid crystal display device, the switching transistor connected to the dummy pixel electrode is smaller than the channel width and channel length of the switching transistor connected to the display pixel electrode. It is characterized by.
本発明は上記の構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、非有効表示領域に極めて小さなスイッチングトランジスタを有するダミー画素を複数個並列に設けたので、端子側から静電気が侵入してもそのダミー画素のスイッチングトランジスタが優先的に犠牲となってスパークし、静電気を逃がすことができるために、静電気が表示領域にまで達する虞が少なく、表示欠陥が少ない液晶表示装置が得られる。加えて、ダミー画素電極を複数個並列に設けてあるので、複数回の静電気侵入に対処することができるため、製造工程中に表示領域の表示用画素が静電破壊される虞が非常に少なくなる。
By providing the above configuration, the present invention has the following excellent effects. That is , since a plurality of dummy pixels having extremely small switching transistors are provided in parallel in the ineffective display area, even if static electricity enters from the terminal side, the switching transistors of the dummy pixels are preferentially sacrificed and sparked. Since static electricity can be released, a liquid crystal display device with less possibility of static electricity reaching the display area and few display defects can be obtained. In addition, since a plurality of dummy pixel electrodes are provided in parallel, it is possible to cope with a plurality of times of electrostatic intrusion, and therefore there is very little possibility that display pixels in the display area are electrostatically destroyed during the manufacturing process. Become.
また、電気的にはダミー画素電極の一つは表示用画素電極一つ分にあたるから、ダミー画素電極一つの大きさが表示用画素電極の1/2以下1/20以上であるため、面積的に見ると表示用画素の一つ分の面積にダミー画素を2個〜15個を配置することができるため、非有効表示領域(額縁部)が広くなることがない。また、犠牲となるダミー画素が入力端子から多く連なっているので、端部から順番に静電気でスパークしても、表示領域に到達するまでの回数を稼げるため、有効表示領域にまで到達することを少なくすることができる。
Further, conductive since the vapor manner one dummy pixel electrode corresponds to the display pixel electrode one minute, since the size of one dummy pixel electrode is 1/2 or less 1/20 or more of the display pixel electrodes, the area When viewed from the viewpoint, since 2 to 15 dummy pixels can be arranged in the area of one display pixel, the ineffective display area (frame portion) does not become wide. In addition, since many sacrificed dummy pixels are connected from the input terminal, even if it is sparked in order from the end portion, the number of times to reach the display area can be increased, so that it reaches the effective display area. Can be reduced.
なお、ダミー画素電極の面積が表示用画素電極の面積の1/2を超えると非有効表示領域を広くしないと並列に設けるダミー画素の数を増やすことができなくなるので好ましくはなく、また、1/20未満であると1個あたりのダミー画素電極に流すことができる静電気量が少なくなるので却って好ましくない。より好ましいダミー画素電極の面積は表示用画素電極の面積の1/5以下1/15以上である。 If the area of the dummy pixel electrode exceeds 1/2 of the area of the display pixel electrode, it is not preferable because the number of dummy pixels provided in parallel cannot be increased unless the ineffective display area is widened. If it is less than / 20, the amount of static electricity that can flow to each dummy pixel electrode is reduced, which is not preferable. A more preferable area of the dummy pixel electrode is 1/5 or less and 1/15 or more of the area of the display pixel electrode.
また、小さな面積に多くのダミー画素電極に接続されているスイッチングトランジスタを配置することができるため、ダミー画素の大きさを小さくできるので、非有効表示領域(額縁部)が広くなることがない。
Further, it is possible to arrange the switching transistors connected to a number of dummy pixel electrodes in small a surface area, since the size of the dummy pixel can be reduced, the non-effective display area (frame portion) that is wide Absent.
さらに、ダミー画素に接続されているスイッチングトランジスタは前記表示用画素電極に接続されているスイッチングトランジスタよりも静電破壊され易いため、外部から静電気が侵入しても確実にダミー画素電極に接続されているスイッチングトランジスタが静電破壊されるので、静電気が有効表示領域に侵入する虞が少なくなる。 Further, the switching transistor connected to the dummy pixels for easily broken electrostatic than the switching transistor connected to the display pixel electrodes are connected to reliably dummy pixel electrode be static from the outside penetrates Since the switching transistor is electrostatically destroyed, the possibility of static electricity entering the effective display area is reduced.
以下、本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の実施例を図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのアクティブマトリクス型液晶表示装置としての半透過型液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこの半透過型液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。なお、図1は実施例に係る半透過型液晶表示装置の有効表示領域及び非有効表示領域近傍の拡大平面図であり、図2は図1のA領域の拡大平面図であり、図3は図2のB−B断面図である。なお、図1〜図3においては図4〜図6に示した従来例の液晶表示装置と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。 Hereinafter, embodiments of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies a transflective liquid crystal display device as an active matrix liquid crystal display device for embodying the technical idea of the present invention. The present invention is not intended to be specified as a display device, and the present invention can be equally applied to a variety of modifications without departing from the technical idea shown in the claims. 1 is an enlarged plan view of the vicinity of the effective display area and the non-effective display area of the transflective liquid crystal display device according to the embodiment, FIG. 2 is an enlarged plan view of area A in FIG. 1, and FIG. It is BB sectional drawing of FIG. 1 to 3, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the conventional liquid crystal display device shown in FIGS.
実施例に係る半透過型液晶表示装置10は、第1の透光性基板11上にマトリクス状に設けられた走査線X1、X2・・・Xn、Xn+1、Xn+2と信号線Y1、Y2・・・Ymが設けられている。このうち、走査線X1、X2・・・Xn及び信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた領域が有効表示領域であり、走査線Xn、Xn+1、Xn+2及び信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた領域が非有効表示領域となっている。
The transflective liquid
この有効表示領域においては、各走査線及び信号線で囲まれた領域毎に表示に寄与する画素電極12及び反射電極25からなる画素電極が設けられている。また、スイッチングトランジスタ14はTFTからなり、そのソース電極Sは信号線Y1、Y2・・・Ymに接続され、ゲート電極Gは走査線X1、X2・・・Xnに接続され、さらに、ドレイン電極Dは画素電極12に接続されているとともにコンタクトホール(図示せず)を介して反射電極25にも接続されている。また、ドレイン電極Dの下部には補助容量電極13が設けられている。これらの半透過型液晶表示装置10の動作原理は、既に周知のものであるので、その詳細な説明は省略する。
In this effective display area, a pixel electrode including the
一方、実施例に係る半透過型液晶表示装置10は、走査線Xn、Xn+1、Xn+2及び信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた非有効表示領域において、表示に寄与しないTFTよりなるスイッチングトランジスタ26及びダミー画素電極27を有するダミー画素がそれぞれの信号線Y1、Y2・・・Ym毎に複数個設けられている。
On the other hand, the transflective liquid
このダミー画素のスイッチングトランジスタ26のソース電極Sは、各信号線Y1、Y2・・・Ym毎に並列に接続され、ゲート電極Gは各走査線Xn+1、Xn+2毎に並列に接続され、更にドレイン電極Dは、図3に示すように、コンタクトホール28を介して層間膜29上に設けられたダミー画素電極27に接続されている。そして、このダミー画素のスイッチングトランジスタ26は、表示用画素電極に接続されているスイッチングトランジスタ14のチャネル幅及びチャネル長よりも小さくなっており、それによって表示用画素電極に接続されているスイッチングトランジスタ14よりも優先的に静電破壊されるようになっている。
The source electrode S of the switching
ダミー画素電極27の面積は、有効表示領域における1画素分の表示に寄与する電極の面積、すなわち画素電極12の面積と反射電極25の面積を合わせたものよりも小さくされている。このダミー画素電極27の面積は、広すぎると非有効表示領域を広くしないと並列に設けるダミー画素の数を増やすことができなくなり、また、狭すぎると1個あたりのダミー画素に流すことができる静電気量が少なくなるため、有効表示領域における画素電極12と反射電極25とからなる表示用画素電極の面積の1/2以下1/20以上とするとよい。より好ましいダミー画素電極27の面積は、有効表示領域における表示用画素電極の面積の1/5以下1/15以上である。なお、図1においては、ダミー画素電極27のそれぞれの面積を有効表示領域における表示用画素電極の面積の1/10とし、走査線XnとXn+1の間及びXn+1及びXn+2の間にそれぞれ10個づつ、計20個設けたものを示してある。
The area of the
このような構成のダミー画素を備えた本実施例に係る半透過型液晶表示装置10においては、信号線用入力端子22から静電気が浸入すると、信号線用入力端子22にも最も近いダミー画素のスイッチングトランジスタ261が静電破壊を起こすことにより静電気を放電する。その後、再度信号線用入力端子22から静電気が浸入すると、最初に静電破壊を起こしたダミー画素のスイッチングトランジスタ261の隣りのスイッチングトランジスタ262が静電破壊することにより静電気を放電する。そのため、この半透過型液晶表示装置10の製造工程時においては、有効表示領域のスイッチングトランジスタ14が破壊されるような静電気浸入は20回まで許容できることになるから、実質的に表示欠陥が生じることがない半透過型液晶表示装置10が得られる。
In the transflective liquid
なお、この実施例においては半透過型液晶表示装置を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず透過型液晶表示装置に対しても、さらには反射型液晶表示装置に対しても適用することができる。 In this embodiment, a transflective liquid crystal display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and is applied to a transmissive liquid crystal display device and further to a reflective liquid crystal display device. be able to.
10 半透過型液晶表示装置
10A 液晶表示装置
11 第1の透光性基板
12 画素電極
13 補助容量電極
14 スイッチングトランジスタ
15 第2の透光性基板
16 共通電極
17 液晶
18、19 絶縁膜
20 a−Si層
21、22 入力端子
25 反射電極
26 ダミー画素のスイッチングトランジスタ
27 ダミー画素電極
28 コンタクトホール
29 層間膜
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記基板上に配置された複数の信号線と、
前記基板上に配置された複数の走査線と、
表示に寄与する有効表示領域と、
前記有効表示領域周辺の表示に寄与しない非有効表示領域と、を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記信号線と前記走査線はマトリクス状に配置されており、
前記有効表示領域においては、隣接する前記信号線及び隣接する前記走査線で囲まれた領域に一つのトランジスタが形成されており、
前記非有効表示領域においては、隣接する前記信号線及び隣接する前記走査線で囲まれた領域に複数のトランジスタが形成されており、
前記有効表示領域のトランジスタには表示用画素電極が接続され、
前記非有効表示領域の複数のトランジスタには各々ダミー画素電極が接続され、
前記ダミー画素電極の面積は、前記表示用画素電極の面積の1/2以下であることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 A substrate,
A plurality of signal lines arranged on the substrate;
A plurality of scanning lines disposed on the substrate;
An effective display area that contributes to the display;
In an active matrix liquid crystal display device comprising: an ineffective display area that does not contribute to display around the effective display area;
The signal lines and the scanning lines are arranged in a matrix,
In the effective display region, one transistor is formed in a region surrounded by the adjacent signal line and the adjacent scanning line,
In the non-effective display area, a plurality of transistors are formed in an area surrounded by the adjacent signal line and the adjacent scanning line ,
A display pixel electrode is connected to the transistor in the effective display area,
A dummy pixel electrode is connected to each of the plurality of transistors in the non-effective display area,
An active matrix liquid crystal display device , wherein the area of the dummy pixel electrode is ½ or less of the area of the display pixel electrode .
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