JP2009069332A - Liquid crystal display panel - Google Patents

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JP2009069332A
JP2009069332A JP2007236282A JP2007236282A JP2009069332A JP 2009069332 A JP2009069332 A JP 2009069332A JP 2007236282 A JP2007236282 A JP 2007236282A JP 2007236282 A JP2007236282 A JP 2007236282A JP 2009069332 A JP2009069332 A JP 2009069332A
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display panel
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JP2007236282A
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Inventor
Akio Ota
昭雄 太田
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Epson Imaging Devices Corp
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Epson Imaging Devices Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display panel which is equipped with a means for preventing image burn-in caused by a voltage applied to a scanning line and which brings about no deterioration in excellent display characteristics of a lateral electric field mode. <P>SOLUTION: The liquid crystal display panel 100 is equipped with: a plurality of scanning lines 101 and common wires 103 formed on a substrate 132 in parallel to each other; signal lines 102; common electrodes 104 and pixel electrodes 105 formed in respective pixel regions partitioned with the scanning lines 101 and the signal lines 102; and a plurality of shield electrode layers 150 which extend in a direction identical to that of the scanning line 101, which are electrically connected to the common wires 103 on the outside of an active display region comprising pixel regions, and which are composed of a conductive material. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、IPS(In−Plane Switching)モードないしFFS(
Fringe Field Switching)モード等の横電界方式の液晶表示パネ
ルに関し、特に走査線に印可される電圧に起因する焼き付き防止手段及び配向不良防止手
段を備えた液晶表示パネルに関する。
The present invention provides an IPS (In-Plane Switching) mode or FFS (
The present invention relates to a horizontal electric field type liquid crystal display panel such as a fringe field switching mode, and more particularly to a liquid crystal display panel provided with means for preventing image sticking caused by a voltage applied to a scanning line and means for preventing orientation failure.

近年、電子辞書、携帯電話等の液晶表示部を備える電子機器は高精細化、小型化、広視
野角化が要求され、それに伴い、従来一般的な駆動方式として採用されていたアクティブ
マトリクス型の縦電界方式に替わり広視野角化に優れる横電界方式の液晶表示パネルが提
案されている。
In recent years, electronic devices equipped with a liquid crystal display unit such as an electronic dictionary and a mobile phone have been required to have high definition, small size, and wide viewing angle, and accordingly, an active matrix type which has been conventionally adopted as a general driving method. Instead of the vertical electric field method, a liquid crystal display panel of a horizontal electric field method excellent in wide viewing angle has been proposed.

縦電界方式の液晶表示パネルは、薄膜トランジスタと画素電極が形成された基板と、カ
ラーフィルタとコモン電極が形成された基板との間に液晶を封入して構成されている。そ
して、対向する画素電極とコモン電極間に電圧を印加して対向する基板間に縦電界を形成
し、画素電極とコモン電極の間に挟持された液晶分子を回転させることにより、光の透過
率を変化させて種々の映像を表示する。また、このような縦電界方式の液晶表示パネルに
は、TN(Twisted Nematic)モードやVA(Vertical Ali
gnment)モード等が存在するが、いずれのモードにおいても縦電界方式の液晶表示
パネルは、視野角が狭いという問題があった。
A vertical electric field type liquid crystal display panel is configured by sealing liquid crystal between a substrate on which a thin film transistor and a pixel electrode are formed and a substrate on which a color filter and a common electrode are formed. Then, by applying a voltage between the opposing pixel electrode and the common electrode to form a vertical electric field between the opposing substrates, and rotating the liquid crystal molecules sandwiched between the pixel electrode and the common electrode, light transmittance is achieved. Various images are displayed by changing. Such a vertical electric field type liquid crystal display panel includes a TN (Twisted Nematic) mode and a VA (Vertical Ali).
There is a problem that the vertical electric field type liquid crystal display panel has a narrow viewing angle in any mode.

そこで、縦電界方式の液晶表示パネルにおける視野角問題を解決するために、基板に対
して面内方向の横電界を発生させる横電界方式の液晶表示パネルが提案されている。横電
界方式の液晶表示パネルは、基板に対して面内方向に発生させた横電界により液晶分子を
基板に平行な面内で回転させることにより、光の透過率を変化させて種々の映像を表示す
る。このとき、横電界方式の液晶表示パネルにおける液晶分子の動きは、基板の面内方向
に限られ、縦電界方式の液晶表示パネルのように、液晶分子の長軸が基板の面内に対して
平行な方向から垂直方向まで変化することがない。このため、横電界方式の液晶表示パネ
ルは見る角度によって、複屈折性が大きく異なることがなく視角特性が非常に優れている
In order to solve the viewing angle problem in the vertical electric field type liquid crystal display panel, a horizontal electric field type liquid crystal display panel that generates a horizontal electric field in the in-plane direction with respect to the substrate has been proposed. A horizontal electric field type liquid crystal display panel rotates various liquid crystal molecules in a plane parallel to the substrate by a horizontal electric field generated in the in-plane direction with respect to the substrate, thereby changing the light transmittance and displaying various images. indicate. At this time, the movement of the liquid crystal molecules in the horizontal electric field type liquid crystal display panel is limited to the in-plane direction of the substrate, and the major axis of the liquid crystal molecules is in the plane of the substrate as in the vertical electric field type liquid crystal display panel. There is no change from the parallel direction to the vertical direction. For this reason, the horizontal electric field type liquid crystal display panel has very good viewing angle characteristics with no significant difference in birefringence depending on the viewing angle.

また、横電界方式の液晶表示パネルには、IPS(In Plane Switchin
g )モードとFFS(Fringe−Field Switching)モードとがあり
、FFSモードはIPS技術をさらに改良して開口率を向上させた液晶表示パネルである
In addition, an IPS (In Plane Switchin) is used for a horizontal electric field type liquid crystal display panel.
g) mode and FFS (Fringe-Field Switching) mode. The FFS mode is a liquid crystal display panel in which the aperture ratio is improved by further improving the IPS technology.

図9〜図11は横電界方式の一つであるIPSモードの液晶表示パネル600の動作原
理を示す図で、図9はIPSモードの液晶表示パネル600のアレイ基板630上に形成
された画素領域を示す模式平面図であり、図10は図9のE−E’線に沿った断面図であ
り、また、図11は図9のF−F’線に沿った断面図である。なお、図10、図11は説
明上、図9に示した液晶表示パネル600の画素領域を拡大して示し、液晶層640を構
成する液晶分子を模式的に示して液晶分子の動きを説明している。
9 to 11 are diagrams showing an operation principle of an IPS mode liquid crystal display panel 600 which is one of the horizontal electric field methods, and FIG. 9 is a pixel region formed on the array substrate 630 of the IPS mode liquid crystal display panel 600. 10 is a cross-sectional view taken along line EE ′ of FIG. 9, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG. 10 and 11 are enlarged for the sake of explanation, the pixel region of the liquid crystal display panel 600 shown in FIG. 9 is enlarged, and the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 640 are schematically shown to explain the movement of the liquid crystal molecules. ing.

図9〜図11に示すように、IPSモードの液晶表示パネル600は、アレイ基板63
0とカラーフィルタ基板620の間に液晶層640を封入して構成されている。そして、
アレイ基板630はガラス基板632の表面に複数の走査線601及びコモン配線603
がそれぞれ平行に形成され、これら走査線601及びコモン配線603に直交する方向に
延伸する信号線602が複数形成されている。なお、信号線602は絶縁層を介して走査
線601及びコモン配線603上に直交するよう形成されており、これらはお互いに絶縁
状態にある。
As shown in FIGS. 9 to 11, the IPS mode liquid crystal display panel 600 includes an array substrate 63.
A liquid crystal layer 640 is sealed between 0 and the color filter substrate 620. And
The array substrate 630 includes a plurality of scanning lines 601 and a common wiring 603 on the surface of the glass substrate 632.
Are formed in parallel, and a plurality of signal lines 602 extending in a direction orthogonal to the scanning lines 601 and the common wiring 603 are formed. Note that the signal line 602 is formed so as to be orthogonal to the scanning line 601 and the common wiring 603 via an insulating layer, and these are insulated from each other.

また、各画素領域内にはコモン配線603と電気的に接続された櫛歯状のコモン電極6
04が設けられるとともに、このコモン電極604の周囲を囲むように同じく櫛歯状の画
素電極605が設けられている。また、この画素電極605の表面は例えば、窒化珪素か
らなる保護絶縁膜633及びポリイミド等からなる配向膜634によって被覆されている
In each pixel region, a comb-like common electrode 6 electrically connected to the common wiring 603 is used.
04 and a comb-like pixel electrode 605 are also provided so as to surround the common electrode 604. The surface of the pixel electrode 605 is covered with, for example, a protective insulating film 633 made of silicon nitride and an alignment film 634 made of polyimide or the like.

また、走査線601と信号線602の交差点近傍にはスイッチング素子としてのTFT
(Thin Film Transistor:薄膜電界効果トランジスタ)610が形
成されている。このTFT610は、走査線601上に半導体層609が配置され、信号
線602から延在して半導体層609上部に重なる延在部がTFT610のソース電極6
06を構成し、半導体層609の下部の走査線601部分がゲート電極607を構成して
いる。また、半導体層609の一部分と重なる画素電極605の一部分がドレイン電極6
08を構成している。
A TFT as a switching element is located near the intersection of the scanning line 601 and the signal line 602.
(Thin Film Transistor: thin film field effect transistor) 610 is formed. In this TFT 610, the semiconductor layer 609 is disposed on the scanning line 601, and the extending portion that extends from the signal line 602 and overlaps the upper portion of the semiconductor layer 609 is the source electrode 6 of the TFT 610.
06, and the scanning line 601 portion below the semiconductor layer 609 constitutes the gate electrode 607. In addition, a part of the pixel electrode 605 that overlaps with a part of the semiconductor layer 609 forms the drain electrode 6.
08 is constituted.

また、カラーフィルタ基板620はガラス基板622の表面にカラーフィルタ層623
、オーバーコート層625及び配向膜624が設けられている。そして、アレイ基板63
0の画素電極605及びコモン電極604とカラーフィルタ基板620のカラーフィルタ
層623側とが互いに対向するようにアレイ基板630及びカラーフィルタ基板620を
対向させ、その間に液晶640を封入するとともに、両基板のそれぞれ外側に偏光板62
1,631を偏光方向が互いに直交する方向となるように配置することにより、IPSモ
ードの液晶表示パネル600が形成されている。
Further, the color filter substrate 620 is formed on the surface of the glass substrate 622 with the color filter layer 623.
An overcoat layer 625 and an alignment film 624 are provided. And the array substrate 63
The array substrate 630 and the color filter substrate 620 are opposed so that the pixel electrode 605 and the common electrode 604 of 0 and the color filter layer 623 side of the color filter substrate 620 face each other, and the liquid crystal 640 is sealed therebetween, and both substrates Polarizer 62 on the outside of each
The IPS mode liquid crystal display panel 600 is formed by arranging 1 and 631 such that the polarization directions are orthogonal to each other.

