JP4694101B2 - Exposure method and pattern forming apparatus - Google Patents

Exposure method and pattern forming apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4694101B2
JP4694101B2 JP2003073055A JP2003073055A JP4694101B2 JP 4694101 B2 JP4694101 B2 JP 4694101B2 JP 2003073055 A JP2003073055 A JP 2003073055A JP 2003073055 A JP2003073055 A JP 2003073055A JP 4694101 B2 JP4694101 B2 JP 4694101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
substrate
layer
glass substrate
chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003073055A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004279873A (en
Inventor
一生 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2003073055A priority Critical patent/JP4694101B2/en
Publication of JP2004279873A publication Critical patent/JP2004279873A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4694101B2 publication Critical patent/JP4694101B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラーフィルターやTFT基板等の互いに貼り合わされてデバイスを構成する基板の露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上の複数の露光領域に対して順次マスクパターンを露光する露光装置として、レーザー測長系によりステージ位置を測定しながらステージを駆動することにより、フォトマスクと露光領域とを順次位置合わせするものが知られている。この露光装置を用いて複数層に対して露光を行なう場合、例えば、カラーフィルターに対して露光を行なう場合、ブラックマトリクス層やR、G、B層等の各層に対応してそれぞれ別の露光装置が用意される。そして、最初の層(ブラックマトリクス層)の露光装置はレーザー測長系を用いてフォトマスクの位置合わせを行なうとともに、露光と同時にアライメントマークを形成し、以降の層(R、G、B層)の露光装置はそのアライメントマークに基づいてフォトマスクの位置合わせを行なって露光する。
【0003】
また、半導体ウェハのスクライブラインにより複数に区分されたフィールドに対して露光する装置として、スクライブラインにアライメントマークを形成し、そのアライメントマークとフォトマスクのアライメントマークとを位置合わせするものが知られている(特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−109605号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述の技術では、レーザー測長系を露光装置に設けることから、種々の不都合が生じた。例えば、他の基板と貼り合わせたときに、互いの複数の露光領域がそれぞれ一致する必要があること等から、レーザー測長系には高い精度が要求される。しかし、レーザー測長系は、温度変化、気圧変化等で測定値に誤差が生じるため、露光装置の温度等を高精度に制御する必要があった。また、最初の層の露光装置と、以降の層の露光装置とでは、装置の構成が異なることになり、露光装置の互換性を確保することが困難であった。互換性を確保するために各層の露光装置全てにレーザー測長系を設けることも考えられるが、レーザー測長系は高価なものであり現実的ではなかった。
【0006】
そこで、本発明は、フォトマスクと露光領域との位置合わせに露光装置のレーザー測長系を必要としない露光方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【0008】
本発明の露光方法は、対向基板(101)と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板としてのガラス基板(100)が載置されたステージ(31)とフォトマスク(33)とを相対移動させて、前記ガラス基板の複数の露光領域(100a…100a)のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層としてブラックマトリックス層、R層、G層、及びB層のそれぞれのパターンを露光し、前記複数層のうち最初の層である前記ブラックマトリックス層の露光前に、複数のアライメントマーク(53…53)を、レーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記ガラス基板内部に形成する工程と、前記複数のアライメントマークと前記フォトマスクに設けられたアライメントマーク(51…51)との相対位置に基づいて前記複数層のそれぞれの露光領域と、各層に対応するフォトマスクとを順次位置合せする工程と、を備え、前記対向基板が前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域(101a)を有する露光方法であって、前記ガラス基板は、静電チャック又は真空チャックであるチャック装置に保持された状態で前記対向基板に貼り合わされるものであり、前記形成する工程では、前記貼り合せの際に用いられるチャック装置と同一機種のチャック装置により前記ガラス基板を保持した状態で、前記複数のアライメントマークを形成することにより、上述した課題を解決する。
【0009】
本発明によれば、デバイスの一部として機能する全ての層において、露光領域とフォトマスクとの位置合わせがアライメントマークに基づいて行なわれるから、各層の露光装置にレーザー測長系を設ける必要が無い。従って、稼動時の温度条件の緩和、露光装置の互換性確保が実現される。また、対向基板と貼り合わされるガラス基板への露光では、複数の露光領域と対向基板の複数の対向領域とを一致させる必要から、複数の露光領域間の相対位置を予め設定された相対位置にしなければならない。このため、従来のようなレーザー測長系を用いて最初の層を露光する方法では、複数の露光領域のうち一部の露光領域にのみ露光を行なったときに、他の露光装置に基板を移してしまうと、既に露光した露光領域の位置を特定することができず、残りの露光領域に対して露光を行なうことができなかった。従って、一つの層の全ての露光領域に対して一台の露光装置で露光を行なわなければならなかった。しかし、本発明では露光前にアライメントマークにより複数の露光領域の相対位置が特定されているから、複数の露光領域のうち一部の露光領域に露光した後、他の露光装置に移して残りの露光領域に対して露光を行なうこともできる。これにより、一枚の基板に複数層としてブラックマトリックス層、R層、G層、及びB層のそれぞれのパターンを形成することが可能となり、基板の面付けロスを防止したり、種々の事情に応じた混流生産を行なうことができる。また、この場合、ガラス内部にアライメントマークが形成されるから、その後のガラス基板に対する処理によりアライメントマークが変形、削除されるおそれがない。このため、各層の露光領域に対するフォトマスクの位置合わせが正確に行なわれる。アライメントマークを正確な位置に形成して露光を行なっても、貼り合せ時に静電チャック又は真空チャックであるチャック装置によりガラス基板に変形が生じて露光領域の位置がずれ、露光領域と対向領域とが精度よく位置合わせされないおそれがある。しかし、本発明によれば、貼り合せ時の変形が再現された状態でガラス基板にアライメントマークが形成されるから、アライメントマーク形成時の露光領域の位置と貼り合せ時の露光領域の位置とは一致し、露光領域と対向領域とが精度よく位置合わせされる。
【0010】
本発明の露光方法において、前記形成する工程では、前記対向領域のパターンを形成する装置の誤差の影響を含んだ前記複数の対向領域の配置と、前記複数の露光領域の配置とを一致させるように、前記複数のアライメントマークを前記露光基板に形成してもよい。アライメントマークを予め設定された位置に形成したとしても、対向領域のパターンを形成する装置固有の癖に基づく対向領域の位置ずれにより、対向領域と露光領域とを精度よく一致させることができないおそれがある。しかし、上述の本発明の態様によれば、対向領域のパターンを形成する装置の誤差を見込んでアライメントマークを形成するから、露光領域と対向領域との位置合わせの精度が向上する。なお、誤差の影響を含んだ対向領域の配置は、パターンが形成された対向基板の対向領域の位置をマーキング装置で測定することにより取得してもよいし、パターンを形成する装置の動作特性の試験等のなんらかの方法により、装置の癖を把握することにより取得してもよい。
【0013】
本発明のパターン形成装置(1)は、対向基板(101)と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板としてのガラス基板(100)が載置されたステージ(31)とフォトマスク(33)とを相対移動させて、前記ガラス基板の複数の露光領域(100a)のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層としてブラックマトリックス層、R層、G層、及びB層のそれぞれのパターンを露光する露光装置(12、13、14、15)、前記露光装置とは別に設けられ、前記複数層のうち最初の層である前記ブラックマトリックス層の露光前に、複数のアライメントマークを、レーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記ガラス基板内部に形成するマーキング装置(11)を備え、前記対向基板が前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域(101a)を有するパターン形成装置であって前記ガラス基板は、静電チャック又は真空チャックであるチャック装置に保持された状態で前記対向基板に貼り合わされるものであり、前記マーキング装置は、前記貼り合せの際に用いられるチャック装置と同一機種のチャック装置により前記ガラス基板を保持した状態で、前記複数のアライメントマークを形成することにより、上述した課題を解決する。
【0014】
