JP4689530B2 - 三相インバータ回路 - Google Patents

Description

この発明は、ハイブリッド駆動タイプの自動車などに使用される三相インバータ回路に関するものである。

エンジンと電気モータを併用するハイブリッド駆動タイプの自動車では、車載バッテリからの直流電圧を、三相インバータ回路を用いて、三相交流電圧に変換し、電気モータを構成する三相モータを駆動している。この三相インバータ回路では、一対の直流端子の間に３つの変換回路が互いに並列に接続され、これらの各変換回路には、正極側と負極側の２つのスイッチ回路が直列に接続され、各変換回路における２つのスイッチ回路の接続点を三相交流端子に接続している。各スイッチ回路には、第１の半導体スイッチ素子と第２の半導体スイッチ素子が互いに逆極性で並列に接続される。第１の半導体スイッチ素子は、それを所定の位相でオン、オフすることにより、直流電圧を三相交流電圧に変換する。第２の半導体スイッチ素子は、第１の半導体スイッチ素子に対して、そのスイッチングサージをバイパスするフリーホイール作用を与えるものであり、一般にはダイオードが使用される。

この三相インバータ回路には、インバータ回路を低コスト化し、その電気的特性を向上しながら、信頼性も向上するために、トランスファーモールド形のパワー半導体モジュールが採用され始めている。このパワー半導体モジュールの内部配線構造は、２つの種類に大別される。第１の種類の内部配線構造は、三相インバータ回路を構成する各半導体スイッチ素子の一方の主電極を共通の電極板に半田付けし、各半導体スイッチ素子の他方の主電極に、例えばアルミニウムワイヤをボンディングするタイプである。第２の種類の内部配線構造は、三相インバータを構成する各半導体スイッチ素子の一方の主電極を共通の電極板に半田付けし、各半導体スイッチ素子の他方の主電極にも共通の電極板に半田付けするタイプである。第１の種類の内部配線構造は、ワイヤボンディングタイプと呼ばれ、第２の種類の内部配線構造は、ダイレクトリードボンドタイプと呼ばれる。

ワイヤボンディングタイプでは、例えば１つの半導体スイッチ素子が、破壊して短絡状態となったときに、その半導体スイッチ素子のアルミニウムワイヤが溶断するので、短絡事故となる危険は少ない。しかし、ダイレクトリードボンディングタイプでは、半導体スイッチ素子が破壊したときに、電極板が溶断する可能性が少ないので、短絡事故となる危険が高い。このため、ダイレクトリードボンディングタイプでは、車載バッテリと三相インバータ回路との間に第１の保護リレーを配置し、半導体素子の破壊時に、この第１の保護リレーをオフにして車載バッテリの放電を防止している。

ダイレクトリードボンディングタイプでは、さらに、三相インバータ回路と三相モータとの間に、第２の保護リレーを設けるものがある。この第２の保護リレーは、半導体スイッチ素子に短絡事故が発生したときにオフとなり、三相インバータ回路と三相モータを切り離す。ハイブリッド駆動タイプの自動車が、エンジンのみでも走行できるように構成される場合、三相モータは自動車の走行時に回生電力を発電するが、第２の保護リレーを設けない場合には、この回生電力が三相インバータ回路内で短絡事故を起した半導体スイッチ素子と他の変換回路の第２の半導体スイッチ素子を含む短絡回路に流れて高負荷となり、自動車にブレーキを与え、また三相モータが過熱する事故を誘発する。しかし、この保護リレーは大型であり、またコストも高いので、特に第２の保護リレーは設置されない場合が多い。したがって、三相インバータ回路では、半導体スイッチ素子に短絡事故が発生した場合にも、三相モータからの回生電力を遮断できるようにすることが要求される。

先行技術である特開２００５−１４３２４２号公報の図６には、３つの変換回路の各スイッチ回路において、第１の半導体スイッチ素子に自己消弧形素子を使用し、また第２の半導体スイッチ素子に、ダイオードに代わってサイリスタを使用する三相インバータ回路が開示されている。この三相インバータ回路では、第２の半導体スイッチ素子を構成するサイリスタをオンとすることにより、第１の半導体スイッチ素子に対するフリーホイール作用を行なうことができ、また第１の半導体スイッチ素子に短絡事故が発生した場合には、サイリスタをオフに制御することにより、三相モータの回生電力を、三相インバータ回路内で遮断することができる。

