JP5472895B2 - Liquid crystal display - Google Patents
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Description
本発明は、液晶表示装置に関し、特に表示領域の周囲に形成された非表示領域に複数個
の静電気保護用のスイッチング素子が形成された液晶表示装置に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a plurality of electrostatic protection switching elements are formed in a non-display region formed around a display region.
一般に液晶表示装置には薄型軽量、低消費電力という特徴があり、特に、スイッチング素子として薄膜トランジスタTFT(Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、携帯電話機、携帯端末から大型テレビに至るまで幅広く利用されている。しかしながら、液晶表示装置は、製造工程中や使用中に、表示領域内に静電気が進入すると、液晶表示装置としてでき上がった段階で表示欠陥が生じる。特に中小型機種においては高精細化が進むにつれて今まで以上に静電気不良が発生しやすくなっている。静電気は、製造工程においても、パネルを搬送する際にも、他のものと接触するだけで発生してしまう。また、配向膜のラビング時には摩擦により最も静電気が発生しやすい。したがって、液晶表示装置の製造技術分野では、静電気による表示欠陥が生じないようにすることが要求されている。 In general, liquid crystal display devices are characterized by thinness, light weight, and low power consumption. In particular, active matrix liquid crystal display devices using thin film transistors (TFTs) as switching elements are used in mobile phones and portable terminals for large televisions. Widely used. However, in the liquid crystal display device, when static electricity enters the display area during the manufacturing process or during use, a display defect occurs when the liquid crystal display device is completed. Especially in small and medium-sized models, static electricity defects are more likely to occur as the resolution becomes higher. Static electricity is generated only by contact with other objects in the manufacturing process and when the panel is transported. Further, when the alignment film is rubbed, static electricity is most likely to occur due to friction. Therefore, in the manufacturing technical field of liquid crystal display devices, it is required to prevent display defects due to static electricity.
このような静電気による画素欠陥の発生を防止するために、下記特許文献1には、表示
領域の周辺部にダミー画素を形成し、このダミー画素内に静電気保護用の複数個の微小な
ダミー画素電極とスイッチング素子を形成した液晶表示装置の発明が開示されている。こ
こで、下記特許文献1に開示されている液晶表示装置のダミー画素部分の構成を図8〜図
10を用いて説明する。
In order to prevent the occurrence of such pixel defects due to static electricity, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-151867 discloses that dummy pixels are formed in the periphery of the display area, and a plurality of minute dummy pixels for electrostatic protection are formed in the dummy pixels. An invention of a liquid crystal display device in which an electrode and a switching element are formed is disclosed. Here, the configuration of the dummy pixel portion of the liquid crystal display device disclosed in
図8は下記特許文献1に開示されているアレイ基板のダミー画素領域の拡大平面図であ
る。図9は図8のIX部分の拡大平面図である。図10は図9のX−X線の断面図である。
FIG. 8 is an enlarged plan view of the dummy pixel region of the array substrate disclosed in
従来例の液晶表示装置50は、半透過型液晶表示装置であり、第1の透光性基板51上
にゲート絶縁膜を挟んでマトリクス状に設けられた複数の走査線及び信号線が設けられて
いる。なお、図8には走査線としては走査線Xn−2、Xn−1、Xn、Xn+1、Xn
+2の部分のみ、信号線としてはY1、Y2・・・Ymの部分のみが示されている。この
うち、複数の走査線X1、X2・・・Xn及び信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた領
域が表示領域であり、複数の走査線Xn、Xn+1、Xn+2及び信号線Y1、Y2・・
・Ymで囲まれた領域が非表示領域となっている。
The liquid
Only the portion of +2, and only the portions of Y1, Y2,... Ym are shown as signal lines. Among these, the area surrounded by the plurality of scanning lines X1, X2... Xn and the signal lines Y1, Y2... Ym is a display area, and the plurality of scanning lines Xn, Xn + 1, Xn + 2 and the signal lines Y1, Y2 are.・ ・
The area surrounded by Ym is a non-display area.
この表示領域においては、各走査線及び信号線で囲まれた領域毎に、表示に寄与する画
素電極52及び反射板65が設けられている。また、TFT54においては、そのソース
電極Sは信号線Y1、Y2・・・Ymに接続され、ゲート電極Gは走査線X1、X2・・
・Xnに接続され、さらに、ドレイン電極Dはコンタクトホール(図示せず)を介して画
素電極52及び反射板65に電気的に接続されている。また、ドレイン電極Dの下部には
補助容量電極53が設けられている。このような構成の液晶表示装置50の動作原理は、
既に周知のものであるので、その詳細な説明は省略する。
In this display area, a
The drain electrode D is electrically connected to the
Since it is already known, its detailed description is omitted.
