JP5455011B2 - LCD panel - Google Patents
LCD panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP5455011B2 JP5455011B2 JP2009065659A JP2009065659A JP5455011B2 JP 5455011 B2 JP5455011 B2 JP 5455011B2 JP 2009065659 A JP2009065659 A JP 2009065659A JP 2009065659 A JP2009065659 A JP 2009065659A JP 5455011 B2 JP5455011 B2 JP 5455011B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel electrode
- liquid crystal
- slit
- display panel
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明は、コモン配線と導通された共通電極と、複数のスリット状開口が形成された画
素電極とで液晶層に電界を印加するFFS(Fringe Field Switching)モードの液晶表示
パネルに関する。詳しくは、本発明は、コモン配線が共通電極の表面又は裏面に直接接触
するように形成されているとともに、このコモン配線が部分的に幅広に形成されているF
FSモードの液晶表示パネルに関する。
The present invention relates to an FFS (Fringe Field Switching) mode liquid crystal display panel in which an electric field is applied to a liquid crystal layer by a common electrode electrically connected to a common wiring and a pixel electrode having a plurality of slit-like openings. Specifically, in the present invention, the common wiring is formed so as to be in direct contact with the front surface or the back surface of the common electrode, and the common wiring is partially formed to be wide.
The present invention relates to an FS mode liquid crystal display panel.
液晶表示パネルとしては、表面にそれぞれ電極が形成された一対の透明基板で液晶層を
狭持する縦電界方式のものが広く知られている。この縦電界方式の液晶表示パネルは、一
方の透明基板に配置された画素電極と他方の透明基板に配置された共通電極に電圧を印加
することによって液晶層に電界を発生させ、これにより液晶が再配列される特性を利用し
て種々の情報を表示するものである。縦電界方式の液晶表示パネルとしてはTN(Twiste
d Nematic)モードのものが一般的であるが、視野角が狭いという問題点を有することか
ら、VA(Vertical Alignment)モード、MVA(Multidomain Vertical Alignment)モ
ード等、種々の改良されたモードのものも開発されている。
As a liquid crystal display panel, a vertical electric field type panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of transparent substrates each having an electrode formed on the surface thereof is widely known. This vertical electric field type liquid crystal display panel generates an electric field in a liquid crystal layer by applying a voltage to a pixel electrode disposed on one transparent substrate and a common electrode disposed on the other transparent substrate. Various information is displayed by utilizing the rearranged characteristics. As a vertical electric field type liquid crystal display panel, TN (Twiste
d Nematic) mode is common, but because of the problem of narrow viewing angle, various improved modes such as VA (Vertical Alignment) mode and MVA (Multidomain Vertical Alignment) mode are also available. Has been developed.
一方、縦電界方式の液晶表示パネルとは異なり、一方の透明基板上にのみ画素電極及び
共通電極を配置した横電界方式の液晶表示パネルも知られている。この横電界方式の液晶
表示パネルは、IPS(In-Plane Switching)モードのものとFFSモードのものとに大
別される。
On the other hand, unlike a vertical electric field type liquid crystal display panel, a horizontal electric field type liquid crystal display panel in which a pixel electrode and a common electrode are arranged only on one transparent substrate is also known. This horizontal electric field type liquid crystal display panel is roughly classified into an IPS (In-Plane Switching) mode and an FFS mode.
IPSモードの液晶表示パネルは、画素電極及び共通電極を同一層に配置し、液晶層に
印加する電界方向を基板にほぼ平行にすることで液晶分子を基板に平行な方向(横方向)
に再配列させるものであり、前述の縦電界方式の液晶表示パネルと比して非常に広い視野
角が得られることで知られている。IPSモードの液晶表示パネルは、液晶層に電界を発
生させるための画素電極と共通電極が同一層に横並びで配置されているため、画素電極上
の液晶分子が十分駆動されず、透過率等の低下を招いてしまうといった問題点を有してい
る。
In the IPS mode liquid crystal display panel, the pixel electrode and the common electrode are arranged in the same layer, and the direction of the electric field applied to the liquid crystal layer is made substantially parallel to the substrate so that the liquid crystal molecules are parallel to the substrate (lateral direction).
It is known that a very wide viewing angle can be obtained as compared with the above-described vertical electric field type liquid crystal display panel. In the IPS mode liquid crystal display panel, the pixel electrode for generating an electric field in the liquid crystal layer and the common electrode are arranged side by side in the same layer, so the liquid crystal molecules on the pixel electrode are not driven sufficiently, and the transmittance, etc. It has the problem of causing a decline.
このようなIPSモードの液晶表示パネルの問題点を解決するために、FFSモードの
液晶表示パネルが開発されている。このFFSモードの液晶表示パネルは、液晶層に電圧
を印加するための一対の電極がそれぞれ異なる層に配置されたものである。
In order to solve such problems of the IPS mode liquid crystal display panel, an FFS mode liquid crystal display panel has been developed. In this FFS mode liquid crystal display panel, a pair of electrodes for applying a voltage to a liquid crystal layer are arranged in different layers.
このFFSモードの液晶表示パネルは、IPSモードの液晶表示パネルよりも広視野角
かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明る
い表示が可能となるという特徴を有する。加えて、IPSモードの液晶表示パネルよりも
画素電極と共通電極との重畳面積が平面視で大きいためにより大きな補助容量が副次的に
得られることから、別途補助容量電極を設ける必要がないので、IPSモードの液晶表示
パネルよりも高い開口率が得られるという特徴も有する。
This FFS mode liquid crystal display panel has features that it has a wider viewing angle and higher contrast than an IPS mode liquid crystal display panel, can be driven at a lower voltage, and has a higher transmittance, enabling bright display. . In addition, since the overlapping area of the pixel electrode and the common electrode is larger in a plan view than in the IPS mode liquid crystal display panel, a larger auxiliary capacitance can be obtained as a secondary, so there is no need to provide a separate auxiliary capacitance electrode. Also, it has a feature that an aperture ratio higher than that of an IPS mode liquid crystal display panel can be obtained.
