JP2004046123A - Liquid crystal display device - Google Patents
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- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に高開口率化による輝度向上、低消費電力化、低コスト化に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置において、液晶層を駆動する電極は、薄膜トランジスタアレイ基板(以下、TFT基板と称す)とカラーフィルタ基板(以下、CF基板と称す)の2枚の基板によって形成され、相対向している透明基板を用いている。TFT基板はスイッチング素子及びそのスイッチング素子に接続される液晶駆動電極等がアレイ状に形成されている。CF基板はRGBの着色層からなる画素及び各着色層間に配置されるブラックマトリクス(以下、BMと称す)が各スイッチング素子に対応するように形成されている。そしてその間に液晶材料を注入し、この液晶材料の偏光作用によって表示を行っている。この液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向とし、水平方向に配向していた液晶分子を電界により垂直方向に配向させることで動作する、ツイステッドネマティック表示方式(TN方式)に代表される液晶駆動方式が従来は主に採用されていた。
【0003】
しかし、この方式は、液晶分子が電界によって、垂直方向に配向する際、基板に対しある角度を持つため、見る方向によって明るさが異なり視野角を広くできないという問題点を有している。
【0004】
その改善策として、液晶に印加する電界の方向を基板界面に略平行な方向にして、水平方向に液晶分子を電界により回転させる方式として、複数本の電極からなる櫛状の電極対を用いた横方向電界方式(In―Plane―Switching方式 以下、IPS方式と称す)の液晶表示装置が用いられるようになっている。
【0005】
このIPS方式の液晶表示装置は液晶分子が基板に対して常に平行なため、ツイステッドネマティック表示方式の液晶表示装置に比べ非常に視野角が広く、モニター用途の液晶表示装置として注目されている。
【0006】
また液晶パネルは、液晶の漏れを防ぐため、シール材とよばれる接着剤をCF基板の周辺に塗布し、TFT基板と貼り合わせている。この相対向する2枚の基板間には液晶材料を注入する一定の隙間を設けている。この相対向する2枚の基板間の間隙(ギャップ)を均一にすることは難しく、場所により若干のバラツキが生じ、輝度及び色度の変化を生じるため表示ムラが発生する。また一般的にIPS方式ではツイステッドネマティック表示方式よりもギャップに対する輝度及び色度の変化が大きいため、ギャップの面内均一性が要求される。
【0007】
このギャップを一定にするために通常基板間に多数のスペーサーを面内全域に設ける。このスペーサーは通常CF基板の上に図9の様な構造で形成される。ここで8はスペーサー、9は遮光層となるBM、10はRGBの画素となる着色層、13はCF表面を平坦化するためのオーバーコート膜である。
【0008】
従来の液晶表示装置ではCF基板とTFT基板を重ね合わせた際に、このスペーサー8はTFT基板上の図10、図11に示す位置に配置されていた。ここで1はゲート配線、2はソース配線、3はソース電極、4はドレイン電極であり、これらがTFTのスイッチング素子を構成する。さらに5はドレイン電極4と接続された液晶駆動電極、6は液晶駆動電極5と対向する共通電極、7は共通電極6に接続された共通容量配線である。この液晶駆動電極5と共通電極6の間に電界によって、液晶材料が配向する。IPS方式では横方向に電界を加えるため、液晶駆動電極5と共通電極6は櫛状になっている。また前記CF基板上のBM9は画素間の光を遮蔽するため、図10、図11の太線に示された位置(ゲート配線1及びソース配線2に対応する位置)に設けられている。ここで図10、図11は1画素の拡大図であり、この画素がアレイ状に設けられている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
図10に示す配置を仮定すると、スペーサー8はソース配線3上でTFT基板と接触している。通常、スペーサー8の直径は10〜20μm程度である。またこの画素はアレイ状に設けられているため、この位置でのBM9の線幅eは図10に示すcとdの和であり、スペーサー8と略同じ15μm程度となる。
【0010】
安定したセルギャップ(基板間ギャップ)を保つためスペーサー8の高さがばらつかないように設置する必要がある。そのため基板を対向配置した際にスペーサー8と着色層10が重ならずに、かつBM9からはみ出さないように配置する必要がある。また色抜けを防止しパネル表示品質を向上させるために、BM9と着色層10と重ねる必要がある。しかし、スペーサー8の幅精度とBM9に対する位置精度、BM9の幅精度及び着色層10の幅精度とBM9に対する位置精度より、片側約10〜15μmのBM9スペースを確保する必要がある。従って、開口率の低下を招き、輝度が低下してしまった。よって液晶表示装置のバックライトの低消費電力化、低コスト化が実現できないという問題点があった。
【0011】
図11に示す配置を仮定すると、スペーサー8はゲート配線1上でTFT基板と接触している。この位置でのBM9の線幅eは図11に示すaとbの和であり、30μm程度となる。
【0012】
しかしこの場合にもギャップムラが発生しないようスペーサー8を設けるためにはBM幅をさらに太く(35〜45μm程度)する必要があった。従って、開口率の低下を招き、輝度が低下してしまった。よって液晶表示装置のバックライトの低消費電力化、低コスト化が実現できないという問題点があった。
【0013】
さらに図10、図11に示す従来のTFT基板ではゲート配線1、ソース配線2及びBM9の幅を狭くして開口率を向上させようとした場合、スペーサー8の周囲のBMを狭くできないため、開口率向上の妨げになってしまという問題点があった。
【0014】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、高開口率、高輝度の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる液晶表示装置は対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサー(例えば、本発明の実施の形態におけるスペーサー8)と、その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記第1の基板はゲート配線(例えば、本発明の実施の形態におけるゲート配線1)と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線(例えば、本発明の実施の形態におけるソース配線2)と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極(例えば、本発明の実施の形態における液晶駆動電極5)と、前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極例えば、本発明の実施の形態における共通電極6)とを備え、前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層(例えば、本発明の実施の形態における着色層10)と、前記着色層の間に設けられた遮光層(例えば、本発明の実施の形態におけるBM9)とを備え、前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ゲート配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接する領域で第1の基板と接触することを特徴とするものである。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることができる。
【0016】
本発明にかかる液晶表示装置は対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記第1の基板はゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる櫛状の共通電極とを備え、前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ソース配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接する領域で第1の基板と接触することを特徴とするものである。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0017】
本発明にかかる液晶表示装置は、対向配置された第1の基板及び第2の基板と、当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーとその間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記第1の基板はゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線とを備え、前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ゲート配線と前記ソース配線の交差位置近傍で1の基板と接触することを特徴とするものである。
これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0018】
本発明にかかる液晶表示装置は対向配置された第1の基板及び第2の基板と、その基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記第1の基板はゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、前記ゲート配線と略平行に設けられ前記共通電極と接続する共通容量配線(例えば、本発明の実施の形態における共通容量配線7)とを備え、前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置近傍で第1の基板と接触することを特徴とするものである。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0019】
前記スペーサーは前記遮光層の上に設けられていることが望ましい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0020】
本発明にかかる液晶表示装置は対向配置された第1の基板及び第2の基板と、その基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記第1の基板はゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、前記ゲート配線と略平行に設けられ前記共通電極と接続する共通容量配線とを備え、前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記共通容量配線の上で第1の基板と接触し、かつ前記着色層の上で第2の基板と接触することを特徴とするものである。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0021】
前記スペーサーは前記着色層の上に設けられていることが望ましい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0022】
また前記スペーサーは第1の基板の上に設けられていてもよい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0023】
前記スペーサーの形状は柱状であってもよい。これにより開口率を向上でき、輝度を向上させることできる。
【0024】
本発明は横方向電界方式の液晶表示装置に用いることが好適である。
【0025】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態1.
本発明にかかる液晶表示装置は、従来の液晶表示装置と同様にTFT基板とCF基板が対向して配置されており、この基板間に液晶材料が狭持されている。この液晶表示装置の画素部の構造を図1に示す。図1はTFT基板の1画素の構成を示している。1はゲート配線、2はソース配線、3はソース電極、4はドレイン電極、5は液晶駆動電極、6は共通電極、7は共通容量配線、8はスペーサー、9はBMである。
【0026】
次にこのTFT基板の製造過程を説明する。まず絶縁性基板上にAl、Cr、Mo、Ti、W等の導電膜をスパッタ装置により成膜する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程によりゲート配線1及び共通容量配線7を形成する。
【0027】
次にゲート配線1、共通容量配線7が形成された絶縁性基板上にSiNx等の絶縁膜、及びa−Si膜の半導体膜をプラズマCVD装置により成膜する。ここで半導体膜表面にP、As等の不純物をドープして、オーミック層としてn+a−Si層を形成する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程により半導体層を形成する。
【0028】
さらにその上からドレイン電極2、ソース電極3、ソース配線5を形成するため、Al、Cr、Mo、Ti、W等の導電膜をスパッタ装置により形成する。そして写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程によりドレイン電極2、ソース電極3及びソース配線2を形成する。
【0029】
さらにこの後に層間絶縁膜であるSiNx膜を形成し、写真製版工程、レジスト除去工程、エッチング工程によりコンタクトホールを形成する。そしてITO膜等の透明性導電膜を成膜する。写真製版工程、エッチング工程及びレジスト除去工程により、液晶駆動電極4及び共通電極6が櫛状に対向する構造になる。またコンタクトホールを介してドレイン電極4と液晶駆動電極5及び共通電極6と共通容量配線7とが接触する構造となる。以上のような工程でTFTが形成され、このTFTをアレイ状に設けたTFT基板が液晶表示装置に用いられる。
【0030】
また横方向電界方式のTFT基板では液晶駆動電極4及び共通電極6をCr、Al、Mo、Ti、W等の金属膜により形成しても良く、さらには金属Crや酸化Cr膜の多層構造としてもよい。また液晶駆動電極4又は共通電極6をドレイン電極3と同じ工程で形成しても良い.
【0031】
さらにこのTFT基板を洗浄し配向膜を塗布する。その後、焼成、ラビング処理を行う。ここでソース配線2と略平行な方向にラビング処理を行った。これによりTFTがOFF状態では、液晶分子がソース配線2と略平行な方向に配向される。
【0032】
次にCFの製造過程を図8を用いて説明する。まず絶縁性基板上にCr膜をスパッタ装置により成膜する。その後、写真製版工程等により遮光層であるBM9を形成する。ここではCr膜をスパッタ法により成膜したが、金属Crと酸化Crの2層膜でもよく、さらにはNiやAl等の他の膜種でもよい。また成膜法はスパッタ法に限らず蒸着法等の他の成膜法でもよい。さらには樹脂中に遮光剤を分散させた樹脂ブラックマトリクスを用いてもよい。
【0033】
この上からRの顔料を基板上に塗布する。その後、レジスト塗布、露光及び現像工程により顔料をパターニングし、BM9の間にRの着色層10aを形成する。これをGの着色層10bとBの着色層10cにも繰り返し行い、三原色の着色層10を形成する。ここで光が漏れないように着色層10とBM9とオーバーラップさせる。また本実施例では顔料法を用いたが、これに限らず染色法、電着法または印刷法のいずれでもよい。
【0034】
その上から透明なオーバーコート膜13を塗布し、平坦化する。さらにその上に配向膜11を成膜する。そしてTFT基板の配向膜と同様に焼成、ラビング処理を行う。ここではソース配線2と略平行な方向にラビング処理を行った。よってTFTがOFF状態では、液晶分子がソース配線2と略平行な方向に配向される。またこのオーバーコート膜13は耐熱性、耐薬品性を有し、着色層10を保護する役割も持っている。ここではオーバーコート膜13と配向膜11を別の膜としたが、オーバーコート膜13と配向膜11を同じ膜で形成しても良い。
【0035】
そしてTFT基板とCF基板の間に液晶材料を注入する隙間を設けるためのスペーサー8を形成する。このスペーサー8は樹脂層を塗布した後、フォト工程により形成される。ここでスペーサー8は図8に示すようなテーパーの柱状に形成され、その断面は略円形である。そしてその根元(CF基板側の接触面)の直径は15μm程度である。通常この面積が大きい程ギャップの面内均一性は有利になるが、着色層10との重なり、BM9からのはみ出しは基板間ギャップの面内均一性を損なうためBM幅を確保する必要があり、開口率低下を招く。
【0036】
このように形成されたTFT基板とCF基板をシール材により貼り合わせ、液晶材料を注入する。上記のような工程で液晶パネルが形成される。ここでBM9は図1において太線で囲まれた領域に配置されることとなる。
【0037】
次にこのTFT基板上のゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域での液晶分子の様子を図2を用いて説明する。図2は図1において点線で示した領域Aの拡大図である。図1で付した符号と同じ符号は図1と同様であるため説明を省略する。ここで12はTFT基板とCF基板間に狭持された液晶分子であり、点線はゲート配線1のみに電圧を印加した時の電気力線である。
【0038】
ここで図2に示すようにゲート配線1と略垂直な方向に配向膜11をラビング処理した。TFTがOFFの状態では液晶駆動電極5に電圧が印加されないため、液晶駆動電極5と共通電極6間の電位差は0に近づく。よって液晶分子12はラビング方向と同一方向に配向され、バックライト光を遮る。したがってノーマリーブラックモードのIPS方式液晶表示装置となる。
【0039】
液晶駆動時にはゲート電圧が変動していてゲート配線1の近傍には電位差が生じ、電気力線は点線のようなラビング方向と同方向になる。ゲート配線1近傍の光漏れ領域C以外の領域では、液晶駆動電極5とゲート配線1及び共通電極6とゲート配線1は略平行になっている。よってこの間の電気力線はゲート配線1とほぼ垂直になる。従って、液晶分子12はラビング方向に配向し、バックライト光は遮られる。
【0040】
しかし、図2において点線で囲まれた光漏れ領域Cでは、図2に示すように電気力線の方向はラビング方向と異なる方向になる。従って液晶分子12が傾き、光漏れを発生させる。コントラストを維持するには光漏れ領域Cにおいて遮光するためのBM9が必要となる。この領域は黒表示時に光漏れが発生し、遮光を必要とする配向異常領域となる。
【0041】
本実施の形態ではこの位置にスペーサー8を配置している。この領域以外のゲート配線1上におけるBM9の線幅eは、図1に示すaとbの和になり30μm程度である。従って、CF基板形成時のスペーサー8の幅精度とBM9に対する位置精度、BM9の幅精度及び着色層10の幅精度とBM9に対する位置精度により、スペーサー8がBM9からはみ出したり、着色層10と重なる。従って、セルギャップの面内均一性を損なう。
【0042】
ゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域では光漏れ領域Cを遮光するため、これ以上のBM9の幅がある。従って、スペーサー8をここに配置することで、BM9からはみ出し及び着色層10との重なりを防止できる。さらにこの配向異常領域以外の配線幅、BM幅を狭くすることができBM面積を縮小できる。これにより高開口率を実現することができ、輝度の向上が望める。さらにはバックライトの省電力化、低コスト化が可能となる。
【0043】
上記に示すように、本実施の形態1では光漏れのためBM幅を広くする必要のあるゲート配線1、液晶駆動電極5及び共通電極6が近接する領域、すなわち配向異常領域にスペーサーを設け、開口率の向上を図るものである。
【0044】
本発明の実施の形態2.
本発明にかかる液晶表示装置を図3、図4を用いて説明する。図1、2に付した符号と同一の符号は図1、図2と同様であるため説明を省略する。
【0045】
図3は本実施の形態2にかかる液晶表示装置の画素部の構成を示している。図4は図3において点線で示された領域Bの拡大図である。本実施の形態2においてもTFT基板及びCF基板の製造方法は実施の形態1と同様である。またラビング方向も同様の方向である。
【0046】
図3に示す様に本実施の形態2ではスペーサー8の位置が実施の形態1と異なる。ここではスペーサー8はソース配線2、液晶駆動電極5及び共通容量配線6が近接する領域に配置されている。
【0047】
この領域での液晶分子の様子を図4を用いて説明する。前述のように配向膜11はゲート配線1と垂直すなわちソース配線2と略平行にラビング処理されている。ここで液晶駆動時にはソース電圧が変動している。従ってソース配線2にのみ電圧が印加されている場合、ソース配線2の近傍の電気力線は図4で示されるようになる。よって実施の形態1と同様に液晶分子12が傾き、光漏れが発生する。さらに液晶駆動電極5とソース配線2間において電気力線はラビング方向と略垂直となる。従って、図4に示すように液晶分子12はラビング方向と垂直に配向される。ここでも光漏れが発生する。この領域は黒表示時に光漏れが発生し、遮光を必要とする配向異常領域となる。
【0048】
上記の理由により図4の点線で示す光漏れ領域Dには光漏れが発生する。従って、コントラストを維持するためには、この領域に遮光するためのBM9が必要となり、この領域DでのBM幅を広くする必要がある。従って、スペーサー8をここに配置することで、BM9からはみ出し及び着色層10との重なりを防止できる。そしてこの配向異常領域以外の配線幅、BM幅を狭くすることができBM面積を縮小できる。これにより高開口率を実現することができ、輝度の向上が望める。さらにはバックライトの省電力化、低コスト化が可能となる。なおこの際は領域B周辺のBM面積を広くする必要がある。
【0049】
上記に示すように、本実施の形態2では画素部のソース配線2、液晶駆動電極5及び共通容量配線6が近接する配向異常領域にスペーサー8を設け、開口率の向上を図るものである。
【0050】
本発明の実施の形態3.
上記実施の形態1、2以外のBM9幅を広げる必要がある配向異常領域にスペーサー8を設けても同様の効果が得られる。例えば、図5に示すゲート配線1とソース配線2が交差位置近傍にスペーサー8を配置してもよい。ここではゲート配線1、ソース配線2、共通電極6及び液晶駆動電極5が近接する。これらの電位差によって生じる電界により液晶分子の配向が乱れ、光漏れが発生する。従ってこの領域は遮光を必要とする配向異常領域となり、BM9幅を太くする必要ある。この領域にスペーサー8を設けることにより、BM面積を縮小でき高開口率化を実現できる。なおこの際は図5に示すようにTFT周辺のBMを広く設ける必要がある。
【0051】
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。これによりBM幅を狭くすることができ、高開口率化が望める。
【0052】
本発明の実施の形態4.
また図6に示すようにスペーサー8をソース配線2と共通容量配線6の交差位置近傍に配置してもよい。ここではソース配線2と共通容量配線6が交差するため、両配線の電位差によって生じる電気力線によって液晶配向が乱れ、光漏れが発生する。従ってこの領域以外の領域のBM幅を狭くすることができる。これによりBM面積を縮小でき、高開口率化を実現できる。
【0053】
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。これによりBM面積の縮小による高開口率化が望める。
【0054】
上記の実施の形態1乃至4は、光漏れが発生しBMの幅を広げる必要がある配向異常領域にスペーサー8を配置するものである。これにより、配向異常領域以外の場所のBM幅を狭くすることができ、BM面積を縮小することができる。よって液晶表示装置の輝度を向上することができ、バックライトの省電力化、低コスト化を実現することができる。
【0055】
その他の実施の形態.
また図7に示すように共通容量配線7の上にスペーサー8を配置してもよい。ここではスペーサー8はCF基板上ではBM9の上ではなく、着色層10の上に設けられることになる。共通容量配線7は実施の形態1で示したように金属膜で形成されているため、バックライト光が遮光されている。そのため遮光層であるBM9を必要としない上、表示特性の劣化等無しにスペーサー8を配置することができる。このためスペーサー8をBM9上に配置することなく、BM面積を縮小することができる。この場合には液晶駆動電極5、共通電極6を金属膜等の非透明性導電膜で形成することが望ましい。なお本実施の形態では図7に示すようにゲート配線1近傍の上のBM9の面積を縮小することができる。
【0056】
さらに上記の配置を有した液晶パネルはIPS方式に限らず従来のTN方式等の液晶表示装置にも用いることができる。同様に高開口率化が望め、液晶表示装置の輝度を向上することができる。
【0057】
上述のスペーサー8の形状は柱状に限らず、ドーム状、球状、円柱状などでもよい。さらにこのスペーサー8を、配向異常領域に設ける場合は、その配向異常領域の面積に応じて、スペーサー8の直径を15μm以上にしてもよい。これにより基板間ギャップの面内均一性が向上し、基板面内の輝度及び色度の表示ムラを抑制することができる。またスペーサー8の断面は円形に限らず、三角形、四角形等の多角形でもよい。さらにスペーサー8をTFT基板上に形成させても良い。
【0058】
本発明にかかるTFTアレイ基板は実施の形態1で示した製造方法で挙げれた膜種、形成方法に限らず、他の膜種、形成方法でも、当該TFT上におけるスペーサーの配置が同様であれば同様の効果が得られる。例えば導電膜はAl、Cr、Mo、Ti、W以外にもNi、Ag、Ta、Cu等の金属及びこれらを主成分とした合金でもよい。さらに絶縁膜はSiNxに限らずSiO2でもよい。また半導体層1はa−Si膜(アモルファスシリコン)に限らずp−Si膜(ポリシリコン)でもよい。オーミック層を形成するためにP、Asをドープしてn+a−Si層を形成したが、Bをドープしてオーミック層としてp+a−Si層を形成してもよい。また成膜方法はスパッタ法、プラズマCVD法に限らず蒸着法、減圧CVD法、常圧CVD法を用いてもよい。これらによっても同様の効果が得られる。
【0059】
【発明の効果】
本発明によれば、ブラックマトリクスの幅を狭くすることができ、高開口率の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図2】図1の領域Aの拡大図である。
【図3】本発明の実施の形態2にかかる液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図4】図2の領域Bの拡大図である。
【図5】本発明の実施の形態3にかかる液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図6】本発明の実施の形態4にかかる液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図7】本発明のその他の実施の形態にかかる液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図8】本発明にかかる液晶表示装置のCF基板の構成図である。
【図9】CF基板の構成図である。
【図10】従来の液晶表示装置の画素部の構成図である。
【図11】従来の液晶表示装置の画素部の構成図である。
【符号の説明】
1 ゲート配線
2 ソース配線
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 液晶駆動電極
6 共通電極
7 共通容量配線
8 スペーサー
9 BM(ブラックマトリクス)
10 着色層
10a Rの着色層
10b Gの着色層
10c Bの着色層
11 配向膜
12 液晶分子
13 オーバーコート膜[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an improvement in luminance, a reduction in power consumption, and a reduction in cost due to a high aperture ratio.
[0002]
[Prior art]
In a liquid crystal display device, electrodes for driving a liquid crystal layer are formed of two substrates, a thin film transistor array substrate (hereinafter, referred to as a TFT substrate) and a color filter substrate (hereinafter, referred to as a CF substrate), and are opposed to each other. A transparent substrate is used. On the TFT substrate, switching elements and liquid crystal drive electrodes connected to the switching elements are formed in an array. In the CF substrate, pixels composed of RGB colored layers and a black matrix (hereinafter, referred to as BM) arranged between the colored layers are formed so as to correspond to each switching element. During this time, a liquid crystal material is injected, and display is performed by the polarization action of the liquid crystal material. The direction of the electric field applied to the liquid crystal is set to a direction substantially perpendicular to the substrate interface, and a twisted nematic display method (TN method), which operates by vertically orienting liquid crystal molecules that have been horizontally oriented by an electric field, is used. Conventionally, the liquid crystal driving method has been mainly adopted.
[0003]
However, this method has a problem in that when the liquid crystal molecules are vertically oriented by an electric field, they have a certain angle with respect to the substrate, so that the brightness varies depending on the viewing direction and the viewing angle cannot be widened.
[0004]
As a remedy, the direction of the electric field applied to the liquid crystal is set to a direction substantially parallel to the substrate interface, and a method of rotating the liquid crystal molecules in the horizontal direction by the electric field uses a comb-shaped electrode pair composed of a plurality of electrodes. 2. Description of the Related Art A liquid crystal display device of a lateral electric field method (In-Plane-Switching method, hereinafter referred to as an IPS method) has been used.
[0005]
Since the liquid crystal display device of the IPS mode has liquid crystal molecules always parallel to the substrate, it has a much wider viewing angle than that of the liquid crystal display device of the twisted nematic display mode, and is attracting attention as a liquid crystal display device for monitor use.
[0006]
In addition, in order to prevent leakage of liquid crystal, the liquid crystal panel is applied with an adhesive called a sealing material around the CF substrate and bonded to the TFT substrate. A certain gap for injecting a liquid crystal material is provided between the two opposing substrates. It is difficult to make the gap between the two substrates opposed to each other uniform, and there is some variation depending on the location, and luminance and chromaticity change, thereby causing display unevenness. In general, in the IPS system, since the change in luminance and chromaticity with respect to the gap is larger than that in the twisted nematic display system, in-plane uniformity of the gap is required.
[0007]
In order to keep this gap constant, a large number of spacers are usually provided between the substrates over the entire surface. This spacer is usually formed on a CF substrate in a structure as shown in FIG. Here, 8 is a spacer, 9 is a BM which is a light shielding layer, 10 is a colored layer which is an RGB pixel, and 13 is an overcoat film for flattening the CF surface.
[0008]
In the conventional liquid crystal display device, when the CF substrate and the TFT substrate are overlapped, the
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Assuming the arrangement shown in FIG. 10, the
[0010]
In order to maintain a stable cell gap (gap between substrates), it is necessary to install the
[0011]
Assuming the arrangement shown in FIG. 11, the
[0012]
However, also in this case, it is necessary to further increase the BM width (about 35 to 45 μm) in order to provide the
[0013]
Further, in the conventional TFT substrate shown in FIGS. 10 and 11, when the width of the gate wiring 1, the
[0014]
The present invention has been made to solve such a problem, and has as its object to provide a liquid crystal display device having a high aperture ratio and high luminance.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate which are opposed to each other, a spacer (for example, a
[0016]
A liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate opposed to each other, a spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched therebetween. Wherein the first substrate is connected to a gate wiring, a source wiring crossing the gate wiring via an insulating film, a switching element connected to the source wiring, and a plurality of switching elements connected to the switching element. A liquid crystal driving electrode comprising substantially parallel electrodes; and a comb-like common electrode comprising a plurality of electrodes arranged substantially in parallel and alternately with the liquid crystal driving electrodes, and the second substrate is arranged in an array. A colored layer, and a light shielding layer provided between the colored layers, and when the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer includes the source wiring, the liquid crystal driving electrode, and The common electrode It is characterized in that the contact with the first substrate in proximity to the region. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0017]
A liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate disposed to face each other, a spacer for keeping a distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched therebetween. Wherein the first substrate includes a gate wiring, and a source wiring intersecting the gate wiring via an insulating film, and the second substrate includes a colored layer arranged in an array, A light-shielding layer provided between the first substrate and the second substrate. When the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer comes into contact with one substrate near an intersection of the gate line and the source line. It is characterized by doing.
As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0018]
A liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate opposed to each other, a spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched therebetween. Wherein the first substrate includes a gate wiring, a source wiring intersecting the gate wiring via an insulating film, a switching element connected to the source wiring, and a liquid crystal drive electrode connected to the switching element. A common electrode provided to face the liquid crystal drive electrode; and a common capacitor line provided substantially parallel to the gate line and connected to the common electrode (for example, common capacitor line 7 in the embodiment of the present invention). Wherein the second substrate comprises a colored layer arranged in an array and a light-shielding layer provided between the colored layers, wherein the first substrate and the second substrate are arranged to face each other. In addition, Sa is characterized in that in contact with the first substrate at the intersection near the common capacitor wiring and the source wiring. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0019]
It is preferable that the spacer is provided on the light shielding layer. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0020]
A liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate opposed to each other, a spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched therebetween. Wherein the first substrate includes a gate wiring, a source wiring intersecting the gate wiring via an insulating film, a switching element connected to the source wiring, and a liquid crystal drive electrode connected to the switching element. A common electrode provided to face the liquid crystal drive electrode; and a common capacitance line provided substantially in parallel with the gate line and connected to the common electrode, wherein the second substrate is arranged in an array. A colored layer and a light-shielding layer provided between the colored layers, and when the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer is disposed on the common capacitance wiring in a first position. Contacts the substrate, One is characterized in that said contact with the second substrate on the colored layer. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0021]
Preferably, the spacer is provided on the coloring layer. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0022]
Further, the spacer may be provided on the first substrate. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0023]
The shape of the spacer may be columnar. As a result, the aperture ratio can be improved, and the luminance can be improved.
[0024]
The present invention is preferably used for a liquid crystal display device of a horizontal electric field system.
[0025]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First Embodiment of the Invention
In the liquid crystal display device according to the present invention, similarly to the conventional liquid crystal display device, a TFT substrate and a CF substrate are arranged to face each other, and a liquid crystal material is held between the substrates. FIG. 1 shows a structure of a pixel portion of the liquid crystal display device. FIG. 1 shows a configuration of one pixel on a TFT substrate. 1 is a gate wiring, 2 is a source wiring, 3 is a source electrode, 4 is a drain electrode, 5 is a liquid crystal drive electrode, 6 is a common electrode, 7 is a common capacitance wiring, 8 is a spacer, and 9 is a BM.
[0026]
Next, a manufacturing process of the TFT substrate will be described. First, a conductive film of Al, Cr, Mo, Ti, W, or the like is formed on an insulating substrate by a sputtering apparatus. Then, the gate wiring 1 and the common capacitance wiring 7 are formed by a photolithography process, an etching process, and a resist removing process.
[0027]
Next, SiN is formed on the insulating substrate on which the gate wiring 1 and the common capacitance wiring 7 are formed. x And the like and an a-Si semiconductor film are formed by a plasma CVD apparatus. Here, the surface of the semiconductor film is doped with impurities such as P and As to form an ohmic layer of n. + An a-Si layer is formed. Then, a semiconductor layer is formed by a photolithography process, an etching process, and a resist removal process.
[0028]
Further, in order to form the
[0029]
After this, SiN which is an interlayer insulating film is formed. x A film is formed, and a contact hole is formed by a photolithography process, a resist removal process, and an etching process. Then, a transparent conductive film such as an ITO film is formed. The photolithography process, the etching process, and the resist removal process result in a structure in which the liquid crystal drive electrode 4 and the common electrode 6 face in a comb shape. Further, the structure is such that the drain electrode 4 and the liquid
[0030]
In the lateral electric field type TFT substrate, the liquid crystal drive electrode 4 and the common electrode 6 may be formed of a metal film such as Cr, Al, Mo, Ti, W, or the like. Is also good. Further, the liquid crystal drive electrode 4 or the common electrode 6 may be formed in the same step as the
[0031]
Further, the TFT substrate is washed and an alignment film is applied. Thereafter, firing and rubbing are performed. Here, a rubbing process was performed in a direction substantially parallel to the
[0032]
Next, a manufacturing process of the CF will be described with reference to FIG. First, a Cr film is formed on an insulating substrate by a sputtering device. Then, BM9 which is a light shielding layer is formed by a photoengraving process or the like. Here, the Cr film is formed by a sputtering method, but may be a two-layer film of metal Cr and Cr oxide, or may be another film type such as Ni or Al. The film formation method is not limited to the sputtering method, but may be another film formation method such as an evaporation method. Further, a resin black matrix in which a light shielding agent is dispersed in a resin may be used.
[0033]
From above, the R pigment is applied on the substrate. After that, the pigment is patterned by a resist application, exposure and development process to form an R colored layer 10a between the BMs 9. This is repeated for the G colored layer 10b and the B colored
[0034]
A transparent overcoat film 13 is applied from above and flattened. Further, an
[0035]
Then, a
[0036]
The TFT substrate and the CF substrate formed in this way are bonded with a sealant, and a liquid crystal material is injected. A liquid crystal panel is formed by the steps described above. Here, the BM 9 is arranged in a region surrounded by a thick line in FIG.
[0037]
Next, the state of liquid crystal molecules in a region on the TFT substrate where the gate wiring 1, the liquid
[0038]
Here, as shown in FIG. 2, the
[0039]
At the time of driving the liquid crystal, the gate voltage fluctuates and a potential difference is generated in the vicinity of the gate wiring 1, and the electric lines of force are in the same direction as the rubbing direction as indicated by the dotted line. In regions other than the light leakage region C near the gate line 1, the liquid
[0040]
However, in the light leakage region C surrounded by the dotted line in FIG. 2, the direction of the electric force line is different from the rubbing direction as shown in FIG. Accordingly, the
[0041]
In the present embodiment, the
[0042]
In a region where the gate line 1, the liquid
[0043]
As described above, in the first embodiment, a spacer is provided in a region where the gate wiring 1, the liquid
[0044]
A liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 are the same as those in FIGS. 1 and 2 and will not be described.
[0045]
FIG. 3 shows a configuration of a pixel portion of the liquid crystal display device according to the second embodiment. FIG. 4 is an enlarged view of a region B indicated by a dotted line in FIG. Also in the second embodiment, the method of manufacturing the TFT substrate and the CF substrate is the same as in the first embodiment. The rubbing direction is the same direction.
[0046]
As shown in FIG. 3, the position of the
[0047]
The state of the liquid crystal molecules in this region will be described with reference to FIG. As described above, the rubbing process is performed on the
[0048]
For the above reason, light leakage occurs in the light leakage region D indicated by the dotted line in FIG. Therefore, in order to maintain the contrast, a BM 9 for shielding light is required in this area, and it is necessary to increase the BM width in this area D. Therefore, by disposing the
[0049]
As described above, in the second embodiment, the
[0050]
Similar effects can be obtained by providing the
[0051]
Further, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS mode but also in a conventional TN mode or other liquid crystal display device. As a result, the BM width can be reduced, and a higher aperture ratio can be expected.
[0052]
Embodiment 4 of the present invention.
Further, as shown in FIG. 6, the
[0053]
Further, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS mode but also in a conventional TN mode or other liquid crystal display device. Thus, a higher aperture ratio can be expected by reducing the BM area.
[0054]
In the above-described first to fourth embodiments, the
[0055]
Other embodiments.
Further, as shown in FIG. 7, a
[0056]
Further, the liquid crystal panel having the above arrangement can be used not only in the IPS mode but also in a conventional TN mode or other liquid crystal display device. Similarly, a higher aperture ratio can be expected, and the luminance of the liquid crystal display device can be improved.
[0057]
The shape of the
[0058]
The TFT array substrate according to the present invention is not limited to the film types and forming methods described in the manufacturing method described in Embodiment 1, but may be applied to other film types and forming methods as long as the arrangement of the spacers on the TFT is the same. Similar effects can be obtained. For example, in addition to Al, Cr, Mo, Ti, and W, the conductive film may be a metal such as Ni, Ag, Ta, or Cu, or an alloy containing these as a main component. Furthermore, the insulating film is SiN x Not limited to SiO 2 May be. The semiconductor layer 1 is not limited to the a-Si film (amorphous silicon) but may be a p-Si film (polysilicon). P and As doping to form an ohmic layer and n + An a-Si layer was formed. + An a-Si layer may be formed. The film formation method is not limited to the sputtering method and the plasma CVD method, but may be an evaporation method, a reduced pressure CVD method, or a normal pressure CVD method. The same effect can be obtained by these.
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, the width of the black matrix can be reduced, and a liquid crystal display device having a high aperture ratio can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a pixel portion of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a region A in FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram of a pixel unit of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged view of a region B in FIG. 2;
FIG. 5 is a configuration diagram of a pixel unit of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a configuration diagram of a pixel unit of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a configuration diagram of a pixel portion of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a configuration diagram of a CF substrate of the liquid crystal display device according to the present invention.
FIG. 9 is a configuration diagram of a CF substrate.
FIG. 10 is a configuration diagram of a pixel portion of a conventional liquid crystal display device.
FIG. 11 is a configuration diagram of a pixel portion of a conventional liquid crystal display device.
[Explanation of symbols]
1 Gate wiring
2 Source wiring
3 Source electrode
4 Drain electrode
5 LCD drive electrode
6 Common electrode
7 Common capacitance wiring
8 Spacer
9 BM (black matrix)
10 Colored layer
10a R colored layer
10b G colored layer
10c B colored layer
11 Alignment film
12 Liquid crystal molecules
13 Overcoat film
Claims (10)
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと
その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記第1の基板はゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極とを備え、
前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と
前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ゲート配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接する領域で第1の基板と接触することを特徴とする液晶表示装置。What is claimed is: 1. A liquid crystal display device comprising: a first substrate and a second substrate disposed opposite to each other; and a spacer that keeps a distance between the substrates substantially constant, and a liquid crystal layer sandwiched therebetween.
The first substrate has a gate wiring;
Source wiring crossing the gate wiring via an insulating film;
A switching element connected to the source wiring,
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element and comprising a plurality of substantially parallel electrodes;
A common electrode consisting of a plurality of electrodes substantially parallel and alternately arranged with the liquid crystal drive electrode,
The second substrate includes a coloring layer arranged in an array and a light-blocking layer provided between the coloring layers,
When the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer is in contact with the first substrate in a region where the gate wiring, the liquid crystal driving electrode, and the common electrode are close to each other. Liquid crystal display.
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記第1の基板はゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続され、複数本の略平行な電極よりなる液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と略平行かつ交互に配置された複数本の電極よりなる共通電極とを備え、
前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、
前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ソース配線、前記液晶駆動電極及び前記共通電極が近接する領域で第1の基板と接触することを特徴とする液晶表示装置。A first substrate and a second substrate which are arranged to face each other;
A spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant,
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched therebetween.
The first substrate has a gate wiring;
Source wiring crossing the gate wiring via an insulating film;
A switching element connected to the source wiring,
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element and comprising a plurality of substantially parallel electrodes;
A common electrode consisting of a plurality of electrodes substantially parallel and alternately arranged with the liquid crystal drive electrode,
The second substrate includes a coloring layer arranged in an array,
A light-shielding layer provided between the coloring layers,
When the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer is in contact with the first substrate in a region where the source wiring, the liquid crystal driving electrode, and the common electrode are close to each other. Liquid crystal display.
当該基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記第1の基板はゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線とを備え、
前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、
前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ゲート配線と前記ソース配線の交差位置近傍で第1の基板と接触することを特徴とする液晶表示装置。A first substrate and a second substrate which are arranged to face each other;
A spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant,
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched therebetween.
The first substrate has a gate wiring;
A source wiring crossing the gate wiring via an insulating film,
The second substrate includes a coloring layer arranged in an array,
A light-shielding layer provided between the coloring layers,
The liquid crystal display device, wherein when the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer comes into contact with the first substrate near an intersection of the gate wiring and the source wiring.
その基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記第1の基板はゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、
前記ゲート配線と略平行に設けられ前記共通電極と接続する共通容量配線とを備え、
前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、
前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記ソース配線と前記共通容量配線の交差位置近傍で第1の基板と接触することを特徴とする液晶表示装置。A first substrate and a second substrate which are arranged to face each other;
A spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant,
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched therebetween.
The first substrate has a gate wiring;
Source wiring crossing the gate wiring via an insulating film;
A switching element connected to the source wiring,
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element;
A common electrode provided to face the liquid crystal drive electrode,
A common capacitance line provided substantially parallel to the gate line and connected to the common electrode,
The second substrate includes a coloring layer arranged in an array,
A light-shielding layer provided between the coloring layers,
The liquid crystal display device, wherein when the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer comes into contact with the first substrate near an intersection of the source wiring and the common capacitance wiring.
前記スペーサーが前記遮光層の上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 1, wherein
The liquid crystal display device, wherein the spacer is provided on the light shielding layer.
その基板間の距離を略一定に隔てるスペーサーと、
その間に狭持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
前記第1の基板はゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁膜を介して交差するソース配線と、
前記ソース配線と接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された液晶駆動電極と、
前記液晶駆動電極と対向して設けられた共通電極と、
前記ゲート配線と略平行に設けられ前記共通電極と接続する共通容量配線とを備え、
前記第2の基板はアレイ状に配置された着色層と、
前記着色層の間に設けられた遮光層とを備え、
前記第1の基板と前記第2の基板を対向配置した際に、前記スペーサーが前記共通容量配線の上で第1の基板と接触し、かつ前記着色層の上で第2の基板と接触することを特徴とする液晶表示装置。A first substrate and a second substrate which are arranged to face each other;
A spacer for keeping the distance between the substrates substantially constant,
A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer sandwiched therebetween.
The first substrate has a gate wiring;
Source wiring crossing the gate wiring via an insulating film;
A switching element connected to the source wiring,
A liquid crystal drive electrode connected to the switching element;
A common electrode provided to face the liquid crystal drive electrode,
A common capacitance line provided substantially parallel to the gate line and connected to the common electrode,
The second substrate includes a coloring layer arranged in an array,
A light-shielding layer provided between the coloring layers,
When the first substrate and the second substrate are arranged to face each other, the spacer contacts the first substrate on the common capacitance wiring and contacts the second substrate on the coloring layer. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
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