特開２００５−１４３２４２号公報の図６とその説明

しかし、前記先行技術にように第２の半導体スイッチ素子をサイリスタで構成した場合、各スイッチ回路の第１の半導体スイッチ素子に対して、フリーホイール作用を与えるために、各スイッチ回路の各サイリスタに、それぞれゲート電流を供給する必要があり、消費電力が大きくなる不都合がある。

この発明は、このような不都合を改善することのできる三相インバータ回路を提案するものである。

この発明による三相インバータ回路は、直流電圧が供給される一対の直流端子の間に３つの変換回路が互いに並列に接続され、これらの各変換回路が、それぞれ、正極側と負極側の２つのスイッチ回路を含み、該各変換回路における該２つのスイッチ回路の接続点が、それぞれ三相交流端子に接続された三相インバータ回路であって、制御回路を有し、該各スイッチ回路は、それぞれ、該直流電圧を制御された位相でオン、オフする第１の半導体スイッチ素子と、この第１の半導体スイッチ素子にそれと逆極性で並列に接続された第２の半導体スイッチ素子を有し、該制御回路は、該第１の半導体スイッチ素子がオンの場合は該第１の半導体スイッチ素子に並列に接続された該第２の半導体スイッチ素子をオフとし、該第１の半導体スイッチ素子がオフの場合は該第１の半導体スイッチ素子に並列に接続された該第２の半導体スイッチ素子をオンとし、該第１の半導体スイッチ素子に短絡事故が発生したときに全ての該第２の半導体スイッチをオフとするものであり、該各スイッチ回路の第２の半導体スイッチ素子が、それぞれ、電圧制御形の半導体スイッチで構成されたことを特徴とする。

この発明では、各スイッチ回路における第２の半導体スイッチ素子が電圧制御形の半導体スイッチ素子で構成されるので、この第２の半導体スイッチ素子に対する制御電力を小さくして、第１の半導体スイッチ素子に対するフリーホイール作用を与えることができ、また１つの第１の半導体スイッチ素子に短絡事故が発生した場合の短絡回路を遮断することができる。

以下この発明のいくつかの実施の形態について、図面を参照して説明する。

実施の形態１．
図１は、この発明による三相インバータ回路の実施の形態１を示す電気回路図である。図１には、実施の形態１による三相インバータ回路１とともに、それを制御する第１、第２の制御回路１１、１２と、直流回路１３と、三相交流回路１７が示される。

三相インバータ回路１は、ハイブリッド駆動タイプの自動車に搭載される。この三相インバータ１は、トランスファーモールド形の半導体パワーモジュールで構成され、前記第２の種類の内部配線構造、すなわち、ダイレクトリードボンドタイプの内部配線構造を有する。この三相インバータ回路１は、一対の直流端子６Ｐ、６Ｎと、三相交流端子７Ｕ、７Ｖ、７Ｗを有する。直流端子６Ｐ、６Ｎには、直流回路１３が接続され、三相交流端子７Ｕ、７Ｖ、７Ｗには、三相交流回路１７が接続される。

直流回路１３は、直流電源１４と、保護リレー１５と、平滑コンデンサ１６を含む。直流電源１４は、例えば車載バッテリであり、正極端子１４Ｐと負極端子１４Ｎを有する。保護リレー１５は、正極側リレー接点１５Ｐと負極側リレー接点１５Ｎを有し、これらの各リレー接点１５Ｐ、１５Ｎは、三相インバータ回路１が正常に運転されているときにはオンとされ、また三相インバータ回路１の内部に短絡事故が発生したときには、互いに連動してオフとされる。直流電源１４の正極端子１４Ｐは、正極側リレー接点１５Ｐを通じて、三相インバータ回路１の直流端子６Ｐに接続される。直流電源１の負極端子１４Ｎは、負極側リレー接点１５Ｎを通じて三相インバータ回路１の直流端子６Ｎに接続される。平滑コンデンサ１６は、三相インバータ回路１の直流端子６Ｐ、６Ｎの間に接続される。

三相交流回路１７は、三相モータ１８を含む。この三相モータ１８は、例えば三相誘導電動機であり、図示しないエンジンとともに、自動車の駆動軸を駆動する。三相モータ１８は、直接三相インバータ回路１の三相交流端子７Ｕ、７Ｖ、７Ｗに接続される。

