TW201500978A

TW201500978A - 電磁筆的傾斜角偵測方法

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Publication number: TW201500978A
Application number: TW102121583A
Authority: TW
Inventors: Tung-Chuan Huang
Original assignee: Waltop Int Corp
Priority date: 2013-06-18
Filing date: 2013-06-18
Publication date: 2015-01-01
Also published as: CN104238779B; JP5807295B2; JP2015005270A; CN104238779A; US8912927B1; US20140368362A1; TWI501118B

Abstract

一種電磁筆的傾斜角偵測方法，該電磁筆位在一數位板的上方，該數位板具有複數個天線廻路，所述方法包含：找出具有最大感應訊號值的一峰值天線廻路；掃描鄰近該峰值天線廻路的多個天線廻路，以得出一訊號分佈；從該峰值天線廻路和該等鄰近的天線廻路感應到的訊號值中，模擬出至少兩條訊號曲線；計算出兩兩訊號曲線之間的變化率；以及針對所計算出的變化率，於一對照表中進行查找，以得出該電磁筆的傾斜角。本發明僅需掃描5~7條的天線廻路，即可偵測得到傾斜角，有效提升電磁筆之傾斜角的偵測效率。

Description

電磁筆的傾斜角偵測方法

本發明係與電磁筆的座標偵測方式有關，特別有關一種電磁筆的傾斜角偵測方法。

電磁筆的座標是藉由電磁筆與數位板上的天線廻路之間的電磁波傳遞而取得。依電磁筆傾斜角度的不同，各天線廻路所感應到的訊號值也會改變，傳統上會對電磁筆的傾斜角進行偵測，利用傾斜角來補償電磁筆的座標計算。

美國公告專利第5,751,229字號揭示一種電磁筆的傾斜角偵測方法，其利用電磁筆所在位置強度最高的電壓訊號值(即，電壓訊號值與X或Y座標關係圖中的主峰值)與強度次高的電壓訊號值(即，電壓訊號值與X或Y座標關係圖中的次峰值)，進行函數運算後計算出電磁筆的傾斜角。此種方式在電磁筆與X軸垂直、與Y軸有一傾斜角時，因為X軸的主峰值訊號與次峰值訊號會改變而相應的比例關係也會有所改變，而影響傾斜角的準確性。

台灣公開專利第201128461字號揭示一種電磁筆的傾斜角偵測方法，其利用偵測電磁筆所在位置左右兩側的訊號峰值，計算兩側之訊號峰值的比例關係，來估算電磁筆的傾斜角度。

上述兩種習知技術都需要掃描相當多條(如，13條)的天線廻路才能得出兩側訊號峰值，因此造成傾斜角偵測的效率降低，而且數位板邊緣的無效區較大，而整個數位板的有效區範圍無法提升。

本發明之一目的在於提供一種電磁筆的傾斜角偵測方法，以減少掃描的天線廻路數目，提升傾斜角偵測的效率。

為達成上述目的，本發明提供一種電磁筆的傾斜角偵測方法，該電磁筆位在一數位板的上方，該數位板具有複數個天線廻路，所述方法包含：A、找出具有最大感應訊號值的一峰值天線廻路；B、掃描鄰近該峰值天線廻路的多個天線廻路，從該峰值天線廻路與其鄰近的天線廻路中，共取七個天線廻路的感應訊號值；C、從這七個天線廻路的訊號值中，每四個相鄰的點以一元三次方程式模擬一條訊號曲線，得到的四條訊號曲線中最高次方的參數依序分別為A_-2、A_-1、A₀和A₁；D、計算訊號曲線之間的變化率，定義如下數值：Index1=A₀-A_-1 DeltaL=A₀-A_-2 DeltaR=A₁-A_-1 Index2=DeltaL-DeltaR；E、根據DeltaL與DeltaR的大小，判定電磁筆與數位板的感應距離；以及F、使用Index1和Index2查詢一傾斜角對照表，以得出相應的電磁筆傾斜角。

本發明中，利用天線廻路的感應訊號值模擬出至少兩條訊號曲線，根據兩兩訊號曲線之間的曲線變化率來估算出電磁筆的傾斜角，此方式僅需掃描5~7條的天線廻路，即可偵測得到傾斜角。當掃描迴路少時，可配合濾波演算與參考歷史軌跡得到精確傾斜角度。並且，相較於習知技術需掃描相當多條(如13條)的天線廻路來偵測傾斜角，本發明可降低掃描的天線廻路數目，有效提升傾斜角偵測的效率，並且從而可縮小位在數位板邊緣的無效區，有效地擴大有效區的範圍。

10‧‧‧電磁感應輸入系統

12‧‧‧數位板

14‧‧‧電磁筆

16‧‧‧天線區

X1~X9‧‧‧天線廻路

S10~S20‧‧‧步驟

第1圖顯示根據本發明實施例實現的電磁感應輸入系統。

第2圖顯示第1圖中天線區於X軸上的部份天線廻路佈局的示意圖。

第3圖顯示天線廻路所感應到之訊號值的可能分佈圖。

第4圖顯示電磁筆在一個天線廻路中的位置百分筆的示意圖。

第5圖顯示模擬的訊號曲線的示意圖。

第6A圖顯示以第8個天線廻路為中心模擬出的訊號曲線的示意圖。

第6B圖顯示以第9個天線廻路為中心模擬出的訊號曲線的示意圖。

第7圖顯示根據本發明實現的電磁筆的傾斜角偵測方法的流程圖。

第1圖顯示根據本發明實施例實現的電磁感應輸入系統。該電磁感應輸入系統10包含一數位板12及一電磁筆14。數位板12包含天線區16和控制電路板(未圖示)，天線區16是由沿X方向和Y方向排列的複數個導體或感應線圈所構成(見第2圖)，控制電路板包含微控制器(micro-controller unit,MCU)以及訊號處理電路，如天線廻路開關(switch)、訊號濾波(filter)、訊號放大(amplifier)、和類比數位轉換(A/D converter)等電路。電磁筆14內設置有一共振電路，電磁筆14的座標是藉由電磁筆14的共振電路與數位板12上天線廻路之間的電磁波傳遞而取得。

第2圖顯示第1圖中天線區16於X軸上的部份天線廻路佈局的示意圖。如第2圖所示，天線廻路X1至天線廻路X9各自具有一起始端並且其各自的終止端同樣都連接到接地端，各天線廻路從起始端到終止端所包圍的面積幾乎是一樣的。此外，舉例來說，天線廻路X1所涵蓋的區域內包括了另兩條天線廻路X2、X3，也就是說，一條天線廻路所涵蓋的區域內包含了下兩條天線廻路的起始端。亦即，相鄰之天線廻路的感應範圍是互相重疊的。天線區16於Y軸上的天線佈局與X軸上的天線佈局是類似的，但是Y軸天線與X軸天線成正交。

若電磁筆14在數位板12表面上的位置為P，則電磁筆14於P點所發射的磁場即可被鄰近的天線廻路(如，X1~X5)所感應，因此各個鄰近的天線廻路可產生感應電流，依此感應訊號的偵測值可進一步計算出P點的位置座標。

在取得天線廻路所感應到的訊號值的過程中，可在全域掃描(global scan)進行時，初步判斷哪一個天線廻路(如X3)相對較靠近電磁筆14，接著進行區域掃描(local scan)，即僅掃描天線廻路X3鄰近的幾條天線廻路(如X1~X5)，取得這幾條天線廻路的感應訊號電壓值來進行計算。

第3圖顯示天線廻路所感應到之訊號值的可能分佈圖。一般來說，天線廻路所感應到的訊號分佈會受到(1)電磁筆14的傾斜角度；(2)電磁筆14與數位板12的感應高度及(3)電磁筆14位在一個天線廻路中的位置的影響。

當電磁筆14垂直於數位板12之天線區16的表面，且位於某個天線廻路正中央時，訊號分佈基本上呈左右對稱，左側訊號峰值大致等於右側訊號峰值，如第3圖所示。但是，當電磁筆14向右側傾斜時，右側訊號峰值增加而使得右側訊號峰值大於左側訊號峰值；當電磁筆14向左側傾斜時，左側訊號峰值增加而使得左側訊號峰值大於右側訊號峰值。以電磁筆14右傾為例，當傾斜角度增加(如傾斜角從20°增加到40°)時，右側訊號峰值隨之增加，而且訊號分佈也會跟著改變，此時中央的訊號峰值可能也會移動到下一個天線廻路。

電磁筆14位在一個天線廻路中的相對位置也會影響訊號分佈。請參閱第4圖，電磁筆14位在一個天線廻路正中央時的位置定義為50%，電磁筆14在此天線廻路中最左側的位置定義為0%，電磁筆14在此天線廻路中最右側的位置定義為100%。當電磁筆14為垂直且位在50%的位置時，訊號分佈基本上是左右對稱的；當電磁筆14位在0%的位置，訊號分佈可能會稍微向左偏移；當電磁筆14位在100%的位置，訊號分佈可能會稍微往右偏移。

電磁筆14的座標可以利用許多種方式估算得出，例如按照下列公式來進行估算。

其中AD_Max為最大的訊號峰值，AD_Lefe為出現訊號峰值左側的一個天線廻路感應到的訊號值，AD_Right為出現訊號峰值右側的一個天線廻路感應到的訊號值。舉例來說，假設在第3圖中訊號峰值出現在天線廻路X9，則一併使用天線廻路X8和X10的訊號值來進行座標估算，即：(AD9-AD8)/[(AD9-AD8)+(AD9-AD10)]

電磁筆14傾斜時會明顯影響到AD_Right和AD_Left值的大小，傾斜角度與AD_Right和AD_Left值有一定的關係。一般來說，計算電磁筆14的傾斜角是為了補償AD_Right和AD_Left值，進而補償所估算出的座標值，以使最後決定的電磁筆14座標更為精確，此部份採用習知的補償方式即可達成，不在此贅述。此外，在分別求出電磁筆14在X軸方向上的傾斜角和Y軸方向上的傾斜角後，使用習知的方式即可進行座標補償。

以下將介紹本發明之電磁筆傾斜角偵測方法的原理及概念。

第3圖中所示的所有曲線都可以用一個一元十一次方程式來描述，即ax¹¹+bx¹⁰+....=y。實際去量測在各種位置百分比和各種傾斜角下各天線廻路的訊號值，為每一種曲線求出其參數組(即a,b,...)，製作出一個位置百分比、傾斜角和參數組的對照表。在決定電磁筆確切座標的過程中，由量測到的訊號值推算出訊號分佈曲線的參數組，再以此參數組與該對照表中記錄的參數組比對，即可得出電磁筆的位置百分比和傾斜角。但是，此種方式所需的計算量相當龐大，現有的微處理器計算能力有限，並不可行。

當電磁筆的傾斜角為0°時，訊號分佈曲線呈左右對稱；而傾斜角越大，曲線的不對稱性越高，曲線的變化率也會越大。因此，可以用曲線的變化率來推估電磁筆的傾斜角。

假設以一個一元三次方程式來描述訊號分佈曲線，即ax³+bx²+cx+d=y，則需要四個點來求得其參數組(即，a,b,c,d)，也就是說，需要四個天線廻路的感應訊號值(AD)。請參閱第5圖，在訊號分佈圖中取某一個天線廻路(較佳為AD值最大的廻路或其附近的廻路)為中心，其訊號值表示為AD₀。舉例來說，依此中心點向左取一點(其值為AD_-1)，向右取兩點(其值分別為AD₁、AD₂)，使用此四個點來描述曲線。將此四個點的座標值分別代入上述的一元三次方程式，得到如下：-a+b-c+d=AD_-1，d=AD₀，a+b+c+d=AD₁，8a+4b+2c+d=AD₂。因此，可求得其參數解，如下：

現假定電磁筆的傾斜角為0°，且正好位在第9個天線廻路的中心上，第9個廻路和其左右各兩個廻路量測到的AD值如下：以第8個廻路為中心點，模擬出的訊號曲線如第6A圖所示，經由上述公式(2)可得出第6A圖之曲線的參數組；以第9個廻路為中心點，模擬出的訊號曲線如第6B圖所示，經由上述公式(2)可得出第6B圖之曲線的參數組。為了方便觀察比較，將所有參數值都除以d再乘以1000，得出如下表：由上可知，最高次方的參數值(即，參數A)對訊號曲線的變化影響最大，因此在比較兩個曲線時，以參數A為比較對象即可。在電磁筆的傾斜角為0°時，訊號分佈為左右對稱，如表2所示，以第8點得出的曲線的參數A和以第9點得出的曲線的參數A相同，表示兩個曲線間的變化率為零。

由於電磁感應的類比訊號十分微弱，訊號會先經由放大器處理，再做濾波與整流，然後才做類比數位轉換。放大器的增益值會因訊號強弱作動態改變，導致AD值也會不同。上述將模擬出的曲線的參數值都除以d(即，AD₀)，即做了類似於將曲線歸一化的動作。

現假定電磁筆的傾斜角為0°，但不是落在第10個天線廻路的中心，觀察其在5%~95%的位置時，對於曲線變化率的影響。比較以第8點得出的曲線和第9點得出的曲線兩者參數A的差異，如下表：由上可知，當電磁筆在一個天線廻路中的不同位置進行平移時，參數A的差值改變不大，也就是說，模擬出的兩訊號曲線間的變化不大。

現將每四個相鄰的點以一元三次方程式模擬一條訊號曲線，取得四條訊號曲線，所得到的四條訊號曲線中最高次方的參數值由左至右分別為A_-2、A_-1、A₀和A₁。並且，定義Index1、DeltaL、DeltaR和Index2等數值，如下。

Index1=A₀-A_-1 DeltaL=A₀-A_-2 DeltaR=A₁-A_-1 Index2=DeltaL-DeltaR (3)觀察這些數值在電磁筆傾斜角改變下、位置百分比改變下和電磁筆感應高度改變下的數值變化。

現假定電磁筆位在第10個天線廻路中，電磁筆與數位板的感應距離為6mm，位置百分比在60%處，觀察其在不同傾斜角0°~50°時，對於曲線變化率的影響。以電磁筆右傾為例，觀察Index1與Index2的變化情形，如下表：電磁筆左傾時的計算結果如下：由上可知，當電磁筆在一個天線廻路中心以不同角度傾斜時，傾斜角越大，Index1原則上也越大(左傾10°到20°時例外)。但是當最大的AD值在第10個天線廻路時，Index2向右傾斜角度越大則值越小，向左傾斜角度越大則值越大。而實際上，當傾斜角在右傾40°與50°時，最大的AD值不是落在第10個天線廻路中，而應該是在第11個天線廻路。當Index1大於一預定值(如，9)時，應將電磁筆的位置作一個間距(pitch)或一個廻路單位的修正。例如，當電磁筆向右傾斜40°與50°時，AD最大值是在第11個天線廻路，但實際上電磁筆是落在第10個天線廻路，所以應將電磁筆位置調整回第10個天線廻路。

從上述統計結果可以發現，電磁筆的傾斜角不大以及電磁筆在不同位置百分比時，Index1的值不大且範圍相近，因此Index1不大時，必須進一步判定這是傾斜角很小還是位在不同位置百分比哪一種情況所造成的。

現假定電磁筆與數位板的感應距離為6mm，電磁筆垂直位在第10個天線廻路30%的位置上，以及位在第10 個天線廻路40%的位置但傾斜角為左傾10°兩種情況，將第7~13個廻路在這兩種情況下感測到的AD值列出如下：接著，比較Index1和Index2，並利用上述公式(1)估算電磁筆偏移的比例，得出如下表：由上可知，上述兩種情況下，偏移比例相近，且Index1也相近。但是，Index2卻有明顯的差異。因此，在Index1小於一預定值(如，10)時，可以利用Index2，來判定電磁筆是傾斜還是位置偏移的情況。

進一步地，觀察電磁筆在不同位置百分比時，Index1與Index2的變化(此時筆為垂直)，如下：並且，以右傾為例，觀察電磁筆在不同傾斜角時，Index1、Index2和偏移比例的變化(以電磁筆位在第10個天線廻路30%的位置上為例)，如下：由上可知，電磁筆在不同位置百分比時，Index1變化不大，Index2則會隨位置百分比增加而遞減。而當傾斜角度變化時，Index1變化一樣不大，但Index2則會隨角度增加而遞減，其遞減變化率會更大。以電磁筆垂直位在70%的位置與右傾40°位在30%的位置做比較，其顯示的偏移比例相近(70% vs.73.6%)，但Index2分別為0.768與-13.876。因此，可藉由判斷Index2的大小，來判定電磁筆是傾斜還是位置偏移的情況。若判定是位置偏移的情況時，此時因為傾斜角度不大，電磁筆傾斜時對訊號分佈的影響較小，因此可用公式(1)來計算電磁筆坐落的位置百分比。

由上述實驗結果可以得出如下結論：當Index1小於一預定值，此時電磁筆的位置與AD最大值坐落在同一個天線廻路中，可以使用使用Index2判定電磁筆是傾斜還是位置偏移，進而透過計算Index2而得出電磁筆的傾斜角。而當Index1大於一預定值，此時電磁筆的位置與AD最大值位在不同的天線廻路中，此時可以使用Index1來估計電磁筆的傾斜角。

最後，由於電磁筆與數位板的感應距離也會影響曲線變化率，這也導致電磁筆即使在相同的位置與相同的角度的條件下，位置的補償會產生差異，現由實驗數據來說明。假定電磁筆垂直位在第10個天線廻路50%的位置上，電磁筆與數位板的感應距離分別為2mm與6mm兩種狀況，將第7~13個廻路在這兩種情況下感測到的AD值列出如下：接著，比較各參數Index1,DeltaL,DeltaR,Index2(定義如前)，並利用上述公式(1)估算電磁筆偏移的比例，得出如下表：由上可知，上述兩種情況下，偏移比例相近，且Index1與Index2也相近。但是，DeltaL與DeltaR卻有明顯的差異。在感應高度固定時，各種傾斜角的DeltaL與DeltaR也會有其固定的範圍。因此可以利用DeltaL與DeltaR，來判定電磁筆與數位板的感應距離。

而位置補償的差異在大角度傾斜時會十分明顯，以下列出電磁筆在左傾50°時，感應高度分別為2mm與6mm兩種狀況下，在不同顯示偏移比例(非實際偏移比例)時的位置補償量，表12感應高度為2mm，表13感應高度為6mm。

理論上，前述定義的各個參數都有其功用，Index1可以判別最大的AD值是否與電磁筆位在同一個天線迴路中(有時需搭配Index2輔助判別)；Index2可以判別傾斜角度的大小；DeltaL與DeltaR則可以判別電磁筆與數位板的感應距離。以下將配合第7圖所示的傾斜角偵測方法的流程，於區域掃描時掃描七個天線廻路為例來進行說明。

於步驟S10中，進行全域掃描，以初步判斷哪一個天線廻路相對較靠近電磁筆，較靠近電磁筆的天線廻路通常具有最大的感應訊號值，此天線廻路在此稱為峰值天線廻路。

於步驟S12中，進行區域掃描，即掃描鄰近該峰值天線廻路的多個天線廻路，取得該峰值天線廻路和該等鄰近的天線廻路的感應訊號值，以得出一訊號分佈。在此例中，從該峰值天線廻路和該等與其鄰近的天線廻路中的總數目為共取七個天線廻路，也就是說，共取取得的訊號值有七個天線廻路的感應訊號值。

於步驟S14中，利用該峰值天線廻路和該等鄰近的天線廻路感應到的訊號值，來模擬訊號曲線。以一元三次方程式來說，按照前述的方式來取點，七個訊號值可模擬出四條訊號曲線。在此例中，從這七個天線廻路的訊號值中，每四個相鄰的點以一元三次方程式模擬一條訊號曲線，所得到的四條訊號曲線中最高次方的參數值由左至右分別為A_-2、A_-1、A₀和A₁。這四個參數值可再進行上述提到的歸一化動作，以適用於當放大器的增益值改變導致AD值發生變化的狀況。

於步驟S16中，計算出訊號曲線之間的變化率。在此例中，即定義Index1、DeltaL、DeltaR和Index2等數值，如上述公式(3)。

於步驟S18中，根據DeltaL與DeltaR判別電磁筆與數位板的感應距離。由於感應高度的不同，會導致在各種不同角度下，Index1與Index2的改變。因此，根據特定的感應高度，採用相應的傾斜角對照表。該傾斜角對照表是一個在特定感應高度下傾斜角和位置百分比對應於Index1和Index2的對照表，也就是說，此對照表是由工作人員在各種位置百分比下、傾斜不同角度與各種不同感應高度實際去量測而得。

於步驟S20中，使用Index1和Index2查詢該傾斜角對照表，以得出相應的傾斜角。首先，判斷電磁筆的座標是否落在該峰值天線廻路的範圍內。通常，當Index1小於一預定值時，表示傾斜角不大，可判定電磁筆的座標是落在該峰值天線廻路的範圍內。但有時由於Index1隨角度變化較不明顯，仍須配合Index2來判斷電磁筆的座標是否落在該峰值天線廻路的範圍內。因此，使用Index1配合Index2來判斷電磁筆座標與AD最大值是否在同一個天線廻路中。當判定兩者是在同一個天線廻路中時，此時Index2有較為明顯的差異，故此時使用Index2查找該傾斜角對照表，以得出電磁筆的傾斜角，並且可使用線性內插的方式，計算得出電磁筆的位置百分比。而當判定兩者不在同一個天線廻路中時，表示傾斜角很大，在此情況下Index2的值會受影響，而Index1有較為明顯的差異，此時使用Index1查找該傾斜角對照表，以得出電磁筆的傾斜角。

於一實施例中，當Index1小於一預定值(如，9)，可判定電磁筆的座標是落在該峰值天線廻路的範圍內。而當Index1大於該預定值時，若Index2的值小於-12，則判定電磁筆的座標是落在該峰值天線廻路的範圍之外，否則仍判定是在該峰值天線廻路的範圍內。

以下舉兩個例子來作說明。在例子一中，假設AD值的最大值出現在第10個天線廻路的範圍內，且傾斜了某一個未知角度，取得第7~13個(共七個)天線廻路的感應訊號值如下：接著，根據表14的AD值計算出偏移比例、Index1、Index2、DeltaL和DeltaR，其分別為51.26%、7.85、-7.81、11.98和11.79。首先由DeltaL和DeltaR判斷其感應高度應為6mm，由於Index1小於預定值(如，8)，因此可判定傾斜角不大(由於Index1的值不大，最好以Index2為輔助，在本例中，以-15<Index2<21來判定)，電磁筆與AD值的最大值出現在同一個天線迴路中，可先用偏移比例51.26%來查找對照表，如下示出對照表的一部份。

接著，從表14中找出與Index2(即，-7.81)最接近者，得出右傾30°、位置百分比10%。最後，再用線性內插方式，得出電磁筆的傾斜角為右傾30.3°、座標位在位置百分比9%。

在例子二中，假設AD值的最大值出現在第11個天線廻路的範圍內，且傾斜了某一個未知角度，取得第8~14個(共七個)天線廻路的感應訊號值如下：接著，根據表16的AD值計算出偏移比例、Index1、Index2、DeltaL和DeltaR，其分別為40.14%、8.78、-15.29、18.35和33.64。首先由DeltaL和DeltaR判斷其感應高度應為2mm，我們找出感應高度2mm，顯示偏移比例為40%的對照表來找出其實際的偏移比例，由於Index1無法判定AD最大值與電磁筆是否放置在相同的迴路，因此我們用Index2來判別，由於Index2小於-12，判定AD最大值所在的廻路與電磁筆放置的廻路不同，電磁筆應該放置在第10個天線廻路。這時傾斜角很大，以下表找出電磁筆的實際位置。

由於AD最大值所在的廻路與電磁筆放置的廻路不同，因此使用Index1(即，8.78)從表17找出最接近者，可得出電磁筆的傾斜角為右傾41.81°、座標位在第10天線迴路位置百分比90.38%。

本發明中，利用天線廻路的感應訊號值模擬出至少兩條訊號曲線，根據兩兩訊號曲線之間的曲線變化率來估算出電磁筆的傾斜角，此方式僅需掃描5~7條的天線廻路，即可偵測得到傾斜角。當掃描迴路少時，可配合濾波演算與參考歷史軌跡得到精確傾斜角度。並且，相較於習知技術需掃描相當多條條的天線廻路(如13條)來偵測傾斜角，本發明可降低掃描的天線廻路數目，有效提升傾斜角偵測的效率，並且從而可縮小位在數位板邊緣的無效區，有效地擴大有效區的範圍。

雖然本發明已就較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之變更和潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

S10~S20‧‧‧步驟

Claims

一種電磁筆的傾斜角偵測方法，該電磁筆位在一數位板的上方，該數位板具有複數個天線廻路，所述方法包含：A、找出具有最大感應訊號值的一峰值天線廻路；B、掃描鄰近該峰值天線廻路的多個天線廻路，從該峰值天線廻路與其鄰近的天線廻路中，共取七個天線廻路的感應訊號值；C、從這七個天線廻路的訊號值中，每四個相鄰的點以一元三次方程式模擬一條訊號曲線，得到的四條訊號曲線中最高次方的參數依序分別為A_-2、A_-1、A₀和A₁；D、計算訊號曲線之間的變化率，定義如下數值：Index1=A₀-A_-1 DeltaL=A₀-A_-2 DeltaR=A₁-A_-1 Index2=DeltaL-DeltaR；E、根據DeltaL與DeltaR的大小，判定電磁筆與數位板的感應距離；以及F、使用Index1和Index2查詢一傾斜角對照表，以得出相應的電磁筆傾斜角。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟A中，具有該最大感應訊號值的峰值天線廻路是在進行一全域掃描時決定的。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟B中，該等天線廻路的感應訊號值是在進行一區域掃描時獲得的。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟C中將該等最高次方的參數值A_-2、A_-1、A₀和A₁進行歸一化後，再於步驟D中計算其差值。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟E中，不同的感應距離對應不同的傾斜角對照表。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟F中，該傾斜角對照表是一個傾斜角和位置百分比對應於Index1和Index2的對照表。
根據申請專利範圍第1項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中於步驟F中，更包含步驟：F1、判斷電磁筆座標是否落在該峰值天線廻路的範圍內；F2、當該電磁筆座標被判定為位在該峰值天線廻路的範圍內時，使用Index2來查詢該傾斜角對照表，以得出相應的電磁筆傾斜角；以及F3、當該電磁筆座標被判定為位在該峰值天線廻路的範圍之外時，使用Index1來查詢該傾斜角對照表，以得出相應的電磁筆傾斜角。
根據申請專利範圍第7項所述之電磁筆的傾斜角偵測方法，其中根據Index1和Index2的大小，來判斷該電磁筆的座標是否落在該峰值天線廻路的範圍內。