一方、液晶表示装置50の表示領域の周囲には、走査線Xn、Xn+1、Xn+2及び
信号線Y1、Y2・・・Ymで囲まれた非表示領域が形成され、この非表示領域には、T
FT66及び表示に寄与しないダミー画素電極67を有するダミー画素がそれぞれの信号
線Y1、Y2・・・Ym毎に複数個設けられている。このダミー画素のTFT66のソー
ス電極Sは、各信号線Y1、Y2・・・Ym毎に並列に接続され、ゲート電極Gは各走査
線Xn+1、Xn+2毎に並列に接続され、更にドレイン電極Dは、図10に示すように
、コンタクトホール68を介して層間膜69上に設けられたダミー画素電極67に接続さ
れている。そして、このダミー画素のTFT66は、表示に寄与する画素電極52に接続
されているTFT64のチャネル幅及びチャネル長よりも小さくなっており、それによっ
て表示に寄与する画素電極52に接続されているTFT54よりも優先的に静電破壊され
るようになっている。
On the other hand, a non-display area surrounded by scanning lines Xn, Xn + 1, Xn + 2 and signal lines Y1, Y2,... Ym is formed around the display area of the liquid
A plurality of dummy pixels each having an
ダミー画素電極67の面積は、表示領域における1画素分の表示に寄与する画素電極5
2及び反射板65の面積を合わせたものよりも小さくされている。なお、図8及び図9に
おいては、ダミー画素電極67のそれぞれの面積を表示領域における1画素分の表示に寄
与する画素電極52及び反射板65の面積の1/10とし、走査線XnとXn+1の間及
びXn+1及びXn+2の間にそれぞれ10個づつ、計20個設けたものが示されている
。
The area of the
2 and the area of the reflecting
このような構成の液晶表示装置50においては、信号線用入力端子62から静電気が進入すると、信号線用入力端子62に最も近いダミー画素領域のTFT661が静電破壊を起こして静電気を放電する。その後、再度信号線用入力端子62から静電気が進入すると、最初に静電破壊を起こしたダミー画素領域のTFT661の隣りのTFT662が静電破壊することにより静電気を放電する。そのため、この液晶表示装置50の製造工程時においては、表示領域の薄膜トランジスタ54が破壊されるような静電気進入は20回まで許容できることになるから、実質的に表示欠陥が生じることがない半透過型液晶表示装置50が得られるというものである。
しかしながら、上記特許文献1に開示されている液晶表示装置50に示されているダミ
ー画素は、平面視で表示領域の上下側の非表示領域に形成されているものである。そのた
め、平面視で表示領域の上下側の非表示領域では、1画素分の領域内に複数個のダミー画
素が形成されているので、信号線側からの複数回の静電気進入に対処することができる。
しかしながら、平面視で表示領域の左右側の非表示領域においては、1画素分の領域内に
複数個のダミー画素を形成し難いので、走査線側からの複数回の静電気進入に対処できる
ようにするためには、平面視で表示領域の左右の両側において外側に向かって複数のダミ
ー画素を形成する必要がある。そのため、平面視で表示領域の左右側の非表示領域の幅を
狭くすることは困難となる。加えて、上記特許文献1に開示されている液晶表示装置50
に示されているダミー画素は、TFT66とダミー画素電極67とを備えているために構
成が複雑となっている。
However, the dummy pixels shown in the liquid
However, in the non-display area on the left and right sides of the display area in a plan view, it is difficult to form a plurality of dummy pixels in the area for one pixel, so that it is possible to cope with a plurality of electrostatic intrusions from the scanning line side. In order to do this, it is necessary to form a plurality of dummy pixels outward on both the left and right sides of the display area in plan view. Therefore, it is difficult to reduce the width of the non-display area on the left and right sides of the display area in plan view. In addition, the liquid
The dummy pixel shown in FIG. 1 has a complicated structure because it includes the
本発明は、上述の従来技術の問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、全ての非表示領域においても1画素分の領域内に簡単な構成の静電保護素子を複数個形成することができ、しかも、非表示領域の幅を増加させることなく、多数回の静電気進入に対処できる液晶表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art. That is, according to the present invention, it is possible to form a plurality of electrostatic protection elements having a simple configuration in the area corresponding to one pixel in all the non-display areas, and without increasing the width of the non-display area. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can cope with a large number of static electricity ingresses .
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板を有し、前記第1基板の液晶層側には、マトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、表示領域の前記各走査線及び信号線の交差部近傍に配置された薄膜トランジスタと、前記表示領域の前記各走査線及び信号線で囲まれた画素領域毎にそれぞれ配置されているとともに前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、前記表示領域の周囲に非表示領域が形成された液晶表示装置において、前記非表示領域でマトリクス状に配置された前記各走査線及び信号線により囲まれた1画素毎の領域内には、前記走査線又は信号線に屈曲部が形成され、前記屈曲部に沿って複数の薄膜トランジスタが形成され、前記1画素の領域内に形成された前記複数の薄膜トランジスタは互いに並列に接続されて前記薄膜トランジスタのドレイン電極はコモン電位に接続されている。 In order to achieve the above object, a liquid crystal display device of the present invention has a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and the liquid crystal layer side of the first substrate has a matrix shape. A plurality of scanning lines and signal lines arranged, a thin film transistor arranged in the vicinity of the intersection of each scanning line and signal line in the display area, and a pixel area surrounded by each scanning line and signal line in the display area In a liquid crystal display device in which a pixel electrode electrically arranged to each of the thin film transistors and a non-display area is formed around the display area, the liquid crystal display device is arranged in a matrix in the non-display area . wherein the area of each pixel is surrounded by the scanning lines and the signal lines, the bent portion is formed on the scanning line or the signal line, the plurality of thin film transistors along the bent portion is formed, the pixel Wherein the plurality of thin film transistors formed on the region drain electrodes of the thin film transistor is connected in parallel with each other is that is connected to a common potential.
本発明の液晶表示装置は、表示領域の周囲の非表示領域に静電保護素子としての薄膜トランジスタが複数個形成されている。すなわち、本発明の液晶表示装置は、平面視で表示領域の列方向の両端側に位置する非表示領域にも、平面視で表示領域の行方向の両端側に位置する非表示領域にも複数の薄膜トランジスタが形成され、複数の薄膜トランジスタは互いに並列に接続され、薄膜トランジスタのドレイン電極はコモン電位に接続されている。なお、非表示領域にダミー画素電極を形成してもよく、このダミー画素電極を、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのドレイン電極と接続し、薄膜トランジスタのドレイン電極をコモン電位に接続するために利用してもよい。 In the liquid crystal display device of the present invention, a plurality of thin film transistors as electrostatic protection elements are formed in a non-display area around the display area. That is, the liquid crystal display device of the present invention includes a plurality of non-display areas located on both ends in the column direction of the display area in a plan view and non-display areas located on both ends in the row direction of the display area in a plan view. of the thin film transistor is formed, a thin film transistor of the multiple is connected in parallel with each other, the drain electrodes of the thin film transistor is connected to a common potential. Incidentally, may form a dummy pixel electrode in the non-display area, connecting the dummy pixel electrode, connected to the drain electrode of the thin film transistor through a contact hole formed in the insulating layer, the drain electrode of the thin film transistor to the common potential May be used to
しかも、本発明の液晶表示装置においては、走査線又は信号線に屈曲部が形成されているので、非表示領域内に位置している走査線ないし信号線の長さは長くなっている。そのため、薄膜トランジスタの占める面積は1画素分の面積に比すると小さいから、非表示領域内に多くの薄膜トランジスタを形成することができる。 In addition, in the liquid crystal display device of the present invention, since the scanning line or the signal line is formed with a bent portion, the length of the scanning line or the signal line positioned in the non-display area is long. Therefore, since the area occupied by the thin film transistors is smaller than the area for one pixel, many thin film transistors can be formed in the non-display region.