三相インバータ回路１の詳細について説明する。この三相インバータ回路１は、２つの直流側導体４Ｐ、４Ｎと、３つの交流側導体５Ｕ、５Ｖ、５Ｗを有する。三相インバータ回路１が、ダイレクトリードボンドタイプの内部配線構造を有するので、これらの直流側導体４Ｐ、４Ｎと、交流側導体５Ｕ、５Ｖ、５Ｗは、それぞれ互いに絶縁された電極板で構成される。直流側導体４Ｐ、４Ｎは、それぞれ直流端子６Ｐ、６Ｎに直接接続される。３つの交流側導体５Ｕ、５Ｖ、５Ｗは、それぞれ三相交流端子７Ｕ、７Ｖ、７Ｗに直接接続される。

三相インバータ回路１は、３つの変換回路１Ｕ、１V、１Ｗを有する。これらの各変換回路１Ｕ、１Ｖ、１Ｗは、直流側導体４Ｐ、４Ｎの間に、互いに並列に接続される。変換回路１Ｕは、互いに直列に接続される正極側のスイッチ回路１ＵＰと、負極側のスイッチ回路１ＵＮを有する。変換回路１Ｖは、互いに直列に接続される正極側のスイッチ回路１ＶＰと、負極側のスイッチ回路１ＶＮを有する。変換回路１Ｗは、互いに直列に接続される正極側のスイッチ回路１ＷＰと、負極側のスイッチ回路１ＷＮを有する。

正極側のスイッチ回路１ＵＰは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＰを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＵＰ、３ＵＰは、互いに逆極性で並列に接続される。負極側のスイッチ回路１ＵＮは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＮと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＮを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＵＮ、３ＵＮは、互いに逆極性で並列に接続される。

正極側のスイッチ回路１ＶＰは、第１の半導体スイッチ素子２ＶＰと、第２の半導体スイッチ素子３ＶＰを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＶＰ、３ＶＰは、互いに逆極性で並列に接続される。負極側のスイッチ回路１ＶＮは、第１の半導体スイッチ素子２ＶＮと、第２の半導体スイッチ素子３ＶＮを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＶＮ、３ＶＮは、互いに逆極性で並列に接続される。

正極側のスイッチ回路１ＷＰは、第１の半導体スイッチ素子２ＷＰと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＰを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＷＰ、３ＷＰは、互いに逆極性で並列に接続される。負極側のスイッチ回路１ＷＮは、第１の半導体スイッチ素子２ＷＮと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＮを有し、これらの半導体スイッチ素子２ＷＮ、３ＷＮは、互いに逆極性で並列に接続される。

各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮは、具体的にはそれぞれパワーＩＧＢＴ素子で構成され、それぞれエミッタＥと、コレクタＣとゲートＧを有する。各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮも、具体的にはそれぞれパワーＩＧＢＴ素子で構成され、それぞれエミッタＥと、コレクタＣとゲートＧを有する。

変換回路１Ｕの正極側のスイッチ回路１ＵＰでは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＰのエミッタＥとがともに直流側導体４Ｐに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＵＰのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＰのコレクタＣとがともに交流側導体５Ｕに直接半田付けされる。変換回路１Ｕの負極側のスイッチ回路１ＵＮでは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＮのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＮのエミッタＥとがともに交流側導体５Ｕに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＵＮのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＮのコレクタＣとがともに直流側導体４Ｎに直接半田付けされる。

変換回路１Ｖの正極側のスイッチ回路１ＶＰでは、第１の半導体スイッチ素子２ＶＰのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＵＰのエミッタＥとがともに直流側導体４Ｐに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＶＰのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＶＰのコレクタＣとがともに交流側導体５Ｖに直接半田付けされる。変換回路１Ｖの負極側のスイッチ回路１ＶＮでは、第１の半導体スイッチ素子２ＮＮのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＶＮのエミッタＥとがともに交流側導体５Ｖに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＶＮのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＶＮのコレクタＣとがともに直流側導体４Ｎに直接半田付けされる。

変換回路１Ｗの正極側のスイッチ回路１ＷＰでは、第１の半導体スイッチ素子２ＷＰのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＰのエミッタＥとがともに直流側導体４Ｐに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＷＰのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＰのコレクタＣとがともに交流側導体５Ｗに直接半田付けされる。変換回路１Ｗの負極側のスイッチ回路１ＷＮでは、第１の半導体スイッチ素子２ＷＮのコレクタＣと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＮのエミッタＥとがともに交流側導体５Ｗに直接半田付けされ、また第１の半導体スイッチ素子２ＷＮのエミッタＥと、第２の半導体スイッチ素子３ＷＮのコレクタＣとがともに直流側導体４Ｎに直接半田付けされる。

第１の制御回路１１は、各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮのゲートＧに接続される。この第１の制御回路１１は、各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮを、それぞれ制御された位相でオン、オフして、直流電源１４の直流電圧を、三相交流電圧に変換する。

第２の制御回路１２は、各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮのゲートＧに接続される。この第２の制御回路１２は、三相インバータ回路１の運転中に、各第１の半導体スイッチ２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮが正常に動作している状態では、各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮの各ゲートＧに、常時それらをオンとするオン制御信号を供給する。各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮは、そのオン制御信号に基づき、それぞれ並列された各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮのオン、オフと、反対にオン、オフするように制御され、それぞれ並列された各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮがオフしているときに、オンとなってフリーホイール作用を与える。

また、第２の制御回路１２は、三相インバータ回路１の運転中に、各第１の半導体スイッチ２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮのいずれかに短絡事故が発生した状態では、各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮのゲートＧに、常時それらをオフとするオフ制御信号を供給する。各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮは、そのオフ制御信号に基づき、すべてオフとなり、三相モータ１８に発生した回生電力が、三相インバータ回路１の短絡回路に流れるのを遮断する。

図２、図３は、実施の形態１により、三相モータ１８に発生した回生電力が、三相インバータ回路１に流れるのを遮断する動作を説明する説明図である。図２、図３は、いずれも変換回路１Ｕにおける正極側のスイッチ回路１ＵＰの第１の半導体スイッチ素子２ＵＰに短絡事故が発生した状態を例示しているが、他の第１の半導体スイッチ素子２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮに短絡事故が発生した場合も同様である。

図２では、半導体スイッチ素子２ＵＰの短絡事故に基づき、三相モータ１８に発生した回生電力により、三相モータ１８から、三相インバータ回路１の交流端子７Ｖ、交流側導体５Ｖ、第２の半導体スイッチ素子３ＶＰのコレクタＣとエミッタＷ、直流側導体４Ｐ、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰのコレクタＣとエミッタＥ、交流側導体５Ｕ、交流端子７Ｕを経て三相モータ１８に至る短絡回路ＳＣＶＵが想定されるが、この短絡回路ＳＣＶＵは、第２の半導体スイッチ素子３ＶＰがオフされることにより遮断される。

図３では、半導体スイッチ素子２ＵＰの短絡事故に基づき、三相モータ１８に発生した回生電力により、三相モータ１８から、三相インバータ回路１の交流端子７Ｗ、交流側導体５Ｗ、第２の半導体スイッチ素子３ＷＰのコレクタＣとエミッタＷ、直流側導体４Ｐ、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰのコレクタＣとエミッタＥ、交流側導体５Ｕ、交流端子７Ｕを経て三相モータ１８に至る短絡回路ＳＣＷＵが想定されるが、この短絡回路ＳＣＷＵは、第２の半導体スイッチ素子３WＰがオフされることにより遮断される。

このような短絡回路の遮断により、三相モータ１８と交流端子７Ｕ、７Ｖ、７Ｗとの間に第２の保護リレーを配置する必要が解消し、この保護リレーが配置されなくても、自動車のブレーキがかかり、または三相モータ１８が過熱による損傷するのを防止することができる。

実施の形態２．
実施の形態２は、実施の形態１における各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮとして、図４に示す逆阻止ＩＧＢＴ３０を使用するものである。

図４に示す逆阻止ＩＧＢＴ素子３０は、Ｐ＋コレクタ層３１の中にＮ−ベース層３２を形成し、このＮ−ベース層３２の中にＰベース層３３を形成し、このＰベース層３３の中にＮ＋エミッタ３４を形成したものである。Ｐ＋コレクタ層３１は、素子３０の下面と周面とに露出し、素子３０の下面にコレクタＣが接合している。素子３０に上面には、エミッタＥとゲートＧが配置される。エミッタＥはＰベース層３３に接合し、ゲートＧは、素子３０の上面の絶縁膜３８上に配置され、Ｎ−層３２とＮ＋エミッタ層３４との間に挟まれたＰベース層３３の上面に形成されるチャンネルを制御する。

この逆阻止ＩＧＢＴ素子３０では、Ｐ＋コレクタ層３１が、素子３０の下面と周面の露出し、Ｎ−ベース層３２を取り囲むので、エミッタＥを正極、コレクタＣを負極とする逆電圧に対して、Ｐ＋コレクタ層３１とＮ−ベース層３２との間のＰＮ接合の両側で空乏層が充分に拡がり、逆耐圧が向上する。