図5Aは、従来のFFSモードの液晶表示パネルの一例を示す1サブ画素領域分の概略
平面図である。なお、以下では上電極が画素電極として作動し、下電極が共通電極として
作動するものとして説明する。図5Aに示されるように、FFSモードの液晶表示パネル
は、アレイ基板上には、走査線101と信号線102で区画されるサブ画素領域を覆うよ
うに画素電極103と共通電極(図示省略)が形成され、画素電極103にはフリンジ電
界を発生するために複数のスリット状開口(以下、単に「スリット」という)が形成され
る。このようなスリットを有する液晶表示パネルとしては、例えば図5Aに示されるよう
に、1サブ画素領域内で列方向上下でスリットSの傾斜方向を反転させて中央に位置する
スリットをくの字形状としていわゆるデュアルドメイン化を図ったもの等があり、その他
にも、より良好な画像を得るために種々のスリット形状ないしスリット配置とした液晶表
示パネルが提案されている(下記特許文献1参照)。
FIG. 5A is a schematic plan view of one sub-pixel region showing an example of a conventional FFS mode liquid crystal display panel. In the following description, it is assumed that the upper electrode operates as a pixel electrode and the lower electrode operates as a common electrode. As shown in FIG. 5A, the FFS mode liquid crystal display panel has a
なお、図5Aに示されているようなデュアルドメイン化されているFFSモードの液晶
表示パネルにおいては、列方向中央部は液晶の傾斜方向が互いに反対方向となる領域の境
界となるために正常な画像表示ができないので、図5Aにおいて参照符号104'で示し
たように、コモン配線を列方向中央部に配置することも行われている(下記特許文献1参
照)。更に、FFSモードの液晶表示パネルでは、明るい表示となるようにするため、画
素電極に形成するスリットの幅をスリット間に存在している画素電極部分の幅よりも広く
することが一般的に行われている。
In the dual-domain FFS mode liquid crystal display panel as shown in FIG. 5A, the center in the column direction is a boundary between regions in which the liquid crystal tilt directions are opposite to each other. Since image display is not possible, as shown by reference numeral 104 ′ in FIG. 5A, common wiring is also arranged at the center in the column direction (see Patent Document 1 below). Further, in an FFS mode liquid crystal display panel, in order to achieve a bright display, it is common practice to make the width of the slit formed in the pixel electrode wider than the width of the pixel electrode portion existing between the slits. It has been broken.
また、サブ画素領域には、アルミニウム等の金属材料からなるコモン配線104Aが形
成されている。これは、画素電極及び共通電極に広く採用されているITO(Indium Tin
Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電性材料の電気抵抗が一般的な金属
材料に比して大きいため、共通電極とコモン配線104Aとを導通させることにより、共
通電極に印加されるコモン電位の安定化を図るためである。
A
Oxide), transparent conductive material such as IZO (Indium Zinc Oxide) has a larger electric resistance than a general metal material, so that the common electrode is applied to the common electrode by conducting the
このコモン配線104Aは、走査線101や信号線102と短絡しないように、例えば
、走査線101と信号線102との間に介在されるゲート絶縁膜(図示省略)の下層にお
いて、走査線101と平行に、そして信号線102と平面視で交差するように形成されて
いる。そして、このコモン配線104Aは、TFT等を避けてサブ画素領域を覆う共通電
極で被覆されることにより、或いは共通電極の表面に形成されることにより、共通電極と
導通されている。(下記特許文献2及び3参照)。
The
近年の液晶表示パネルの小型化、高精細化の進展に伴い、各サブ画素領域のサイズが小
さくなってきている。このような状況に対応させるために、コモン配線の太さを細くする
と、コモン配線の抵抗が大きくなると共にコモン配線と共通電極との間の接触面積が小さ
くなって接触抵抗が大きくなるので、共通電極の電位が不安定となる。そのため、コモン
配線はある程度の太さを維持する必要がある。
With the recent progress of miniaturization and high definition of liquid crystal display panels, the size of each sub-pixel region has been reduced. In order to cope with this situation, reducing the thickness of the common wiring increases the resistance of the common wiring and decreases the contact area between the common wiring and the common electrode, thereby increasing the contact resistance. The potential of the electrode becomes unstable. Therefore, it is necessary to maintain a certain thickness for the common wiring.
そこで、図5Bに示されているように、各サブ画素領域内でのコモン配線104Bの太
さを太くすることが考えられる。なお、図5Bにおいては、信号線102とコモン配線1
04Bとの交差部におけるコモン配線104の太さが細くされているが、これは信号線1
02とコモン配線104Bとの間に形成される寄生容量抑制のためである。このような構
成とすると、コモン配線104Bと共通電極との間の接触面積が増加し、しかも、コモン
配線104Bの電気抵抗の低減化を図ることができ、共通電極に印加される基準電位が安
定化される。
Therefore, as shown in FIG. 5B, it is conceivable to increase the thickness of the
The thickness of the common wiring 104 at the intersection with 04B is thinned.
This is for suppressing parasitic capacitance formed between 02 and the
しかしながら、このような幅広なコモン配線104Bを形成すると、図5Bに示されて
いるように、コモン配線104Bと平面視で重なる画素電極103に形成不良箇所Pが生
じ、隣接するスリット同士S1及びS2ないしS1及びS3が繋がってしまうと共に、隣
接するスリット間に形成されるべき画素電極103部分が切断されてしまうという新たな
問題が生じることが見出された。
However, when forming such a wide
このような問題点が生じる理由について、図6を参照して説明する。なお、図6A〜図
6Cは、幅広に形成されたコモン配線をサブ画素領域の中央に配置した場合のフォトリソ
グラフィー法による画素電極へのスリット形成工程を示す模式断面図である。
The reason why such a problem occurs will be described with reference to FIG. 6A to 6C are schematic cross-sectional views showing a slit forming process to the pixel electrode by a photolithography method in the case where the wide common wiring is arranged at the center of the sub-pixel region.
コモン配線104Bは、透明基板106の表面に走査線(図示省略)と同一層に形成さ
れている。コモン配線104Bの上層には、コモン配線104Bの表面を被覆する共通電
極と、走査線と、スイッチング素子としてのTFTのゲート電極と、共通電極等の表面を
被覆するゲート絶縁膜とが形成されている。更に、ゲート絶縁膜の表面には、信号線と、
TFTのソース電極及びドレイン電極と、パッシベーション膜がそれぞれ形成されている
(いずれも図示省略)。なお、これら共通電極、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等は
図6A〜図6Cにおいては構造物107として示されている。
The
A source electrode and a drain electrode of the TFT, and a passivation film are formed (both not shown). Note that the common electrode, the gate insulating film, the passivation film, and the like are shown as a
そして、上電極へのフォトリソグラフィー法によるスリット形成工程においては、図6
Aに示されるように、上電極となる透明導電性膜108の表面全体にレジストを塗布して
、このレジスト膜109の表面全体を上電極用パターンが形成されたマスク部材110を
用い、その上部から紫外線UVを照射して露光処理を行っている。
Then, in the slit forming step by photolithography on the upper electrode, FIG.
As shown in A, a resist is applied to the entire surface of the transparent
しかしながら、幅広に形成されたコモン配線104Bの上方は、ITOやIZOからな
る共通電極、画素電極や、窒化ケイ素や酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜、パッシベーシ
ョン膜といった透明性材料でしか覆われていない。このため、上方から照射された紫外線
UVは、金属材料からなるコモン配線104Bの表面で反射され、反射した紫外線R−U
Vはコモン配線104Bの上方にある非露光予定のレジスト部分を下方から露光してしま
うことになる。その結果、図6Bに示されるように、現像後のコモン配線104Bの上方
にあるレジストパターン109Bの断面形状は、他の領域のレジストパターン109A、
109Cに比べると、予定した形状よりもずっと細いものとなってしまう。これは、コモ
ン配線104Bによって反射する紫外線R−UVがレジストを余分に露光することを予測
してマスクを予め大きく設けるといった対策では確実に回避できない現象である。
However, the upper portion of the wide
V exposes the non-exposure scheduled resist portion above the
Compared to 109C, it will be much thinner than the planned shape. This is a phenomenon that cannot be reliably avoided by taking a measure that a large mask is provided in advance by predicting that the ultraviolet ray R-UV reflected by the
そして、上述のような理由により、透明導電性膜108のエッチング処理後には、図6
Cに示されるように、コモン配線104Bの上方のスリットS1が予定したよりも幅広と
なる結果、図5Bに示したように画素電極103に形成不良箇所Pが生じ、隣接するスリ
ット同士が繋がってしまう(スリット間の画素電極が分断される)現象が発生する。この
ような現象は、画素電極の電気抵抗値の上昇の要因ともなり、良好な画像表示の妨げとな
ってしまう。
For the reasons described above, after the transparent
As shown and C, wide and made results from above the slit S 1 is the planned
本発明者は、上述の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、コモン配線が形成され
る領域は、バックライトからの光を透過しないので画像表示に寄与しない領域であって、
しかも、ブラックマトリクス等により遮光される領域であるから、コモン配線と平面視で
重なる位置にスリットを形成しなければ、上述のような画素電極の形成不良を抑制するこ
とができることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
As a result of various studies to solve the above-mentioned problems, the inventor does not contribute to image display because the area where the common wiring is formed does not transmit light from the backlight,
In addition, since it is a region shielded from light by a black matrix or the like, it has been found that the formation failure of the pixel electrode as described above can be suppressed unless the slit is formed at a position overlapping the common wiring in plan view. Has been completed.
すなわち、本発明は、幅広なコモン配線の上方に位置する画素電極の部分に、スリット
やスリット間の画素電極部分の形成不良が生じ難いFFSモードの液晶表示パネルを提供
することを目的とする。
That is, an object of the present invention is to provide an FFS mode liquid crystal display panel in which formation of a slit or a pixel electrode portion between the slits hardly occurs in a portion of the pixel electrode located above the wide common wiring.
上記目的を達成するために、本発明の液晶表示パネルは、第1透明基板と第2透明基板との間に液晶層が挟持されており、第1透明基板の液晶層側には、絶縁膜を挟んで互いに異なる層に形成され、表示領域を各サブ画素領域に区画する複数の信号線及び走査線と、走査線間に平行に、走査線と同層に形成された複数のコモン配線と、各サブ画素領域に配置され、絶縁膜を挟んで互いに異なる層に形成された共通電極及び複数のスリット状開口が形成された画素電極と、を備えた液晶表示パネルであって、コモン配線は、信号線に対し平行な方向におけるサブ画素領域の中央部に配置され、信号線と平面視で交差する部分の幅よりもサブ画素領域における幅が広く形成されており、画素電極は、スリット状開口によって挟まれる帯状画素電極部であって、平面視でコモン配線を挟んで隣接し、一部がコモン配線に重なるスリット状開口によって挟まれ、コモン配線と平面視で重なる第1の帯状画素電極部分と、コモン配線と平面視で重ならない第2の帯状画素電極部分と、を有し、第1の帯状画素電極部分の幅は、第2の帯状画素電極部分の幅よりも広くされている。 In order to achieve the above object, in the liquid crystal display panel of the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a first transparent substrate and a second transparent substrate, and an insulating film is formed on the liquid crystal layer side of the first transparent substrate. across are formed in different layers from each other, a plurality of signal lines and scanning lines for partitioning the display area to each sub-pixel region, run parallel between 査線, a plurality of common formed run査線the same layer A liquid crystal display panel comprising a wiring and a pixel electrode disposed in each sub-pixel region and formed in different layers with an insulating film interposed therebetween and a pixel electrode having a plurality of slit-like openings , Mon wire is disposed at a center portion of the sub-pixel regions in a direction parallel to the signal lines are wider formation in sub pixel region than the width of the portion intersecting with the signal line in plan view, the pixel electrodes Is a strip-shaped pixel electrode sandwiched between slit-shaped openings A is, and adjacent to each other across the common wiring in plan view, partially sandwiched between the slit-shaped opening that overlaps the common wiring, and a first strip pixel electrodes overlap with the common wiring in plan view, the common wiring in a plan view and a second band-shaped pixel electrode portions not overlapping, the width of the first strip pixel electrode portions that are wider than the width of the second strip-shaped pixel electrode portions.
本発明の液晶表示パネルは、第1透明基板の液晶層側には、絶縁膜を挟んで互いに異なる層に形成され、表示領域を各サブ画素領域に区画する複数の信号線及び走査線と、走査線間に平行に、走査線と同層に形成された複数のコモン配線と、各サブ画素領域に配置され、絶縁膜を挟んで互いに異なる層に形成された共通電極及び複数のスリット状開口が形成された画素電極と、を備えており、FFSモードの液晶表示パネルとして作動する。 The liquid crystal display panel of the present invention is formed on the liquid crystal layer side of the first transparent substrate in different layers with an insulating film interposed therebetween, and a plurality of signal lines and scanning lines that divide the display area into sub-pixel areas , run parallel between 査線, run a plurality of common wiring in the same layer and 査線, arranged in each sub-pixel area, the common electrode and a plurality of slits formed in different layers from each other across the insulating film And a pixel electrode in which an aperture is formed, and operates as an FFS mode liquid crystal display panel.
そして、上記のような構成とすることにより、フォトリソグラフィー法を適用して画素電極を形成する際に、コモン配線の上方のレジストが余分に露光されてしまっても、帯状画素電極部分の幅が狭くなることが抑制され、また、コモン配線と重ならない部分では、正常に露光されるため、帯状画素電極部分の幅が狭くなることがなく、隣接するスリット同士が繋がってしまうこともなくなる。そのため、本発明の液晶表示パネルによれば、サブ画素領域内のコモン配線を太くしたことによってコモン配線の電気抵抗が小さくなり、しかも隣接するスリット同士が繋がってしまうことに起因する画素電極の電気抵抗値の上昇が抑制されるため、画素電極に印加されるコモン電位が劣化せず、良好な表示画質が得られる液晶表示パネルとなる。 With the configuration as described above, when the pixel electrode is formed by applying the photolithography method, the width of the band-like pixel electrode portion is reduced even if the resist above the common wiring is excessively exposed. Narrowing is suppressed, and a portion that does not overlap with the common wiring is normally exposed. Therefore, the width of the band-like pixel electrode portion does not become narrow and adjacent slits are not connected. Therefore, according to the liquid crystal display panel of the present invention, by increasing the common wiring in the sub-pixel region, the electric resistance of the common wiring is reduced and the adjacent slits are connected to each other. Since the increase in the resistance value is suppressed, the common potential applied to the pixel electrode does not deteriorate, and the liquid crystal display panel can obtain a good display image quality.
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、画素電極に形成される複数のスリット状開口は、信号線に対し平行な方向におけるサブ画素領域の中央部を境として互いに逆方向に傾斜していることが好ましい。 Further, in the liquid crystal display panel of the present invention, a plurality of slit-shaped opening formed in the image pixel electrode is inclined in opposite directions to each other as a boundary central portion in the sub pixel area in a direction parallel to the signal lines Tei It is preferable.
上記構成によれば、サブ画素領域の中央部を境として液晶分子の配向方向が異なる2つのドメインが形成されるから、視野角が非常に広くなる。 According to the above arrangement, since the alignment direction of liquid crystal molecules as a boundary central portion in the sub-pixel regions are two domains different are formed, the viewing angle is very wide.
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、画素電極の第1の帯状画素電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の最短距離は、第2の帯状画素電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の距離の1.5倍から2倍とされていることが好ましい。 Further, in the liquid crystal display panel of the present invention, the shortest distance between two slit-shaped openings adjacent to each other across a first strip pixel electrode portion of the picture element electrodes are adjacent across the second strip-shaped pixel electrode portions It is preferable that the distance is 1.5 to 2 times the distance between the two slit-shaped openings.
画素電極の第1の帯状画素電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の最短距離が第2の帯状画素電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の距離の1.5倍以上とされていれば、フォトリソグラフィー法を適用して画素電極を形成する際にコモン配線の上方のレジストが余分に露光されてしまっても、コモン配線を挟んで隣接する2つのスリット状開口同士が繋がってしまうことがなくなる。なお、画素電極の第1の帯状電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の最短距離の上限値は、第2の帯状画素電極部分を挟んで隣接する2つのスリット状開口間の距離の1.5倍以上であれば任意であるが、あまり大きくても液晶分子に表示に有効なフリンジ電界を与えることができなくなって表示が暗くなるので、2倍以下が好ましい。 The shortest distance between two adjacent slit-shaped openings across the first strip-shaped pixel electrode portion of the pixel electrode is 1.5 times the distance between the two adjacent slit-shaped openings across the second strip-shaped pixel electrode portion. If the above is applied, even if the resist above the common wiring is excessively exposed when the pixel electrode is formed by applying the photolithography method, the two slit-shaped openings adjacent to each other with the common wiring interposed therebetween Will not be connected. Note that the upper limit of the shortest distance between two slit-shaped openings adjacent to each other across the first strip-shaped electrode portion of the pixel electrode is the distance between the two slit-shaped openings adjacent to each other across the second strip-shaped pixel electrode portion. If it is too large, the fringe electric field effective for display cannot be applied to the liquid crystal molecules and the display becomes dark.
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルを例示したものであって、本発
明をこの液晶表示パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含ま
れるその他の実施形態にも等しく適応し得るものである。なお、この明細書における説明
のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比
例して表示されているものではない。
Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies a liquid crystal display panel for embodying the technical idea of the present invention, and is not intended to specify the present invention for this liquid crystal display panel. Other embodiments within the scope of the claims are equally applicable. In each drawing used for the description in this specification, each layer and each member are displayed in different scales so that each layer and each member can be recognized on the drawing. However, it is not necessarily displayed in proportion to the actual dimensions.
本実施形態に係るFFSモードの液晶表示パネル10を図1〜図4を用いて説明する。
この液晶表示パネル10の概略構成は、図3に示すように、液晶層LCがアレイ基板AR
及びカラーフィルター基板CFとで狭持され、液晶層LCの厚みは柱状スペーサー(図示
省略)によって均一に維持されている。そして、アレイ基板ARの背面及びカラーフィル
ター基板CFの前面にはそれぞれ偏光板が形成されており、更に、アレイ基板ARの背面
側にはバックライトが配置(いずれも図示省略)されている。
An FFS mode liquid
As shown in FIG. 3, the schematic configuration of the liquid
And the color filter substrate CF, and the thickness of the liquid crystal layer LC is uniformly maintained by columnar spacers (not shown). A polarizing plate is formed on each of the back surface of the array substrate AR and the front surface of the color filter substrate CF, and a backlight is disposed on the back surface side of the array substrate AR (all not shown).
この液晶表示パネル10は、図1に示すように、各種の画像が表示される表示領域DA
と、表示領域DAを取り囲む額縁領域PFとを備え、この額縁領域PFの一端部にドライ
バーICを載置するためのドライバー接続用端子部Drと、外部機器と接続するための外
部機器接続用端子部TPとが形成されている。そして、額縁領域PFには、表示領域DA
の走査線をドライバー接続用端子部Drへ引き回す走査線引き回し配線11と、信号線を
ドライバー接続用端子部Drへと引き回す信号線引き回し配線12と、共通電極となる下
電極と導通されるコモン配線をドライバー接続用端子部Dr及び外部機器接続用端子部T
Pへと引き回すコモン引き回し配線13とが形成されている。
As shown in FIG. 1, the liquid
And a frame area PF that surrounds the display area DA, a driver connection terminal portion Dr for placing a driver IC on one end of the frame area PF, and an external device connection terminal for connecting to an external device Part TP is formed. The frame area PF includes a display area DA.
The scanning
A
次に、図2及び図3を参照してアレイ基板ARの詳細構成について説明する。アレイ基
板ARは、ガラスや石英、プラスチック等の透明性絶縁材料からなる第1透明基板14を
基体としている。この第1透明基板14の液晶層LC側には、複数の走査線15及び信号
線16が互いに交差するように配置されており、これにより表示領域DAが複数のサブ画
素領域に区画されている。
Next, the detailed configuration of the array substrate AR will be described with reference to FIGS. The array substrate AR is based on a first
走査線15は、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン等の金属材料からなり、
第1透明基板14の表面において行方向に互いに平行となるように形成されている。走査
線15の一部は部分的に幅広とされ、走査線15と信号線16との交差部近傍まで延在さ
れて、TFTのゲート電極Gを構成している。また、この走査線15の形成時に、図1に
示した額縁領域PFの走査線引き回し配線11が同時一体形成され、これにより走査線1
5がドライバー接続用端子部Drと導通されている。
The
The first
5 is electrically connected to the driver connection terminal portion Dr.
また、第1透明基板14の表面には、コモン配線17が形成されている。このコモン配
線17は、走査線15と同一材料で同時形成されるものであり、走査線15と信号線16
との間に介在されるゲート絶縁膜19の下層において、走査線15との接触を避けて走査
線15と平行に、かつ信号線16と平面視で交差するように形成されている。本実施形態
では、コモン配線17と走査線15との間の短絡を抑制する目的も含めて、コモン配線1
7はサブ画素領域のほぼ中央に配置されている。そして、このコモン配線17の形成時に
、図1に示した額縁領域PFのコモン引き回し配線13が同時一体形成され、これにより
コモン配線17がドライバー接続用端子部Dr及び外部機器接続用端子部TPと導通され
ている。
A
In the lower layer of the
Reference numeral 7 is arranged at substantially the center of the sub-pixel region. When the
また、それぞれのサブ画素領域毎に、第1透明基板14の露出した表面と共にコモン配
線17の表面を被覆するように、ITOやIZOからなる共通電極18が形成されている
。そして、上記走査線15、ゲート電極G、共通電極18及び露出している第1透明基板
14の表面は、窒化ケイ素や酸化ケイ素等の透明性絶縁材料からゲート絶縁膜19で被覆
されている。更に、ゲート絶縁膜19の表面には平面視でゲート電極Gと重なる位置に非
晶質シリコンや多結晶シリコン等からなる半導体層20が形成されている。
Further, a
また、ゲート絶縁膜19の表面には、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン等
の金属材料からなる複数の信号線16が、列方向に互いに平行となるように形成されてい
る。この信号線16の一部はTFT形成領域まで延在されており、この延在部分は、半導
体層20の表面と部分的に接触されており、TFTのソース電極Sを構成している。また
、この信号線16の形成時に、図1に示した額縁領域PFの信号線引き回し配線12が同
時一体形成され、これにより信号線16がドライバー接続用端子部Drと導通されている
。
A plurality of
更に、ゲート絶縁膜19の表面には、TFTを構成するドレイン電極Dが形成されてい
る。このドレイン電極Dは、信号線16及びソース電極Sと同一の材料でこれらと同時に
形成され、チャネル領域を形成するためにソース電極Sと所定距離隔てて半導体層20と
部分的に接触されている。そして、上記ゲート電極G、ゲート絶縁膜19、半導体層20
、ソース電極S及びドレイン電極Dによってスイッチング素子としてのTFTが構成され
る。
Further, the drain electrode D constituting the TFT is formed on the surface of the
The source electrode S and the drain electrode D constitute a TFT as a switching element.
上述した信号線16、ソース電極S、ドレイン電極D、TFTのチャネル領域、露出し
ているゲート絶縁膜19の表面は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等の透明性絶縁材料か
らなるパッシベーション膜21で被覆されている。そして、このパッシベーション膜21
を覆うようにして、サブ画素領域毎に複数のスリット22Sが設けられた画素電極22が
形成されている。この画素電極22は、共通電極18と同じく、ITOないしIZO等の
透明導電性材料からなり、パッシベーション膜21を貫通してドレイン電極Dに達するよ
うに設けられたコンタクトホール21CHを経てドレイン電極Dと導通されている。更に
、画素電極22の表面は配向膜(図示省略)で被覆されている。なお、画素電極22及び
スリット22Sの具体的構成については後述する。
The
A
次にカラーフィルター基板CFについて説明する。図3に示されるように、カラーフィ
ルター基板CFは、ガラスや石英、プラスチック等の透明性絶縁材料からなる第2透明基
板23を基体としている。この第2透明基板23には、サブ画素領域毎に異なる色の光(
R、G、Bあるいは無色)を透過するカラーフィルター層24とブラックマトリクス25
が形成されている。この例では、ブラックマトリクス25は、TFT形成領域や走査線の
上方領域のみならず、コモン配線17の上方にも配置されている。また、カラーフィルタ
ー層24とブラックマトリクス25を覆うようにしてトップコート層26が形成されてお
り、トップコート層26を覆うようにして配向膜(図示省略)が形成されている。
Next, the color filter substrate CF will be described. As shown in FIG. 3, the color filter substrate CF is based on a second
R, G, B or colorless)
Is formed. In this example, the
そして、上述のように形成されたアレイ基板ARとカラーフィルター基板CFと対向配
置させ、周縁部をシール材(図示省略)によってシールし、液晶層LCをアレイ基板AR
とカラーフィルター基板CFの間に形成された密封エリア内に封止することにより本実施
形態の液晶表示パネル10が得られる。
Then, the array substrate AR and the color filter substrate CF formed as described above are arranged to face each other, the peripheral portion is sealed with a sealing material (not shown), and the liquid crystal layer LC is placed in the array substrate AR.
The liquid
ここで、本実施形態のFFSモードの液晶表示パネル10におけるコモン配線17、画
素電極22及びスリット22Sの具体的構成について詳細に説明する。この画素電極22
の複数のスリット22Sは、図2に示されるように、サブ画素領域の列方向中央部を中心
として上側と下側とで傾斜方向が互いに反対方向となっており、これによりデュアルドメ
イン化を達成している。そして、コモン配線17は、正常な画像表示ができない領域であ
る2つのドメインの境界部、すなわち、サブ画素領域の列方向中央部に形成されている。
このような構成とすると、コモン配線17と走査線15との間の短絡を抑制することもで
きるようになる。また、画素電極22の各スリット22Sの間には帯状画素電極部分22
A,22Bが形成されている。ここでは、表示が明るくなるようにするため、各スリット
22Sの幅は、コモン配線17と平面視で重ならないスリット22SB間に存在している
帯状画素電極部分22Bの幅よりも広くされている。
Here, a specific configuration of the
As shown in FIG. 2, the plurality of
With such a configuration, a short circuit between the
A and 22B are formed. Here, in order to brighten the display, the width of each
また、本実施形態の液晶表示パネル10では、コモン配線17と平面視で重なる帯状画
素電極部分22Aが、その他の帯状画素電極部分22Bよりも幅広となされている。すな
わち、幅広なコモン配線17と平面視で重なる帯状画素電極部分22Aを挟んで隣接する
2つのスリット22SA間の最短距離L1は、幅広なコモン配線17と平面視で重ならな
い部分の任意の2つの隣接するスリット22SB間の最短距離L2よりも長くなっている
。より具体的には、この例ではL1はL2の約1.5倍程度とされている。
In the liquid
このように、サブ画素領域の中央にスリットを形成せず、L1>L2となる構成とする
ことにより、フォトリソグラフィー法を適用して画素電極を形成する際に、コモン配線1
7の上方のレジストが余分に露光されてしまっても、その他の部分では正常に露光される
から、帯状画素電極部分22Aないし22Bの幅が狭くなることが抑制され、また、隣接
するスリット22SAないし22SB同士が繋がってしまうことがなくなる。それによっ
て、画素電極22の電気抵抗値の上昇が抑制されるため、良好な画像表示が可能となると
いう効果も生じる。なお、幅広なコモン配線17が形成される領域は、バックライトの光
を透過しないので画像表示に寄与しない領域としてブラックマトリクス等により遮光され
る領域であるから、上述のように、コモン配線17の上方にはスリットを形成しなくても
特段の不利はない。
As described above, when the pixel electrode is formed by applying the photolithography method, the common wiring 1 is formed by forming the slit L1> L2 without forming the slit in the center of the sub-pixel region.
Even if the resist above 7 is excessively exposed, the other portions are normally exposed, so that the width of the band-like
なお、この例では、幅広なコモン配線17の上方領域にもスリット22SAの一部が差
し掛かって形成されている例を示したが、このコモン配線17の上方領域にはスリットを
全く形成しないようにしてもよい。また、この例では、スリットの形状は全てバー状とさ
れているが、走査線15或いは信号線16に対して全て「く」字状となるように屈曲部を
有する形状とするなど、様々な形状のものを適用することができる。更に、スリットの配
置として、サブ画素領域の列方向中央部を中心として上側と下側とで傾斜方向が反転され
ている例を示したが、一方向のみに傾いているものとしてもよく、この場合においてはコ
モン配線17をサブ画素の列方向上下に位置している走査線の何れか一方側に寄せて配置
してもよい。
In this example, an example is shown in which a part of the slit 22SA is also formed in the upper region of the wide
次に、図4を参照して、本実施形態の液晶表示パネル10の製造工程について説明する
。まず、第1透明基板14の表面全体に亘って例えばAl/Moの2層構造の金属薄膜を
形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、複数本の走査線15と
、複数本の幅広なコモン配線17とを、図2に示したように互いが平行になるように、か
つコモン配線17がサブ画素領域の中央に位置するように形成する。この際、走査線15
の一部が部分的に幅広とされて走査線15と信号線16との交差部近傍まで延在されるこ
とによりTFTのゲート電極Gが同時に形成される(図4A)。
Next, with reference to FIG. 4, the manufacturing process of the liquid
A part of the TFT is partially widened and extended to the vicinity of the intersection of the
次いで、上記工程により得られた基板の表面全体を、スパッタリング法によって例えば
ITOからなる透明導電性膜で被覆し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て下電極となる共通電極18を形成する(図4B)。この共通電極18はコモン配線17
の幅広部分と直接接触されることにより導通されているが、走査線15ないしゲート電極
Gとは導通されないように、かつ信号線16と平面視で重複しないようにサブ画素領域毎
に独立したものとして形成されている。
Next, the entire surface of the substrate obtained by the above process is covered with a transparent conductive film made of, for example, ITO by a sputtering method, and a
Are electrically connected to each other by a direct contact with the wide portion of the pixel, but are independent for each sub-pixel region so as not to be electrically connected to the
次いで、上記工程により得られた基板の表面全体を、プラズマCVD法によって窒化ケ
イ素又は酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜19で被覆する(図4C)。
Next, the entire surface of the substrate obtained by the above process is covered with a
次いで、プラズマCVD法により、たとえばアモルファス・シリコン(以下「a−Si
」という。)層及びオーミット層となるn+a−Si層をゲート絶縁膜19の表面全体に
亘って形成した後に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、TFT形成領
域にa−Si層及びn+a−Si層からなる半導体層20を形成する(図4D)。
Subsequently, for example, amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”) is formed by plasma CVD.
" ) And the n + a-Si layer to be the ohmit layer are formed over the entire surface of the
次いで、上記工程により得られた基板の表面全体を、例えばMo/Al/Moの3層構
造の金属薄膜で被覆した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、TFT
のソース電極S(信号線16の一部)とドレイン電極Dを形成する(図4E)。このソー
ス電極S部分及びドレイン電極D部分は、いずれも半導体層20の表面に部分的に重なっ
ており、両電極間に被覆されていない半導体層20の露出領域がTFTのチャネル領域T
FT−chとなる。
Next, the entire surface of the substrate obtained by the above process is covered with a metal thin film having a three-layer structure of, for example, Mo / Al / Mo, and then the TFT is formed by photolithography and etching.
Source electrode S (part of signal line 16) and drain electrode D are formed (FIG. 4E). Both the source electrode S portion and the drain electrode D portion partially overlap the surface of the
FT-ch.
次いで、上記工程により得られた基板の表面全体を、プラズマCVD法によって、窒化
ケイ素又は酸化ケイ素からなるパッシベーション膜21で被覆した後、ドレイン電極Dと
接触する箇所のパッシベーション膜21にプラズマエッチング法によってコンタクトホー
ル21CHを形成してドレイン電極Dの一部を露出させる(図4F)。
Next, the entire surface of the substrate obtained by the above process is coated with a
次いで、上記工程により得られた基板の表面全体を、スパッタリング法によって例えば
ITOからなる透明導電性膜220で被覆する(図4G)。そして、フォトリソグラフィ
ー法及びエッチング法によって、図2に示したように、幅広なコモン配線17と平面視で
重なる帯状画素電極部分22Aが、その他の帯状画素電極部分22Bよりも幅広となった
スリット22SAを有する画素電極22を形成する(図4H)。なお、このような幅広な
帯状画素電極部分22Aは、露光時にコモン配線17と平面視で重なる領域に配置される
マスクのパターン部分を、通常よりも若干大きくすることにより容易に形成することがで
きる。また、この際に画素電極22が、パッシベーション膜21のコンタクトホール21
CHを経てドレイン電極と導通される。
Next, the entire surface of the substrate obtained by the above process is covered with a transparent
It is electrically connected to the drain electrode via CH.
更に、この表面全体に亘り所定の配向膜(図示せず)を形成することによりアレイ基板
ARが完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ARと別途製造された
カラーフィルター基板CFとを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を
注入することにより実施例に係るFFSモードの液晶表示パネル10が得られる。
Further, the array substrate AR is completed by forming a predetermined alignment film (not shown) over the entire surface. Then, the array substrate AR manufactured in this way and the separately manufactured color filter substrate CF are opposed to each other, the periphery is sealed with a sealing material, and liquid crystal is injected between the two substrates, whereby the FFS mode according to the embodiment is performed. The liquid
10…液晶表示パネル 11…走査線引き回し配線 12…信号線引き回し配線 13
…コモン引き回し配線 14…第1透明基板 15…走査線 16…信号線 17…コモ
ン配線 18…共通電極 19…ゲート絶縁膜 20…半導体層 21…パッシベーショ
ン膜 21CH…コンタクトホール 22…画素電極 22A,22B…帯状画素電極部
分 22S、22SA、22SB…画素電極のスリット 23…第2透明基板 24…カ
ラーフィルター層 25…ブラックマトリクス 26…トップコート層 AR…アレイ基
板 LC…液晶層 CF…カラーフィルター基板 DA…表示領域 PF…額縁領域 D
r…ドライバー接続用端子部 TP…外部機器接続用端子部
DESCRIPTION OF
...
r ... Terminal for driver connection TP ... Terminal for external device connection
Claims (4)
前記コモン配線は、前記信号線に対し平行な方向における前記サブ画素領域の中央部に配置され、前記信号線と平面視で交差する部分の幅よりも前記サブ画素領域における幅が広く形成されており、
前記画素電極は、前記スリット状開口によって挟まれる帯状画素電極部であって、平面視で前記コモン配線を挟んで隣接し、一部が前記コモン配線に重なる前記スリット状開口によって挟まれ、前記コモン配線と平面視で重なる第1の帯状画素電極部分と、前記コモン配線と平面視で重ならない第2の帯状画素電極部分と、を有し、前記第1の帯状画素電極部分の幅は、前記第2の帯状画素電極部分の幅よりも広くされている、
液晶表示パネル。 A liquid crystal layer is sandwiched between the first transparent substrate and the second transparent substrate, and the liquid crystal layer side of the first transparent substrate is formed in different layers with an insulating film interposed therebetween, and the display area is divided into each sub-region. A plurality of signal lines and scanning lines partitioned into a pixel region; a plurality of common wirings formed in the same layer as the scanning line in parallel between the scanning lines; and an insulating film disposed in each sub-pixel region. A liquid crystal display panel comprising a common electrode formed on different layers and a pixel electrode formed with a plurality of slit-shaped openings,
The common wiring is disposed in a central portion of the sub-pixel region in a direction parallel to the signal line, and has a width in the sub-pixel region wider than a width of a portion intersecting the signal line in plan view. And
The pixel electrode is a band-like pixel electrode portion sandwiched by the slit-shaped openings, is adjacent to the common wiring in plan view, and is sandwiched by the slit-shaped openings partially overlapping the common wiring, and the common A first strip pixel electrode portion that overlaps the wiring in a plan view, and a second strip pixel electrode portion that does not overlap the common wiring in a plan view, and the width of the first strip pixel electrode portion is It is wider than the width of the second strip pixel electrode portion ,
Liquid crystal display panel.
請求項1に記載の液晶表示パネル。 A plurality of slit-shaped opening formed in the pixel electrode are inclined in opposite directions as a boundary a central portion of the sub-pixel area in a direction parallel to said signal line,
The liquid crystal display panel according to claim 1.
請求項1に記載の液晶表示パネル。 The shortest distance between two slit-shaped openings adjacent to each other across the first strip-shaped pixel electrode portion of the pixel electrode is the distance between two slit-shaped openings adjacent to each other across the second strip-shaped pixel electrode portion . 1.5 to 2 times ,
The liquid crystal display panel according to 請 Motomeko 1.
請求項1に記載の液晶表示パネル。 The liquid crystal display panel according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009065659A JP5455011B2 (en) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | LCD panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009065659A JP5455011B2 (en) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | LCD panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010217635A JP2010217635A (en) | 2010-09-30 |
JP5455011B2 true JP5455011B2 (en) | 2014-03-26 |
Family
ID=42976547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009065659A Expired - Fee Related JP5455011B2 (en) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | LCD panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5455011B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101968257B1 (en) | 2012-08-31 | 2019-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display |
JP6116220B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-04-19 | 三菱電機株式会社 | LCD panel |
CN104516161B (en) * | 2014-12-12 | 2018-01-02 | 上海中航光电子有限公司 | A kind of pixel cell |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100471397B1 (en) * | 2001-05-31 | 2005-02-21 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Apparatus for fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JP4223992B2 (en) * | 2004-05-25 | 2009-02-12 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Liquid crystal display |
KR101240644B1 (en) * | 2005-08-09 | 2013-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel |
-
2009
- 2009-03-18 JP JP2009065659A patent/JP5455011B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010217635A (en) | 2010-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9368524B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same | |
US8711311B2 (en) | Fringe field switching mode liquid crystal display panel | |
JP4356750B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
US8493543B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US20110156995A1 (en) | Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and fabricating methods thereof | |
JP4449958B2 (en) | FFS liquid crystal display panel | |
US7847891B2 (en) | Liquid crystal display | |
US7209199B2 (en) | Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same | |
KR101323477B1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
KR20130075528A (en) | Thin film transistor liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
JP4407677B2 (en) | Horizontal electric field LCD panel | |
JP5455011B2 (en) | LCD panel | |
US10890815B2 (en) | Display apparatus | |
US10168581B2 (en) | Display device | |
US8294862B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
KR101889440B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
JP5271021B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP2009151285A (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
JP2009069332A (en) | Liquid crystal display panel | |
KR20060105222A (en) | An array substrate for fringe field switching mode lcd and method of fabricating of the same | |
JP2001092378A (en) | Active matrix substrate | |
JP5247312B2 (en) | Liquid crystal display | |
KR20080053804A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method of the same | |
JP2008051846A (en) | Liquid crystal display panel of fringe field switching (ffs) mode | |
JP4144953B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100702 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120213 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20131226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5455011 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |