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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はアクティブマトリクス表示装置に関し、特に、液晶や有機EL(Electroluminescence)素子などを用いたアクティブマトリクス表示装置において、静電気破壊が生じても表示欠陥にならないようにする技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示パネルは、薄くて軽量であるとともに低電位で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く使用されている。特に、画素毎にTFT素子(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)などのスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもCRT(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、携帯テレビやパーソナルコンピュータなどのディスプレイに使用されている。
【0003】
一般的なTN(Twisted Nematic)型液晶表示パネルは、図7に示すように、TFT素子及び画素電極などが形成されたTFT基板110と、ブラックマトリクス、カラーフィルタ及びコモン電極などが形成されたCF基板111とが対向して配置され、この2つの基板110、111間に液晶が封入された構造を有している。そして、TFT基板110とCF基板111との対向面と反対側の面には、それぞれTFT基板側偏光板118とCF基板側偏光板120とが取り付けられている。また、TFT基板側偏光板118の後方にはバックライト光源116が配置されている。
【0004】
これらの2枚の偏光板118、120は、例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリホワイトモードとなる。また、2枚の偏光板118、120の偏光軸が平行な場合には、電圧をかけない状態では光を遮断し、電圧を印加した状態では透過するモード、すなわちノーマリブラックモードとなる。
【0005】
TFT基板110の周縁部にはゲート駆動用回路112及びドレイン駆動用回路114が設けられており、更に、このゲート駆動用回路112及びドレイン駆動用回路114は制御回路122に接続されている。
【0006】
図8はTFT基板110上に形成されたマトリックス回路の例を示す平面図である。図8に示すように、TFT基板110には、絶縁性のガラス基板136上に水平方向に延びる複数のゲートバスライン124と垂直方向に延びる複数のドレインバスライン126とが設けられ、それらにより画素領域が画定されている。そして、画素領域には透明な画素電極128が形成されており、この画素電極128のほぼ中央には蓄積容量バスライン130が画素領域を横切って形成されている。
【0007】
また、画素領域ごとにその上部にはTFT素子132が設けられている。このTFT素子132のドレイン部はドレインバスライン126と電気的に接続されており、また、TFT素子132のソース部は画素電極128と電気的に接続されている。このようにして、赤色(R)画素、緑色(G)画素及び青色(B)画素の3個の画素領域(サブピクセル)で表示単位であるピクセルを構成して回路素子133が形成されている。
【0008】
そして、制御回路122から画像情報がゲート駆動用回路112及びドレイン駆動用回路114に供給され、ゲート駆動用回路112及びドレイン駆動用回路114から所定のタイミングでTFT素子132を介して全ての画素電極128に階調電圧が順次印加されて画像が表示される。
【0009】
ところで、TFT基板110は絶縁性のガラス基板136からなるので、TFT基板110の製造工程の際に様々な原因で静電気が発生することがある。例えば、TFT基板110を様々な加工装置、搬送装置又は基板ホルダなどに装着したり、取り外したりするときに、摩擦、吸着及び剥離などによって帯電することにより、静電気がTFT基板110に侵入する場合がある。
【0010】
また、TFT基板110上にTFT素子132などを製造する際に使われる様々なプラズマ工程、例えばプラズマCVD工程、スパッタリング工程、さらにはリアクティブイオンエッチング(RIE)工程に起因して、TFT基板110内部において静電気が蓄積する場合がある。
【0011】
従来、このような問題を回避するために、TFT基板110の回路素子133に接続された電源ラインとグランドラインとの間にトランジスタや抵抗などからなる静電気保護素子を接続することでこの静電保護素子によって電界の急激な変化を吸収させることにより、TFT基板110の回路素子133に高電界が印加されることを防止するなどの対策を行なっていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、TFT基板110とその周辺外部との間で発生した放電による電荷はTFT基板110の抵抗の低い部分を流れ、特に、TFT素子132のソース電極やドレイン電極のように抵抗が低い導電膜が分離して形成されている場合は、導電膜パターン同士の間隔が狭い部分又は導電膜パターンの端部が尖っている部分を電流経路として優先的に流れる。そして、この電流経路のうち、最も抵抗が高い部分でエネルギーを使ってその部分を破壊することになる。すなわち、従来技術のように静電気保護素子を設けたとしてもTFF素子の静電気破壊を完全に防止することは困難である。
【0013】
以下、更に具体的に説明する。図9(a)は図8の一つの画素領域を拡大した平面図、図9(b)は図9(a)のII−IIに沿った断面図である。なお、図9において、図8と同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。TFT素子132の断面構造は、図9(b)に示すように、ガラス基板136の上に下から順に、ゲートバスライン124(TFT素子132のゲート電極)、ゲート絶縁膜140、アモルファスシリコン膜141、チャネル保護膜144が形成され、更に、アモルファスシリコン膜141のソース部及びドレイン部にそれぞれ電気的に接続されたソース電極143及びドレイン電極142が形成されている。
【0014】
そして、ソース電極143及びドレイン電極142上には保護絶縁膜146が形成され、ソース電極143上の保護絶縁膜146にはコンタクトホール148が形成され、ソース電極143と画素電極128とがコンタクトホール148を介して電気的に接続されている。
【0015】
画素領域の中央部には、図9(a)に示すように、蓄積容量バスライン130が形成され、この上方には中間電極131が形成されている。中間電極131と画素電極128とは保護絶縁膜146に形成されたコンタクトホール148aを介して電気的に接続されている。
【0016】
ところで、TFT素子132ではトランジスタ特性を良好にするためにドレイン電極142とソース電極143との間隔を3μm以下、例えば2.5μm程度に形成されており、回路素子133中の導電膜パターンのレイアウトのうち、最も狭く設計されている。また、TFT素子132のドレイン電極142及びソース電極143には尖っている部分(角度が90°程度)が存在する(図9(a)のJ部及びK部)。更には、TFT素子132のドレイン電極142及びソース電極143は抵抗の低い金属膜からなり、しかも抵抗が高いアモルファスシリコン膜41を介して接続されていることになる。