本発明のパターン形成装置によれば、露光装置により各層に対して露光を行なう前に、マーキング装置により露光基板にレーザー光を照射してガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、ガラス基板内部にアライメントマークを形成するとともに、アライメントマークの形成の際に、対向基板との貼り合せの際に用いられるチャック装置と同一機種のチャック装置によりガラス基板を保持するから、上述した露光方法を実現可能である。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は本発明のパターン形成装置1の構成を示す図である。パターン形成装置1は、CF基板100(露光基板、図8参照)に対してフォトリソグラフィーによりパターンを形成する装置として形成されている。
【0016】
CF基板100は、例えばガラス基板で構成され、厚さ1mm、面積4mに形成されている。CF基板100は、パターン形成装置1によるパターン形成後、貼り合わせ装置2によりTFT基板101(図7(a)参照)と貼り合わされる。1組のCF基板100及びTFT基板101からは、6枚の液晶表示デバイスが製造される。このため、図8にも示すように、CF基板100上の6つの露光領域100a…100aに対してパターン形成装置1により露光が行われる。
【0017】
図1のパターン形成装置1は、CF基板100にアライメントマーク53(図7(b)参照)を形成するためのマーキング装置11と、CF基板100上の各層に対してそれぞれ露光を行なうための複数の露光装置12〜15とを備えている。露光装置12〜15は、例えば、ブラックマトリクス層、R層、G層、B層にそれぞれ対応して設けられている。なお、パターン形成装置1にはこの他、各露光装置12〜15による露光前にCF基板100の表面に顔料を分散した感光性樹脂やレジストを薄膜状に成膜するコーター、露光後のCF基板100に対して現像処理を行なう現像装置等の種々の装置が設けられるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。
【0018】
図2(a)は、マーキング装置11の構成を示す側面図である。マーキング装置11は、CF基板100を載置するためのステージ21と、ステージ21を水平方向において駆動するための駆動装置22と、ステージ21の位置を測定するためのレーザー測長系23と、CF基板100にマーキングするための光学系24と、ステージ21上を撮像するカメラ25と、制御装置26とを備えている。
【0019】
ステージ21の上面には、静電気力によりCF基板100を吸着保持する静電チャック21aが設けられている。静電チャック21aは、貼り合せ装置2の静電チャック42a(図3(b)参照)と同じものである。静電チャック21aには種々の公知技術を利用可能である。静電チャック21aは、例えば絶縁体(不図示)と、その絶縁体に埋設された電極(不図示)とを備えて構成されている。絶縁体に面型の電極が埋設されたものでもよいし、双極の電極が埋設されたものでもよいし、多数の電極が埋設されたものでもよい。
【0020】
駆動装置22は、例えば電動モータを含んで構成され、その動作は制御装置26によって制御される。レーザー測長系23は、例えばステージ21に向けてレーザー光を照射するとともに、反射されたレーザー光を受光してステージまでの距離を測定するレーザー干渉計(不図示)を含んで構成されている。レーザー干渉計は測定した距離に応じた信号を制御装置26に出力する。
【0021】
光学系24は、例えばレーザー27と、対物レンズ28とを含んで構成されている。図2(b)に示すように、レーザー27から出力されたレーザー光Lは、対物レンズ28により集光点Qに集光される。集光点Qではレーザー光LによりCF基板100の光学的性質が変化する。例えば、レーザー光Lによりガラス内部に泡が生じ、集光点Qにおいて光が散乱されやすくなる。従って、レーザー光LをCF基板100に対して走査することにより、CF基板100にアライメントマーク53が形成される。なお、レーザー光Lの走査は、ステージ21を水平方向に駆動することによって行なってもよいし、光学系24に含まれるレンズやミラー等を駆動することによって走査してもよい。レーザー27には例えばパルスレーザーを用い、ドットを繋ぐことによりマーキングを行なってもよい。
【0022】
カメラ25は、例えばCCDカメラとして構成され、撮像した画像に基づく映像信号を制御装置26に出力する。カメラ25は、光学系24によりレーザー光Lが照射される範囲を撮像可能に設けられている。制御装置26は、例えばCPU、ROM、RAM、外部記憶装置を含んだコンピュータとして構成され、外部記憶装置に記録されているプログラム等に従って、静電チャック21a、駆動装置22、レーザー27等の種々の装置の動作を制御する。
【0023】
図3(a)は、露光装置12の構成を示す側面図である。なお、露光装置13〜15も同様の構成である。露光装置12は、CF基板100を載置するステージ31と、ステージ31を水平方向及び上下方向において駆動する駆動装置32と、ステージ31の上方に配置されたフォトマスク33と、フォトマスク33の上方からステージ2上を撮像するカメラ34、34と、制御装置35とを備えている。なお、露光装置12はこの他、フォトマスク33に光束を照射するための照明装置等の種々の装置を備えるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。ただし、露光装置12には、ステージ31の水平方向の位置を測定するためのスケールはあるがレーザー測長系は設けられていない。
【0024】
ステージ31の上面には、真空チャック31aが設けられている。駆動装置32は、例えば電動モータを含んで構成され、制御装置35によって制御される。フォトマスク33は、図8に示すように、一つの露光領域100aを覆う大きさを有している。また、フォトマスク33は、露光領域100aに相当する領域の外側の位置にアライメントマーク51、51を備えている。カメラ34、34はアライメントマーク51、51を撮像可能な位置に設けられ、撮像した画像に基づく映像信号を制御装置35に出力する。制御装置35は、例えば制御装置26と同様にコンピュータとして構成され、外部記憶装置に記録されているプログラム等に従って、駆動装置32等の種々の装置の動作を制御する。なお、制御装置26と制御装置35とは一方が他方に兼用されていてもよい。
【0025】
図3(b)は、貼り合わせ装置2の構成を示す側面図である。貼り合わせ装置2は、CF基板100とTFT基板101とを上下に対向させ、下側の基板に液晶を滴下してから、真空中でCF基板100とTFT基板101とを貼り合わせる装置として構成されている。
【0026】
貼り合わせ装置2は、内部を減圧状態に維持可能なチャンバ41と、チャンバ41の内部に設けられ、上下に対向する定盤42、43とを備えている。なお、貼り合わせ装置2はこの他、定盤42、43を上下に駆動して相互に近接又は離間させる駆動装置等を備えるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。定盤42、43はそれぞれCF基板100、TFT基板101を静電気力により保持するための静電チャック42a、43aを備えており、CF基板100及びTFT基板101はそれぞれ静電チャック42a、43aに保持された状態で貼り合わされる。
【0027】
上述の構成を有するパターン形成装置1の動作を説明する。
【0028】
パターン形成装置1は、CF基板100に対する処理の前にマーキング装置11によりTFT基板101の露光領域101a・・・101aの位置を学習する。図4は、その学習の際にマーキング装置11の制御装置26が実行する位置計測処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、ユーザが制御装置26に対して所定の入力操作を実行したときに実行される。この処理は、図7(a)に示すように、ステージ21にTFT基板101が載置されることが前提となる。
【0029】
図7(a)に示すように、TFT基板101は、CF基板100の露光領域100a…100aとそれぞれ貼り合わされるべき領域101a…101aを有しており、各領域101a…101aには、パターン形成装置1とは別の製造装置により既にパターニングが行われている。TFT基板101は、領域101a…101aの周囲にそれぞれアライメントマーク52、52の組を複数有している。アライメントマーク52、52は、領域101a…101aの位置を示すものであり、例えば、領域101aに対して露光を行う際に、アライメントマーク52のパターンも同時に露光されて形成される。
【0030】
TFT基板101は、CF基板100と貼り合わされる面(膜面)を下に向けてステージ21に載置される。なお、TFT基板101のステージ21への載置は、ユーザが手作業で行ってもよいし、CF基板100をステージ21へ載置するためのマーキング装置11の搬送装置(不図示)が行ってもよい。
【0031】
図4のステップS1では、制御装置26は、カメラ25の下方にアライメントマーク52…52のうちいずれか一つを位置させるように、駆動装置22の動作を制御してステージ21を移動させる。この制御は、例えば制御装置26に予め記録されている制御量に基づいて行われる。
【0032】
次に制御装置26は、カメラ25からの映像信号に基づいて、アライメントマーク52と、集光点Qとのずれを特定するとともに(ステップS2)、駆動装置22を制御してアライメントマーク52と集光点Qとを位置合わせする(ステップS3)。そして、位置合わせしたときのステージ21の位置をレーザー測長系23により計測して記録する(ステップS4)。ステップS5では全てのアライメントマーク52…52に対して計測が終了したか否を判定し、終了していないと判定した場合はステップS1〜S4を繰り返し実行して、残りのアライメントマーク52…52と集光点Qとを一致させたときのステージ位置を順次計測する。終了したと判定した場合は処理を終了する。なお、集光点Qの位置は、例えば、予め試験用の基板に光学系24によりマーキングを行うことにより、カメラ25の撮像範囲における集光点Qの位置を特定しておけばよい。
【0033】
TFT基板101の露光領域101a・・・101aの学習後、パターン形成装置1は、まだ表面に各層のレジストが成膜されていないCF基板100を受取ると、不図示の搬送装置により、マーキング装置11、露光装置12、13、14、15の順にCF基板100を搬送し、各装置11〜15によりCF基板100に対して各種の処理を実行する。
【0034】
図5は、マーキング装置11の制御装置26が実行するマーキング処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、CF基板100がステージ21に載置されたときに開始される。この処理が実行されている間、CF基板100は静電チャック21aにより吸着保持されている。なお、ステージ21に載置されたCF基板100には、まだ各層に対応するレジスト等は成膜されていない。
【0035】
ステップS11では、制御装置26は、位置計測処理(図4参照)のステップS4で測定したステージ位置のいずれかにレーザー測長系23の測定するステージ位置を一致させるように、駆動装置22の動作を制御してステージ21を移動させる。次に、レーザー27を駆動してCF基板100に対してアライメントマーク53を形成する。ステップS13では、TFT基板101のアライメントマーク52…52の全てに対応してアライメントマーク53…53が形成されたか否かを判定し、形成されていないと判定した場合には、ステップS11及びS12を繰り返し実行する。これにより、図7(a)及び図7(b)に示すように、TFT基板101のアライメントマーク52…52と同じ配置で、CF基板100のアライメントマーク53…53が順次形成される。