このIPSモードの液晶表示パネル600は、画素電極605とコモン電極604との
間に電界(図10中、画素電極605から射出してコモン電極604に入射する矢印で電
気力線を示す)を形成すると、水平方向に配向していた液晶640の分子が水平方向に旋
回する。これにより、アレイ基板630の下方から液晶表示パネル600に入射するバッ
クライトからの入射光(図10、図11中、白抜き矢印)の透過量を制御してカラーフィ
ルタ基板620上方へ出射させることができる。しかし、このIPSモードの液晶表示パ
ネル600は、広視野角で、コントラストに優れるといる長所があるが、コモン電極60
4がコモン配線603ないし走査線601と同じ金属材料で形成されるために開口率及び
透過率が低く、又、視角による色変化があるという問題点が存在している。
In the IPS mode liquid crystal display panel 600, an electric field (in FIG. 10, an electric field line is indicated by an arrow emitted from the pixel electrode 605 and incident on the common electrode 604) between the pixel electrode 605 and the common electrode 604 is formed. Then, the molecules of the liquid crystal 640 that have been aligned in the horizontal direction rotate in the horizontal direction. As a result, the transmission amount of the incident light (the white arrow in FIGS. 10 and 11) from the backlight incident on the liquid crystal display panel 600 from below the array substrate 630 is controlled and emitted above the color filter substrate 620. Can do. However, the IPS mode liquid crystal display panel 600 has the advantages of having a wide viewing angle and excellent contrast.
4 is formed of the same metal material as the common wiring 603 or the scanning line 601, there are problems that the aperture ratio and the transmittance are low and there is a color change depending on the viewing angle.

そこで、近年、IPSモードの液晶表示パネル600の低開口率及び低透過率という問
題点を解決するために、IPSモードの液晶表示パネル600をさらに改良して、FFS
モードの液晶表示パネル700が提案されている。図12〜図14は横電界方式の一つで
あるFFSモードの液晶表示パネル700の動作原理を示す図で、図12はFFSモード
の液晶表示パネル700におけるアレイ基板730上の画素領域を示す模式平面図であり
、図13は図10のG−G’線に沿った断面図であり、また、図14は図12のH−H’
線に沿った断面図である。なお、図13、図14は説明上、図12に示した液晶表示パネ
ル700の画素領域を拡大し、液晶層740を構成する液晶分子を模式的に示して液晶分
子の動きを説明している。
Therefore, in recent years, in order to solve the problems of the low aperture ratio and the low transmittance of the IPS mode liquid crystal display panel 600, the IPS mode liquid crystal display panel 600 has been further improved to provide an FFS.
A mode liquid crystal display panel 700 has been proposed. 12 to 14 are diagrams showing an operation principle of an FFS mode liquid crystal display panel 700 which is one of the horizontal electric field methods, and FIG. 12 is a schematic diagram showing a pixel region on the array substrate 730 in the FFS mode liquid crystal display panel 700. 13 is a plan view, FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line GG ′ of FIG. 10, and FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG.
It is sectional drawing along a line. 13 and FIG. 14 are explanatory diagrams for explaining the movement of the liquid crystal molecules by enlarging the pixel region of the liquid crystal display panel 700 shown in FIG. 12 and schematically showing the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 740. .

図12〜図14に示すように、このFFSモードの液晶表示パネル700は、アレイ基
板730とカラーフィルタ基板720の間に液晶を封入して液晶層740を形成している
。そして、アレイ基板730はガラス基板732の表面に複数の走査線701及びコモン
配線703がそれぞれ平行に形成され、これら走査線701及びコモン配線703に直交
する方向に信号線702が複数形成されている。なお、信号線702は絶縁層を介して走
査線701及びコモン配線703上に直交するよう形成されており、これらはお互いに絶
縁状態にある。
As shown in FIGS. 12 to 14, in the FFS mode liquid crystal display panel 700, liquid crystal is sealed between an array substrate 730 and a color filter substrate 720 to form a liquid crystal layer 740. In the array substrate 730, a plurality of scanning lines 701 and common wirings 703 are formed in parallel on the surface of the glass substrate 732, and a plurality of signal lines 702 are formed in a direction perpendicular to the scanning lines 701 and common wirings 703. . Note that the signal line 702 is formed so as to be orthogonal to the scanning line 701 and the common wiring 703 via an insulating layer, and these are in an insulated state.

ここで、走査線701及び信号線702で区画された各画素領域内において、走査線7
01に沿って設けられたコモン配線703を被覆するようにITO(Indium Ti
n Oxide)等からなる透明材料で形成されたコモン電極704が設けられ、このコ
モン電極704の表面に絶縁層733、735を介して画素電極705が設けられている
。また、画素電極705はITO等の透明材料からなり、ストライプ状に複数のスリット
705aが形成されている。そして、この画素電極705及び複数のスリット705aの
表面は配向膜734により被覆されている。
Here, in each pixel region defined by the scanning line 701 and the signal line 702, the scanning line 7.
ITO (Indium Ti) so as to cover the common wiring 703 provided along the line 01
n Oxide) or the like is provided with a common electrode 704 formed of a transparent material, and a pixel electrode 705 is provided on the surface of the common electrode 704 with insulating layers 733 and 735 interposed therebetween. The pixel electrode 705 is made of a transparent material such as ITO, and a plurality of slits 705a are formed in a stripe shape. The surfaces of the pixel electrode 705 and the plurality of slits 705a are covered with an alignment film 734.

また、走査線701と信号線702との交差点近傍にはスイッチング素子としてのTF
T710が形成され、このTFT710は、走査線701と信号線702との間に半導体
層709が配置されている。ここで、半導体層709は延在された走査線701上の一部
を覆うように形成され、この半導体層709下部と重なる走査線701の延在部分がゲー
ト電極707を構成するとともに、半導体層709の上面の一部を覆うように信号線70
2の一部が延在されてTFT710のソース電極706を構成し、また、半導体層709
の一部分と重なる画素電極705の一部分がドレイン電極708を構成している。
A TF as a switching element is located near the intersection of the scanning line 701 and the signal line 702.
T710 is formed, and in this TFT 710, a semiconductor layer 709 is disposed between the scanning line 701 and the signal line 702. Here, the semiconductor layer 709 is formed so as to cover a part of the extended scanning line 701, and the extended part of the scanning line 701 overlapping the lower part of the semiconductor layer 709 constitutes the gate electrode 707, and the semiconductor layer The signal line 70 covers a part of the upper surface of the 709.
2 extends to form a source electrode 706 of the TFT 710, and the semiconductor layer 709
A part of the pixel electrode 705 that overlaps a part of the drain electrode 708 constitutes the drain electrode 708.

また、カラーフィルタ基板720は、ガラス基板722の表面にカラーフィルタ層72
3、オーバーコート層725及び配向膜724が設けられている。そして、アレイ基板7
30の画素電極705及びコモン電極704とカラーフィルタ基板720のカラーフィル
タ層723とが互いに対向するようにアレイ基板730及びカラーフィルタ基板720を
対向させ、その間に液晶を封入して液晶層740を形成するとともに、両基板のそれぞれ
外側に偏光板721、731を偏光方向が互いに直交する方向となるように配置すること
により、FFSモードの液晶表示パネル700が形成されている。
Further, the color filter substrate 720 has a color filter layer 72 on the surface of the glass substrate 722.
3, an overcoat layer 725 and an alignment film 724 are provided. And the array substrate 7
The array substrate 730 and the color filter substrate 720 are opposed to each other so that the 30 pixel electrodes 705 and the common electrode 704 and the color filter layer 723 of the color filter substrate 720 are opposed to each other, and liquid crystal is sealed therebetween to form a liquid crystal layer 740. In addition, the FFS mode liquid crystal display panel 700 is formed by disposing the polarizing plates 721 and 731 on the outer sides of both substrates so that the polarization directions thereof are orthogonal to each other.

このFFSモードの液晶表示パネル700は、図13及び図14に示すように、画素電
極705とコモン電極704の間に電圧を印加すると、スリット705aを利用して画素
電極705からコモン電極704へ向かう電界(図中、画素電極705から出射する矢印
で電気力線を示す)を発生させることができる。このとき、電界は画素電極705の両側
から下方に形成されたコモン電極704方向に向かうが、横方向の電界と共に画素電極7
05の縁の近傍でアレイ基板730に垂直な方向にも電界成分が発生している。これによ
り、スリット705a上に存在する液晶分子だけでなく画素電極705上に存在する液晶
分子も駆動することができる。また、画素電極705及びコモン電極704はITO等の
透明材料で形成されているため、これら電極部分を表示に寄与させることで、FFSモー
ドの液晶表示パネル700は、IPSモードの液晶表示パネル600よりも画素開口率を
大きく設計することができる。また、FFSモードの液晶表示パネル700は、IPSモ
ードの液晶表示パネル600と同様に広視野角かつ高コントラストであり、更に高透過率
であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、FFSモードの液
晶表示パネル700は、IPSモードの液晶表示パネル600よりも平面視で画素電極7
05とコモン電極704との重複面積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ
、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長所も存在する。
As shown in FIGS. 13 and 14, in the FFS mode liquid crystal display panel 700, when a voltage is applied between the pixel electrode 705 and the common electrode 704, the pixel electrode 705 moves toward the common electrode 704 using the slit 705a. An electric field (in the figure, an electric line of force is indicated by an arrow emitted from the pixel electrode 705) can be generated. At this time, the electric field is directed from both sides of the pixel electrode 705 toward the common electrode 704 formed below, but together with the electric field in the horizontal direction, the pixel electrode 7
An electric field component is also generated in the direction perpendicular to the array substrate 730 near the edge of 05. Accordingly, not only the liquid crystal molecules existing on the slit 705a but also the liquid crystal molecules existing on the pixel electrode 705 can be driven. In addition, since the pixel electrode 705 and the common electrode 704 are formed of a transparent material such as ITO, the FFS mode liquid crystal display panel 700 is more than the IPS mode liquid crystal display panel 600 by making these electrode portions contribute to display. Also, the pixel aperture ratio can be designed to be large. Similarly to the IPS mode liquid crystal display panel 600, the FFS mode liquid crystal display panel 700 has a wide viewing angle and high contrast, and further has a feature that a bright display is possible because of high transmittance. In addition, the FFS mode liquid crystal display panel 700 has a pixel electrode 7 in a plan view as compared with the IPS mode liquid crystal display panel 600.
05 and the common electrode 704 have a large overlapping area, so that a larger storage capacity is generated as a secondary effect, and there is an advantage that it is not necessary to separately provide an auxiliary capacity line.

なお、FFSモードの液晶表示パネル700においては、IPSモードの液晶表示パネ
ル600の場合と同様に、表示特性上、ラビング方向は信号線702と直交するほうがよ
く、また画素電極705とラビング方向とは微小角度の傾きを設けた方がよいことから、
画素電極705に設けるストライプ状のスリット705aを走査線701ないしコモン配
線703に対して傾いた構造とすることが行なわれており、同じく視角によって色変化が
認められなくなるようにするため、図15に示したFFSモードの液晶表示パネル700
のように、画素電極705に設けるストライプ状のスリットを「く」字状に配置してデュ
アルドメイン化することも行なわれている。
Note that in the FFS mode liquid crystal display panel 700, the rubbing direction is preferably orthogonal to the signal line 702 in terms of display characteristics, as in the case of the IPS mode liquid crystal display panel 600, and the pixel electrode 705 and the rubbing direction are Because it is better to provide a slight angle of inclination,
A stripe-shaped slit 705a provided in the pixel electrode 705 is inclined with respect to the scanning line 701 or the common wiring 703. Similarly, in order to prevent a color change from being observed depending on the viewing angle, FIG. FFS mode liquid crystal display panel 700 shown
As described above, a dual-domain structure is also formed by arranging striped slits provided in the pixel electrode 705 in a “<” shape.

また、信号線702に対向する部分に設けられるカラーフィルタ基板720のブラック
マトリクスが直線状とならないようにし、ブラックマトリクスが目立たない画像表示に適
したものとするために、信号線702を走査線701と直交する方向にクランク状に設け
て複数のコモン電極704及び画素電極705をデルタ配置とすることもできる。
Further, in order to prevent the black matrix of the color filter substrate 720 provided in the portion facing the signal line 702 from being linear, and to make the black matrix suitable for image display in which the black matrix is not conspicuous, the signal line 702 is changed to the scanning line 701. A plurality of common electrodes 704 and pixel electrodes 705 can also be arranged in a delta arrangement by providing them in a crank shape in a direction perpendicular to the direction.

なお、図9に示したIPSモードの液晶表示パネル600においても、上述したFFS
モードの液晶表示パネルと同様、図16に示すIPSモードの液晶表示パネル600のよ
うに、配向膜624、634のラビング方向を信号線602と直交させ、画素電極605
及びコモン電極604とラビング方向とに微小角度の傾きを設けるようにすると、表示品
質が向上する。また、画素電極605及びコモン電極604をその延在方向に左右で異な
る方向に傾けて配置してデュアルドメイン化することで、視角によって色変化が認められ
なくなるようにすることもできる。また、このようなIPSモードの液晶表示パネル60
0のように複数の画素電極605及びコモン電極604をデルタ配置にしてブラックマト
リクスが目立たない画素表示とすることも可能である。
In the IPS mode liquid crystal display panel 600 shown in FIG.
Similar to the liquid crystal display panel in the mode, the rubbing direction of the alignment films 624 and 634 is orthogonal to the signal line 602 as in the IPS mode liquid crystal display panel 600 shown in FIG.
In addition, display quality is improved by providing a slight angle of inclination between the common electrode 604 and the rubbing direction. In addition, the pixel electrode 605 and the common electrode 604 are arranged to be inclined in different directions on the right and left in the extending direction to form a dual domain, so that the color change can be prevented from being recognized depending on the viewing angle. Also, such an IPS mode liquid crystal display panel 60.
As in the case of 0, a plurality of pixel electrodes 605 and common electrodes 604 can be arranged in a delta arrangement so that a black matrix is not noticeable.

なお、図15に示すFFSモードの液晶表示パネル700は、図12に示すFFSモー
ドの液晶表示パネル700の変形例であり、図16に示すIPSモードの液晶表示パネル
600は、図9に示すIPSモードの液晶表示パネル600の一例であるため、これら各
モードの液晶表示パネルと同一の構成部分については同一の符号を付してその詳細な説明
は省略する。
15 is a modification of the FFS mode liquid crystal display panel 700 shown in FIG. 12, and the IPS mode liquid crystal display panel 600 shown in FIG. 16 is an IPS mode liquid crystal display panel 700 shown in FIG. Since this is an example of the mode liquid crystal display panel 600, the same components as those of the liquid crystal display panel in each mode are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

ところで、液晶表示パネルは長時間使用すると焼き付き現象が生じることが知られてお
り、係る点はIPSモードの液晶表示パネル600の場合においてもFFSモードの液晶
表示パネル700の場合においても同様である。しかしながら、上述のような従来のFF
Sモードの液晶表示パネル700においては、この焼き付き現象が従来のIPSモードの
液晶表示パネル600に比すると大きく表れることが見出された。発明者等は、このFF
Sモードの液晶表示パネル700において焼き付き現象がIPSモードの液晶表示パネル
600の場合よりも大きく表れる原因について、発生する電界がその近傍の液晶分子の配
向に影響を及ぼすが、これは画素電極から液晶層へ向う電気力線の経路が、IPSモード
の液晶表示パネル600の場合は対称であるのに対し、FFSモードの液晶表示パネル7
00の場合は非対称であることがその一因であると推定された。
By the way, it is known that when the liquid crystal display panel is used for a long time, a burn-in phenomenon occurs, and this is the same in the case of the liquid crystal display panel 600 in the IPS mode and the liquid crystal display panel 700 in the FFS mode. However, the conventional FF as described above
In the S-mode liquid crystal display panel 700, it has been found that this burn-in phenomenon appears greatly compared to the conventional IPS-mode liquid crystal display panel 600. The inventors
The reason why the burn-in phenomenon appears larger in the S-mode liquid crystal display panel 700 than in the IPS-mode liquid crystal display panel 600 is that the generated electric field affects the alignment of liquid crystal molecules in the vicinity. The path of the electric lines of force toward the layers is symmetric in the case of the liquid crystal display panel 600 in the IPS mode, whereas the liquid crystal display panel 7 in the FFS mode.
In the case of 00, it was estimated that the asymmetrical factor contributed to this.

すなわち、IPSモード及びFFSモードの液晶表示装置パネルにおいては、走査線に
印加される電圧は所定の画素の非選択状態においては約−10Vであり、選択状態におい
ては約+15Vであって、所定の画素が選択される時間は非常に短いために、約−10V
の直流電圧が長時間に亘って印可される。ここで、IPSモードの液晶表示パネル600
の場合、図11の記載から明らかなように、画素電極605から走査線601に向かう電
界(図中、画素電極605から出射して走査線601に入射する矢印で電気力線を示す)
は、画素電極605から保護絶縁膜633、配向膜634を経て液晶層640に入り、液
晶層640から配向膜634、保護絶縁膜633を経て走査線601に至っている。この
ように、画素電極605から液晶層640へ至るまでの電気力線の経路と液晶層640か
ら走査線601へ至るまでの電気力線の経路とは対称となっている。
That is, in the liquid crystal display device panel of the IPS mode and the FFS mode, the voltage applied to the scanning line is about −10 V in a non-selected state of a predetermined pixel, and is about +15 V in a selected state. Since the time for which a pixel is selected is very short, it is about -10V.
The DC voltage is applied for a long time. Here, the liquid crystal display panel 600 in the IPS mode.
In this case, as is apparent from the description of FIG. 11, the electric field from the pixel electrode 605 toward the scanning line 601 (in the figure, the electric lines of force are indicated by the arrows emitted from the pixel electrode 605 and entering the scanning line 601).
Enters the liquid crystal layer 640 from the pixel electrode 605 through the protective insulating film 633 and the alignment film 634, and reaches the scanning line 601 from the liquid crystal layer 640 through the alignment film 634 and the protective insulating film 633. As described above, the path of the electric lines of force from the pixel electrode 605 to the liquid crystal layer 640 and the path of the electric lines of force from the liquid crystal layer 640 to the scanning line 601 are symmetric.

これに対し、FFSモードの液晶表示パネル700の場合、図14に示すように、画素
電極705から走査線701に向う電界(図中、画素電極705から出射して走査線70
1に入射する矢印で電気力線を示す)は、画素電極705から、配向膜734を経て液晶
層740に入り、液晶層740から配向膜734、保護絶縁膜733を経て走査線701
に至っている。このように、画素電極705から液晶層740へ至るまでの電気力線の経
路と液晶層740から走査線701へ至るまでの電気力線の経路とは非対称となっている
。このため、FFSモードの液晶表示パネル700は、IPSモードの液晶表示パネル6
00の場合よりも画素電極705ないしその表面の配向膜734は走査線701に印加さ
れる信号に起因する直流電界によって不可逆的影響を受けやすい。そして、これがFFS
モードの液晶表示パネル700がIPSモードの液晶表示パネル600よりも焼き付き現
象が大きく表れる原因となっているものと推定される。
On the other hand, in the case of the FFS mode liquid crystal display panel 700, as shown in FIG. 14, an electric field (from the pixel electrode 705 in FIG.
1 enters the liquid crystal layer 740 from the pixel electrode 705 through the alignment film 734, and from the liquid crystal layer 740 through the alignment film 734 and the protective insulating film 733 to the scanning line 701.
Has reached. As described above, the path of electric lines of force from the pixel electrode 705 to the liquid crystal layer 740 and the path of electric lines of force from the liquid crystal layer 740 to the scanning line 701 are asymmetric. Therefore, the FFS mode liquid crystal display panel 700 is an IPS mode liquid crystal display panel 6.
The pixel electrode 705 or the alignment film 734 on the surface of the pixel electrode 705 is more easily irreversibly affected by a DC electric field caused by a signal applied to the scanning line 701 than in the case of 00. And this is FFS
It is presumed that the mode liquid crystal display panel 700 causes the image sticking phenomenon to appear larger than the IPS mode liquid crystal display panel 600.

しかし、従来、走査線近傍で発生する上記液晶表示パネルの焼き付きについて、十分な
対策が検討されておらず、横電界方式の液晶表示パネルの発明としては、特許文献1に記
載されるIPSモードの液晶表示パネルのように視野角の向上と高透過性、及び高画質化
を目的とするものが一般的であった。
However, conventionally, sufficient countermeasures have not been studied for the burn-in of the liquid crystal display panel that occurs in the vicinity of the scanning line. As an invention of a horizontal electric field type liquid crystal display panel, the IPS mode described in Patent Document 1 is used. In general, a liquid crystal display panel is intended to improve viewing angle, high transparency, and high image quality.

特開2005−338256号公報JP 2005-338256 A

しかし、本発明者は、このようなFFSモードの液晶表示パネルの焼き付き問題を低減
すべく種々検討を重ねた結果、画素電極から液晶層へいたるまでの電気力線の経路と液晶
層から走査線に至るまでの電気力線の経路を対称とすることはFFSモードの液晶表示パ
ネルの動作原理からして困難であるが、走査線に印加される高電圧の信号に基づく直流電
界がその近傍の液晶に印加されないようにすることによりFFSモードの液晶表示パネル
の焼き付き現象を低減させることができるだけでなく、IPSモードの液晶表示パネルに
おいても焼き付きを低減させることができることを見出し、本発明を完成するに至ったの
である。
However, the present inventor has conducted various studies to reduce the image sticking problem of the FFS mode liquid crystal display panel, and as a result, the path of electric lines of force from the pixel electrode to the liquid crystal layer and the scanning line from the liquid crystal layer. It is difficult to make the path of the electric lines of force to reach the point of view from the operation principle of the liquid crystal display panel of the FFS mode, but the DC electric field based on the high voltage signal applied to the scanning line is It is found that not only the image sticking phenomenon of the FFS mode liquid crystal display panel can be reduced by preventing the liquid crystal from being applied to the liquid crystal, but also the image sticking can be reduced in the IPS mode liquid crystal display panel. It came to.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は
、走査線に印加される電圧に起因する焼き付き防止手段を備えるとともに、横電界方式の
優れた表示特性を低下させることのない液晶表示パネルを提供することを目的とすること
である。
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a means for preventing burn-in caused by a voltage applied to a scanning line and to provide an excellent display of a lateral electric field method. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel that does not deteriorate the characteristics.

上記目的を達成するために、この発明の第1局面による液晶表示パネルは、基板上に平
行に形成された複数の走査線及びコモン配線と、走査線及びコモン配線と直交する方向に
延伸する複数の信号線と、走査線と信号線に区画された各画素領域内に形成されたコモン
電極及び画素電極と、走査線と同方向に延伸し、画素領域により構成されたアクティブ表
示領域の外側でコモン配線と電気的に接続された導電性材料からなる複数のシールド電極
層とを有している。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display panel according to a first aspect of the present invention includes a plurality of scanning lines and common lines formed in parallel on a substrate, and a plurality of lines extending in a direction orthogonal to the scanning lines and common lines. Signal lines, common electrodes and pixel electrodes formed in each pixel area partitioned by the scanning lines and the signal lines, and extending in the same direction as the scanning lines, outside the active display area constituted by the pixel areas And a plurality of shield electrode layers made of a conductive material electrically connected to the common wiring.

この第1の局面による液晶表示パネルでは、上記のように、走査線と同方向に延伸する
導電性材料からなるシールド電極層が形成されているため、走査線に印加される高電圧の
信号によって発生する画素電極から走査線に向う電気力線は、画素電極から走査線に至る
前にシールド電極層により遮断される。したがって、シールド電極層の上部に位置する液
晶に印加される走査線からの電界成分を最小限に抑えることができ、走査線に印加される
高電圧の信号に基づく液晶表示パネルの焼き付き現象を大幅に低減することができる。
In the liquid crystal display panel according to the first aspect, as described above, the shield electrode layer made of a conductive material extending in the same direction as the scanning line is formed, so that a high voltage signal applied to the scanning line is used. The generated lines of electric force from the pixel electrode to the scanning line are blocked by the shield electrode layer before reaching the scanning line from the pixel electrode. Therefore, the electric field component from the scanning line applied to the liquid crystal positioned above the shield electrode layer can be minimized, and the image sticking phenomenon of the liquid crystal display panel based on the high voltage signal applied to the scanning line is greatly reduced. Can be reduced.

また、シールド電極をフローティング状態とするとシールド電極層の電位が不安定化す
るが、本発明による液晶表示パネルにおいてはシールド電極層とコモン配線とを電気的に
接続してシールド電極層の電位を安定化させている。これにより、走査線に印加される高
電圧の信号に基づく液晶表示パネルの焼き付き現象をさらに低減することができる。
In addition, when the shield electrode is in a floating state, the potential of the shield electrode layer becomes unstable. However, in the liquid crystal display panel according to the present invention, the shield electrode layer and the common wiring are electrically connected to stabilize the potential of the shield electrode layer. It has become. Thereby, the image sticking phenomenon of the liquid crystal display panel based on the high voltage signal applied to the scanning line can be further reduced.

また、本発明による液晶表示パネルにおいては、アクティブマトリクス領域外でシール
ド電極層とコモン配線とを電気的に接続している。通常、シールド電極層とコモン配線と
を走査線と信号線により区画された各画素領域内で電気的に接続する場合、液晶表示パネ
ルの構造及び製造工程上、画素電極の一部に切り欠き部を設けて、その切り欠き部にコン
タクトホールを設けてシールド電極層とコモン配線との導通を確保する必要がある。この
ため、液晶表示パネルの製造工程が複雑になるという問題が生じる。また、画素電極の一
部に切り欠き部を設けるため、この切り欠き部上部に存在する液晶分子を駆動することが
できない。したがって、シールド電極層をITO等の透明材料で形成した場合においても
、この切り欠き部を表示に寄与させることができず、液晶表示パネルの画素開口率が低下
することになる。
In the liquid crystal display panel according to the present invention, the shield electrode layer and the common wiring are electrically connected outside the active matrix region. Usually, when the shield electrode layer and the common wiring are electrically connected in each pixel region partitioned by the scanning line and the signal line, a notch is formed in a part of the pixel electrode in the structure and manufacturing process of the liquid crystal display panel. It is necessary to provide a contact hole in the notch to ensure conduction between the shield electrode layer and the common wiring. For this reason, the problem that the manufacturing process of a liquid crystal display panel becomes complicated arises. In addition, since a notch is provided in a part of the pixel electrode, the liquid crystal molecules existing above the notch cannot be driven. Therefore, even when the shield electrode layer is formed of a transparent material such as ITO, this notch cannot be contributed to display, and the pixel aperture ratio of the liquid crystal display panel is lowered.

しかし、本発明による液晶表示パネルにおいては、アクティブ表示領域の外側でシール
ド電極層とコモン配線とが電気的に接続するため、各画素領域内おいてに切り欠き部を設
ける必要がなく、画素電極の形成領域を狭めることもない。したがって、画素開口率を低
下させることなくシールド電極層を形成することができる。また、アクティブ表示領域の
高精細を図るためには、各画素領域内を微細化して表示領域内の画素数を増やす必要があ
る。したがって、シールド電極層の電位が安定化しないおそれがあるが、本発明による液
晶表示パネルのようにアクティブ表示領域の外側でシールド電極層とコモン配線を電気的
に接続する場合、この電気的接続領域を十分に確保することができる。このため、シール
ド電極層とコモン配線との電気的接続が表示領域の高精細化に影響を与えることが無い。
However, in the liquid crystal display panel according to the present invention, since the shield electrode layer and the common wiring are electrically connected outside the active display region, it is not necessary to provide a notch in each pixel region. It does not narrow the formation area. Therefore, the shield electrode layer can be formed without reducing the pixel aperture ratio. Further, in order to achieve high definition of the active display area, it is necessary to reduce the size of each pixel area and increase the number of pixels in the display area. Therefore, the potential of the shield electrode layer may not be stabilized. However, when the shield electrode layer and the common wiring are electrically connected outside the active display region as in the liquid crystal display panel according to the present invention, this electrical connection region Can be secured sufficiently. For this reason, the electrical connection between the shield electrode layer and the common wiring does not affect the high definition of the display area.

上記第1の局面による液晶表示パネルにおいて、好ましくは、シールド電極層が走査線
を覆うように絶縁層を介して形成されている。これにより、画素電極からの電界を効果的
に遮断して、走査線に印加される高電圧の信号に基づく横電界方式の液晶表示パネルの焼
き付き現象をさらに低減することができる。
In the liquid crystal display panel according to the first aspect, the shield electrode layer is preferably formed through an insulating layer so as to cover the scanning line. Accordingly, the electric field from the pixel electrode can be effectively cut off, and the image sticking phenomenon of the horizontal electric field type liquid crystal display panel based on the high voltage signal applied to the scanning line can be further reduced.

上記第1の局面による液晶表示パネルにおいて、好ましくは、シールド電極層がひと繋
がりの帯状に形成されている。これにより、シールド電極層の形成により、画素電極の形
成領域を狭めることなく画素開口率を確保することができる。また、シールド電極層がひ
と繋がりであるため、アクティブ表示領域の外側でコモン配線とシールド電極層を電気的
に接続するのみで、アクティブ表示領域におけるシールド電極層の電位を安定化させるこ
とができる。
In the liquid crystal display panel according to the first aspect, the shield electrode layer is preferably formed in a continuous band shape. Thereby, the formation of the shield electrode layer can ensure the pixel aperture ratio without narrowing the pixel electrode formation region. Further, since the shield electrode layers are connected together, the potential of the shield electrode layer in the active display region can be stabilized only by electrically connecting the common wiring and the shield electrode layer outside the active display region.

上記第1の局面による液晶表示パネルにおいて、好ましくは、コモン配線の端部が櫛歯
状に形成されている。これにより、コモン配線とシールド電極層の接続部位を広く設ける
ことができ、シールド電極層の電位をより安定化させることができる。
In the liquid crystal display panel according to the first aspect, the end of the common wiring is preferably formed in a comb shape. Thereby, the connection part of a common wiring and a shield electrode layer can be provided widely, and the electric potential of a shield electrode layer can be stabilized more.

上記第1の局面による液晶表示パネルにおいて、好ましくは、シールド電極層がコモン
配線とアクティブ表示領域外側の両端で電気的に接続されている。これにより、コモン配
線とシールド電極層の接続部位を広く設けることができ、シールド電極層の電位をより安
定化させることができる。
In the liquid crystal display panel according to the first aspect, the shield electrode layer is preferably electrically connected to both ends of the common wiring and the outside of the active display area. Thereby, the connection part of a common wiring and a shield electrode layer can be provided widely, and the electric potential of a shield electrode layer can be stabilized more.

以上のように、本発明によれば、走査線に印加される電圧に起因する焼き付き防止手段
を備えるとともに、所定の画素開口率が確保された液晶表示パネルを容易に提供すること
ができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to easily provide a liquid crystal display panel that includes a burn-in preventing unit due to a voltage applied to a scanning line and has a predetermined pixel aperture ratio.

以下、本発明を具体化した実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。ただし、以下
に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルとして横電界方
式のFFSモードの液晶表示パネルを例示するものであって、本発明をこのFFSモード
の液晶表示パネルに特定するものではなく、IPSモードの液晶表示パネル等特許請求の
範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the embodiment described below exemplifies a lateral electric field type FFS mode liquid crystal display panel as a liquid crystal display panel for embodying the technical idea of the present invention. The present invention is not limited to a display panel, and can be equally applied to other embodiments included in the scope of claims such as an IPS mode liquid crystal display panel.

(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネル100の駆動システ
ムの回路構成図である。また、図2〜図5は横電界方式の一つであるFFSモードの液晶
表示パネル100の1画素分の動作原理を示し、図2は本発明の第1実施形態によるFF
Sモードの液晶表示パネル100におけるカラーフィルタ基板120を透視して表したア
レイ基板130上の画素領域を示す模式平面図である。また、図3は図2に示した第1実
施形態による液晶表示パネル100のA−A’線に沿った断面図であり、図4は図2のB
−B’線に沿った断面図であり、図5は図2のC−C’線に沿った断面図である。なお、
図3、図4は説明上、図2に示した液晶表示パネル100の画素領域を拡大するとともに
、液晶層140を構成する液晶分子を模式的に示して液晶分子の動きを説明している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a driving system of an FFS mode liquid crystal display panel 100 according to a first embodiment of the present invention. 2 to 5 show the operation principle of one pixel of the FFS mode liquid crystal display panel 100 which is one of the horizontal electric field systems, and FIG. 2 shows the FF according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic plan view showing a pixel region on an array substrate 130 that is seen through a color filter substrate 120 in an S mode liquid crystal display panel 100. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment shown in FIG. 2, and FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line -B ′, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. In addition,
3 and 4, for the sake of explanation, the pixel region of the liquid crystal display panel 100 shown in FIG. 2 is enlarged, and the movement of the liquid crystal molecules is illustrated by schematically showing the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 140.

図1に示すように、本発明の第1実施形態による液晶表示パネル100は、アレイ基板
130上に複数の走査線101及びコモン配線103がそれぞれ平行に形成され、これら
走査線101及びコモン配線103に直交する方向に信号線102が複数形成されている
。また、複数の走査線101と信号線102により区画された画素領域が複数配列して液
晶表示パネル100のアクティブ表示領域180を形成している。なお、図1においては
、説明上、画素領域の一部のみを示しその他の領域については省略する。
As shown in FIG. 1, in the liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, a plurality of scanning lines 101 and common wirings 103 are formed in parallel on an array substrate 130, respectively. A plurality of signal lines 102 are formed in a direction perpendicular to the line. In addition, a plurality of pixel areas defined by the plurality of scanning lines 101 and signal lines 102 are arranged to form an active display area 180 of the liquid crystal display panel 100. In FIG. 1, only a part of the pixel region is shown for the sake of explanation, and other regions are omitted.

ここで、走査線101は、アクティブ表示領域180の外側でアレイ基板130端部に
設けられた走査電極駆動回路10まで延伸し、これに接続されている。また、信号線10
2は、アクティブ表示領域180の外側でアレイ基板130端部に設けられた信号電極駆
動回路20まで延伸し、これに接続されている。また、アクティブ表示領域180の外側
には抵抗値の低い共通電極線31が表示領域180の外周に沿って設けられ、この共通電
極線31はアクティブ表示領域180の外側でアレイ基板130端部に設けられた共通電
極駆動回路30に接続されている。また、コモン配線103はアクティブ表示領域180
の外側まで左右に延伸して共通電極線31に接続されている。また、図1において図示さ
れていないが、走査線101上には絶縁膜を介して帯状のシールド電極層150が形成さ
れ、アクティブ表示領域180の外側でコモン配線、共通電極線、と電気的に接続されて
いる。また、これら各駆動回路は、図示していないが表示制御装置により制御されている
。なお、図1では、アクティブ表示領域180を構成する1画素領域に電極構造に相当す
る等価回路を示している。また、走査電極駆動回路10はアレイ基板130の一端に設け
たが、画面サイズ等に応じて、一本の走査線101の両端に接続できるようアレイ基板1
30の両端に走査電極駆動回路10を設けて、左右両側から走査線101に給電してもよ
い。また、走査線101と接続される走査電極駆動回路10と信号線102と接続される
信号電極駆動回路20に替えて、信号線102と走査線101のどちらにも信号を供給す
ることが可能な駆動回路を配置してもよい。このとき、アクティブ表示領域180の外側
に延伸した各走査線101の両端をアクティブ表示領域180外側の一極に引き出して、
信号線102とともにその駆動回路に接続することで、駆動回路の数を減らして、アクテ
ィブ表示領域180外側の余分な空間を省略することができる。これにより、液晶表示パ
ネル100の小型化を図ることができる。また、このとき、必要な駆動回路の数量を減ら
してコスト削減をすることもできる。なお、共通電極線31とコモン配線103との接続
構造については、後述する。
Here, the scanning line 101 extends to the scanning electrode driving circuit 10 provided at the end of the array substrate 130 outside the active display region 180 and is connected thereto. Further, the signal line 10
2 extends to the signal electrode drive circuit 20 provided at the end of the array substrate 130 outside the active display region 180 and is connected thereto. Further, a common electrode line 31 having a low resistance value is provided outside the active display region 180 along the outer periphery of the display region 180, and the common electrode line 31 is provided outside the active display region 180 and at the end of the array substrate 130. Connected to the common electrode driving circuit 30. Further, the common wiring 103 is an active display area 180.
It extends to the outside to the left and right and is connected to the common electrode line 31. Although not shown in FIG. 1, a band-shaped shield electrode layer 150 is formed on the scanning line 101 via an insulating film, and is electrically connected to the common wiring and the common electrode line outside the active display region 180. It is connected. Each of these drive circuits is controlled by a display control device (not shown). In FIG. 1, an equivalent circuit corresponding to an electrode structure is shown in one pixel region constituting the active display region 180. Further, although the scan electrode driving circuit 10 is provided at one end of the array substrate 130, the array substrate 1 can be connected to both ends of one scan line 101 according to the screen size or the like.
The scanning electrode driving circuit 10 may be provided at both ends of the power supply 30 to supply power to the scanning line 101 from both the left and right sides. Further, instead of the scanning electrode driving circuit 10 connected to the scanning line 101 and the signal electrode driving circuit 20 connected to the signal line 102, a signal can be supplied to either the signal line 102 or the scanning line 101. A drive circuit may be arranged. At this time, both ends of each scanning line 101 extending outside the active display region 180 are drawn out to one pole outside the active display region 180,
By connecting to the driving circuit together with the signal line 102, the number of driving circuits can be reduced and an extra space outside the active display region 180 can be omitted. Thereby, size reduction of the liquid crystal display panel 100 can be achieved. At this time, the cost can be reduced by reducing the number of necessary drive circuits. The connection structure between the common electrode line 31 and the common wiring 103 will be described later.

図2〜図5に示すように、アクティブ表示領域180を構成する各画素領域は、平行に
形成された走査線101及び信号線102に区画された領域である。また、走査線101
に沿ってコモン配線103が平行に形成され、信号線102は走査線101及びコモン配
線103に直交する方向に形成されている。ここで、走査線101及び信号線102で区
画された各画素領域内において、走査線101に沿って設けられたコモン配線103を被
覆するようにITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明材料で形成さ
れたコモン電極104が設けられている。また、コモン電極104の表面に絶縁層133
、135を介して画素電極105が設けられるとともに、走査線101を覆うように帯状
のシールド電極層150が絶縁層133、135を介して設けられている。また、画素電
極105及びシールド電極層150はITO等の透明材料からなり、画素電極105はス
トライプ状に複数のスリット105aが形成されている。また、画素電極105、複数の
スリット105a及びシールド電極層150の表面は配向膜134により被覆されている
As shown in FIGS. 2 to 5, each pixel area constituting the active display area 180 is an area partitioned by the scanning lines 101 and the signal lines 102 formed in parallel. Also, the scanning line 101
Are formed in parallel, and the signal line 102 is formed in a direction orthogonal to the scanning line 101 and the common wiring 103. Here, in each pixel region defined by the scanning line 101 and the signal line 102, a transparent material made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like is formed so as to cover the common wiring 103 provided along the scanning line 101. A common electrode 104 is provided. Further, the insulating layer 133 is formed on the surface of the common electrode 104.
, 135, and a strip-shaped shield electrode layer 150 is provided via insulating layers 133, 135 so as to cover the scanning line 101. The pixel electrode 105 and the shield electrode layer 150 are made of a transparent material such as ITO, and the pixel electrode 105 has a plurality of slits 105a formed in a stripe shape. The surfaces of the pixel electrode 105, the plurality of slits 105a, and the shield electrode layer 150 are covered with an alignment film 134.

本発明による第1実施形態のFFSモードの液晶表示パネル100では、図3に示すよ
うに、走査線101から離れた画素領域の中央部付近では、画素電極105からコモン電
極104へ向かう電界(図中、画素電極105から出射する矢印により電気力線により電
界方向を示す)が発生し、画素電極105の両側から下方に形成されたコモン電極104
方向に向かう。また、横方向の電界成分と共に画素電極105の縁の近傍でアレイ基板1
30に垂直な方向にも電界成分が発生するため、スリット105a上に存在する液晶分子
だけでなく画素電極105上に存在する液晶分子を駆動することができる。
In the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3, an electric field (from the pixel electrode 105 to the common electrode 104) near the center of the pixel region away from the scanning line 101 (see FIG. 3). Of the common electrode 104 formed downward from both sides of the pixel electrode 105.
Head in the direction. Further, the array substrate 1 near the edge of the pixel electrode 105 together with the horizontal electric field component.
Since an electric field component is also generated in a direction perpendicular to 30, not only the liquid crystal molecules existing on the slit 105 a but also the liquid crystal molecules existing on the pixel electrode 105 can be driven.

また、走査線101と隣接する画素領域においては、図4に示すように、画素電極10
5から発生する電界(図中、画素電極105から出射する矢印により電気力線により電界
方向を示す)のうち走査線101方向に発生する電界は画素電極105から配向膜134
を経て液晶層140に入り、液晶層140から走査線101に向かう途中、シールド電極
層150により、遮断される。このため、本発明による第1実施形態のFFSモードの液
晶表示パネル100は、シールド電極層150を有さない従来のFFSモードの液晶表示
パネルよりも画素電極105又は配向膜134が走査線101に印加される信号に起因す
る直流電界によって受ける不可逆的影響を抑えることができる。また、シールド電極層1
50の上部に位置する液晶に印加される電界成分を最小限に抑えることができ、走査線1
01近傍の焼き付き現象を大幅に低減することができる。
Further, in the pixel region adjacent to the scanning line 101, as shown in FIG.
The electric field generated in the direction of the scanning line 101 out of the electric field generated from the pixel electrode 105 (in the figure, the direction of the electric field is indicated by the lines of electric force indicated by the arrows emitted from the pixel electrode 105 in the figure) is from the pixel electrode 105 to the alignment film 134.
After entering the liquid crystal layer 140, the shield electrode layer 150 blocks the liquid crystal layer 140 on the way to the scanning line 101. Therefore, in the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, the pixel electrodes 105 or the alignment film 134 are arranged on the scanning lines 101 as compared with the conventional FFS mode liquid crystal display panel having no shield electrode layer 150. Irreversible influences caused by a DC electric field caused by an applied signal can be suppressed. Shield electrode layer 1
The electric field component applied to the liquid crystal positioned on the upper part of 50 can be minimized, and the scanning line 1
The image sticking phenomenon in the vicinity of 01 can be greatly reduced.

また、シールド電極層150をフローティング状態にすると電位が不安定化するため、
コモン配線103と電気的に接続させてシールド電極層150の電位を安定化する必要が
ある。しかし、図6に示すように、画素領域においてシールド電極層150と共通電極1
04を接続する場合、FFSモードの液晶表示パネルの構造及び製造工程上、画素電極1
05の一部に切り欠き部を設けるとともに、その切り欠き部にコンタクトホール173を
設け、シールド電極層150とコモン配線103との導通を確保する必要がある。このた
め、液晶表示パネル100の製造工程が複雑になるという問題が生じる。また、画素電極
105の一部に切り欠き部を設けるため、この切り欠き部上部に存在する液晶分子を駆動
することができない。したがって、シールド電極層150をITO等の透明材料で形成し
た場合においても、この切り欠き部を表示に寄与させることができず、液晶表示パネル1
00の画素開口率が低下することになる。なお、図6は走査線101上にシールド電極層
150が形成された第1実施形態のFFSモードの液晶表示パネル100の変形例であり
、第1実施形態のFFSモードの液晶表示パネル100と同一部分については同一の符号
が付してある。
Further, since the potential becomes unstable when the shield electrode layer 150 is in a floating state,
It is necessary to stabilize the potential of the shield electrode layer 150 by being electrically connected to the common wiring 103. However, as shown in FIG. 6, the shield electrode layer 150 and the common electrode 1 in the pixel region.
04 is connected to the pixel electrode 1 in view of the structure and manufacturing process of the FFS mode liquid crystal display panel.
It is necessary to provide a cutout portion in a part of 05 and provide a contact hole 173 in the cutout portion to ensure conduction between the shield electrode layer 150 and the common wiring 103. For this reason, the problem that the manufacturing process of the liquid crystal display panel 100 becomes complicated arises. Further, since a notch is provided in a part of the pixel electrode 105, the liquid crystal molecules existing above the notch cannot be driven. Therefore, even when the shield electrode layer 150 is formed of a transparent material such as ITO, this notch cannot be contributed to display, and the liquid crystal display panel 1
The pixel aperture ratio of 00 will decrease. FIG. 6 is a modification of the FFS mode liquid crystal display panel 100 of the first embodiment in which the shield electrode layer 150 is formed on the scanning line 101, and is the same as the FFS mode liquid crystal display panel 100 of the first embodiment. Parts are denoted by the same reference numerals.

これに対して、本発明による第1実施形態のFFSモードの液晶表示パネル100では
、シールド電極150がアクティブ表示領域180の外側において、コモン配線103と
電気的に接続されている。したがって、図2に示すように、シールド電極層150を走査
線101上に帯状に形成し、画素電極104の形成領域を確保するとともに画素電極10
4事体にも切り欠き部分を設ける必要がない。したがって、シールド電極層150の電位
を安定化させるとともに、画素開口率の低下を抑えることができる。
In contrast, in the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, the shield electrode 150 is electrically connected to the common wiring 103 outside the active display region 180. Therefore, as shown in FIG. 2, the shield electrode layer 150 is formed in a strip shape on the scanning line 101 to secure the formation region of the pixel electrode 104 and the pixel electrode 10.
There is no need to provide notches in the four objects. Accordingly, it is possible to stabilize the potential of the shield electrode layer 150 and to suppress a decrease in the pixel aperture ratio.

また、シールド電極層150は画素電極105から走査線101方向に発生する電界を
遮断するためには、できるだけ幅広に設けることが好ましいが、シールド電極を幅広に形
成した場合、画素電極105の形成領域を狭め、画素開口率が低下するおそれがある。し
たがって、本発明による第1実施形態のFFSモードの液晶表示パネル100では、シー
ルド電極層150は走査線101上に焼き付き現象を抑えるのに必要な所定の幅で帯状に
形成されている。
The shield electrode layer 150 is preferably provided as wide as possible in order to block the electric field generated from the pixel electrode 105 in the direction of the scanning line 101. However, when the shield electrode is formed wide, the formation region of the pixel electrode 105 The pixel aperture ratio may be reduced. Therefore, in the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, the shield electrode layer 150 is formed in a strip shape with a predetermined width necessary to suppress the burn-in phenomenon on the scanning line 101.

また、アクティブ表示領域180の高精細化を図るためには、各画素領域内の面積を微
細化してアクティブ表示領域180内の画素数を増やす必要がある。このとき、図6に示
すような、液晶表示パネル100の場合、画素領域内に設けられたシールド電極層150
とコモン電極104を電気接続するコンタクトホール173も微細化する必要がある。
In order to increase the definition of the active display region 180, it is necessary to reduce the area in each pixel region and increase the number of pixels in the active display region 180. At this time, in the case of the liquid crystal display panel 100 as shown in FIG. 6, the shield electrode layer 150 provided in the pixel region.
The contact hole 173 that electrically connects the common electrode 104 and the common electrode 104 also needs to be miniaturized.

図7は本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネル100のアクティブ
表示領域180外周の一部を示す模式平面図であり、図8は図7のD−D’線に沿った断
面図である。図7に示すように、コモン配線103はアクティブ表示領域180の外側ま
で延伸して、シールド電極層150とコンタクトホール171を介して電気的に接続され
ている。このとき、コモン配線103の端部は櫛歯状に形成され複数のコンタクトホール
171を介して接続されている。この構成により、シールド電極層150とコモン配線1
03の電気接続部分の抵抗値を低く抑えシールド電極層160の電位を安定化させること
ができる。また、複数のコモン配線103は全て抵抗値の低い共通電極線31に接続され
、この共通電極線31を介して最終的に共通電極駆動回路30に接続される(図1参照)
。このとき、本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネル100では共通
電極線31から櫛歯状に延在した部分がコンタクトホール172を介して、シールド電極
層150と電気的に接続されている。この構成により、コモン配線103はシールド電極
層150を介して共通電極線31と電気的に接続されている。また、共通電極線31の延
在部を櫛歯状に形成し、複数のコンタクトホール172を介して共通電極線31とシール
ド電極層150が電気接続されている。この構成により、シールド電極層150と共通電
極線131の電気接続部分の抵抗値を低く抑え、コモン配線103と共通電極線31を安
定的に接続することが可能になる。また、シールド電極層150の電位もいっそう安定化
する。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a part of the outer periphery of the active display region 180 of the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross section taken along the line DD ′ of FIG. FIG. As shown in FIG. 7, the common wiring 103 extends to the outside of the active display region 180 and is electrically connected to the shield electrode layer 150 via the contact hole 171. At this time, the end portions of the common wiring 103 are formed in a comb-teeth shape and connected via a plurality of contact holes 171. With this configuration, the shield electrode layer 150 and the common wiring 1
It is possible to stabilize the potential of the shield electrode layer 160 by keeping the resistance value of the electrical connection portion 03 low. The plurality of common wirings 103 are all connected to the common electrode line 31 having a low resistance value, and finally connected to the common electrode driving circuit 30 via the common electrode line 31 (see FIG. 1).
. At this time, in the FFS mode liquid crystal display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, a portion extending from the common electrode line 31 in a comb shape is electrically connected to the shield electrode layer 150 via the contact hole 172. ing. With this configuration, the common wiring 103 is electrically connected to the common electrode line 31 through the shield electrode layer 150. Further, the extended portion of the common electrode line 31 is formed in a comb shape, and the common electrode line 31 and the shield electrode layer 150 are electrically connected through a plurality of contact holes 172. With this configuration, the resistance value of the electrical connection portion between the shield electrode layer 150 and the common electrode line 131 can be kept low, and the common wiring 103 and the common electrode line 31 can be stably connected. Further, the potential of the shield electrode layer 150 is further stabilized.

なお、コモン配線103とシールド電極層150と共通電極線31との接続部分はマト
リクス表示領域180の一端に設ける場合に限定されず、マトリクス表示領域180の両
端に設けてもよい。このとき、シールド電極層150の電位をさらに安定化させることが
できる。
Note that the connection portion of the common wiring 103, the shield electrode layer 150, and the common electrode line 31 is not limited to being provided at one end of the matrix display region 180, and may be provided at both ends of the matrix display region 180. At this time, the potential of the shield electrode layer 150 can be further stabilized.

次に、本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示領域100の構成について
具体的に説明する。図5に示すように、アレイ基板130はガラス基板等の透明基板13
2上に形成された走査線101及びコモン配線103は、透明基板132の表面全体に亘
って下部がAl金属からなり表面がMo金属からなる2層膜を形成した後、フォトリソグ
ラフィー法及びエッチング法によって形成されたMo/Alの2層配線である。なお、M
o/Alの2層配線にしたのは、アルミ二ウムは抵抗値が小さいという長所を有するが、
その反面、腐食しやすく、ITOとの接触抵抗が高いなどの欠点があるためであり、アル
ミニウムをモリブテンで覆った多層構造にすることでそうした欠点を改善することができ
る。また、ここではコモン配線103を走査線101に沿って設けた例を示したが、隣接
する走査線101の中間に設けてもよい。
Next, the configuration of the FFS mode liquid crystal display region 100 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail. As shown in FIG. 5, the array substrate 130 is a transparent substrate 13 such as a glass substrate.
The scanning line 101 and the common wiring 103 formed on the substrate 2 are formed by forming a two-layer film having a lower part made of Al metal and a surface made of Mo metal over the entire surface of the transparent substrate 132, and then a photolithography method and an etching method. This is a Mo / Al two-layer wiring formed by M
The o / Al two-layer wiring has the advantage that aluminum has a small resistance value,
On the other hand, it is easy to corrode and has high defects such as high contact resistance with ITO. Such a defect can be improved by forming a multilayer structure in which aluminum is covered with molybdenum. Further, although an example in which the common wiring 103 is provided along the scanning line 101 is shown here, the common wiring 103 may be provided in the middle of the adjacent scanning lines 101.

また、コモン電極104は走査線101及び信号線102で区画された各画素領域内に
おいて、コモン配線103を被覆するようにITOからなる透明材料で形成されている。
これは、一度、走査線101及びコモン配線103を形成した透明基板132の表面全体
に亘ってITOからなる透明電極層を被覆した後、フォトリソグラフィー法及びエッチン
グ法によって不要な透明電極層を除去して形成されている。また、画素領域内において、
コモン電極104はコモン配線103とは電気的に接続されるが、走査線101ないしゲ
ート電極107とは接続されないよう形成されている。
The common electrode 104 is formed of a transparent material made of ITO so as to cover the common wiring 103 in each pixel region defined by the scanning line 101 and the signal line 102.
In this method, once the transparent electrode layer made of ITO is coated over the entire surface of the transparent substrate 132 on which the scanning lines 101 and the common wiring 103 are formed, unnecessary transparent electrode layers are removed by a photolithography method and an etching method. Is formed. In the pixel area,
The common electrode 104 is electrically connected to the common wiring 103 but is not connected to the scanning line 101 or the gate electrode 107.

また、コモン電極104を形成した後、走査線101、コモン配線103、及びコモン
電極104を含む透明基板132全体に亘って窒化珪素層ないし酸化珪素からなるゲート
絶縁膜133が被覆されている。
Further, after forming the common electrode 104, the gate insulating film 133 made of a silicon nitride layer or silicon oxide is covered over the entire transparent substrate 132 including the scanning line 101, the common wiring 103, and the common electrode 104.

また、走査線101と信号線102との交差点近傍にはスイッチング素子としてのTF
T110が形成され、このTFT110は、走査線101と信号線102との間に半導体
層109が配置されている。このとき、半導体層109は走査線101から延在した所定
領域上に形成され、この半導体層109下部と重なる走査線101の延在部分がゲート電
極107を構成するとともに、半導体層109の上面の一部を覆うように信号線102の
一部が延在されてTFT110のソース電極106を構成し、また、半導体層109の一
部分と重なる画素電極105の一部分がドレイン電極108を構成している。
Further, a TF as a switching element is located near the intersection of the scanning line 101 and the signal line 102.
T110 is formed, and the semiconductor layer 109 is disposed between the scanning line 101 and the signal line 102 in the TFT 110. At this time, the semiconductor layer 109 is formed on a predetermined region extending from the scanning line 101, and the extending part of the scanning line 101 overlapping the lower part of the semiconductor layer 109 constitutes the gate electrode 107 and the upper surface of the semiconductor layer 109. A part of the signal line 102 is extended so as to cover a part to constitute the source electrode 106 of the TFT 110, and a part of the pixel electrode 105 overlapping with a part of the semiconductor layer 109 constitutes the drain electrode 108.

このTFT110は、まず、CVD法により例えばアモルファス・シリコン(以下「a
‐Si」)層をゲート絶縁膜133の表面全体に亘って被覆した後に、フォトリソグラフ
ィー法及びエッチング法によって、不要なa‐Si層を除去してTFT110形成領域で
ある走査線101の延在部にa‐Si層からなる半導体層109を形成する。次いで、M
o/Al/Moの3層構造の導電性層を半導体層109の上面から透明基板132表面全
体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、不要な部
分を除去して信号線102、ソース電極106及びドレイン電極108を形成し、アクテ
ィブ表示領域180の外周に沿って共通電極線31を形成する。ここで、信号線102は
その一部が延在して半導体層109上面の一部と部分的に重なるように形成され、この半
導体層109上面と部分的に重なる信号線102の延在部がTFT110のソース電極1
06となる。また、同様にドレイン電極108も半導体層109の表面の一部に部分的に
重なるよう形成されている。
The TFT 110 is first formed of, for example, amorphous silicon (hereinafter referred to as “a” by CVD).
-Si ") layer is applied over the entire surface of the gate insulating film 133, and then the unnecessary a-Si layer is removed by a photolithography method and an etching method to extend the scanning line 101, which is the TFT 110 formation region. A semiconductor layer 109 made of an a-Si layer is formed. Then M
A conductive layer having a three-layer structure of o / Al / Mo is coated from the upper surface of the semiconductor layer 109 to the entire surface of the transparent substrate 132, and unnecessary portions are removed by the photolithography method and the etching method to remove the signal line 102. The source electrode 106 and the drain electrode 108 are formed, and the common electrode line 31 is formed along the outer periphery of the active display region 180. Here, a part of the signal line 102 extends so as to partially overlap with a part of the upper surface of the semiconductor layer 109, and an extension part of the signal line 102 that partially overlaps with the upper surface of the semiconductor layer 109 is formed. Source electrode 1 of TFT 110
06. Similarly, the drain electrode 108 is also formed so as to partially overlap a part of the surface of the semiconductor layer 109.

また、ドレイン電極108はストライプ状に複数のスリット105aが形成されたIT
Oからなる画素電極105と電気的に接続されている。この製造工程はまず、信号線10
2、ソース電極106及びドレイン電極108を形成した後、基板表面全体に窒化珪素層
からなるソース絶縁膜135を被覆し、ドレイン電極108に対応する位置のソース絶縁
膜135にコンタクトホール170を形成してドレイン電極の一部を露出させる。その後
、この表面全体に亘ってITOからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフ
ィー法及びエッチング法によって、ストライプ状に複数のスリット105aが形成された
画素電極105を、走査線101及び信号線102で囲まれた画素領域内のソース絶縁膜
135上に形成する。このとき、画素電極105はコンタクトホール170を介してドレ
イン電極108と電気的に接続される。
The drain electrode 108 has an IT in which a plurality of slits 105a are formed in a stripe shape.
The pixel electrode 105 made of O is electrically connected. This manufacturing process starts with the signal line 10.
2. After forming the source electrode 106 and the drain electrode 108, the entire surface of the substrate is covered with a source insulating film 135 made of a silicon nitride layer, and a contact hole 170 is formed in the source insulating film 135 at a position corresponding to the drain electrode 108. To expose part of the drain electrode. Thereafter, a transparent conductive layer made of ITO is covered over the entire surface, and the pixel electrode 105 in which a plurality of slits 105a are formed in a stripe shape by the photolithography method and the etching method is used as the scanning line 101 and the signal line. It is formed on the source insulating film 135 in the pixel region surrounded by 102. At this time, the pixel electrode 105 is electrically connected to the drain electrode 108 through the contact hole 170.

また、このとき、スリット105aを有する画素電極105を形成するとともに、走査
線101上のソース絶縁膜135表面にシールド電極層150を形成する。また、図8に
示すように、アクティブ表示領域180の外側ではシールド電極層150がコモン配線1
03及び共通電極線31とそれぞれコンタクトホール171、172を介して電気的に接
続され、電位を安定化させている。これは、信号線102、ソース電極106及びドレイ
ン電極108を形成してソース絶縁膜135を被覆した後、アクティブ表示領域180の
外側の共通電極線31に対応する所定位置のソース絶縁膜135にコンタクトホール17
2を形成して共通電極線31の一部を露出させるとともに、コモン配線103に対応する
所定位置のソース絶縁膜135及びゲート絶縁膜133にコンタクトホール171を形成
して、シールド電極層150となる透明導電性層を被覆して形成する。このとき、シール
ド電極層150はコンタクトホール171、172を介してコモン配線103及び共通電
極線31と電気的に接続される。
At this time, the pixel electrode 105 having the slit 105 a is formed, and the shield electrode layer 150 is formed on the surface of the source insulating film 135 on the scanning line 101. As shown in FIG. 8, the shield electrode layer 150 is connected to the common wiring 1 outside the active display region 180.
03 and the common electrode line 31 through contact holes 171 and 172, respectively, to stabilize the potential. This is because the signal line 102, the source electrode 106 and the drain electrode 108 are formed to cover the source insulating film 135, and then contacted to the source insulating film 135 at a predetermined position corresponding to the common electrode line 31 outside the active display region 180. Hall 17
2 to expose a part of the common electrode line 31, and a contact hole 171 is formed in the source insulating film 135 and the gate insulating film 133 at predetermined positions corresponding to the common wiring 103 to form the shield electrode layer 150. A transparent conductive layer is covered and formed. At this time, the shield electrode layer 150 is electrically connected to the common wiring 103 and the common electrode line 31 through the contact holes 171 and 172.

なお、TFT110の動作特性に影響を与えないようにするため、シールド電極層15
0は半導体層109の表面を覆わないようにした方がよい。したがって、本発明の第1実
施形態によるFFSモードの液晶表示領域100では画素電極105の一部に切り欠き部
を設け、この部分にTFT110を配している。また、シールド電極150はITOに変
えてアルミ二ウム等の導電性金属で形成してもよい。また、この画素電極105及び複数
のスリット105a、シールド電極層150の表面は配向膜134により被覆されている
In order not to affect the operating characteristics of the TFT 110, the shield electrode layer 15
0 should not cover the surface of the semiconductor layer 109. Therefore, in the FFS mode liquid crystal display region 100 according to the first embodiment of the present invention, a notch is provided in a part of the pixel electrode 105, and the TFT 110 is provided in this part. The shield electrode 150 may be formed of a conductive metal such as aluminum instead of ITO. The surface of the pixel electrode 105, the plurality of slits 105a, and the shield electrode layer 150 is covered with an alignment film 134.

一方、カラーフィルタ基板120は、図3または図4に示すように、ガラス基板122
の表面にカラーフィルタ層123、オーバーコート層125及び配向膜124が設けられ
ている。そして、アレイ基板130の画素電極105及びコモン電極104とカラーフィ
ルタ基板120のカラーフィルタ層123とが互いに対向するようにアレイ基板130及
びカラーフィルタ基板120を対向させ、その間に液晶を封入して液晶層140を形成す
るとともに、両基板120,130のそれぞれ外側に偏光板121、131を偏光方向が
互いに直交する方向となるように配置することにより、FFSモードの液晶表示パネル1
00が形成されている。
On the other hand, the color filter substrate 120 is made of a glass substrate 122 as shown in FIG.
A color filter layer 123, an overcoat layer 125, and an alignment film 124 are provided on the surface. Then, the array substrate 130 and the color filter substrate 120 are opposed so that the pixel electrode 105 and the common electrode 104 of the array substrate 130 and the color filter layer 123 of the color filter substrate 120 are opposed to each other, and liquid crystal is sealed between them. The FFS mode liquid crystal display panel 1 is formed by forming the layer 140 and disposing the polarizing plates 121 and 131 on the outer sides of the substrates 120 and 130 so that the polarization directions are perpendicular to each other.
00 is formed.

なお、第1実施形態においては、画素電極105に設けるスリットとして一方向に傾い
たものを用いた例を示したが、従来例として図15に示したFFSモードの液晶表示パネ
ルのように画素電極105に設けるストライブ状のスリット105aを「く」字状になる
ように配置してデュアルドメイン化するようにしてもよい。この場合、視角異方性を少な
くするために、コモン配線103の両側に設けられたスリット105aの数はそれぞれの
側で同一であることが好ましく、また、コモン配線103に最も近接する両側のスリット
105aの端部はコモン配線上で結合されているものとすることが好ましい。更には、図
示しないが、信号線102に対向する部分に設けられるカラーフィルタ基板120のブラ
ックマトリックスが直線状とならないようにして、ブラックマトリクスが目立たない画像
表示に適したものとするために、信号線102を走査線101と直交する方向にクランク
状に設けて複数の共通電極104及び画素電極105がデルタ配置となるようにしてもよ
い。
In the first embodiment, an example in which the slit provided in the pixel electrode 105 is tilted in one direction has been shown. However, as a conventional example, the pixel electrode as in the FFS mode liquid crystal display panel shown in FIG. The stripe-shaped slits 105a provided in 105 may be arranged in a “<” shape to form a dual domain. In this case, in order to reduce viewing angle anisotropy, the number of slits 105 a provided on both sides of the common wiring 103 is preferably the same on each side, and the slits on both sides closest to the common wiring 103 are also provided. The end of 105a is preferably connected on the common wiring. Further, although not shown in the figure, in order to make the black matrix of the color filter substrate 120 provided in the portion facing the signal line 102 not linear, the signal is suitable for image display in which the black matrix is not conspicuous. The lines 102 may be provided in a crank shape in a direction orthogonal to the scanning lines 101 so that the plurality of common electrodes 104 and the pixel electrodes 105 have a delta arrangement.

加えて第1実施形態において説明したFFSモードの液晶表示パネル100の構成、特
にシールド電極に関する構成を図9に示すようなIPSモードの液晶表示パネル600に
適応させることは容易に可能であるので、ここでは説明の重複をさけるためIPSモード
の液晶表示パネル600に本願発明の構成を適応したものに、従来例として示したIPS
モードの液晶表示パネル600のように、画素電極及び対向電極と配向膜のラビング方向
とに微小角度の傾きを設けるようにすることで、デュアルドメイン化すること、及び画素
電極及び対向電極をデルタ配置にすることも可能であることは明白である。
In addition, the configuration of the FFS mode liquid crystal display panel 100 described in the first embodiment, particularly the configuration related to the shield electrode, can be easily applied to the IPS mode liquid crystal display panel 600 as shown in FIG. Here, in order to avoid duplication of explanation, the IPS shown as the conventional example is applied to the liquid crystal display panel 600 of the IPS mode applied to the configuration of the present invention.
As in the liquid crystal display panel 600 in the mode, the pixel electrode and the counter electrode and the alignment film are rubbed in the rubbing direction so as to form a dual domain, and the pixel electrode and the counter electrode are arranged in a delta arrangement. Obviously, it is possible to

本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルの駆動システムの回路構成図である。1 is a circuit configuration diagram of a driving system of an FFS mode liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention. FIG. 本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルを構成するアレイ基板上の画素領域を示した模式平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a pixel region on an array substrate constituting the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention. 図2に示した本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるA−A’線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in the pixel region of the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2. 図2に示した本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるB−B’線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ in the pixel region of the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2. 図2に示した本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるC−C’線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line C-C ′ in the pixel region of the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2. 図2に示した本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルの画素領域における変形例を示す模式平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view illustrating a modification example in a pixel region of the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 2. 本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルを構成するアレイ基板上のアクティブ表示領域の外側を示した模式平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing the outside of an active display area on an array substrate constituting the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention. 図7に示した本発明の第1実施形態によるFFSモードの液晶表示パネルのアクティブ表示領域の外側におけるD−D’線に沿った断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line D-D ′ outside the active display region of the FFS mode liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 7. 従来のIPSモードの液晶表示パネルを構成するアレイ基板の画素領域を示した模式平面図である。It is the model top view which showed the pixel area | region of the array substrate which comprises the liquid crystal display panel of the conventional IPS mode. 図9に示した従来のIPSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるE−E’線に沿った断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line E-E ′ in the pixel region of the conventional IPS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 9. 図9に示した従来のIPSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるF−F’線に沿った断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line F-F ′ in the pixel region of the conventional IPS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 9. 従来のFFSモードの液晶表示パネルを構成するアレイ基板の画素領域を示した模式平面図である。It is the model top view which showed the pixel area | region of the array substrate which comprises the conventional liquid crystal display panel of FFS mode. 図12に示した従来のFFSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるG−G’線に沿った断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line G-G ′ in the pixel region of the conventional FFS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 12. 図12に示した従来のFFSモードの液晶表示パネルの画素領域におけるH−H’線に沿った断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line H-H ′ in the pixel region of the conventional FFS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 12. 図12に示した従来のFFSモードの液晶表示パネルの画素領域における変形例を示す模式平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing a modification of the pixel region of the conventional FFS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 12. 図9に示した従来のIPSモードの液晶表示パネルの画素領域における変形例を示す模式平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a modification of the pixel region of the conventional IPS mode liquid crystal display panel shown in FIG. 9.

符号の説明Explanation of symbols

10 走査電極駆動回路
20 信号電極駆動回路
30 共通電極駆動回路
31 共通電極線
100 液晶表示パネル
101、601、701 走査線
102、602、702 信号線
103、603、703 コモン配線
104 コモン電極
105 画素電極
105a スリット
106 ソース電極
107 ゲート電極
108 ドレイン電極
109 半導体層
110 TFT
120 カラーフィルタ基板
130 アレイ基板
140 液晶層
150 シールド電極層
170 コンタクトホール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Scan electrode drive circuit 20 Signal electrode drive circuit 30 Common electrode drive circuit 31 Common electrode line 100 Liquid crystal display panel 101, 601, 701 Scan line 102, 602, 702 Signal line 103, 603, 703 Common wiring 104 Common electrode 105 Pixel electrode 105a Slit 106 Source electrode 107 Gate electrode 108 Drain electrode 109 Semiconductor layer 110 TFT
120 Color filter substrate 130 Array substrate 140 Liquid crystal layer 150 Shield electrode layer 170 Contact hole

Claims (5)

基板上に平行に形成された複数の走査線及びコモン配線と、
前記走査線及び前記コモン配線と直交する方向に延伸する複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線に区画された各画素領域内に形成されたコモン電極及び画素電
極と、
前記走査線と同方向に延伸し、前記画素領域により構成されたアクティブ表示領域の外
側で前記コモン配線と電気的に接続された導電性材料からなる複数のシールド電極層と、
を有することを特徴とする、液晶表示パネル。
A plurality of scanning lines and common lines formed in parallel on the substrate;
A plurality of signal lines extending in a direction orthogonal to the scanning lines and the common lines;
A common electrode and a pixel electrode formed in each pixel region partitioned by the scanning line and the signal line;
A plurality of shield electrode layers made of a conductive material extending in the same direction as the scanning line and electrically connected to the common wiring outside the active display region constituted by the pixel region;
A liquid crystal display panel comprising:
前記シールド電極層が前記走査線を覆うように絶縁層を介して形成されていることを特
徴とする、請求項1に記載の液晶表示パネル。
The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the shield electrode layer is formed through an insulating layer so as to cover the scanning line.
前記シールド電極層がひと繋がりの帯状に形成されていることを特徴とする、請求項1
または請求項2に記載の液晶表示パネル。
2. The shield electrode layer is formed in a continuous band shape.
Or the liquid crystal display panel of Claim 2.
前記コモン配線の端部が櫛歯状に形成されていることを特徴とする、請求項1〜3のい
ずれか1に記載の液晶表示パネル。
The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein an end portion of the common wiring is formed in a comb shape.
前記シールド電極層が前記コモン配線とアクティブ表示領域外側の両端で電気的に接続
されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1に記載の液晶表示パネル。
5. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the shield electrode layer is electrically connected to the common line at both ends outside the active display area. 6.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013029645A (en) * 2011-07-28 2013-02-07 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
JP2013037234A (en) * 2011-08-09 2013-02-21 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
WO2013146567A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 シャープ株式会社 Liquid crystal display panel
KR20170070413A (en) * 2015-12-14 2017-06-22 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor substrate
CN116524811A (en) * 2019-11-18 2023-08-01 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8879037B2 (en) 2011-07-28 2014-11-04 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
JP2013029645A (en) * 2011-07-28 2013-02-07 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
US11106097B2 (en) 2011-08-09 2021-08-31 Japan Display Inc. Liquid crystal display apparatus
JP2013037234A (en) * 2011-08-09 2013-02-21 Japan Display Central Co Ltd Liquid crystal display device
US9274386B2 (en) 2011-08-09 2016-03-01 Japan Display Inc. Liquid crystal display apparatus
US10345654B2 (en) 2011-08-09 2019-07-09 Japan Display Inc. Liquid crystal display apparatus
WO2013146567A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 シャープ株式会社 Liquid crystal display panel
US9360718B2 (en) 2012-03-30 2016-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel
KR20170070413A (en) * 2015-12-14 2017-06-22 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor substrate
KR102148491B1 (en) * 2015-12-14 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor substrate
US11092857B2 (en) 2015-12-14 2021-08-17 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate
US10416502B2 (en) 2015-12-14 2019-09-17 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate
US11899319B2 (en) 2015-12-14 2024-02-13 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate including multi-level transparent electrodes having slits
CN116524811A (en) * 2019-11-18 2023-08-01 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display device

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