【0017】
すなわち、上記で例示したTFT素子132は前述した静電気破壊が生じやすい条件を全て満たしているため、TFT基板110とその周辺外部との間で発生した放電による電荷は、アモルファスシリコン膜141を介したドレイン電極142とソース電極143との間を電流経路として優先的に流れることになる。このとき、ドレイン電極142とソース電極143との対向部のうち、パターンが尖っている両端部を電流が優先的に流れる(図9のJ及びK部)。
【0018】
これにより、静電気により発生した電流は抵抗が高いアモルファスシリコン膜41でエネルギーを使ってアモルファスシリコン膜41を破壊する。このようにTFT素子132のチャネル部となるアモルファスシリコン膜41に破壊が発生すると、TFT素子132が機能しなくなり、その結果、このTFT素子132に係る画素部が表示欠陥となってしまうという問題がある。
【0019】
なお、特開平8−62615号公報には、表示部の外側の入力端子(パッド)に突起を設け、この部分で静電気を優先的に放電させて表示部内での蓄積容量バスライン及びゲートバスラインとドレインバスラインとの短絡を防止することが記載されている。また、特開平6−18924号公報には、入力端子を近接して配置し、これらの入力端子間の容量結合により静電気による欠陥の発生を防止することが記載されている。
【0020】
しかしながら、これらの方法では、いずれも表示部の外側で発生した静電気による欠陥の発生を防止するとういう効果はあるものの、表示部内に発生した静電気による欠陥の発生を防止する効果は小さい。
【0021】
本発明は以上の問題点を鑑みて創作されたものであり、静電気によるTFT素子の静電気破壊を防止し、ひいては表示欠陥の発生を防止することができるアクティブマトリクス表示装置を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明はアクティブマトリクス表示装置に係り、画素毎に非線形素子を備えたアクティブマトリクス表示装置において、前記非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとの間隔が、前記非線形素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔より狭くなるように、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに凸部を設けたことを特徴とする。
【0023】
非線形素子の一例であるTFT素子が形成された絶縁性のガラス基板(TFT基板)に静電気により電流が流れる場合、低抵抗の金属膜からなるドレインバスライン、ドレインバスラインにつながったTFT素子のドレイン電極及びTFT素子のソース電極などに電流が集中的に流れることになる。しかも、TFT素子のトランジスタ特性を向上させるためドレイン電極とソース電極との間隔は、その他の回路素子パターンの中で最も狭く設計される。
【0024】
更には、ドレイン電極とソース電極とはTFT素子のチャネル部となる高抵抗のアモルファスシリコン膜を介して接続されている構造であるので、アモルファスシリコン膜を介したドレイン電極とソース電極との間が電流経路となって電流が流れることになる。このとき、静電気により発生した電流は、高抵抗のアモルファスシリコン膜でエネルギーを使ってTFT素子のチャネル部であるアモルファスシリコンの一部を破壊させることで、TFT素子が機能しなくなってしまう。
【0025】
本発明によれば、例えばTFT素子のソース電極とデータバスラインとの間隔をTFT素子のドレイン電極とソース電極との間隔より狭くすることにより、静電気によりTFT基板に電流が流れるとしても、TFT素子以外の領域であるデータバスラインとTFT素子のソース電極との間が静電気の電流経路となり、それらの間に介在する高抵抗の保護絶縁膜が破壊されるようになる。あるいは、TFT素子のソース電極に接続された導電膜(例えば画素電極や中間電極)とデータバスラインとの間隔をTFT素子のドレイン電極とソース電極との間隔より狭くしてもよい。
【0026】
これにより、静電気によりTFT基板に電流が流れるとしても、TFT素子が破壊される恐れがなくなるので、静電気による表示欠陥が発生することを防止できるようになる。
【0027】
また、上記問題を解決するため、本発明はアクティブマトリクス表示装置に係り、一画素毎に、ドレイン電極が一ドレインバスラインに接続され、かつソース電極が一画素電極に接続された複数のTFT素子が形成され、前記複数のTFT素子の間でドレイン電極とソース電極との間隔が異なっていることを特徴とする。
【0028】
本発明によれば、例えば、一つの画素にTFT素子が2つ形成されており、両者とも、ドレイン電極が共通のドレインバスラインに接続されていると共に、ソース電極が共通の画素電極に接続されている。この2つのTFT素子のうち、一方のTFT素子が所望の設計ルールで形成された正規のTFT素子であり、また、他方のTFT素子が擬似(ダミー)のTFT素子として形成されている。そして、例えば、擬似のTFT素子のドレイン電極とソース電極との間隔を、正規のTFT素子のドレイン電極とソース電極との間隔より狭くなるようにして形成されている。
【0029】
このようにすることにより、静電気によりによりTFT基板に電流が流れる場合、前述したように分離して形成された導電膜パターンが存在するとき、電流はその間隔が狭い部分を電流経路として優先的に流れるので、擬似のTFT素子のドレイン電極とソース電極と間が電流経路となって電流が流れ、その結果、擬似のTFT素子が静電気破壊されるようになる。従って、静電気によりTFT基板に電流が流れるとしても、正規のTFT素子が静電気破壊されることを防止することができる。
【0030】
なお、一つの画素領域に形成された例えば2つのTFT素子のうち、どちらの薄膜トランジスタが、ドレイン電極とソース電極との間隔が狭いダミーの薄膜トランジスタであるかを知っておくことで、液晶表示パネルに組み立てた後であってもTFT基板の裏側から静電気破壊した擬似のTFT素子をドレインバスラインから切断してリペアすることができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【0032】
(第1の実施の形態)
図1(a)は本発明の第1の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図、図1(b)は図1(a)のI−Iに沿った部分断面図である。
【0033】
図1(a)に示すように、本実施形態の液晶表示パネルのTFT基板10は、絶縁性のガラス基板36上に、水平方向に延びる複数のゲートバスライン24と垂直方向に延びる複数のドレインバスライン26とが設けられ、これらにより画素領域が画定されている。画素領域には透明なITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極28が形成されており、この画素電極28のほぼ中央には蓄積容量バスライン30が画素領域を横切って形成され、また、この蓄積容量バスライン30の上方には中間電極31が形成されている。この中間電極31と画素電極28とは保護絶縁膜に形成されたコンタクトホール48aを介して電気的に接続されている。そして、この中間電極31と蓄積容量バスライン30とにより、蓄積容量を形成している。
【0034】
画素領域の上部には非線形素子の一例であるTFT素子32が設けられている。このTFT素子32のドレイン部にはドレイン電極42が形成され、このドレイン電極42はドレインバスライン26につながっている。また、TFT素子32のソース部にはソース電極43が形成され、このソース電極43は保護絶縁膜膜に形成されたコンタクトホール48を介して画素電極28と電気的に接続されている。なお、図1(a)ではTFT基板の一つの画素領域を例示しており、赤色(R)画素、緑色(G)画素及び青色(B)画素の3個の画素領域で表示単位であるピクセルを構成する。
【0035】
TFT素子32の断面構造は、図1(b)に示すように、ガラス基板36の上に下から順に、ゲートバスライン24(TFT素子32のゲート電極)、ゲート絶縁膜40、アモルファスシリコン膜(又はポリシリコン膜)41、チャネル保護膜44が形成され、更に、アモルファスシリコン膜41のソース部及びドレイン部にそれぞれ接続されたソース電極43及びドレイン電極42が形成されている。そして、ソース電極43及びドレイン電極42上には保護絶縁膜46が形成され、ソース電極43上の保護絶縁膜46にはコンタクトホール48が形成され、ソース電極43と画素電極28とがコンタクトホール48を介して電気的に接続されている。
【0036】
本発明の第1の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置の特徴の一つは、例えば、図1(a)に示すごとく、ソース電極43のドレインバスライン26側に凸部43a設けることにより、ソース電極43とドレインバスライン26との間隔(図1(a)のA部)をTFT素子32のソース電極43とドレイン電極42との間隔(図1(a)のC部)より狭くしている。
【0037】
従来においては、ソース電極43とドレイン電極42との間隔(図1(a)のC部)が2.5μm程度、ソース電極43とドレインバスライン26との間隔(図1(a)のA部)が3〜8μmであるのに対して、本実施形態では、ソース電極43とドレインバスライン26との間隔(図1(a)のA部)をC部の間隔より狭い、例えば2.0μm程度にしている。このA部及びC部の間隔は適宜変更できることはもちろんである。
【0038】
また、上記したA部と同様に、TFT素子32のソース電極43に画素電極28を介して接続された中間電極31とデータバスライン26との間隔(図1(a)のB部)をC部の間隔より狭くしている。なお、本実施形態では、A部及びB部の間隔を共にC部の間隔より狭くした形態を例示しているが、A部及びB部の間隔のうち、一方の間隔をC部の間隔より狭くした形態としてもよい。
【0039】
絶縁性のTFT基板10とその外部周辺との間で生じた静電気による放電に伴う電流は、TFT基板10の抵抗が低い金属膜などの部分を優先的に流れる。また、抵抗が低い金属膜が高抵抗膜を介して分離して形成されている場合、この電流は金属膜パターン同士の間隔が狭い部分又は対向する金属膜パターンの尖っている部分を電流経路として優先的に流れる。そして、その電流経路のうち最も高抵抗な部分で電流がエネルギーを使ってこの高抵抗な部分を静電気破壊する。
【0040】
図1(a)のTFT素子32は、図1(b)に示すように、アルミニウム(Al)とクロム(Cr)との合金膜やチタン(Ti)膜などの金属膜からなる低抵抗のドレイン電極42とソース電極43とがそれらより高抵抗のアモルファスシリコン膜41を介して接続されて構造になっているので、この部分が静電気による放電に伴う電流経路になる場合、アモルファスシリコン膜41が静電気破壊してTFT素子32が機能しなくなってしまう。
【0041】
本実施形態では、この問題を回避するため、TFT素子32のドレイン電極42とソース電極43との間隔(図1(a)のC部)よりドレインバスライン26とソース電極42との間隔(図1(a)のA部)の方が狭くなるようにしている。このため、静電気による放電に伴う電流は間隔が狭いソース電極42とドレインバスライン26との間を電流経路として流れ、ソース電極42とドレインバスライン26と間に介在する高抵抗のゲート絶縁膜40又は保護絶縁膜46が静電気破壊される((図1(a)のA部)。この部分のゲート絶縁膜40又は保護絶縁膜46が静電気破壊されても表示欠陥にならないので、静電気に起因した液晶表示パネルの表示欠陥が発生することを防止することができる。
【0042】
なお、ドレインバスライン26とソース電極42との間隔(図1(a)のA部)より中間電極31とドレインバスライン26との間隔(図1(a)のB部)を狭くする場合は、ドレイン電極42やソース電極43と同じ材料で形成される低抵抗の中間電極31とドレインバスライン26との間が電流経路になり、それらの間に介在する高抵抗のゲート絶縁膜40又は保護絶縁膜46が静電気破壊されるようになる(図1(a)のB部)。
【0043】
このように、図1(a)のA部やB部のような構造、いわゆる避雷針のような機能を備えたものを設けることにより、TFT素子32が静電気破壊されることを防止することができる。これにより、液晶表示パネルに表示欠陥が発生することを防止することができる。
【0044】
また、本実施の形態においては、表示部内で発生した静電気を表示部内で放電させるので、表示部の外側で放電させる場合に比べて、表示欠陥をより確実に防止することはできる。
【0045】
(第2の実施の形態)
図2は本発明の第2の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点はドレインバスラインとTFT素子のソース電極との間隔を狭くするためドレインバスライン側に凸部を設けた点にあるので、図2において図1と同一要素についてはその説明を省略する。
【0046】
図2に示すように、第2の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係るTFT基板10aは、ドレインバスライン26とTFT素子32のソース電極43が対向する部分において、ドレインバスライン26の一部の領域に凸部26aが形成されている(図2のD部)。そして、この図2のD部の間隔は第1の実施の形態と同様に、TFT素子32のドレイン電極42とソース電極43との間隔より狭くなっている。
【0047】
第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同様な効果を奏する。これに加えて次のような効果がある。図2のD部のゲート絶縁膜40又は保護絶縁膜46が静電気破壊されるとき、その領域上に形成されたドレインバスライン26やソース電極43の一部が吹き飛ばされることになる。
【0048】
このため、液晶表示パネルの開口率を上げるためドレインバスライン26が比較的細く形成されている場合においては、ドレインバスライン26が断線する恐れがある。本実施形態では、静電気破壊が起こる部分のドレインバスライン26を太くしているので、静電気破壊によりドレインバスライン26の一部が吹き飛ばされたとしてもドレインバスライン26が断線することを防止することができる。
【0049】
なお、第1の実施の形態と組み合わせて、ドレインバスライン26とソース電極43との両方に凸部を形成して、それらの間隔がTFT素子32のドレイン電極42とソース電極43との間隔より狭くなるようにしてもよい。
【0050】
(第3の実施の形態)
図3及び図4は本発明の第3の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。第3の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、ドレインバスラインとTFT素子のソース電極とが対向する部分において、ドレインバスライン及びソース電極のうちのいずれか又は両方が尖った形状を有するようにした点にあるので、図3及び図4において図1と同一要素についてはその説明を省略する。
【0051】
図3及び図4に示すように、本実施形態のTFT基板10b,10cは、ドレインバスライン26とTFT素子32のソース電極43が対向する部分において、ドレインバスライン26側に凸部を設けて、かつその先端を尖らせている。図3に示す形態においては、ドレインバスライン26に先端下部を尖らせた凸部26bが形成されている(図3のE部)。また、図4に示す形態においては、ドレインバスライン26に先端中央部を尖らせた凸部26cが形成されている(図4のF部)。
【0052】
このように凸部の先端を尖らすことにより、先端部での電荷密度が大きくなるので、静電気による放電に伴う電流がドレインバスライン26とソース電極43との間で流れやすくなる。すなわち、第1及び第2の実施の形態と違って、ドレインバスライン26とソース電極43との間隔(図3のE部及び図4のF部)をTFT素子32のドレイン電極42とソース電極43との間隔より狭くしなくとも、ドレインバスライン26とソース電極43との間で放電するようになり、TFT素子32が静電気破壊されることを防止することができる。
【0053】
従って、ドレインバスライン26とソース電極43との間隔をドレイン電極42とソース電極43との間隔と同等又はそれ以上にすることができるので、ドレインバスライン26とソース電極42とが短絡することを防止することができる。
【0054】
なお、本実施形態では、ドレインバスライン26とソース電極43とが対向する部分において、ドレインバスランイ26に凸部を設け、その先端部を尖った形状にした形態を例示したが、ソース電極43に凸部を設け、同様にその先端を尖った形状にしてもよいし、ドレインバスライン26とソース電極43との両方に凸部を設け、その先端部を尖った形状にしてもよい。
【0055】
(第4の実施の形態)
図5は本発明の第4の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。第4の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、ドレインバスラインと画素電極との間隔が、TFT素子のドレイン電極とソース電極との間隔より狭くしたことにあるので、図5において図1と同一要素についてはその説明を省略する。
【0056】
図5に示すように、本実施形態のTFT基板10dでは、画素電極28のドレインバスライン26側の側面の一部に凸部28aが形成されている(図5のG部)。そして、画素電極28の凸部28aの先端面とドレインバスライン26との間隔が、TFT素子32のドレイン電極42とソース電極43との間隔より狭くなるようにしている。このため、画素電極28とドレインバスライン26との間が静電気による放電の電流経路となり、高抵抗の保護絶縁膜46で静電気破壊が起こるようになるので、TFT素子32が静電気破壊されることを防止することができる。
【0057】
また、本実施形態においては、ドレインバスライン26と画素電極28とは同一金属膜をパターニングして形成されたものではなく、保護絶縁膜46(図1(b)参照)を介してその下層と上層とに形成されたものであるので、ドレインバスライン26と画素電極とを接近させても短絡する恐れがなくなる。
【0058】
なお、画素電極28のドレインバスライン26側に凸部28aを形成する代わりに、ドレインバスライン26の画素電極28側に凸部を形成してもよい。また、画素電極28とドレインバスライン26との両方に凹部を形成してもよい。更にまた、第3の実施の形態のように、画素電極28及びドレインバスライン26のいずれか又は両方に形成された凸部の先端部を尖った形状にしてもよい。
【0059】
(第5の実施の形態)
図6は本発明の第5の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。第5の実施の形態は、一つの画素領域に、例えば2つのTFT素子が形成されており、一方をドレイン電極とソース電極との間隔を狭くしたダミー(擬似)のTFT素子とすることで、静電気破壊する場合、意図的にダミーのTFT素子が静電気破壊されるようにして正規のTFT素子を保護するようにしたものである。なお、図6において図1と同一要素については同一符号を付してその説明を省略する。
【0060】
図6に示すように、本実施形態のTFT基板10eには、一つの画素領域に所望の設計ルールで形成された正規のTFT素子32とダミーのTFT素子32aが形成されている。この2つのTFT素子32,32aはドレイン電極42が共通になっており、このドレイン電極42がドレインバスライン26につながっている。
【0061】
正規のTFT素子32のソース電極43は保護絶縁膜46(図1(b)参照)に形成されたコンタクトホール48を介して画素電極28に接続されている。一方、ダミーのTFT素子32aにおいてもソース電極43aは保護絶縁膜46に形成されたコンタクトホール48aを介して画素電極28に接続されている。そして、ダミーのTFT素子32aのドレイン電極42とソース電極43aとの間隔が、正規のTFT素子32のドレイン電極42とソース電極との間隔より狭くなっている。このため、静電気による放電はダミーのTFT素子32aのドレイン電極42とソース電極43aとの間に起こるようになるので、正規のTFT素子32が静電気破壊されることを防止することができる。
【0062】
ダミーのTFT素子32aが静電気破壊した後で、ダミーのTFT素子32aのドレイン電極42と正規のTFT素子32のドレイン電極42との間の部分を、レーザーなどを用いて切断してリペアすることができる。これにより、静電気による放電に起因して正規のTFT素子32が静電気破壊されて液晶表示パネルに表示欠陥が発生することを防止することができる。
【0063】
また、2つのTFT素子32,32aのうち、どちらがダミーのTFT素子32aか、すなわち、どちらがドレイン電極42とソース電極43との間隔が狭い方のTFT素子なのかを予め認識しておくことが重要である。つまり、本実施形態と違って、正規のTFT素子32とダミーのTFT素子32aとにおいて、ドレイン電極42とソース電極43との間隔を同等とする場合、静電気による放電がどちらのTFT素子で起こるか分からないので、TFT基板を組み立てて液晶表示パネルにした状態では正確にレーザーなどにより切断してリペアすることは困難である。
【0064】
しかし、本実施形態においては、二つのTFT素子のうちどちらがダミーのTFT素子であるか決まっており、かつそれを認識していれば、TFT基板を組み立てて液晶表示パネルにした状態でも、TFT基板の裏面からダミーのTFT素子32aのドレイン電極42をレーザーなどで切断してリペアすることができる。
【0065】
以上、第1〜第5の実施の形態により、この発明の詳細を説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明を逸脱しない要旨の範囲における上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【0066】
例えば、第1〜第5実施形態ではアクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルに係るTFT基板を例示したが、TFT素子を用いたアクティブマトリクスタイプの有機ELディスプレイなどにも同様に適用することができる。
【0067】
(付記1) 画素毎に非線形素子を備えたアクティブマトリクス表示装置において、前記非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとの間隔が、前記非線形素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔より狭くなるように、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに凸部を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【0068】
(付記2) 前記ソース電極に接続された導電膜は、画素電極又は前記画素電極に接続された中間電極であることを特徴とする付記1に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【0069】
(付記3) 前記凸部が前記ソース電極又は前記導電膜に設けられ、前記凸部の先端部に対向する部分の前記ドレインバスラインの幅が、他の場所の前記ドレインバスラインの幅より太くなっていることを特徴とする付記1又は2に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【0070】
(付記4) 前記凸部の先端部が尖った形状を有していることを特徴とする付記1乃至3のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【0071】
(付記5) 一画素毎に、ドレイン電極が同一のドレインバスラインに接続され、かつソース電極が同一の画素電極に接続された複数のTFT素子を有し、前記複数のTFT素子の間でドレイン電極とソース電極との間隔が異なっていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【0072】
(付記6) 前記複数のTFT素子は、正規のTFT素子と、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔が前記正規のTFT素子より狭い擬似のTFT素子とからなることを特徴とする付記5に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【0073】
(付記7) 画素毎に非線形素子を備えたアクティブマトリクス表示装置において、前記非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとが隣接する部分に、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに先端部が尖った凸部を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【0074】
(付記8) 前記非線形素子の前記ソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとの間隔が、前記非線形素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔と同等又はそれ以上になっていることを特徴とする付記7に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとの間隔が、前記非線形素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔より狭くなるように、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに凸部を設けられている。
【0076】
これにより、静電気によりTFT基板に電流が流れるとしても、データバスラインとTFT素子のソース電極又はソース電極に接続された導電膜との間が電流経路となり、データバスラインとソース電極などとの間に介在する高抵抗の保護絶縁膜が静電気破壊されるようになる。
【0077】
従って、たとえ、静電気によりTFT基板に電流が流れるとしても、TFT素子が破壊される恐れがなくなるので、静電気による表示欠陥が発生することを防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は本発明の第1の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図、図1(b)は図1(a)のI−Iに沿った部分断面図である。
【図2】図2は本発明の第2の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。
【図3】図3は本発明の第3の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である(その1)。
【図4】図4は本発明の第3の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である(その2)。
【図5】図5は本発明の第4の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。
【図6】図6は本発明の第5の実施の形態のアクティブマトリクス表示装置に係る液晶表示パネルのTFT基板を示す部分平面図である。
【図7】図7は一般的な液晶表示パネルの構成を示す構成概略図である。
【図8】図8は液晶表示パネルのTFT基板に形成された回路素子の例を示す平面図である。
【図9】図9(a)は図8の一つの画素領域を拡大した平面図、図9(b)は図9(a)のII−IIに沿った断面図である。
【符号の説明】
10〜10d・・・TFT基板
24・・・ゲートバスライン
26・・・ドレインバスライン
28・・・画素電極
26a〜26c,28a・・・凸部
30・・・蓄積容量バスライン
31・・・中間電極
32・・・TFT素子
32a・・・ダミーのTFT素子
36・・・ガラス基板
40・・・ゲート絶縁膜
41・・・アモルファスシリコン層
42・・・ドレイン電極
43・・・ソース電極
44・・・チャネル保護膜
46・・・保護絶縁膜
48,48a・・・コンタクトホール[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an active matrix display device, and more particularly to a technique for preventing display defects even when electrostatic breakdown occurs in an active matrix display device using a liquid crystal, an organic EL (Electroluminescence) element, or the like.
