JP4690991B2 - 系統インピーダンスの演算方法 - Google Patents
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Description
配電系統にアクティブフィルタを設置する際には、高調波の抑制に効果的である設置点を決定するために、系統の各地点での高調波補償効果を推定するための作業を行う必要があり、その際に、対象次数の高調波に対して系統インピーダンスを演算することが必要になる。
Vact={Zact/(Zo+Zact)}×Vo …(1)
対象次数の高調波に対する系統インピーダンスZoをZo=Ro+jXo、Zact=Ractとすると、アクティブフィルタによる高調波補償効果は、下記の(2)式により演算される高調波電圧比(アクティブフィルタ設置前後の設置点の高調波電圧比)により推定できる。
|Vact/Vo|=Ract/{(Ro+Ract)2+Xo2}1/2 …(2)
|V1|∠ψ=|Vo|+(Ro+jXo)×|J|∠φ …(3)
ここで、位相差φは、下記の(4)式により与えられる。
φ=−α+β+γ …(4)
(3)式を実部及び虚部に分解するとそれぞれ下記の(5)式及び(6)式になる。
|V1|×cosψ=|Vo|+(Ro×cosφ−Xo×sinφ)×|J| …(5)
|V1|×sinψ= (Ro×sinφ+Xo×cosφ)×|J| …(6)
ここでψを消去するために、(5)式及び(6)式のそれぞれの両辺を二乗して、両者の和を|J|≠0として整理すると、下記の(7)式が得られる。
(Ro+|Vo/J|×cosφ)2+(Xo−|Vo/J|×sinφ)2=|V1/J|2
…(7)
(7)式から、Ro及びXoは、下記の(7)′式により、R−X直交座標系の平面上に描かれる円の軌跡上に存在することが分かる。
(R+|Vo/J|×cosφ)2+(X−|Vo/J|×sinφ)2=|V1/J|2
…(7)′
(7)′式で表される円は、中心の座標(R,X)が (−|Vo/J|×cosφ,|Vo/J|×sinφ)で、半径が|V1/J|の円である。
円グループ1: 円ペア1(円1,円2)+円ペア2(円1,円3)
円グループ2: 円ペア1(円1,円2)+円ペア3(円2,円3)
円グループ3: 円ペア2(円1,円3)+円ペア3(円2,円3)
ここで交点間距離演算手段19Aは、異なる2つの円の組合せを円ペアとして、h個の円によりH[=h(h−1)/2]個の円ペアを構成し、更に異なる2つの円ペアの組合せを円グループとして、H個の円ペアによりL[=H(H−1)/2]個の円グループを構成して、各円グループに属する2つの円ペアのそれぞれに存在する交点を各円グループの判定対象交点とし、各円グループの判定対象交点の総数が3または4であるときに、各円グループの判定対象交点相互間の距離(同じ円ペアを構成する円の交点相互間の距離を除く)を演算するように構成される。
系統インピーダンスを演算する際には、先ず図7の処理のステップS1を行い、演算に必要なパラメータ、すなわち、高調波電流Jを注入する前の配電線電圧に含まれる対象次数の高調波電圧Vo,対象次数の高調波電流Jを系統に注入した後に、配電線電圧に含まれる対象次数の高調波電圧V1、注入した高調波電流J、位相差α,β及びγを検出し、α,β及びγから高調波電流Jと、高調波電流注入前に配電線電圧に含まれていた高調波電圧Voとの位相差φを演算する。高調波電流注入後の高調波電圧V1及び注入した高調波電流Jの検出は、高調波電流Jの基本波電圧Vfに対する位相を変えてh回(図5に示した例では3回)行う。
11 高調波電流源
12 高調波電流注入前高調波電圧検出手段
14 高調波電流注入後高調波電圧・電流検出手段
17 位相差検出手段
18 交点座標演算手段
19 有効データ点抽出手段
19A 交点間距離演算手段
19B 抽出候補判定回数カウント手段
19C 有効データ点特定手段
20 平均値演算手段
Claims (2)
- 配電系統の特定地点から系統を見た対象次数の高調波に対するインピーダンスを系統インピーダンスZo(=Ro+jXo)として、該系統インピーダンスZoの抵抗分Ro及びリアクタンス分Xoを演算する系統インピーダンスの演算方法であって、
前記特定地点から前記系統に注入する前記対象次数の高調波電流Jを出力する高調波電流源を用意しておき、
前記高調波電流源から前記系統に前記高調波電流Jを注入する前の状態で前記特定地点の配電線電圧に含まれる前記対象次数の高調波電圧Voを検出し、
前記高調波電流源が出力する対象次数の高調波電流Jの前記配電線電圧の基本波電圧Vfに対する位相を可変として、前記高調波電流Jを前記特定地点から前記系統に注入したときに前記配電線電圧に含まれる前記対象次数の高調波電圧V1と、前記対象次数の高調波電流Jとを、前記高調波電流Jの前記基本波電圧Vfに対する位相のh(hは3以上の整数)個の異なる値に対して検出し、
前記高調波電流Jの前記基本波電圧Vfに対する位相をh個の異なる値としたときの前記高調波電圧Voと高調波電流Jとの位相差φのh個の値をそれぞれ求め、
前記高調波電圧Voと、前記h個の位相差φの値にそれぞれ対応する高調波電圧V1の大きさと、前記高調波電流Jの大きさと、前記位相差φの値とに対して、式(R+|Vo/J|×cosφ)2+(X−|Vo/J|×sinφ)2=|V1/J|2 により、R−X直交座標系の平面上に描かれるh個の円のすべての交点の座標を求め、
前記h個の円のすべての交点の中から、相互間の距離がより近い関係にあるd個[dはh以上、h(h−1)/2以下の整数]の交点を有効データ点として抽出する有効データ抽出過程を行った後、
前記d個の有効データ点のそれぞれの座標のR軸成分及びX軸成分の平均値を演算することにより、前記系統インピーダンスの抵抗分Ro及びリアクタンス分Xoを求めることを特徴とする系統インピーダンスの演算方法。 - 前記有効データ抽出過程では、
異なる2つの円の組合せを円ペアとして、前記h個の円によりH[=h(h−1)/2]個の円ペアを構成し、
異なる2つの円ペアの組合せを円グループとして、前記H個の円ペアによりL[=H(H−1)/2]個の円グループを構成し、
各円グループに属する2つの円ペアのそれぞれに存在する交点を各円グループの判定対象交点として、各円グループの判定対象交点の総数が3または4であるときに、各円グループの判定対象交点相互間の距離(同じ円ペアを構成する円の交点相互間の距離を除く)を演算し、
各円グループの判定対象交点のうち、演算された相互間の距離が最小であるか、または零である1個または2個の判定対象交点を抽出候補点であると判定して、各円グループの判定対象交点のそれぞれが前記抽出候補点であると判定された回数をカウントし、
各円ペアを構成する2つの円の交点が2つある場合には、前記抽出候補点であると判定された回数が多い方の交点を前記有効データ点であると特定して抽出し、各円ペアを構成する2つの円の交点が1つである場合にはその交点を前記有効データ点であると特定して抽出すること、
を特徴とする請求項1に記載の系統インピーダンスの演算方法。
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