加えて、複数個の薄膜トランジスタは、走査線ないし信号線に接続されているために、走査線ないし信号線に沿って並んで形成されていることになる。しかも、複数個の薄膜トランジスタのドレイン電極はコモン電位に接続されているから、走査線ないし信号線に静電気が進入した場合、静電気の進入箇所に近い薄膜トランジスタから順に静電破壊され、この静電気はコモン電位に流れて放電されるので、液晶表示装置の表示領域を有効に保護することができる。しかも、静電気の進入は、複数個の薄膜トランジスタの全てが静電破壊されるまで許容されるので、薄膜トランジスタの数を多くすることにより実質的に表示欠陥が生じることがない液晶表示装置が得られる。 In addition, since the plurality of thin film transistors are connected to the scanning lines or signal lines, they are formed side by side along the scanning lines or signal lines. Moreover, since the drain electrodes of the plurality of thin film transistors are connected to a common potential, when static electricity to the scan line or signal line enters, the electrostatic breakdown from TFT near the entry point of the static electricity in order, the static electricity is common Since the electric potential is discharged to discharge, the display area of the liquid crystal display device can be effectively protected. In addition, since the entrance of static electricity is allowed until all of the plurality of thin film transistors are electrostatically destroyed, a liquid crystal display device can be obtained in which display defects are not substantially caused by increasing the number of thin film transistors .
なお、本発明は、TN(Twisted Nematic)モード、VA(Vertical Alignment)モード、ECB(Electrically Controlled Birefringence)モード等の縦電界方式の液晶表示装置だけでなく、IPS(In-Plane Switching)モードや、FFS(Fringe Field Switching)モード等の横電界方式の液晶表示装置に対しても適用可能である。また、本願発明で使用できるスイッチング素子としては、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)以外にも、薄膜ダイオード(Thin Film Diode)、MIM(Metal Insulator Metal)素子等を使用し得る。 The present invention is not limited to a vertical electric field liquid crystal display device such as a TN (Twisted Nematic) mode, a VA (Vertical Alignment) mode, and an ECB (Electrically Controlled Birefringence) mode, but also an IPS (In-Plane Switching) mode, The present invention can also be applied to a horizontal electric field type liquid crystal display device such as an FFS (Fringe Field Switching) mode. Further, as a switching element which can be used in the present invention, a thin film transistor (TFT: Thin Film Transistor) Besides, the thin-film diode (Thin Film Diode), may be used a MIM (Metal Insulator Metal) element or the like.
本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域に形成された薄膜トランジスタは、前記画素領域に形成された薄膜トランジスタと略同一の大きさであることが好ましい。 In the liquid crystal display device of the present invention, it is preferable that the thin film transistor formed in the non-display region has substantially the same size as the thin film transistor formed in the pixel region.
非表示領域に形成された薄膜トランジスタが画素領域に形成された薄膜トランジスタと略同一の大きさであれば、特に非表示領域の薄膜トランジスタ形成用のマスク等を起こす必要がなくなり、しかも、液晶表示装置の薄膜トランジスタの形成時に同時に形成できる。そのため、本発明の液晶表示装置は、非表示領域に複数個の薄膜トランジスタを備えながらも、簡単に製造できるようになる。なお、本発明における「略同一の大きさ」とは、必ずしも同一の大きさでなくてもよいが、同一の大きさであることが好ましいという意味で用いられている。 If the thin film transistor formed in the non-display region is approximately the same size as the thin film transistor formed in the pixel region, it is not particularly necessary to cause a mask for forming the thin film transistor in the non-display region, and the thin film transistor of the liquid crystal display device It can be formed at the same time as forming. Therefore, the liquid crystal display device of the present invention can be easily manufactured even though it includes a plurality of thin film transistors in the non-display area. The “substantially the same size” in the present invention is not necessarily the same size, but is used in the sense that the same size is preferable.
また、本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域には、前記走査線に屈曲部が
形成され、前記信号線は前記走査線の屈曲部の外周囲に沿って延びる分岐信号線が形成さ
れていることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, a bent portion is formed in the scanning line in the non-display region, and a branch signal line extending along an outer periphery of the bent portion of the scanning line is formed in the signal line. It is preferable that
本発明の液晶表示装置は、非表示領域内の走査線の長さを長くすることができるので、非表示領域の行方向の幅に拘わらず、非表示領域内に容易に複数個の薄膜トランジスタを形成することができる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、特に平面視で表示領域の左右側の非表示領域の幅を広くしなくても複数個の薄膜トランジスタを走査線に沿って形成できるので、平面視で表示領域の左右側の非表示領域の幅が狭くても液晶表示装置の表示領域を有効に保護することができるようになる。走査線の屈曲形態としては、通常は表示領域の画素の形状が走査線側が短辺の矩形状に形成されているため、平面視で表示領域の左右側の非表示領域内で凸状ないし凹状に屈曲していることが好ましい。表示領域の画素の形状が横長の矩形状であれば、走査線は平面視で表示領域の左右側の非表示領域内で「コ」字状にジグザグに屈曲していることが好ましい。何れの場合においても、走査線を屈曲させる場合、信号線は走査線の屈曲部の外周囲に沿って延びる分岐信号線を形成すればよい。 In the liquid crystal display device of the present invention, since the length of the scanning line in the non-display area can be increased, a plurality of thin film transistors can be easily formed in the non-display area regardless of the width in the row direction of the non-display area. Can be formed. Therefore, according to the liquid crystal display device of the present invention, a plurality of thin film transistors can be formed along the scanning line without widening the width of the non-display area on the left and right sides of the display area in plan view. Even if the width of the non-display area on the left and right sides of the display area is narrow, the display area of the liquid crystal display device can be effectively protected. As a scanning line bending mode, the shape of the pixel in the display area is usually formed in a rectangular shape with a short side on the scanning line side, so that it is convex or concave in the non-display area on the left and right sides of the display area in plan view. Are preferably bent. If a rectangular shape is oblong pixels in the display area, scan lines are preferably bent in zigzag in the "U" shape in the non-display area of the left and right side of the display region in plan view. In any case, when the scanning line is bent, the signal line may be formed as a branched signal line extending along the outer periphery of the bent portion of the scanning line.
また、本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域には、前記信号線に屈曲部が
形成され、前記走査線は前記信号線の屈曲部に交差するように延びる分岐走査線が形成さ
れていることが好ましい。
In the liquid crystal display device of the present invention, a bent portion is formed in the signal line in the non-display region, and a branch scanning line is formed so that the scanning line extends to intersect the bent portion of the signal line. It is preferable.
本発明の液晶表示装置は、非表示領域内の信号線の長さを長くすることができるので、従来例のように平面視で表示領域の上下側の非表示領域の走査線間距離を狭くしなくても、複数個の薄膜トランジスタを信号線に沿って形成できるようになる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、特に平面視で表示領域の上下側の非表示領域の幅を大きくしなくても、多くの薄膜トランジスタを形成できるので、液晶表示装置の表示領域を有効に保護することができるようになる。なお、信号線の屈曲形態としては、通常は表示領域の画素の形状が信号線側が長辺の矩形状に形成されているため、平面視で表示領域の上下側の非表示領域内で「コ」字状にジグザグに屈曲させることが好ましい。表示領域の画素の形状が横長の矩形状の場合には、信号線は平面視で表示領域の上下側の非表示領域内で凸状ないし凹状に屈曲していることが望ましい。何れの場合においても、走査線は信号線の屈曲部に交差するように枝状に延びているものとすればよい。 Since the liquid crystal display device of the present invention can increase the length of the signal line in the non-display area, the distance between the scanning lines of the non-display area on the upper and lower sides of the display area is reduced in plan view as in the conventional example. Even if not, a plurality of thin film transistors can be formed along the signal line. Therefore, according to the liquid crystal display device of the present invention, a large number of thin film transistors can be formed without increasing the width of the non-display region on the upper and lower sides of the display region in plan view. To be able to protect. Note that the signal line is bent in a non-display area on the upper and lower sides of the display area in a plan view since the pixel shape of the display area is usually formed in a rectangular shape with a long side on the signal line side. It is preferable to bend in a zigzag shape. When the shape of the pixel in the display area is a horizontally long rectangular shape, it is desirable that the signal line bends in a convex or concave shape in a non-display area on the upper and lower sides of the display area in plan view. In any case, the scanning line may extend in a branch shape so as to intersect the bent portion of the signal line.
また、本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域に形成されているTFTは、それぞれソース電極が前記信号線に接続され、ゲート電極が前記走査線に接続され、ドレイン電極が前記コモン電位に接続されていることが好ましい。 In the liquid crystal display device of the present invention, TFT that is formed before Symbol non-display region is connected to the source electrode, each said signal line is connected with the gate electrode to the scanning line, the drain electrode and the common It is preferably connected to a potential.
TFTは液晶表示装置のスイッチング素子として汎用的に使用されているものである。
そのため、本発明の液晶表示装置によれば、表示領域のスイッチング素子及び非表示領域
のスイッチング素子とともにTFTからなるものとしたので、これらのスイッチング素子
を同時にかつ容易に製造することができるようになる。
The TFT is generally used as a switching element of a liquid crystal display device.
Therefore, according to the liquid crystal display device of the present invention, the switching elements in the display area and the switching elements in the non-display area are made of TFTs, so that these switching elements can be manufactured simultaneously and easily. .
更に、本発明の液晶表示装置においては、前記非表示領域に形成されているTFTは、
前記表示領域に形成されているTFTのチャネル幅及びチャネル長よりも小さくなってい
ることが好ましい。
Furthermore, in the liquid crystal display device of the present invention, the TFT formed in the non-display area is
It is preferable that the channel width and channel length of the TFT formed in the display region are smaller.
非表示領域に形成されているTFTのチャネル幅及びチャネル長が表示領域に形成されているTFTよりも小さくなっていると、より静電破壊され易くなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、外部から静電気が進入しても確実に非表示領域に形成されているTFTが先に静電破壊されるので、静電気が表示領域内に進入し難くなり、液晶表示装置の表示領域を有効に保護することができるようになる。 If the channel width and channel length of the TFT formed in the non-display area are smaller than those of the TFT formed in the display area, electrostatic breakdown is more likely to occur. Therefore, according to the liquid crystal display device of the present invention, even if static electricity enters from the outside, the TFT formed in the non-display area surely breaks down first, so that static electricity does not easily enter the display area. Thus, the display area of the liquid crystal display device can be effectively protected.
以下、実施形態及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明するが、
以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものでは
なく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行った
ものにも均しく適用し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられ
た各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されて
いるものではない。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the embodiment and the drawings.
The embodiments described below are not intended to limit the present invention to those described herein, and the present invention has been variously modified without departing from the technical idea shown in the claims. It can be applied equally. In each drawing used for the description in this specification, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member can be recognized on the drawing. However, it is not necessarily displayed in proportion to the actual dimensions.
図1は実施形態の液晶パネルのアレイ基板を示す模式平面図である。図2は図1のII部
分の拡大平面図である。図3は図2の表示領域の1サブ画素分の拡大平面図である。図4
は図3のIV−IV線の断面図である。図5は図2の表示領域の左右側の非表示領域の1画素
分の領域の拡大平面図である。図6は図5のVI−VI線の断面図である。図7は変形例の表
示領域の左右側の非表示領域の1画素分の領域の拡大平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an array substrate of the liquid crystal panel of the embodiment. FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion II in FIG. FIG. 3 is an enlarged plan view of one sub pixel in the display area of FIG. FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. FIG. 5 is an enlarged plan view of an area corresponding to one pixel in the non-display area on the left and right sides of the display area in FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG. FIG. 7 is an enlarged plan view of an area corresponding to one pixel of the non-display area on the left and right sides of the display area of the modification.
[実施形態]
実施形態にかかる液晶パネル10を図1〜図6を用いて説明する。実施形態にかかる液
晶パネル10は、図4に示すように、液晶層LCをアレイ基板AR及びカラーフィルタ基
板CFとの間に挟持している。液晶層LCの厚みは図示しない柱状スペーサによって均一
に維持される。また、アレイ基板ARの背面及びカラーフィルタ基板CFの前面にはそれ
ぞれ偏光板(図示省略)が形成されている。そして、アレイ基板ARの背面側からバック
ライト(図示省略)により光が照射されている。
[Embodiment]
A
アレイ基板ARは、図1に示すように、各種の画像が表示される表示領域DAと、その
周辺である非表示領域NDとを備えており、この非表示領域NDの一つの端部側にドライ
バICを載置するための第1端子部Drと、外部接続用の第2端子部Tpとが形成されて
いる。そして、非表示領域NDには、表示領域DAの走査線を第1端子部Drへ引き回す
走査線引き回し配線GL及び信号線を第1端子部Drへと引き回す信号線引き回し配線S
Lを備えている。また、非表示領域NDには、補助容量線13(図3及び図4参照)を第
1端子部Drへと引き回すためのコモン配線COMも形成されている。
As shown in FIG. 1, the array substrate AR includes a display area DA on which various images are displayed and a non-display area ND that is a periphery of the display area DA, and one end side of the non-display area ND. A first terminal portion Dr for mounting the driver IC and a second terminal portion Tp for external connection are formed. In the non-display area ND, the scanning line routing wiring GL for routing the scanning line of the display area DA to the first terminal portion Dr and the signal line routing wiring S for routing the signal line to the first terminal portion Dr.
L is provided. In the non-display area ND, a common wiring line COM for routing the auxiliary capacitance line 13 (see FIGS. 3 and 4) to the first terminal portion Dr is also formed.
このうち、表示領域の上下側の非表示領域には信号線引き回し配線SL側から進入して
きた静電気に対する静電保護手段が形成され、表示領域の左右側の非表示領域には走査線
引き回し配線GL側から進入してきた静電気に対する静電保護手段が形成されている。ま
た、表示領域の上下側の非表示領域と左右側の非表示領域と間の角部は、信号線引き回し
配線SL及び走査線引き回し配線GLの両者側から進入してきた静電気に対する静電保護
手段が形成されている。なお、これらの静電保護手段の詳細な構成については後述するが
、本発明においては、全ての1画素分の領域内の静電気保護手段の構成を同一とすること
ができるので、以下においては、一つの1画素分の領域内の静電気保護手段について説明
することとする。
Among these, electrostatic protection means against static electricity that has entered from the signal line routing wiring SL side is formed in the non-display areas on the upper and lower sides of the display area, and the scanning line routing wiring GL is formed in the non-display areas on the left and right sides of the display area. An electrostatic protection means against static electricity entering from the side is formed. In addition, the corners between the upper and lower non-display areas and the left and right non-display areas of the display area are provided with electrostatic protection means against static electricity that has entered from both sides of the signal line routing line SL and the scanning line routing line GL. Is formed. Although the detailed configuration of these electrostatic protection means will be described later, in the present invention, the configuration of the electrostatic protection means in all the areas for one pixel can be made the same. The electrostatic protection means in one pixel area will be described.
まず、アレイ基板ARの構成について製造工程順に説明する。アレイ基板ARは、図3
及び図4に示すように、ガラスや石英、プラスチック等からなる第1基板11の液晶LC
側に、アルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不透明な金属からなる複数
の走査線12と、この走査線12間に平行に形成された補助容量線(幅が広くなっている
補助容量電極として作用する部分も含む)13と、非表示領域NDに形成されたコモン配
線COMを有している。このうち、走査線12及び補助容量線(幅が広くなっている補助
容量電極として作用する部分も含む)13は、表示領域DAだけでなく非表示領域NDに
も形成される。
First, the configuration of the array substrate AR will be described in the order of the manufacturing process. The array substrate AR is shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the liquid crystal LC of the
On the side, a plurality of
この実施形態の液晶表示装置10では、開口率を大きくするため、補助容量線13は、
走査線12側に沿って形成されている。また、この走査線12等の形成時に、非表示領域
NDの走査線引き回し配線GL部分には第1端子部Drに向かって伸びる複数のゲート配
線が形成され、信号線引き回し配線においても同じく第1端子部Drに向かって伸びる複
数のゲート配線が形成される(図示省略)。
In the liquid
It is formed along the
なお、非表示領域NDにおいては、図2及び図5に示すように、1画素分の領域の形状
が、表示領域DAの1画素分の領域の場合と同様に、走査線12側が短辺となる矩形状を
しているため、走査線12は凸状に屈曲した形状に折れ曲げられている。これらの走査線
12、補助容量線13、ゲート配線及びコモン配線COMは、第1基板11の表面全体に
亘ってアルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不透明な金属層を形成した
後、スピンコーティング法によってレジストを塗布し、所定のパターンとなるように露光
及び現像処理を行った後、不要部分をエッチングすることにより作製される。なお、非表
示領域NDの1画素分の領域内の補助容量線13は、中央部にベタ状に形成されており、
非表示領域NDの1画素分の領域内の走査線12とは、別途絶縁膜を介して走査線12の
表面を迂回され、表示領域DAの補助容量線13と電気的に接続されている。その後、走
査線12、ゲート配線、補助容量線13及び第1基板11の露出面を覆って、酸化ケイ素
ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜14が形成される。
In the non-display area ND, as shown in FIGS. 2 and 5, the shape of the area for one pixel is the short side on the
The
次いで、ゲート絶縁膜14上に、例えばアモルファスシリコンからなる半導体層15が
形成される。この半導体層15も、ゲート絶縁膜14の表面全体に亘ってアモルファスシ
リコン層を形成した後、スピンコーティング法によってレジストを塗布し、所定のパター
ンとなるように露光及び現像処理を行った後、不要部分をエッチングすることにより作製
される。この半導体層15は、表示領域DAだけでなく非表示領域ND内のスイッチング
素子形成予定部分にも形成される。
Next, a
次いで、非表示領域ND内のTFTのドレイン電極形成予定部分と補助容量線13とが
対向する部分のゲート絶縁膜14に第1のコンタクトホール19'を形成する。その後、
半導体層15に一部乗り上げるようにして、ソース電極Sと、ドレイン電極Dとが形成さ
れる。この実施形態の液晶表示装置10では、表示領域DAにおいては、半導体層15は
ゲート絶縁膜14を介して走査線12の幅が部分的に広くされた箇所と対向配置されてお
り、この走査線12と平面視で重畳する部分がTFTのゲート電極Gを構成している。ソ
ース電極Sは信号線16から分岐した部分からなる。信号線16及びドレイン電極Dは、
それぞれアルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不透明な金属で形成され
、表示領域DAだけでなく非表示領域ND内にも形成される。そのため、非表示領域ND
の1画素分の領域内に形成されたドレイン電極D部分は、コンタクトホール19'を経て
、全て補助容量線13と電気的に接続された状態となる。
Next, a
A source electrode S and a drain electrode D are formed so as to partially run over the
Each is formed of an opaque metal such as an aluminum metal, an aluminum alloy, or molybdenum, and is formed not only in the display area DA but also in the non-display area ND. Therefore, the non-display area ND
The portion of the drain electrode D formed in the region corresponding to one pixel is electrically connected to the
また、信号線16からは一部が枝状に分岐された分岐信号線16'が形成され、この分
岐信号線16'は折り曲げられた走査線12の周囲に沿って延在されている。更に、信号
線16及びドレイン電極Dの形成時に、非表示領域NDの走査線引き回し配線GLには第
1端子部Drに向かって伸びる複数のソース配線が形成されると共に、信号線引き回し配
線SLにも同じく第1端子部Drに向かって延びるソース配線が形成される(図示省略)
。なお、本発明におけるゲート配線及びソース配線は、必ずしも液晶パネルの走査線12
ないし信号線16に接続されている配線を意味するものではなく、走査線12と同時に形
成された配線をゲート配線といい、信号線16と同時に形成された配線をソース配線とい
う。したがって、上記実施形態の液晶表示装置10では、ゲート絶縁膜14の下にある配
線部分がゲート配線となり、ゲート絶縁膜14の上にある配線部分がソース配線となり、
平面視では両者間に区別はない。
Further, a
. Note that the gate wiring and the source wiring in the present invention are not necessarily the
It does not mean a wiring connected to the
There is no distinction between the two in plan view.
そして、半導体層15、ソース電極S、ドレイン電極D、信号線16、ソース配線等及
びゲート絶縁膜14の露出部を覆うように、表示領域DA及び非表示領域ND共に、酸化
ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜からなるパッシベーション膜17が形成される。
更に、表示領域DAにおいては、パッシベーション膜17を覆って樹脂材料からなる層間
膜18が形成される。層間膜18としては、透明性が良好で、電気絶縁性に優れた感光性
レジスト材料を適宜選択して使用し得る。この層間膜18は、パッシベーション膜17の
表面にスピンコーティング法によってレジストを塗布し、所定のパターンとなるように露
光及び現像処理を行った後、不要部分をエッチングすることにより作製される。
Then, both the display area DA and the non-display area ND are covered with silicon oxide or silicon nitride so as to cover the
Further, in the display area DA, an
次いで、パッシベーション膜17及び層間膜18を貫通してドレイン電極Dに達するよ
うに第2のコンタクトホール19が形成される。更に、層間膜18を覆うように、表示領
域DAの画素領域毎にITO、IZO等の透明導電材料からなる画素電極20が形成され
る。この画素電極20は、第2のコンタクトホール19を経てドレイン電極Dと電気的に
接続されている。更に、画素電極20の表面を覆うように配向膜(図示省略)が形成され
て、実施形態の液晶表示装置10におけるアレイ基板ARが得られる。
Next, a
次にカラーフィルタ基板CFについて説明する。カラーフィルタ基板CFは、ガラスや
石英、プラスチック等からなる第2基板21を有している。この第2基板21には、サブ
画素毎に異なる色の光(R、G、Bあるいは無色)を透過するカラーフィルタ層22と遮
光層23が形成されている。カラーフィルタ層22と遮光層23を覆うようにしてトップ
コート層24が形成されており、トップコート層24を覆うようにしてITOないしIZ
Oからなる共通電極25が形成されている。そして、共通電極25の表面には配向膜(図
示せず)が形成されて、実施形態の液晶表示装置10のカラーフィルタ基板が完成される
。
Next, the color filter substrate CF will be described. The color filter substrate CF has a
A
そして、上述のように形成されたアレイ基板ARとカラーフィルタ基板CFと対向配置
させ、周縁部をシール材(図示せず)によってシールし、液晶LCをアレイ基板ARとカ
ラーフィルタ基板CFの間に形成された密封エリア内に封止することにより実施形態の液
晶パネル10が得られる。
Then, the array substrate AR and the color filter substrate CF formed as described above are arranged to face each other, the peripheral portion is sealed with a sealing material (not shown), and the liquid crystal LC is interposed between the array substrate AR and the color filter substrate CF. By sealing in the formed sealing area, the
次に表示領域DAの周囲に形成されている非表示領域NDの1画素分の領域の構成につ
いて説明する。本実施形態の液晶表示装置10では、非表示領域NDは、表示領域DAの
上下側、表示領域DAの左右側及び表示領域DAの上下側と左右側の角部に形成されるが
、それぞれの1画素分の領域は全て同じ大きさ及び形状とされている。
Next, the configuration of an area for one pixel of the non-display area ND formed around the display area DA will be described. In the liquid
そして、実施形態の液晶表示装置10においては、非表示領域NDの1画素分の領域内で、走査線12は隣接する走査線12に沿うように細長く凸状となるように折り曲げられている。そして、信号線16からは分岐信号線16'が折り曲げられた走査線12の周囲に沿って、隣接する信号線16との間を占めるように延在されている。折り曲げられた走査線12上にはゲート絶縁膜14を介して複数個、ここでは12個の半導体層15が形成されており、この半導体層15に部分的に重なるようにして信号線16及び分岐信号線16'側にソース電極Sが、中央側にドレイン電極Dが形成されている。非表示領域NDの1画素分の領域内の補助容量線13は、中央部にベタ状に形成されており、ドレイン電極Dはゲート絶縁膜14に形成された第1のコンタクトホール19'を経て補助容量線13と電気的に接続されている。なお、この非表示領域NDの1画素分の領域内の補助容量線13は、凸状となるように折り曲げられた走査線12とは別途絶縁膜を介して走査線12の表面を迂回され、表示領域DAの補助容量線13と電気的に接続されている。
Then, in the liquid
すなわち、実施形態の液晶表示装置10においては、非表示領域NDの1画素分の領域
内に複数個、ここでは6×2=12個の静電保護素子としてのTFT(以下、「保護TF
T」という。)30が形成されている。これらの保護TFT30は、表示領域DAに形成
されているTFTと同時に形成し易くするためにサイズは表示領域DAに形成されている
TFTと実質的に同一とされているが、チャネル幅及びチャネル長は表示領域DAに形成
されているTFTのものよりも小さくされている。そのため、保護TFT30は、表示領
域DAに形成されているTFTよりも静電的に弱くなるので、表示領域DAに形成されて
いるTFTよりも先に静電破壊される。
That is, in the liquid
T ". ) 30 is formed. These
図2、図5及び図6の記載から明らかなように、それぞれの非表示領域NDの1画素分の領域内において、保護TFT30のゲート電極Gは同一の走査線12上に形成され、ソース電極Sは同一の信号線16ないし分岐信号線16'に電気的に接続され、更にドレイン電極Dも同一の非表示領域NDの1画素分の領域内に形成されている補助容量線13に電気的に接続されている。すなわち、それぞれの非表示領域NDの1画素分の領域内において、複数個の保護TFT30は互いに並列接続されている。
As apparent from the description of FIGS. 2, 5, and 6, the gate electrode G of the
このような構成の保護TFT30によれば、例えば、第1端子部Drないし第2端子部
Tpから信号線引き回し配線SL(図1参照)を経て信号線16に沿って静電気が進入し
た場合、最初に最も第1端子部Drないし第2端子部Tpに近い位置の信号線16ないし
分岐信号線16'に接続されている保護TFT30が静電破壊され、静電気は、第1のコ
ンタクトホール19'、補助容量線13を経てコモン電位に流れて放電される。
According to the
同様に第1端子部Drないし第2端子部Tpから走査線線引き回し配線GLを経て走査
線12に沿って静電気が進入した場合においても、最初に最も第1端子部Drないし第2
端子部Tpに近い位置の走査線12に接続されている保護TFT30が静電破壊され、静
電気は、第1のコンタクトホール19'、補助容量線13を経てコモン電位に流れて放電
される。
Similarly, even when static electricity enters along the
The
そのため、本発明の液晶表示装置10によれば、信号線16側ないし走査線12側から
静電気が進入してきても、最も静電気が進入してきた側に近い保護TFTが静電破壊され
ることにより、他の保護TFT30及び表示領域DAのTFTは保護される。このような
保護動作は、表示領域DAに最も近い保護TFT30が静電破壊されるまで継続できるの
で、1走査線当たりないし1信号線当たりに接続されている保護TFT30の数を増加さ
せることにより、より多くの静電気進入に耐えることができるようになる。
Therefore, according to the liquid
[変更例]
上記実施形態の液晶表示装置10では、非表示領域NDの1画素分の領域内の走査線1
2の長さを長くするために走査線12を屈曲させた例を示したが、信号線16の長さを長
くするために信号線16を屈曲させることもできる。このような非表示領域NDの1画素
分の領域内の信号線16を屈曲させた変形例を図7を用いて説明する。
[Example of change]
In the liquid
Although an example in which the
図7に示した変形例の非表示領域NDの1画素分の領域では、信号線16は「コ」字状
にジグザグに折り曲げられている。そして、走査線12からは枝状に分岐された分岐走査
線12'が「コ」字状にジグザグに折り曲げられた信号線16を横切るように配置されて
いる。そして、分岐走査線12'上にこの分岐走査線12'をゲート電極Gとする保護TF
T30が複数個、ここでは8個形成されている。また、非表示領域NDの1画素分の領域
内の補助容量線は、図示省略したが、それぞれのドレイン電極Dの下部に配置されており
、分岐走査線12'を跨ぐ部分は別途絶縁膜を介して表示領域DAの補助容量線13と電
気的に接続されている。なお、この変形例の非表示領域NDの1画素分の領域内において
は、走査線12から分岐した分岐走査線12'の幅は、インピーダンスを下げて、全ての
保護TFT30が有効に作動するようになすため、可能な限り太くするとよい。
In the region corresponding to one pixel of the non-display region ND of the modification shown in FIG. 7, the
A plurality of T30s, here, eight are formed. Although the auxiliary capacitance line in the region of one pixel of the non-display area ND is not shown, it is disposed below each drain electrode D, and an insulating film is separately provided over the
なお、この変形例の非表示領域NDの1画素分の領域内においては、製造工数を増加さ
せないようにするためには補助容量線をベタ状に配置することができないので、上述のよ
うに、適宜ゲート配線及びソース配線を利用してそれぞれの保護TFT30のドレイン電
極Dを電気的に補助容量線に接続すればよい。更には、表示領域DAの画素電極20の場
合と同様に、非表示領域NDの1画素分の領域内に層間膜18及びダミー画素電極を形成
し、このダミー画素電極を表示領域外でコモン配線COMに接続すると共に、ダミー画素
電極を層間膜18及びパッシベーション膜17に形成したコンタクトホールを経て保護T
FT30のドレイン電極Dと電気的に接続してもよい。このような構成とすると特に非表
示領域NDの1画素分の領域内に補助容量線を形成しなくてもすむ。
In addition, in the region corresponding to one pixel of the non-display region ND of this modification, the auxiliary capacitance line cannot be arranged in a solid shape so as not to increase the number of manufacturing steps. What is necessary is just to electrically connect the drain electrode D of each
You may electrically connect with the drain electrode D of FT30. With such a configuration, it is not necessary to form a storage capacitor line in the area corresponding to one pixel in the non-display area ND.
なお、上記実施形態においては、表示領域DAの各画素の形状が縦長であるために、非
表示領域NDの1画素分の領域の形状も縦長である場合について説明した。しかしながら
、表示領域DAの画素の形状が横長の矩形状である場合、非表示領域NDの1画素分の領
域では、走査線を屈曲させるようにする場合は「コ」字状にジグザグに屈曲しているよう
にすれば良く、信号線を屈曲させるようにする場合は凸状ないし凹状に屈曲しているよう
にすればよい。また、上記実施形態においては、全ての1画素分の領域内の静電気保護手
段の構成を同一とした例について説明したが、表示領域DAの左右の非表示領域NDと上
下の表示領域NDとでそれぞれ異なる構成となしてもよい。
In the above-described embodiment, since the shape of each pixel in the display area DA is vertically long, the case where the shape of the area for one pixel in the non-display area ND is also vertically long has been described. However, when the shape of the pixel in the display area DA is a horizontally long rectangular shape, in the area corresponding to one pixel in the non-display area ND, when the scanning line is bent, it is bent in a zigzag shape. If the signal line is bent, it may be bent in a convex shape or a concave shape. In the above-described embodiment, an example in which the configuration of the electrostatic protection means in the region for all the pixels is the same has been described. However, in the left and right non-display regions ND and the upper and lower display regions ND of the display region DA. Each may have a different configuration.
また、上記実施形態においては、TNモードの縦電界方式の透過型液晶表示装置を例にとり説明したが、本発明はこれに限らず、他のモードの縦電界方式の液晶表示装置に対しても、或いは、横電界方式の液晶表示装置に対しても、更には反射部を有する液晶表示装置に対しても等しく適用可能である。特に、層間膜上に下電極及びスリットを有する上電極を備える構成のFFSモードの液晶表示装置においては、上電極又は下電極はコモン電位に接続されているので、上記変形例の構成を採用しても特に製造工数を増加させることなく簡単に保護TFT30のドレイン電極Dをコモン電位に接続することができるようになる。
In the above-described embodiment, the TN mode vertical electric field type transmissive liquid crystal display device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and other modes of vertical electric field type liquid crystal display devices are also described. Alternatively, the present invention can be equally applied to a liquid crystal display device of a horizontal electric field type and also to a liquid crystal display device having a reflection portion. In particular, in the FFS mode liquid crystal display device having a lower electrode and an upper electrode having a slit on the interlayer film, the upper electrode or the lower electrode is connected to a common potential, so the configuration of the above modification is adopted. However, the drain electrode D of the
10…液晶表示装置 11…第1基板 12…走査線 12'…分岐走査線 13…補助
容量線 14…ゲート絶縁膜 15…半導体層 16…信号線 16'…分岐信号線 1
7…パッシベーション膜 18…層間膜 19、19'…コンタクトホール 20…画素
電極 21…第2基板 22…カラーフィルタ層 23…遮光層 24…トップコート層
25…共通電極 30…保護TFT AR…アレイ基板 CF…カラーフィルタ基板
DA…表示領域 ND…非表示領域 COM…共通配線 GL…走査線引き回し配線 S
L…信号線引き回し配線
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF SYMBOLS 7 ...
DA: display area ND: non-display area COM: common wiring GL: scanning line routing wiring S
L ... Signal line routing
Claims (6)
前記非表示領域において、前記表示領域に設けられている前記走査線を仮想的に伸ばした線と前記信号線とで囲まれた領域内には、前記走査線又は信号線に屈曲部が形成され、前記屈曲部に沿って複数の薄膜トランジスタが形成され、前記領域内に形成された前記複数の薄膜トランジスタは互いに並列に接続されて前記薄膜トランジスタのドレイン電極はコモン電位に接続されている液晶表示装置。 A first substrate and a second substrate are disposed opposite to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. On the liquid crystal layer side of the first substrate, a plurality of scanning lines and signal lines arranged in a matrix, and a display region A thin film transistor disposed near the intersection of each scanning line and signal line and a pixel area surrounded by each scanning line and signal line in the display area and electrically connected to the thin film transistor In the liquid crystal display device in which a non-display area is formed around the pixel electrode and the display area,
In the non-display area , a bent portion is formed in the scanning line or the signal line in an area surrounded by a line obtained by virtually extending the scanning line provided in the display area and the signal line. along said bent portion a plurality of thin film transistors are formed, the drain electrode of the plurality of thin film transistors formed before Symbol territory region are connected in parallel to each other said thin film transistor liquid crystal display device which is connected to the common potential.
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