[0002]
[Prior art]
A liquid crystal display panel is advantageous in that it is thin and lightweight, can be driven at a low potential and consumes less power, and is widely used in various electronic devices. In particular, an active matrix type liquid crystal display device in which a switching element such as a TFT element (Thin Film Transistor) is provided for each pixel is superior in terms of display quality to comparable to a CRT (Cathode-Ray Tube). Therefore, it is used for displays such as portable televisions and personal computers.
[0003]
As shown in FIG. 7, a general TN (Twisted Nematic) type liquid crystal display panel includes a
[0004]
These two polarizing plates 118 and 120 are, for example, arranged so that the polarizing axes of the polarizing plates are orthogonal to each other. According to this, light is transmitted when no electric field is applied, and light is blocked when an electric field is applied. Mode, that is, normally white mode. When the polarization axes of the two polarizing plates 118 and 120 are parallel, the light is blocked when no voltage is applied, and the mode is a normally black mode in which light is transmitted when a voltage is applied.
[0005]
A gate driving circuit 112 and a drain driving circuit 114 are provided on the peripheral portion of the
[0006]
FIG. 8 is a plan view showing an example of a matrix circuit formed on the
[0007]
In addition, a
[0008]
Then, image information is supplied from the
[0009]
Incidentally, since the
[0010]
Further, due to various plasma processes used when manufacturing the
[0011]
Conventionally, in order to avoid such a problem, this electrostatic protection is achieved by connecting an electrostatic protection element such as a transistor or a resistor between a power supply line connected to the circuit element 133 of the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
However, the electric charge generated by the discharge generated between the
[0013]
More specific description will be given below. FIG. 9A is an enlarged plan view of one pixel region of FIG. 8, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 9A. In FIG. 9, the same elements as those of FIG. As shown in FIG. 9B, the cross-sectional structure of the
[0014]
A protective
[0015]
As shown in FIG. 9A, a storage
[0016]
By the way, in the
[0017]
That is, since the
[0018]
As a result, the current generated by static electricity destroys the
[0019]
In JP-A-8-62615, a protrusion is provided on an input terminal (pad) outside the display unit, and static electricity is discharged preferentially at this portion to store a storage capacitor bus line and a gate bus line in the display unit. And preventing a short circuit between the drain bus lines. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-18924 discloses that input terminals are arranged close to each other and defects caused by static electricity are prevented by capacitive coupling between these input terminals.
[0020]
However, each of these methods has an effect of preventing the occurrence of defects due to static electricity generated outside the display portion, but the effect of preventing the occurrence of defects due to static electricity generated within the display portion is small.
[0021]
The present invention was created in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an active matrix display device that can prevent electrostatic breakdown of a TFT element due to static electricity, and thus can prevent display defects. To do.
[0022]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention relates to an active matrix display device, and in an active matrix display device including a nonlinear element for each pixel, any one of a source electrode of the nonlinear element and a conductive film connected to the source electrode is provided. The source electrode, the conductive film, and the source electrode, the conductive film, and the drain bus line connected to the drain electrode of the nonlinear element are narrower than a distance between the drain electrode and the source electrode of the nonlinear element. A protrusion is provided on at least one of the drain bus lines.
[0023]
When current flows due to static electricity on an insulating glass substrate (TFT substrate) on which a TFT element, which is an example of a nonlinear element, is formed, a drain bus line made of a low-resistance metal film, and a drain of the TFT element connected to the drain bus line The current flows intensively to the electrode and the source electrode of the TFT element. Moreover, in order to improve the transistor characteristics of the TFT element, the distance between the drain electrode and the source electrode is designed to be the narrowest among other circuit element patterns.
[0024]
Furthermore, since the drain electrode and the source electrode are connected via a high-resistance amorphous silicon film that becomes a channel portion of the TFT element, the gap between the drain electrode and the source electrode via the amorphous silicon film is A current flows as a current path. At this time, the current generated by static electricity destroys part of the amorphous silicon that is the channel portion of the TFT element by using energy in the high-resistance amorphous silicon film, so that the TFT element does not function.
[0025]
According to the present invention, for example, the current between the TFT element source electrode and the data bus line is made narrower than the distance between the TFT element drain electrode and the source electrode, so that even if current flows through the TFT substrate due to static electricity, the TFT element A region other than the data bus line and the source electrode of the TFT element forms a static current path, and the high-resistance protective insulating film interposed therebetween is destroyed. Alternatively, the distance between the conductive film (eg, pixel electrode or intermediate electrode) connected to the source electrode of the TFT element and the data bus line may be narrower than the distance between the drain electrode and the source electrode of the TFT element.
[0026]
As a result, even if a current flows through the TFT substrate due to static electricity, there is no risk of the TFT element being destroyed, so that display defects due to static electricity can be prevented from occurring.
[0027]
In order to solve the above problem, the present invention relates to an active matrix display device, and a plurality of TFT elements each having a drain electrode connected to one drain bus line and a source electrode connected to one pixel electrode for each pixel. And the interval between the drain electrode and the source electrode is different among the plurality of TFT elements.
[0028]
According to the present invention, for example, two TFT elements are formed in one pixel, both of which have a drain electrode connected to a common drain bus line and a source electrode connected to a common pixel electrode. ing. Of these two TFT elements, one TFT element is a regular TFT element formed according to a desired design rule, and the other TFT element is formed as a pseudo (dummy) TFT element. For example, the interval between the drain electrode and the source electrode of the pseudo TFT element is formed so as to be narrower than the interval between the drain electrode and the source electrode of the normal TFT element.
[0029]
In this way, when a current flows through the TFT substrate due to static electricity, when there is a conductive film pattern formed separately as described above, the current is preferentially used as a current path in a portion where the interval is narrow. Since the current flows, a current flows between the drain electrode and the source electrode of the pseudo TFT element as a current path, and as a result, the pseudo TFT element is electrostatically destroyed. Therefore, even if a current flows through the TFT substrate due to static electricity, it is possible to prevent the normal TFT element from being electrostatically destroyed.
[0030]
For example, out of two TFT elements formed in one pixel region, knowing which thin film transistor is a dummy thin film transistor in which the distance between the drain electrode and the source electrode is narrow. Even after the assembly, a pseudo TFT element that has been electrostatically damaged from the back side of the TFT substrate can be repaired by cutting it from the drain bus line.
[0031]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0032]
(First embodiment)
FIG. 1A is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to the active matrix display device of the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is taken along II of FIG. FIG.
[0033]
As shown in FIG. 1A, the
[0034]
A
[0035]
As shown in FIG. 1B, the cross-sectional structure of the
[0036]
One of the features of the active matrix display device according to the first embodiment of the present invention is that, for example, as shown in FIG. 1A, by providing a
[0037]
Conventionally, the distance between the
[0038]
Similarly to the above-described A part, the interval between the
[0039]
A current accompanying discharge due to static electricity generated between the insulating
[0040]
As shown in FIG. 1B, the
[0041]
In the present embodiment, in order to avoid this problem, the distance between the
[0042]
When the interval between the
[0043]
Thus, by providing a structure such as the A part and B part of FIG. 1A, that is, having a function like a so-called lightning rod, it is possible to prevent the
[0044]
In the present embodiment, since static electricity generated in the display portion is discharged in the display portion, display defects can be prevented more reliably than in the case of discharging outside the display portion.
[0045]
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a partial plan view showing the TFT substrate of the liquid crystal display panel according to the active matrix display device of the second embodiment of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment in that a convex portion is provided on the drain bus line side in order to narrow the distance between the drain bus line and the source electrode of the TFT element. However, the description of the same elements as those in FIG. 1 is omitted.
[0046]
As shown in FIG. 2, the
[0047]
Also in the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition to this, there are the following effects. When the gate insulating film 40 or the protective insulating film 46 in the D part of FIG. 2 is electrostatically destroyed, a part of the
[0048]
For this reason, when the
[0049]
In combination with the first embodiment, convex portions are formed on both the
[0050]
(Third embodiment)
3 and 4 are partial plan views showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a third embodiment of the present invention. The third embodiment is different from the first embodiment in that either or both of the drain bus line and the source electrode are pointed at a portion where the drain bus line and the source electrode of the TFT element face each other. 3 and FIG. 4, the description of the same elements as those in FIG. 1 is omitted.
[0051]
As shown in FIGS. 3 and 4, the TFT substrates 10 b and 10 c of this embodiment are provided with a convex portion on the
[0052]
By sharpening the tip of the convex portion in this way, the charge density at the tip increases, so that a current accompanying discharge due to static electricity easily flows between the
[0053]
Therefore, the distance between the
[0054]
In the present embodiment, the
[0055]
(Fourth embodiment)
FIG. 5 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a fourth embodiment of the present invention. The fourth embodiment is different from the first embodiment in that the distance between the drain bus line and the pixel electrode is narrower than the distance between the drain electrode and the source electrode of the TFT element. However, the description of the same elements as those in FIG. 1 is omitted.
[0056]
As shown in FIG. 5, in the
[0057]
Further, in the present embodiment, the
[0058]
Instead of forming the
[0059]
(Fifth embodiment)
FIG. 6 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a fifth embodiment of the present invention. In the fifth embodiment, for example, two TFT elements are formed in one pixel region, and one is a dummy (pseudo) TFT element in which the interval between the drain electrode and the source electrode is narrowed. In the case of electrostatic breakdown, the dummy TFT element is intentionally electrostatically destroyed to protect the regular TFT element. In FIG. 6, the same elements as those in FIG.
[0060]
As shown in FIG. 6, on the
[0061]
The source electrode 43 of the
[0062]
After the
[0063]
In addition, it is important to recognize in advance which of the two
[0064]
However, in this embodiment, it is determined which of the two TFT elements is a dummy TFT element, and if the TFT element is recognized, the TFT substrate can be obtained even when the TFT substrate is assembled into a liquid crystal display panel. The
[0065]
The details of the present invention have been described above by the first to fifth embodiments. However, the scope of the present invention is not limited to the examples specifically shown in the above embodiments, and does not depart from the present invention. Changes in the above embodiment within the scope of the gist are included in the scope of the present invention.
[0066]
For example, in the first to fifth embodiments, the TFT substrate according to the active matrix type liquid crystal display panel is exemplified, but the present invention can be similarly applied to an active matrix type organic EL display using TFT elements.
[0067]
(Additional remark 1) In the active matrix display device provided with the nonlinear element for every pixel, it connected to either the source electrode of the said nonlinear element, the electrically conductive film connected to the said source electrode, and the drain electrode of the said nonlinear element Protrusions are provided on at least one of the source electrode, the conductive film, and the drain bus line so that the distance to the drain bus line is narrower than the distance between the drain electrode and the source electrode of the nonlinear element. An active matrix display device.
[0068]
(Supplementary note 2) The active matrix display device according to supplementary note 1, wherein the conductive film connected to the source electrode is a pixel electrode or an intermediate electrode connected to the pixel electrode.
[0069]
(Additional remark 3) The said convex part is provided in the said source electrode or the said electrically conductive film, and the width | variety of the said drain bus line of the part facing the front-end | tip part of the said convex part is thicker than the width | variety of the said drain bus line of another place. The active matrix display device according to appendix 1 or 2, wherein
[0070]
(Additional remark 4) The active matrix display device as described in any one of additional remark 1 thru | or 3 with which the front-end | tip part of the said convex part has a sharp shape.
[0071]
(Supplementary Note 5) Each pixel has a plurality of TFT elements each having a drain electrode connected to the same drain bus line and a source electrode connected to the same pixel electrode, and a drain is provided between the TFT elements. An active matrix display device characterized in that an interval between an electrode and a source electrode is different.
[0072]
(Supplementary note 6) The supplementary note 5 is characterized in that the plurality of TFT elements include a regular TFT element and a pseudo TFT element in which a distance between the drain electrode and the source electrode is narrower than that of the regular TFT element. The active matrix display device described.
[0073]
(Supplementary note 7) In an active matrix display device including a non-linear element for each pixel, either the source electrode of the non-linear element or a conductive film connected to the source electrode, or the drain electrode of the non-linear element An active matrix display device, wherein a convex portion having a pointed end is provided on at least one of the source electrode, the conductive film, and the drain bus line at a portion adjacent to a drain bus line.
[0074]
(Supplementary Note 8) An interval between any one of the source electrode of the nonlinear element and the conductive film connected to the source electrode and a drain bus line connected to the drain electrode of the nonlinear element is equal to the gap of the nonlinear element. The active matrix display device according to appendix 7, wherein the distance between the drain electrode and the source electrode is equal to or greater than the distance between the drain electrode and the source electrode.
[0075]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the distance between the source electrode of the nonlinear element and the conductive film connected to the source electrode and the drain bus line connected to the drain electrode of the nonlinear element is A convex portion is provided on at least one of the source electrode, the conductive film, and the drain bus line so as to be narrower than an interval between the drain electrode and the source electrode of the nonlinear element.
[0076]
As a result, even if a current flows through the TFT substrate due to static electricity, a current path is formed between the data bus line and the conductive electrode connected to the source electrode of the TFT element or the source electrode, and between the data bus line and the source electrode. The high-resistance protective insulating film interposed in the substrate is electrostatically destroyed.
[0077]
Therefore, even if a current flows through the TFT substrate due to static electricity, there is no possibility that the TFT element will be destroyed, so that display defects due to static electricity can be prevented from occurring.
[Brief description of the drawings]
1A is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of FIG. It is a fragmentary sectional view in alignment with II.
FIG. 2 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a third embodiment of the present invention (No. 1).
FIG. 4 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a third embodiment of the present invention (part 2).
FIG. 5 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a partial plan view showing a TFT substrate of a liquid crystal display panel according to an active matrix display device of a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a general liquid crystal display panel.
FIG. 8 is a plan view showing an example of circuit elements formed on a TFT substrate of a liquid crystal display panel.
9A is an enlarged plan view of one pixel region in FIG. 8, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 9A.
[Explanation of symbols]
10-10d ... TFT substrate
24 ... Gate bus line
26 ... Drain bus line
28: Pixel electrode
26a-26c, 28a ... convex part
30 ... Storage capacity bus line
31 ... Intermediate electrode
32 ... TFT element
32a ... Dummy TFT element
36 ... Glass substrate
40 ... Gate insulating film
41 ... Amorphous silicon layer
42 ... Drain electrode
43 ... Source electrode
44 ... Channel protective film
46 ... Protective insulating film
48, 48a ... contact hole
Claims (5)
前記非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとの間隔が、前記非線形素子の前記ドレイン電極と前記ソース電極との間隔より狭くなるように、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに凸部を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。In an active matrix display device having a non-linear element for each pixel,
The distance between one of the source electrode of the nonlinear element and the conductive film connected to the source electrode and the drain bus line connected to the drain electrode of the nonlinear element is such that the drain electrode and the source of the nonlinear element are An active matrix display device, wherein a projection is provided on at least one of the source electrode, the conductive film, and the drain bus line so as to be narrower than a distance from the electrode.
前記非線形素子のソース電極及び前記ソース電極に接続された導電膜のいずれか一方と、前記非線形素子のドレイン電極に接続されたドレインバスラインとが隣接する部分に、前記ソース電極、前記導電膜及び前記ドレインバスラインの少なくとも1つに先端部が尖った凸部を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。In an active matrix display device having a non-linear element for each pixel,
The source electrode, the conductive film, and the conductive film connected to the source electrode of the nonlinear element and the drain bus line connected to the drain electrode of the nonlinear element are adjacent to each other. An active matrix display device, wherein at least one of the drain bus lines is provided with a convex portion having a sharp tip.
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