各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮと逆極性に並列に接続され、逆電圧が印加されるが、この実施の形態２によれば、各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮの逆耐圧を向上することができる。

実施の形態３．
実施の形態３は、実施の形態１における各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮとして、図５に示す逆阻止ＩＧＢＴ素子４０を使用するものである。

図４に示す逆阻止ＩＧＢＴ素子４０は、ＩＧＢＴ素子４１とダイオード４２を含む。ダイオード４２は、ＩＧＢＴ素子４１のエミッタＥに直列に接続される。ダイオード４２のアノードａは、ＩＧＢＴ４１のエミッタＥに接続され、このダイオード４２のカソードｃが、各第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮのコレクタＣにそれぞれ接続される。

各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮは、第１の半導体スイッチ素子２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮと逆極性に並列に接続され、逆電圧が印加されるが、この実施の形態３では、ダイオード４２により、各第２の半導体スイッチ素子３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＵＮ、３ＷＰ、３ＷＮの逆耐圧を向上することができる。

この発明による三相インバータ回路は、ハイブリッド駆動タイプの自動車などに利用される。

この発明による三相インバータ回路の実施の形態１を示す電気回路図。 実施の形態１について回生電力による短絡回路の遮断動作を説明する説明図。 実施の形態１について回生電力による短絡回路の遮断動作を説明する説明図。 この発明による三相インバータ回路の実施の形態２で使用される逆阻止ＩＧＢＴ素子を示す断面図。 この発明による三相インバータ回路の実施の形態３で使用される逆阻止ＩＧＢＴ素子の接続図。

符号の説明

１：三相インバータ回路、１Ｕ、１Ｖ、１Ｗ：変換回路、
１ＵＰ、１ＵＮ、１ＶＰ、１ＶＮ、１ＷＰ、１ＷＮ：スイッチ回路、
２ＵＰ、２ＵＮ、２ＶＰ、２ＶＮ、２ＷＰ、２ＷＮ：第１の半導体スイッチ素子、
３ＵＰ、３ＵＮ、３ＶＰ、３ＶＮ、３ＷＰ、３ＷＮ：第２の半導体スイッチ素子、
３０、４０：逆素子ＩＧＢＴ、４１：ＩＧＢＴ、４２：ダイオード。

Claims (4)

1. 直流電圧が供給される一対の直流端子の間に３つの変換回路が互いに並列に接続され、これらの各変換回路が、それぞれ、正極側と負極側の２つのスイッチ回路を含み、前記各変換回路における前記２つのスイッチ回路の接続点が、それぞれ三相交流端子に接続された三相インバータ回路であって、
   制御回路を有し、
   前記各スイッチ回路は、それぞれ、前記直流電圧を制御された位相でオン、オフする第１の半導体スイッチ素子と、この第１の半導体スイッチ素子にそれと逆極性で並列に接続された第２の半導体スイッチ素子を有し、
   前記制御回路は、前記第１の半導体スイッチ素子がオンの場合は前記第１の半導体スイッチ素子に並列に接続された前記第２の半導体スイッチ素子をオフとし、前記第１の半導体スイッチ素子がオフの場合は前記第１の半導体スイッチ素子に並列に接続された前記第２の半導体スイッチ素子をオンとし、前記第１の半導体スイッチ素子に短絡事故が発生したときに全ての前記第２の半導体スイッチをオフとするものであり、
   前記各スイッチ回路の第２の半導体スイッチ素子が、それぞれ、電圧制御形の半導体スイッチで構成されたことを特徴とする三相インバータ回路。
2. 請求項１において、前記各スイッチ回路における第１の半導体スイッチ素子と、前記各スイッチ回路における第２の半導体スイッチ素子とが、ともにＩＧＢＴ素子で構成されたことを特徴とする三相インバータ回路。
3. 請求項１記載の電力用三相インバータ回路であって、前記各スイッチ回路の第２の半導体スイッチ素子が、逆耐圧ＩＧＢＴ素子で構成されたことを特徴とする三相インバータ回路。
4. 請求項１記載の電力用三相インバータ回路であって、前記各スイッチ回路の第２の半導体スイッチ素子が、ＩＧＢＴ素子と、これに直列に接続されたダイオードで構成されたことを特徴とする三相インバータ回路。

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