【0036】
図6は、露光装置12の制御装置35が実行する露光処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば図8に示すように、CF基板100がステージ31に載置されたときに開始される。この処理が実行されている間、CF基板100は真空チャック31aにより吸着保持されている。なお、ステージ31に載置されたCF基板100には、ブラックマトリクス層のレジストが成膜されている。
【0037】
まず、制御装置35は、フォトマスク33の下方に露光領域100a…100aのうちいずれか一つを位置させるように、駆動装置32の動作を制御する(ステップS21)。この制御は、例えば、制御装置35に予め記録されている制御量に基づいて行われる。次に、カメラ7によりフォトマスク33のアライメントマーク51とCF基板100のアライメントマーク53とを撮像し(ステップS22)、アライメントマーク51と、アライメントマーク53との位置ずれを特定する(ステップS23)。そして、図8に示すように、その位置ずれに基づいてフォトマスク33と露光領域100aとの位置合わせを行う(ステップS24)。その後、ステップS25では不図示の照明装置を駆動して露光を行う。ステップS15では、全ての露光領域100a…100aに対して露光が終了したか否か判定し、終了していないと判定した場合は、ステップS21からS25までを繰り返し実行する。これにより、図8に示すように、露光領域100a…100aに対して順次露光が行なわれる。
【0038】
なお、露光装置13〜15においても、各装置の備える制御装置により同様の処理が実行され、R層、G層、B層の各層の露光領域100a…100aに対して順次露光が実行される。
【0039】
本発明は以上の実施形態に限定されず、本発明の技術的思想と実質的に同一である限り、種々の形態で実施してよい。
【0040】
TFT基板101のアライメントマーク52の計測時におけるTFT基板101の保持方法と、CF基板100のアライメントマーク53の形成時におけるCF基板100の保持方法とを、さらに貼り合せ装置2による保持方法に一致させてもよい。例えば、TFT基板101のアライメントマーク52の位置を計測する際に、静電チャック43aと同じ静電チャックにより、上方からTFT基板101を保持してもよい。
【0041】
貼り合わせ装置2において、CF基板100を下側とするものを例示したが、CF基板100が上側であってもよい。この場合、マーキング装置11において、CF基板100を上方から静電チャックにより保持した状態でアライメントマーク53を形成してもよい。
【0042】
マーキング装置11において、CF基板100を静電チャックにより保持するものを例示したが、真空チャックによりCF基板100を保持してもよい。
【0043】
TFT基板101の露光領域101a…101aの位置計測には種々の方法を用いてよい。マーキング装置11とは別の装置により計測し、その計測結果のデータをマーキング装置11に入力してもよい。アライメントマーク52…52の位置を計測するものに限られず、例えば、露光領域101aのパターンに基づいて、露光領域101aの位置を直接計測してもよい。
【0044】
CF基板100のアライメントマーク53は、種々の方法により形成してよい。例えば、アライメントマークのパターンを有するフォトマスクを介してCF基板100にレーザー光を照射し、CF基板100の光学的性質を変化させてもよい。クロム膜を蒸着する等して、他の材料を付着させてもよい。アライメントマーク53は、ブラックマトリクス層のパターンが露光されるまでに形成されていればよいから、クロム膜や樹脂BM膜にレーザーでマーキングしてもよい。
【0045】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、デバイスの一部として機能する全ての層において、露光領域とフォトマスクとの位置合わせがアライメントマークに基づいて行なわれるから、各層の露光装置にレーザー測長系を設ける必要が無い。従って、稼動時の温度条件の緩和、露光装置の互換性確保が実現される。また、複数の露光領域のうち一部の露光領域に露光した後、他の露光装置に移して残りの露光領域に対して露光を行なうこともできる。これにより、一枚の基板に複数種のパターンを形成することが可能となり、基板の面付けロスを防止したり、種々の事情に応じた混流生産を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したパターン形成装置の構成を示す図。
【図2】図1のパターン形成装置に含まれるマーキング装置の構成を示す図。
【図3】図1のパターン形成装置に含まれる露光装置及び貼り合せ装置の構成を示す図。
【図4】図2のマーキング装置の制御装置が実行する位置計測処理の手順を示すフローチャート。
【図5】図2のマーキング装置の制御装置が実行するマーキング処理の手順を示すフローチャート。
【図6】図3の露光装置の制御装置が実行する露光処理の手順を示すフローチャート。
【図7】図4の位置計測処理及び図5のマーキング処理が実行されているときの図2のマーキング装置の状態を示す図。
【図8】図6の露光処理が実行されているときの図3の露光装置の状態を示す図。
【符号の説明】
1 パターン形成装置
11 マーキング装置
12、13、14、15 露光装置
21a、42a 静電チャック
31 ステージ
33 フォトマスク
51、53 アライメントマーク
100 CF基板
100a 露光領域
101 TFT基板
101a 露光領域(対向領域)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for exposing a substrate such as a color filter and a TFT substrate that are bonded together to form a device.
[0002]
[Prior art]
As an exposure device that sequentially exposes a mask pattern to multiple exposure areas on a substrate, the stage is driven while measuring the position of the stage by a laser length measurement system, thereby aligning the photomask and exposure area sequentially. It has been known. When performing exposure on a plurality of layers using this exposure apparatus, for example, when performing exposure on a color filter, separate exposure apparatuses corresponding to the respective layers such as the black matrix layer and the R, G, and B layers Is prepared. The exposure device for the first layer (black matrix layer) aligns the photomask using a laser length measurement system and forms an alignment mark simultaneously with the exposure, and the subsequent layers (R, G, B layers) The exposure apparatus performs exposure by aligning the photomask based on the alignment mark.
[0003]
Further, as an apparatus for exposing a field divided into a plurality by a semiconductor wafer scribe line, an apparatus that forms an alignment mark on the scribe line and aligns the alignment mark with the alignment mark of the photomask is known. (See Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 5-109605
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described technique, various disadvantages occur because the laser length measurement system is provided in the exposure apparatus. For example, a high accuracy is required for the laser length measurement system because a plurality of exposure areas must match each other when bonded to another substrate. However, in the laser length measurement system, an error occurs in a measurement value due to a change in temperature, a change in atmospheric pressure, and the like, and thus it is necessary to control the temperature of the exposure apparatus with high accuracy. In addition, the exposure apparatus for the first layer and the exposure apparatus for the subsequent layers have different apparatus configurations, and it has been difficult to ensure compatibility of the exposure apparatuses. In order to ensure compatibility, it is conceivable to provide a laser length measuring system for all the exposure apparatuses of each layer, but the laser length measuring system is expensive and not practical.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure method and a pattern forming apparatus that do not require a laser length measurement system of an exposure apparatus for alignment between a photomask and an exposure area.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention will be described below. In order to facilitate understanding of the present invention, reference numerals in the accompanying drawings are appended in parentheses, but the present invention is not limited to the illustrated embodiment.
[0008]
  The exposure method of the present invention is an exposure substrate for constituting a device bonded to a counter substrate (101).As glass substrateThe stage (31) on which (100) is placed and the photomask (33) are moved relative to each other toGlass substrateEach of the plurality of exposure regions (100a ... 100a) is exposed to a pattern of a black matrix layer, an R layer, a G layer, and a B layer as a plurality of layers functioning as a part of the device, Before the exposure of the black matrix layer as the first layer, a plurality of alignment marks (53 ... 53) are provided.By changing the optical properties inside the glass substrate by irradiating laser light,AboveInside the glass substrateA plurality of exposure regions of the plurality of layers based on relative positions of the plurality of alignment marks and alignment marks (51... 51) provided on the photomask, and photomasks corresponding to the layers. And sequentially aligningThe exposure method includes a plurality of opposing regions (101a) in which the counter substrate is bonded to each of the plurality of exposure regions, and the glass substrate is held by a chuck device that is an electrostatic chuck or a vacuum chuck. In the forming step, the plurality of the plurality of glass substrates are held in a state where the glass substrate is held by a chuck device of the same model as the chuck device used for the bonding. Form alignment marksThis solves the above-described problem.
[0009]
  According to the present invention, in all the layers that function as a part of the device, the alignment between the exposure region and the photomask is performed based on the alignment mark. Therefore, it is necessary to provide a laser measuring system in the exposure apparatus for each layer. No. Therefore, relaxation of temperature conditions during operation and ensuring of compatibility of the exposure apparatus are realized. Also, it is attached to the counter substrateGlassIn the exposure to the substrate, it is necessary to match the plurality of exposure regions with the plurality of counter regions of the counter substrate, so that the relative positions between the plurality of exposure regions must be set in advance. For this reason, in the conventional method of exposing the first layer using a laser length measurement system, when only a part of the plurality of exposure areas is exposed, the substrate is placed on another exposure apparatus. If moved, the position of the already exposed exposure area could not be specified, and the remaining exposure area could not be exposed. Therefore, it is necessary to perform exposure with one exposure apparatus for all exposure regions of one layer. However, in the present invention, since the relative positions of the plurality of exposure areas are specified by the alignment mark before exposure, after exposure to some of the plurality of exposure areas, the remaining exposure apparatus is moved to the remaining exposure apparatus. It is also possible to expose the exposure area. Thereby, it becomes possible to form each pattern of the black matrix layer, R layer, G layer, and B layer as a plurality of layers on a single substrate, to prevent imposition loss of the substrate, and to various circumstances Corresponding mixed flow production can be performed. In this case, an alignment mark is formed inside the glass.GlassThere is no possibility that the alignment mark is deformed or deleted by the processing on the substrate. For this reason, alignment of the photomask with respect to the exposure region of each layer is accurately performed.Even if the alignment mark is formed at an accurate position and exposure is performed, the glass substrate is deformed by the chuck device which is an electrostatic chuck or a vacuum chuck at the time of bonding, and the position of the exposure area is shifted, so that the exposure area and the counter area May not be accurately aligned. However, according to the present invention, since the alignment mark is formed on the glass substrate in a state where the deformation at the time of bonding is reproduced, the position of the exposure area at the time of forming the alignment mark and the position of the exposure area at the time of bonding are The exposure area and the counter area are aligned with high accuracy.
[0010]
  In the exposure method of the present invention,in frontIn the forming step, the plurality of alignment marks are arranged so that the arrangement of the plurality of counter areas including the influence of the error of the apparatus for forming the pattern of the counter area coincides with the arrangement of the plurality of exposure areas. May be formed on the exposed substrate. Even if the alignment mark is formed at a preset position, there is a possibility that the opposed area and the exposure area cannot be accurately matched due to the displacement of the opposed area based on the wrinkles unique to the apparatus that forms the pattern of the opposed area. is there. However, according to the above-described aspect of the present invention, since the alignment mark is formed in consideration of the error of the apparatus for forming the pattern of the counter area, the alignment accuracy between the exposure area and the counter area is improved. The arrangement of the counter area including the influence of the error may be acquired by measuring the position of the counter area of the counter substrate on which the pattern is formed with a marking device, or the operating characteristics of the pattern forming apparatus. You may acquire by grasping | ascertaining the wrinkle of an apparatus by some methods, such as a test.
[0013]
  The pattern forming apparatus (1) of the present invention comprises an exposure substrate for constituting a device by being bonded to a counter substrate (101).Board andGlass substrate(100)Is moved relative to the stage (31) and the photomask (33),Glass substrateExposure apparatuses (12, 13, 14) that expose the respective patterns of the black matrix layer, the R layer, the G layer, and the B layer as a plurality of layers that function as a part of the device in each of the plurality of exposure regions (100a) 15)WhenA plurality of alignment marks are provided separately from the exposure apparatus, and before the exposure of the black matrix layer, which is the first layer among the plurality of layers.The inside of the glass substrate is irradiated with laser light to change the optical properties inside the glass substrate.Marking device to be formed (11)WhenWithThe counter substrate has a plurality of counter regions (101a) bonded to each of the plurality of exposure regions.Pattern forming deviceBecause,The glass substrate is bonded to the counter substrate while being held by a chuck device which is an electrostatic chuck or a vacuum chuck, and the marking device is the same model as the chuck device used for the bonding The plurality of alignment marks are formed while the glass substrate is held by the chuck device.This solves the above-described problem.
[0014]
  According to the pattern forming apparatus of the present invention, before exposing each layer by the exposure apparatus, the marking substrate is irradiated with laser light on the exposure substrate to change the optical properties inside the glass substrate. Form alignment mark insideIn addition, when forming the alignment mark, the glass substrate is held by a chuck device of the same model as the chuck device used for bonding to the counter substrate.Thus, the above-described exposure method can be realized.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a pattern forming apparatus 1 according to the present invention. The pattern forming apparatus 1 is formed as an apparatus for forming a pattern on the CF substrate 100 (exposure substrate, see FIG. 8) by photolithography.
[0016]
The CF substrate 100 is made of, for example, a glass substrate, and has a thickness of 1 mm and an area of 4 m.2Is formed. The CF substrate 100 is bonded to the TFT substrate 101 (see FIG. 7A) by the bonding device 2 after pattern formation by the pattern forming device 1. From one set of the CF substrate 100 and the TFT substrate 101, six liquid crystal display devices are manufactured. Therefore, as shown in FIG. 8, the pattern forming apparatus 1 exposes the six exposure regions 100a... 100a on the CF substrate 100.
[0017]
The pattern forming apparatus 1 in FIG. 1 includes a marking device 11 for forming alignment marks 53 (see FIG. 7B) on the CF substrate 100, and a plurality of devices for performing exposure on each layer on the CF substrate 100. Exposure apparatuses 12 to 15. The exposure apparatuses 12 to 15 are provided corresponding to, for example, a black matrix layer, an R layer, a G layer, and a B layer, respectively. In addition to this, the pattern forming apparatus 1 includes a coater for forming a thin film of a photosensitive resin or a resist in which a pigment is dispersed on the surface of the CF substrate 100 before exposure by each of the exposure apparatuses 12 to 15, and a CF substrate after exposure. Various devices such as a developing device for performing development processing on 100 are provided, but since they are not the gist of the present invention, description thereof will be omitted.
[0018]
FIG. 2A is a side view showing the configuration of the marking device 11. The marking device 11 includes a stage 21 for mounting the CF substrate 100, a driving device 22 for driving the stage 21 in the horizontal direction, a laser length measurement system 23 for measuring the position of the stage 21, and a CF An optical system 24 for marking the substrate 100, a camera 25 for imaging the stage 21, and a control device 26 are provided.
[0019]
On the upper surface of the stage 21, an electrostatic chuck 21a that holds the CF substrate 100 by electrostatic force is provided. The electrostatic chuck 21a is the same as the electrostatic chuck 42a (see FIG. 3B) of the bonding apparatus 2. Various known techniques can be used for the electrostatic chuck 21a. The electrostatic chuck 21a includes, for example, an insulator (not shown) and an electrode (not shown) embedded in the insulator. A surface type electrode may be embedded in an insulator, a bipolar electrode may be embedded, or a number of electrodes may be embedded.
[0020]
The drive device 22 includes, for example, an electric motor, and its operation is controlled by the control device 26. The laser length measurement system 23 is configured to include, for example, a laser interferometer (not shown) that irradiates the stage 21 with laser light and receives the reflected laser light to measure the distance to the stage. . The laser interferometer outputs a signal corresponding to the measured distance to the control device 26.
[0021]
The optical system 24 includes, for example, a laser 27 and an objective lens 28. As shown in FIG. 2B, the laser light L output from the laser 27 is condensed at the condensing point Q by the objective lens 28. At the condensing point Q, the optical properties of the CF substrate 100 are changed by the laser light L. For example, bubbles are generated inside the glass by the laser light L, and light is easily scattered at the condensing point Q. Therefore, the alignment mark 53 is formed on the CF substrate 100 by scanning the laser beam L with respect to the CF substrate 100. The scanning with the laser beam L may be performed by driving the stage 21 in the horizontal direction, or may be performed by driving a lens or a mirror included in the optical system 24. For example, a pulse laser may be used as the laser 27, and marking may be performed by connecting dots.
[0022]
The camera 25 is configured as a CCD camera, for example, and outputs a video signal based on the captured image to the control device 26. The camera 25 is provided so as to be able to take an image of a range irradiated with the laser light L by the optical system 24. The control device 26 is configured as a computer including, for example, a CPU, a ROM, a RAM, and an external storage device, and various devices such as an electrostatic chuck 21a, a drive device 22, a laser 27, and the like according to a program recorded in the external storage device. Control the operation of the device.
[0023]
FIG. 3A is a side view showing the configuration of the exposure apparatus 12. The exposure apparatuses 13 to 15 have the same configuration. The exposure apparatus 12 includes a stage 31 on which the CF substrate 100 is placed, a driving device 32 that drives the stage 31 in the horizontal direction and the vertical direction, a photomask 33 disposed above the stage 31, and an upper side of the photomask 33. Cameras 34 and 34 for capturing images on the stage 2 and a control device 35. In addition, the exposure apparatus 12 includes various devices such as an illuminating device for irradiating the photomask 33 with a light beam, but the description is omitted because it is not the gist of the present invention. However, the exposure apparatus 12 has a scale for measuring the position of the stage 31 in the horizontal direction, but is not provided with a laser length measurement system.
[0024]
A vacuum chuck 31 a is provided on the upper surface of the stage 31. The drive device 32 includes, for example, an electric motor and is controlled by the control device 35. As shown in FIG. 8, the photomask 33 has a size that covers one exposure region 100a. Further, the photomask 33 includes alignment marks 51 and 51 at positions outside the region corresponding to the exposure region 100a. The cameras 34 and 34 are provided at positions where the alignment marks 51 and 51 can be imaged, and output video signals based on the captured images to the control device 35. The control device 35 is configured as a computer, for example, similarly to the control device 26, and controls the operation of various devices such as the drive device 32 in accordance with a program or the like recorded in the external storage device. Note that one of the control device 26 and the control device 35 may be used as the other.
[0025]
FIG. 3B is a side view showing the configuration of the bonding apparatus 2. The laminating apparatus 2 is configured as an apparatus for laminating the CF substrate 100 and the TFT substrate 101 in a vacuum after the CF substrate 100 and the TFT substrate 101 are vertically opposed to each other and liquid crystal is dropped on the lower substrate. ing.
[0026]
The bonding apparatus 2 includes a chamber 41 capable of maintaining the inside thereof in a reduced pressure state, and surface plates 42 and 43 provided inside the chamber 41 and opposed to each other in the vertical direction. In addition, the laminating apparatus 2 includes a driving apparatus that drives the surface plates 42 and 43 up and down to approach or separate from each other, but the description is omitted because it is not the gist of the present invention. The surface plates 42 and 43 include electrostatic chucks 42a and 43a for holding the CF substrate 100 and the TFT substrate 101 by electrostatic force, respectively. The CF substrate 100 and the TFT substrate 101 are held by the electrostatic chucks 42a and 43a, respectively. It is pasted together.
[0027]
The operation of the pattern forming apparatus 1 having the above configuration will be described.
[0028]
The pattern forming apparatus 1 learns the positions of the exposure regions 101a to 101a of the TFT substrate 101 by the marking device 11 before processing the CF substrate 100. FIG. 4 is a flowchart showing a procedure of position measurement processing executed by the control device 26 of the marking device 11 during the learning. This process is executed, for example, when the user performs a predetermined input operation on the control device 26. This process is based on the premise that the TFT substrate 101 is placed on the stage 21 as shown in FIG.
[0029]
As shown in FIG. 7A, the TFT substrate 101 has regions 101a... 101a to be bonded to the exposure regions 100a... 100a of the CF substrate 100, respectively. Patterning has already been performed by a manufacturing apparatus different from the apparatus 1. The TFT substrate 101 has a plurality of sets of alignment marks 52 and 52 around the areas 101a. The alignment marks 52 and 52 indicate the positions of the regions 101a to 101a. For example, when the region 101a is exposed, the pattern of the alignment marks 52 is also exposed and formed.
[0030]
The TFT substrate 101 is placed on the stage 21 with the surface (film surface) to be bonded to the CF substrate 100 facing down. Note that the placement of the TFT substrate 101 on the stage 21 may be performed manually by the user, or by a transfer device (not shown) of the marking device 11 for placing the CF substrate 100 on the stage 21. Also good.
[0031]
In step S <b> 1 of FIG. 4, the control device 26 moves the stage 21 by controlling the operation of the driving device 22 so that any one of the alignment marks 52... 52 is positioned below the camera 25. This control is performed based on a control amount recorded in advance in the control device 26, for example.
[0032]
Next, the control device 26 specifies a deviation between the alignment mark 52 and the condensing point Q based on the video signal from the camera 25 (step S2), and controls the driving device 22 to collect the alignment mark 52 and the collection mark. The light spot Q is aligned (step S3). Then, the position of the stage 21 when aligned is measured and recorded by the laser length measurement system 23 (step S4). In step S5, it is determined whether or not the measurement has been completed for all the alignment marks 52... 52. If it is determined that the measurement has not been completed, steps S1 to S4 are repeatedly executed, and the remaining alignment marks 52. The stage position when the condensing point Q is matched is sequentially measured. If it is determined that the process has ended, the process ends. Note that the position of the condensing point Q may be specified in advance by marking the test substrate with the optical system 24 in advance, for example.
[0033]
After learning the exposure areas 101a... 101a of the TFT substrate 101, when the pattern forming apparatus 1 receives the CF substrate 100 on which the resist of each layer has not yet been formed, the marking apparatus 11 is carried out by a transport device (not shown). The CF substrate 100 is transported in the order of the exposure apparatuses 12, 13, 14, and 15, and various processes are executed on the CF substrate 100 by the apparatuses 11 to 15.
[0034]
FIG. 5 is a flowchart showing the procedure of the marking process executed by the control device 26 of the marking device 11. This process is started, for example, when the CF substrate 100 is placed on the stage 21. While this processing is being performed, the CF substrate 100 is held by suction by the electrostatic chuck 21a. Note that a resist or the like corresponding to each layer is not yet formed on the CF substrate 100 placed on the stage 21.
[0035]
In step S11, the control device 26 operates the drive device 22 so that the stage position measured by the laser length measurement system 23 matches one of the stage positions measured in step S4 of the position measurement process (see FIG. 4). To move the stage 21. Next, the laser 27 is driven to form an alignment mark 53 on the CF substrate 100. In step S13, it is determined whether or not the alignment marks 53... 53 are formed corresponding to all the alignment marks 52... 52 of the TFT substrate 101. If it is determined that they are not formed, steps S11 and S12 are performed. Run repeatedly. Thus, as shown in FIGS. 7A and 7B, the alignment marks 53... 53 of the CF substrate 100 are sequentially formed in the same arrangement as the alignment marks 52.
[0036]
FIG. 6 is a flowchart showing a procedure of exposure processing executed by the control device 35 of the exposure apparatus 12. This process is started when the CF substrate 100 is placed on the stage 31, for example, as shown in FIG. While this process is being performed, the CF substrate 100 is held by suction by the vacuum chuck 31a. A black matrix layer resist is formed on the CF substrate 100 placed on the stage 31.
[0037]
First, the control device 35 controls the operation of the drive device 32 so as to position any one of the exposure regions 100a... 100a below the photomask 33 (step S21). This control is performed based on a control amount recorded in advance in the control device 35, for example. Next, the camera 7 images the alignment mark 51 of the photomask 33 and the alignment mark 53 of the CF substrate 100 (step S22), and specifies the positional deviation between the alignment mark 51 and the alignment mark 53 (step S23). Then, as shown in FIG. 8, the photomask 33 and the exposure region 100a are aligned based on the positional deviation (step S24). Thereafter, in step S25, an illumination device (not shown) is driven to perform exposure. In step S15, it is determined whether or not the exposure has been completed for all the exposure areas 100a... 100a. If it is determined that the exposure has not been completed, steps S21 to S25 are repeatedly executed. As a result, as shown in FIG. 8, the exposure regions 100a... 100a are sequentially exposed.
[0038]
In the exposure apparatuses 13 to 15, the same processing is executed by the control device provided in each apparatus, and exposure is sequentially performed on the exposure areas 100 a to 100 a of the R layer, G layer, and B layer.
[0039]
The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various forms as long as it is substantially the same as the technical idea of the present invention.
[0040]
The holding method of the TFT substrate 101 at the time of measuring the alignment mark 52 of the TFT substrate 101 and the holding method of the CF substrate 100 at the time of forming the alignment mark 53 of the CF substrate 100 are further matched with the holding method by the bonding apparatus 2. May be. For example, when measuring the position of the alignment mark 52 on the TFT substrate 101, the TFT substrate 101 may be held from above by the same electrostatic chuck as the electrostatic chuck 43a.
[0041]
In the bonding apparatus 2, the CF substrate 100 is illustrated on the lower side, but the CF substrate 100 may be on the upper side. In this case, in the marking device 11, the alignment mark 53 may be formed in a state where the CF substrate 100 is held from above by an electrostatic chuck.
[0042]
In the marking device 11, the CF substrate 100 is held by an electrostatic chuck. However, the CF substrate 100 may be held by a vacuum chuck.
[0043]
Various methods may be used for position measurement of the exposure regions 101a... 101a of the TFT substrate 101. Measurement may be performed by a device different from the marking device 11 and data of the measurement result may be input to the marking device 11. For example, the position of the exposure region 101a may be directly measured based on the pattern of the exposure region 101a.
[0044]
The alignment mark 53 of the CF substrate 100 may be formed by various methods. For example, the CF substrate 100 may be irradiated with laser light through a photomask having an alignment mark pattern to change the optical properties of the CF substrate 100. Other materials may be deposited, such as by depositing a chromium film. Since the alignment mark 53 only needs to be formed before the pattern of the black matrix layer is exposed, the chromium mark or the resin BM film may be marked with a laser.
[0045]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the alignment of the exposure region and the photomask is performed based on the alignment mark in all the layers functioning as a part of the device. There is no need to provide a length measurement system. Therefore, relaxation of temperature conditions during operation and ensuring of compatibility of the exposure apparatus are realized. In addition, after exposing a part of the plurality of exposure areas, the exposure area can be transferred to another exposure apparatus to expose the remaining exposure areas. This makes it possible to form a plurality of types of patterns on a single substrate, prevent imposition loss of the substrate, and perform mixed flow production according to various circumstances.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a pattern forming apparatus to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a marking device included in the pattern forming apparatus of FIG.
3 is a view showing the configuration of an exposure apparatus and a bonding apparatus included in the pattern forming apparatus of FIG.
4 is a flowchart showing a procedure of position measurement processing executed by the control device of the marking device of FIG. 2;
5 is a flowchart showing a procedure of marking processing executed by the control device of the marking device in FIG. 2;
6 is a flowchart showing the procedure of exposure processing executed by the control device of the exposure apparatus in FIG. 3;
7 is a diagram illustrating a state of the marking device in FIG. 2 when the position measurement process in FIG. 4 and the marking process in FIG. 5 are performed.
8 is a view showing a state of the exposure apparatus of FIG. 3 when the exposure process of FIG. 6 is executed.
[Explanation of symbols]
1 Pattern forming device
11 Marking device
12, 13, 14, 15 Exposure apparatus
21a, 42a Electrostatic chuck
31 stages
33 Photomask
51, 53 Alignment mark
100 CF substrate
100a Exposure area
101 TFT substrate
101a Exposure area (opposite area)

Claims (3)

対向基板と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板としてのガラス基板が載置されたステージとフォトマスクとを相対移動させて、前記ガラス基板の複数の露光領域のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層としてブラックマトリックス層、R層、G層、及びB層のそれぞれのパターンを露光し、前記複数層のうち最初の層である前記ブラックマトリックス層の露光前に、複数のアライメントマークを、レーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記ガラス基板内部に形成する工程と、前記複数のアライメントマークと前記フォトマスクに設けられたアライメントマークとの相対位置に基づいて前記複数層のそれぞれの露光領域と、各層に対応するフォトマスクとを順次位置合せする工程と、を備え、前記対向基板が前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域を有する露光方法であって、
前記ガラス基板は、静電チャック又は真空チャックであるチャック装置に保持された状態で前記対向基板に貼り合わされるものであり、前記形成する工程では、前記貼り合せの際に用いられるチャック装置と同一機種のチャック装置により前記ガラス基板を保持した状態で、前記複数のアライメントマークを形成することを特徴とする露光方法。
A stage on which a glass substrate as an exposure substrate for laminating a counter substrate and a device is placed and a photomask are moved relative to each other, and a part of the device is placed in each of a plurality of exposure regions of the glass substrate. The black matrix layer, the R layer, the G layer, and the B layer are exposed as a plurality of layers functioning as a plurality of alignment marks before the exposure of the black matrix layer that is the first layer among the plurality of layers. Irradiating laser light to change the optical properties inside the glass substrate, thereby forming the glass substrate inside , and the relative alignment between the plurality of alignment marks and the alignment marks provided on the photomask. Based on the position, the exposure areas of the plurality of layers and the photomasks corresponding to the layers are sequentially aligned. Comprising the steps of, a, there is provided an exposure method having a plurality of opposing region in which the counter substrate is bonded to each other and each of the plurality of exposure regions,
The glass substrate is bonded to the counter substrate while being held by a chuck device that is an electrostatic chuck or a vacuum chuck. In the forming step, the glass substrate is the same as the chuck device used for the bonding. An exposure method comprising: forming the plurality of alignment marks in a state where the glass substrate is held by a model chuck device .
記形成する工程では、前記対向領域のパターンを形成する装置の誤差の影響を含んだ前記複数の対向領域の配置と、前記複数の露光領域の配置とを一致させるように、前記複数のアライメントマークを前記露光基板に形成することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。In the step of pre-Symbol form, the arrangement of the opposing region and the plurality of opposing region including the influence of the error of the apparatus for forming a pattern of, so as to match the arrangement of the plurality of exposure regions, the plurality of alignment 2. The exposure method according to claim 1, wherein a mark is formed on the exposure substrate. 対向基板と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板としてのガラス基板が載置されたステージとフォトマスクとを相対移動させて、前記ガラス基板の複数の露光領域のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層としてブラックマトリックス層、R層、G層、及びB層のそれぞれのパターンを露光する露光装置、前記露光装置とは別に設けられ、前記複数層のうち最初の層である前記ブラックマトリックス層の露光前に、複数のアライメントマークを、レーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記ガラス基板内部に形成するマーキング装置を備え、前記対向基板が前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域を有するパターン形成装置であって
前記ガラス基板は、静電チャック又は真空チャックであるチャック装置に保持された状態で前記対向基板に貼り合わされるものであり、前記マーキング装置は、前記貼り合せの際に用いられるチャック装置と同一機種のチャック装置により前記ガラス基板を保持した状態で、前記複数のアライメントマークを形成することを特徴とするパターン形成装置。
A stage on which a glass substrate as an exposure substrate for laminating a counter substrate and a device is placed and a photomask are moved relative to each other, and a part of the device is placed in each of a plurality of exposure regions of the glass substrate. a black matrix layer as a plurality of layers which functions as, R layer, G layer, and an exposure apparatus for exposing a respective pattern of B layer, provided separately from the said exposure device, said a first layer of said plurality of layers A marking device that forms a plurality of alignment marks inside the glass substrate by irradiating laser light to change the optical properties inside the glass substrate before exposure of the black matrix layer, and the counter substrate there a patterning device having a plurality of facing areas to be bonded to each other and each of the plurality of exposure regions,
The glass substrate is bonded to the counter substrate while being held by a chuck device which is an electrostatic chuck or a vacuum chuck, and the marking device is the same model as the chuck device used for the bonding The pattern forming apparatus , wherein the plurality of alignment marks are formed in a state where the glass substrate is held by the chuck apparatus.
JP2003073055A 2003-03-18 2003-03-18 Exposure method and pattern forming apparatus Expired - Fee Related JP4694101B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003073055A JP4694101B2 (en) 2003-03-18 2003-03-18 Exposure method and pattern forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003073055A JP4694101B2 (en) 2003-03-18 2003-03-18 Exposure method and pattern forming apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004279873A JP2004279873A (en) 2004-10-07
JP4694101B2 true JP4694101B2 (en) 2011-06-08

Family

ID=33289042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003073055A Expired - Fee Related JP4694101B2 (en) 2003-03-18 2003-03-18 Exposure method and pattern forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4694101B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5737495B2 (en) * 2010-12-28 2015-06-17 凸版印刷株式会社 Color filter manufacturing method and color filter
JP6584567B1 (en) 2018-03-30 2019-10-02 キヤノン株式会社 Lithographic apparatus, pattern forming method, and article manufacturing method
JP6828107B2 (en) * 2019-08-30 2021-02-10 キヤノン株式会社 Lithography equipment, pattern formation method and article manufacturing method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000002805A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Citizen Watch Co Ltd Color filter substrate and production of color filter substrate
JP2000347020A (en) * 1999-06-07 2000-12-15 Dainippon Printing Co Ltd Production of color filter and exposure device
JP2001028440A (en) * 1999-07-13 2001-01-30 Nec Corp Semiconductor thin film and forming method thereof
JP2001133619A (en) * 1999-11-01 2001-05-18 Toray Ind Inc Method of producing color filter, and photomask and exposure device for production of color filter
JP2002287106A (en) * 2001-03-26 2002-10-03 Sharp Corp Method of manufacturing liquid crystal display element and apparatus for manufacturing the same as well as liquid crystal display element
JP2002353108A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp Exposing method, aligner, photomask, device- manufacturing method and photomask manufacturing method
JP2002365810A (en) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd Divided sequential proximity exposure device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61223744A (en) * 1985-03-28 1986-10-04 Toshiba Corp Laser mark sealing mask for semiconductor device
JPH05315215A (en) * 1992-05-12 1993-11-26 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus
JP3224421B2 (en) * 1992-06-12 2001-10-29 シチズン時計株式会社 Alignment mark
JPH07273003A (en) * 1994-03-29 1995-10-20 Hitachi Ltd Pattern transfer device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000002805A (en) * 1998-06-16 2000-01-07 Citizen Watch Co Ltd Color filter substrate and production of color filter substrate
JP2000347020A (en) * 1999-06-07 2000-12-15 Dainippon Printing Co Ltd Production of color filter and exposure device
JP2001028440A (en) * 1999-07-13 2001-01-30 Nec Corp Semiconductor thin film and forming method thereof
JP2001133619A (en) * 1999-11-01 2001-05-18 Toray Ind Inc Method of producing color filter, and photomask and exposure device for production of color filter
JP2002287106A (en) * 2001-03-26 2002-10-03 Sharp Corp Method of manufacturing liquid crystal display element and apparatus for manufacturing the same as well as liquid crystal display element
JP2002353108A (en) * 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp Exposing method, aligner, photomask, device- manufacturing method and photomask manufacturing method
JP2002365810A (en) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd Divided sequential proximity exposure device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004279873A (en) 2004-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3224041B2 (en) Exposure method and apparatus
TWI610341B (en) Imprint apparatus, imprint system, and method of manufacturing article
TW201100239A (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
TW200846845A (en) Exposure drawing device
TWI690777B (en) Exposure system, exposure method and manufacturing method of display panel substrate
KR20190114787A (en) Lithography apparatus, pattern forming method, and article manufacturing method
JP4694102B2 (en) Exposure method
JP3466893B2 (en) Positioning apparatus and projection exposure apparatus using the same
TW201339767A (en) Exposure lithography device and exposure lithography method
JP4694101B2 (en) Exposure method and pattern forming apparatus
US7382449B2 (en) Alignment tool for precise pattern transfer
KR20130020408A (en) Maskless exposure apparatus and method for getting spot beam position using the same
JP3289319B2 (en) Lithography method, exposure apparatus using the method, and exposure method
JP5360571B2 (en) Position inspection method and apparatus, exposure method and apparatus, and in-line inspection system
JP2007250767A (en) Processing apparatus and method therefor, and manufacturing method of device
JP4402418B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2004246025A (en) Exposure method and aligner
JPH09312251A (en) Projection aligner
JP3198718B2 (en) Projection exposure apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same
JPH0478126A (en) Automatic focus detector
JP3722330B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH1027738A (en) Scanning exposure method and manufacture of device thereby
JP3593467B2 (en) Alignment method
US6602641B1 (en) Wafer&#39;s zero-layer and alignment mark print without mask when using scanner
JPH11251232A (en) Substrate, aligner, and manufacture of device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060303

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091013

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100915

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110201

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110223

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees