JP4688231B2 - オプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法 - Google Patents

Description

本発明はオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法に係り、特に、被測定光ファイバに光パルスを入射し、この光パルスの入射に伴って被測定光ファイバから戻ってくる反射光の検出結果に基づいて被測定光ファイバの障害点位置を検出したり、被測定光ファイバの伝送損失特性や接続損失特性などを測定する光パルス試験器としてのオプチカルタイムドメインリフレクトメータ（ＯＴＤＲ）及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法に関する。

光パルス試験器としてのオプチカルタイムドメインリフレクトメータ（ＯＴＤＲ）は、被測定光ファイバに光パルスを入射し、この光パルスの入射に伴って被測定光ファイバから戻ってくる反射光を検出し、この反射光の検出結果に基づいて被測定光ファイバの障害点位置を検出したり、被測定光ファイバの伝送損失特性や接続損失特性などを測定するために用いられている。

図９は、従来から一般的に知られている光パルス試験器としてのオプチカルタイムドメインリフレクトメータ（ＯＴＤＲ）の一例として、下記特許文献１に開示されている光パルス試験器の構成を説明するために示すブロック図である。

この図９に示す光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９は、タイミング発生部５２、駆動回路５３、光源５４、光方向性結合器５５、受光器５６、増幅部５７、加算平均処理部５８、対数変換部５９、表示部６０を備えて構成される。

この種の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、タイミング発生部５２からの電気パルスにより、駆動回路５３でパルス電流を作り、光源５４を発光させる。

光源５４から出射される光パルスは、光方向性結合器５５を通過し、試験対象となる被測定光ファイバ６１に入射される。

被測定光ファイバ６１からの後方散乱光や反射光などの戻り光は、光方向性結合器５５から受光器５６へ送られる。

受光器５６は、光方向性結合器５５から受光器５６へ送られる被測定光ファイバ６１からの後方散乱光や反射光などの戻り光を電気信号に変換する。

受光器５６から出力される電気信号は、増幅部５７で増幅される。

平均加算処理部５８は、増幅部５７で増幅されたアナログの電気信号を内蔵のアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器によりディジタル信号に変換すると共に、所定回数に渡って累積加算した後、平均化処理する。

平均加算処理部５８からの平均化出力は、対数変換部５９で対数変換された後、その対数変換結果が通常右下がりの測定波形として表示部６０に表示される。

ところで、この種の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、大きく分けて、アベレージ測定とリアルタイム測定との２種類の測定方法が知られている。

アベレージ測定は、数秒から数十秒間の比較的長い時間にわたる所定回数の繰り返し測定波形を累積加算して、平均化することにより、信号対雑音比（ＳＮ比）の良い測定波形を得るための測定である。

そして、このアベレージ測定では、特許文献１に開示される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９のように、ＳＮ比の悪い測定波形の部分では増幅部５７の利得及び平均加算処理部５８での加算回数（平均回数）を値を適宜切り替えながら測定を行って、結果的に、ＳＮ比の良い測定波形の部分だけをつなぎ合わせることにより、広範囲にわたって所定値以上のＳＮ比の良い観測に利用可能な領域を得ることができるようにしている。

この場合、図９に示す光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、上述した構成に加えて、さらに、ＳＮ比比較部５０とデータ記憶部５１とを備えるようにしている。

そして、ＳＮ比比較部５０の比較結果によって所定値以上のＳＮ比の良い測定波形の部分のデータをそのままデータ記憶部５１に記憶しておく。

次に、ＳＮ比比較部５０の比較結果によって所定値以下のＳＮ比の悪い測定波形の部分での増幅部５７の利得及び平均加算処理部５８での加算回数（平均回数）を値を適宜切り替えながら測定を行うことにより、結果的に、所定値以上にＳＮ比が改善されたＳＮ比の良い測定波形の部分のデータを順次にデータ記憶部５１に記憶しておく。

これにより、結果的に、データ記憶部５１に記憶されている所定値以上のＳＮ比の良い測定波形の部分のデータをだけをつなぎ合わせて表示部６０に表示させることにより、広範囲にわたって所定値以上のＳＮ比の良い観測に利用可能な領域を得ることができる。

これは、増幅部５７の利得は連続的に変更できるわけではないので、通常、増幅部５７の利得及び周波数特性を含むハード設定と平均加算処理部５８での加算回数（平均回数）との特定の組み合わせをアッテネータ値と表現するとき、予め、複数組のアッテネータ値をｄＢ単位の減衰量で表記しておくことにより、測定波形のＳＮ比に応じて最適となるアッテネータ値を適宜設定するようにしていると見ることもできる。

従って、この場合、増幅部５７と平均加算処理部５８とは、電気信号に変換される前の光信号に対して等価的なアッテネータを構成していると見ることもできる。

そして、アベレージ測定を行う場合には、このような増幅部５７と平均加算処理部５８とによる等価的なアッテネータに対して、測定波形のＳＮ比に応じて、増幅部５７の利得及び周波数特性を含むハード設定と平均加算処理部５８での平均加算回数との複数の組み合わせによる特定のアッテネータ値を適宜変更しながら測定を行うことにより、結果的に、所定値以上のＳＮ比の良い測定波形の部分だけをつなぎ合わせることができるようにしている。

ところで、上述したように、アッテネータ値を適宜変更しながら測定を行うアベレージ測定に対して、リアルタイム測定は、アッテネータ値を固定して０．１秒〜１秒間程度の比較的短い時間にわたる測定波形を累積加算して平均化し、そのような測定結果を次々と表示更新を行うので、その時点での光ファイバの状況・変化を観察するための測定に適している。

このため、リアルタイム測定は、光ファイバの敷設工事において、例えば、コネクタ接続や融着による光ファイバの接続を行いながら、その光ファイバの接続状態の善し悪しをチェックする場合のように、即応性が必要な用途で良く用いられる。

ところで、測定対象である被測定光ファイバ６１から戻ってくる後方散乱光は光ファイバ６１内で生じるレーリ散乱に起因するものである。

この後方散乱光のレベルは、被測定光ファイバ６１が通常のシングルモード光ファイバであって、当該被測定光ファイバに入射される光パルス幅が１×１０^−６秒のとき、入射パルス光レベルよりも約５０ｄＢ低い値となる。

従って、光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９は、このような微小な信号を扱うために、所定回繰り返し測定して累積加算し、それを平均化処理するディジタルアベレージングを用いることにより、ＳＮ比を改善する必要がある。

図９に示す光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９の加算平均処理部５８は、このようなディジタルアベレージングを用いることにより、ＳＮ比を改善するためのものである。

そして、このディジタルアベレージングを用いる場合、加算平均処理部５８に内蔵されるＡ／Ｄ変換器の量子化ビットが８のとき、平均回数とＳＮ比との間には、図１０に示すような関係があることが知られている。

図１０において、例えば、平均回数が１０^０回、ＳＮ比が−３０ｄＢのときに、１０^２回の平均をとればＳＮ比が１０ｄＢになり、２０ｄＢ改善されることになる。

なお、このようなディジタルアベレージングを用いるＳＮ比の改善テクニックに関しては、下記非特許文献１にも記載されている。

図１１は、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９を用いてアベレージ測定によって測定波形におけるレベル差の大きい反射減衰量の測定を行ったときの測定波形を例示する図である。

すなわち、図１１に示すように、アベレージ測定によって測定波形におけるレベル差の大きい反射減衰量の測定を行なう場合には、時間をかけることによって測定波形の加算回数（平均回数）を十分に増やすことができるため、マーカ１が位置するフレネル反射の直前の波形レベルと、マーカ２が位置するフレネル反射の頂点のレベルとを同時に観測できるので、これらの差から反射減衰量を測定することができる。

そして、上述した反射減衰量の測定は、例えば、当該測定端から２０Ｋｍ以上も離れている遠隔地における光ファイバの敷設現場において接続すべき光ファイバの各端面同士を融着して接続する作業が測定者とは別の作業者によって行われている際に、行われることになる。

しかるに、アベレージ測定では反射減衰量の測定に時間がかかるため、反射減衰量の測定結果が合格範囲を外れていることが判明する頃には、融着作業者が既に次の光ファイバの融着作業に移ってしまっていることが往々にして生じ、測定タイミングと融着作業タイミングとが合わないという問題がある。

一方、この種の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９において行われているリアルタイム測定では、反射減衰量の測定に時間がかからないため、測定タイミングと融着作業タイミングとが合わないという問題については回避することができる。

しかるに、リアルタイム測定では、アベレージ測定に比べて測定波形の加算回数（平均回数）が少ないと共に、アッテネータ値を固定して測定するので、結果的に、得られる測定波形において良好なＳＮ比を持つ波形の観測に適した領域が狭くなる。

このため、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、リアルタイム測定において、得られる測定波形において測定対象の波形レベルが大きく変動したり、別の距離の状況を見ようとした場合に、操作者が注目している距離の波形レベルが測定に適した領域から外れやすいという問題がある。

また、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、リアルタイム測定において、得られる測定波形において２点間の損失値が知りたい場合や、２点間の損失値から計算される反射減衰量を測定したい場合に、２点間の波形レベル差が大きいと、測定に適した領域に、その２点の波形レベルが同時に含まれるようにアッテネータ値を設定することができないという問題がある。

従って、このような状況下において、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、上述したような反射減衰量の測定を含めて良好なリアルタイム測定を行うことが極めて困難である。

図１２及び図１３は、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９を用いてリアルタイム測定を行なったときの測定波形を例示する図である。

図１２に示すように、リアルタイム測定によってレベル差の大きい反射減衰量の測定を行なう場合には、マーカ２が位置するフレネル反射の頂点の波形レベルを測定できるようにアッテネータ値を選択すると、マーカ１が位置するフレネル反射の直前の波形レベルのＳＮ比が悪くなって波形が見えなくなる。

図１３に示すように、リアルタイム測定によってレベル差の大きい反射減衰量の測定を行なう場合には、マーカ１が位置するフレネル反射の直前の波形レベルに合わせてアッテネータ値を選択すると、マーカ２が位置するフレネル反射の頂点の波形レベルが飽和して正しく測定することができない。

従って、図１２及び図１３に示すリアルタイム測定では、何れの場合においても、正確に反射減衰量を測定することが困難である。

また、リアルタイム測定は、被測定光ファイバの状態の変化に対する即応性が求められる用途で行われている。

しかるに、測定対象となる被測定光ファイバの状態が変化したり、ある光ファイバの測定を行ったまま測定対象となる被測定光ファイバを別の光ファイバに変更した場合には、測定レンジを合せるため、アッテネータ値を測定者が手動で変更する必要がある。

一方、リアルタイム測定においても、表示部６０に表示させる測定位置指定手段であるマーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことができるようにすることが要望されている。

例えば、リアルタイム測定において、所定値以下のＳＮ比の悪い測定波形の部分に表示部６０上でマーカ（図示せず）を移動させて、当該マーカ位置でのＳＮ比に応じてアッテネータ値を自動的に最適値に変更して測定を行うことにより、当該マーカ位置の部分でＳＮ比を改善して結果的に所定値以上のＳＮ比の良い測定波形を自動的に観測することができるようにすることが要望されている。

しかるに、図９に示す従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９では、リアルタイム測定において、上述したような幾多の問題もあって、この種の要望に応じることは極めて困難であるといのが実情である。
特開平０４−１５８２３７号公報 "Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ａｎｄ Ｆａｕｌｔ Ｌｏｃａｔｉｏｎ ｉｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ"Ｋｅｎｊｉ ＯＫＡＤＡ ｅｔ ａｌ．ＴＨＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＣＥ ＪＡＰＡＮ ．ＶＯＬ．Ｅ ６３．ＮＯ．２．ＡＢＳＴＲＡＣＴＳ ＦＥＢＲＵＡＲＹ １９８０ ｐｐ１４５−１４６

本発明の目的は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、リアルタイム測定において、表示部に表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、アッテネータ値を最適値に設定して被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことができるようにすると共に、被測定光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うことができるようにしたオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法を提供することである。

本発明の第１の態様によれば、上記目的を達成するために、
被測定光ファイバ（６１）に入射させる光パルスを出射する光源（５４）と、
前記光源（５４）から出射される光パルスに応じて、前記被測定光ファイバ（６１）から戻ってくる後方散乱光を受光する受光部（５６）と、
前記受光部（５６）からの出力信号を所定の利得で増幅する増幅部（５７）及び該増幅部（５７）によって増幅された出力信号を所定回数加算して平均化処理する平均加算処理部（５８）から構成される等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）と、
前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）からの出力信号を対数変換する対数変換部（５９）と、
前記対数変換部（５９）からの出力信号を波形データとして記憶する波形メモリ（６２）と、
前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを測定波形として画面上に表示する表示部（６０）と、
前記表示部（６０）の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とするマーカ設定部（６３）と、
前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）を構成する前記増幅部（５７）の利得ａと前記平均加算処理部（５８）の加算回数ｍの組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）を記憶するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）と、
前記表示部（６０）の画面上に表示される測定波形上に前記マーカ設定部（６３）によって移動可能に設定される前記マーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データから取得するマーカレベル取得部（５）と、
前記マーカレベル取得部（５）によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かを判定するレベル比較部（８）と、
前記レベル比較部（８）により、前記マーカレベル取得部（５）によって取得された波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するアッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部（９）と、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部（９）からの変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカレベル取得部（５）によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部（７）と、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）と、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行わせることにより、前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを読み出して前記表示部（６０）の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とする制御部（３）とを具備し、
前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、前記マーカ設定部（６３）によって前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部（６０）の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とするオプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいて、
前記マーカ設定部（６３）によって、前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するマーカ指定部（２）をさらに具備し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）には、前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）を構成する前記増幅部（５７）の利得ａと前記平均加算処理部（５８）の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）が記憶されており、
前記マーカレベル取得部（５）は、前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記マーカ指定部（２）によって指定された測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データから取得し、
前記レベル比較部（８）は、前記マーカレベル取得部（５）によって取得される前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かを判定し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部（９）は、前記レベル比較部（８）により、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部（７）は、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部（９）からの変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されているアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカレベル取得部（５）によって取得された前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定し、
前記制御部（３）は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを前記表示部（６０）の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリ（６２）から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部（６０）の画面上に表示させる波形合成部（４）をさらに具備し、
前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上に設定される測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの各波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を繰返すことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ（６１）の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うこと可能とするオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第２の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカ設定部（６３）によって、前記表示部（６０）の画面上における測定波形上の第１の位置に設定されているマーカ（１）が前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカ（１）に対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記波形データに基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする第１の態様に従うオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第３の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカ設定部（６３）によって前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカ（１）と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカ（２）とを含むとき、前記第１のマーカ（１）及び第２のマーカ（２）に対応する各アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を繰返すことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うこと可能とする第１の態様に従うオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第４の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度Ｎｉｍａｘを記憶した測定頻度記憶部（１４）をさらに具備し、
前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件により当該マーカに対する測定を繰り返し行った後、前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件によりそのマーカに対する測定を繰り返し行う第１の態様に従うオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第５の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記マーカレベル取得部（５）によって取得された前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するレベル変動検出部（１２）と、
前記レベル変動検出部（１２）によって検出される前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更する測定頻度設定部（１３）とをさらに具備する第４の態様に従うオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第６の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記波形合成部（４）は、繰返し測定された波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、測定波形の合成を行う第４の態様に従うオプチカルタイムドメインリフレクトメータが提供される。

また、本発明の第７の態様によれば、上記目的を達成するために、
被測定光ファイバ（６１）に光パルスを入射させるステップと、
前記被測定光ファイバ（６１）から戻ってくる後方散乱光を受光して電気信号に変換するステップと、
前記電気信号を増幅部（５７）によって所定の利得で増幅するステップと、
前記増幅部（５７）によって増幅された出力信号を前記増幅部（５７）と共に等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）を構成する平均加算処理部（５８）によって所定回数加算して平均化処理するステップと、
前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）からの出力信号を対数変換部（５９）によって対数変換するステップと、
前記対数変換部（５９）からの出力信号を波形データとして波形メモリ（６２）に記憶するステップと、
前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを測定波形として表示部（６０）の画面上に表示するステップと、
前記表示部（６０）の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを移動可能に設定するステップと、
前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）を構成する前記増幅部（５７）の利得ａと前記平均加算処理部（５８）の加算回数ｍの組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）をアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶するステップと、
前記表示部（６０）の画面上に表示される測定波形上に任意に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データから取得するステップと、
前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データから取得される前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かを判定するステップと、
前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するステップと、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されているアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するステップと、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するステップと、
前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行わせることにより、前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを読み出して前記表示部（６０）の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするステップとを具備し、
前記表示部（６０）の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部（６０）の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする光パルスを用いる光ファイバの試験方法において、
前記表示部（６０）の画面上に表示される測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するステップをさらに具備し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）には、前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）を構成する前記増幅部（５７）の利得（ａ）と前記平均加算処理部（５８）の加算回数（ｍ）の組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）が記憶されており、
前記マーカの設定位置における波形レベルを取得するステップは、前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データから取得し、
前記マーカの波形レベルを判定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かを判定し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定し、
前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を変更するステップは、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更し、
前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を設定し、
前記リアルタイム測定を可能とするステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを前記表示部（６０）の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部（１０）によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリ（６２）から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部（６０）の画面上に表示させるステップをさらに具備し、
前記表示部（６０）の画面上に表示させる測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を繰返すことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ（６１）の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うことを可能とする光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

また、本発明の第８の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記表示部（６０）の画面上における測定波形上の第１の位置に設定されているマーカ（１）が前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカ（１）に対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする第７の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

また、本発明の第９の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記表示部（６０）の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカ（１）と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカ（２）とを含むとき、前記第１のマーカ（１）及び第２のマーカ（２）に対応する各アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバ（６１）に対する測定を繰返すことにより、前記表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うことを可能とする第７の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

また、本発明の第１０の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度（Ｎｉｍａｘ）を測定頻度記憶部（１４）に記憶するステップをさらに具備し、
前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度（Ｎｉｍａｘ）に基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件により当該マーカに対する連続繰り返し測定を行った後、前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件によりそのマーカに対する連続繰り返し測定を行う第７の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

また、本発明の第１１の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するステップと、
前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部（１４）に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更するステップとをさらに具備する第１０の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

また、本発明の第１２の態様によれば、上記目的を達成するために、
前記合成された各波形データを前記表示部（６０）の画面上に表示させるステップは、前記繰返し測定される波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定範囲（ΔＬｉ）内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、測定波形の合成を行う第１０の態様に従う光パルスを用いる光ファイバの試験方法が提供される。

以上のような本発明の第１の態様によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の第７の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定において、表示部（６０）の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、前記マーカを目的位置に移動するだけで表示部（６０）の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。
特に、リアルタイム測定において、表示部（６０）の画面上に設定される測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）（１１）に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に順次設定して被測定光ファイバ（６１）に対する測定を繰返すことにより、表示部（６０）の画面上に表示される合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

また、以上のような本発明の第２の態様によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の第８の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定において、測定波形上の第１の位置に設定されているマーカが測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカに対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して被測定光ファイバ（６１）に対する測定を行うことにより、表示部（６０）の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

また、以上のような本発明の第３の態様によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の第９の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定において、特に、フレネル反射の直前の波形レベルと、フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測することができると共に、反射減衰量の変化をほぼリアルタイムで観察することができる。

その結果、本発明のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、測定対象のレベル差の大きい反射減衰量の測定をリアルタイムで容易に行なうことができる。

しかも、本発明の第４の態様によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の第１０の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定時に、測定者が波形のレベルに合わせて手動でアッテネータ（利得や減衰量など）を適宜調節する必要も無く、測定者が必要に応じていずれかのマーカを表示画面上の目的位置に移動するだけで所望の位置の波形を所定値以上のＳＮ比で観測することができる。

また、以上のような本発明の第５の態様によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び本発明の第１１の態様による光パルスを用いる光ファイバの試験方法によれば、リアルタイム測定において、複数のマーカに対するそれぞれのアッテネータを設定する際に、マーカで指定された波形位置のレベルの変動に応じて測定頻度を変更できるようにして、マーカで指定された波形位置のレベル変動が小さい場合は測定頻度を下げ、レベル変動が大きい場合は測定頻度を一時的に上げることで、より迅速に測定波形の変化を捉えやすくなる。

図１は、本発明の一実施形態によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）の構成を説明するために示すブロック図である。 図２は、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータの測定レベル変更機能の動作を説明するために示すフローチャートである。 図３は、図２におけるマーカ位置にレベルを合わせた測定の動作を説明するために示すフローチャートである。 図４Ａは、図２におけるマーカ番号ｉの変更有無判別処理の動作の一例を説明するために示すフローチャートである。 図４Ｂは、図２におけるマーカ番号ｉの変更有無判別処理の動作の他の例を説明するために示すフローチャートである。 図４Ｃは、図２におけるマーカ番号ｉの変更有無判別処理の動作のさらに別の例を説明するために示すフローチャートである。 図５Ａは、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測定の一例を説明するために示す図である。 図５Ｂは、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測定の一例を説明するために示す図である。 図５Ｃは、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測定の他の例を説明するために示す図である。 図５Ｄは、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測定の他の例を説明するために示す図である。 図５Ｅは、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータによるリアルタイム測定の他の例を示す図である。 図６は、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいて測定波形上に複数のマーカを設定したときの表示画面を説明するために示す図である。 図７は、図１のオプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいてアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部の内容の一例を説明するために示す図である。 図８は、図６の測定波形上に設定された各マーカ毎の測定頻度Ｎｉｍａｘの一例を説明するために示す図である。 図９は、特許文献１に開示される従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）の構成を説明するために示すブロック図である。 図１０は、非特許文献１に開示される平均回数とＳＮ比との関係を説明するために示す図である。 図１１は、従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）を用いてアベレージ測定によってレベル差の大きい反射減衰量の測定を行ったときの測定波形の一例を説明するために示す図である。 図１２は、従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）を用いたリアルタイム測定において、フレネル反射光のピーク位置にアッテネータを合わせたときの測定波形の一例を説明するために示す図である。 図１３は、従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）を用いたリアルタイム測定において、フレネル反射光の直前の位置にアッテネータを合わせたときの測定波形の一例を説明するために示す図である。

以下、本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法についての実施の形態を図面を参照しながら具体的に説明する。

図１は、本発明の一実施形態によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）の構成を説明するために示すブロック図である。

（基本的な構成）
まず、図１に示すように、本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、基本的な構成として、被測定光ファイバ６１に入射させるための光パルスを出射する光源５４と、前記光源５４から出射される光パルスに応じて、前記被測定光ファイバ６１から戻ってくる後方散乱光を受光する受光部５６と、前記受光部５６からの出力信号を所定の利得で増幅する増幅部５７と、該増幅部５７によって増幅された出力信号を所定回数加算して平均化処理する平均加算処理部５８とから構成される等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１と、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１からの出力信号を対数変換する対数変換部５９と、前記対数変換部５９からの出力信号を波形データとして記憶する波形メモリ６２と、前記波形メモリ６２に記憶された波形データを測定波形として画面上に表示する表示部６０と、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とするマーカ設定部６３と、前記マーカ設定部６３によって前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する前記増幅部５７の利得ａと前記平均加算処理部５８の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉを記憶するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６と、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に前記マーカ設定部６３によって任意に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリ６２に記憶された波形データから取得するマーカレベル取得部５と、前記マーカレベル取得部５によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かを判定するレベル比較部８と、前記レベル比較部８により、前記マーカレベル取得部（５）によって取得された波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するアッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９と、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９からの変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカレベル取得部５によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部７と、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０と、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行わせることにより、前記波形メモリ６２に記憶された波形データを読み出して前記表示部６０の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とする制御部３とを具備し、前記マーカ設定部６３によって前記表示部６０の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行うことにより、前記マーカ設定部６３によって前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部６０の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

すなわち、このようなオプチカルタイムドメインリフレクトメータの基本的な構成では、マーカ設定部６３によって設定されるマーカが一つ以上である場合を含んでいる。

この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定部６３によって、前記測定波形上の第１の位置に設定されたマーカ１が前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカ１に対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行うことにより、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形に基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

そして、本発明のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、マーカ設定部６３によって設定されるマーカが二つ以上の複数である場合を含んでいる。

この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定部６３によって前記測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するマーカ指定部２をさらに具備している。

そして、この場合、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６には、前記マーカ設定部６３によって前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する前記増幅部５７の利得ａと前記平均加算処理部５８の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータＡＴＴ値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉが記憶されている。

また、前記マーカレベル取得部５は、前記マーカ設定部６３によって前記表示部６０の画面上における前記測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記マーカ指定部２によって指定された測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ６２に記憶された波形データから取得するようになされている。

また、前記レベル比較部８は、前記マーカレベル取得部５によって取得される前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かを判定するようになされている。

また、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９は、前記レベル比較部８により、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するようになされている。

また、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件算出部７は、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９からの変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されているアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカレベル取得部５によって取得された前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するようになされている。

また、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するようになされている。

また、前記制御部３は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ６２に記憶された波形データを前記表示部６０の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするようになされている。

なお、この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリ６２から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部６０の画面上に表示させる波形合成部４をさらに具備している。

そして、この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、前記マーカ設定部６３によって前記表示部６０の画面上に設定される測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を繰返すことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ６１の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うこと可能とする。

この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカ設定部６３によって前記測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカ１と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカ２とを含むとき、前記第１のマーカ１及び第２のマーカ２に対応する各アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を繰返すことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うことを可能とする。

また、この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度Ｎｉｍａｘを記憶した測定頻度記憶部１４をさらに具備し、前記測定頻度記憶部１４に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件により当該マーカに対する連続繰り返し測定を行った後、前記測定頻度記憶部１４に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件によりそのマーカに対する測定を繰り返し行う。

また、この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記マーカレベル取得部５によって取得された前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するレベル変動検出部１２と、前記レベル変動検出部１２によって検出される前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部１４に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更する測定頻度設定部１３とをさらに具備する。

また、この場合のオプチカルタイムドメインリフレクトメータは、好ましくは、前記波形合成部４が、繰返し測定された波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、測定波形の合成を行う。

次に、図１に示すように、本発明による光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、基本的な構成として、被測定光ファイバ６１に光パルスを入射させるステップと、前記被測定光ファイバ６１から戻ってくる後方散乱光を受光して電気信号に変換するステップと、前記電気信号を増幅部５７によって所定の利得で増幅するステップと、前記増幅部５７によって増幅された出力信号を前記増幅部５７と共に等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する平均加算処理部５８によって所定回数加算して平均化処理するステップと、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１からの出力信号を対数変換部５９によって対数変換するステップと、前記対数変換部５９からの出力信号を波形データとして波形メモリ６２に記憶するステップと、前記波形メモリ６２に記憶された波形データを測定波形として表示部６０の画面上に表示するステップと、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを移動可能に設定するステップと、前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する前記増幅部５７の利得ａと前記平均加算処理部５８の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲（ΔＬｉ）をアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶するステップと、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリ６２に記憶された波形データから取得するステップと、前記波形メモリ６２に記憶された波形データから取得される前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶された前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かを判定するステップと、前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するステップと、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６）に記憶されているアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するするステップと、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するステップと、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行わせることにより、前記波形メモリ（６２）に記憶された波形データを読み出して前記表示部６０の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするステップとを具備し、前記表示部６０の画面上に表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行うことにより、前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部６０の画面上に表示される前記波形データに基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

すなわち、このような光パルスを用いる光ファイバの試験方法の基本的な構成では、前記測定波形上に設定されるマーカが一つ以上である場合を含んでいる。

この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形上の第１の位置に設定されているマーカ１が前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカ１に対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行うことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記波形データに基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

そして、本発明の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、前記測定波形上に設定されるマーカが二つ以上の複数である場合を含んでいる。

この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するステップをさらに具備している。

そして、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６には、前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する前記増幅部５７の利得ａと前記平均加算処理部５８の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉが記憶されている。

また、前記マーカの設定位置における波形レベルを取得するステップは、前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリ６２に記憶された波形データから取得するようになされている。

また、前記マーカの波形レベルを判定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かを判定するようになされている。

また、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部（６）に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にないと判定されたときに、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更を決定するようになされている。

また、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を変更するステップは、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更するようになされている。

また、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するようになされている。

また、前記リアルタイム測定を可能とするステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定される前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバ６１に対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリ６２に記憶された波形データを前記表示部６０の画面上に逐次表示することにより、前記測定波形の表示を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするようになされている。

なお、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０によって前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定された前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリ６２から読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部６０の画面上に表示させるステップをさらに具備している。

そして、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、前記表示部６０の画面上に表示させる測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定するアッテネータ（ＡＴＴ）値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を繰返すことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバ６１の状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うことを可能とする。

この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカ１と、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカ２とを含むとき、前記第１のマーカ１及び第２のマーカ２に対応する各アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバ６１に対する測定を繰返すことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うことを可能とする。

また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度Ｎｉｍａｘを測定頻度記憶部１４に記憶するステップをさらに具備し、前記測定頻度記憶部１４に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件により当該マーカに対する測定を繰り返し行った後、前記測定頻度記憶部１４に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度Ｎｉｍａｘに基づいて、次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件によりそのマーカに対する測定を繰り返し行う。

また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するステップと、前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部１４に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更するステップとをさらに具備する。

また、この場合の光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、好ましくは、前記合成された各波形データを前記表示部６０の画面上に表示させるステップは、前記繰返し測定される波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、測定波形の合成を行う。

（具体的な実施形態）
次に、図１に基づいて、本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ（ＯＴＤＲ）及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）の具体的な実施形態について説明する。

本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される具体的な実施形態としての光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、上述したような基本的な構成の説明から明らかなように、リアルタイム測定において、測定波形の表示画面上で測定者が指定するマーカの位置に連動して最適なアッテネータ（ＡＴＴ）値を自動的に選択設定して所定値以上のＳＮ比の良い状態で測定波形を観測することができるように測定レベルを変更する測定レベル変更機能を備えている。

この測定レベル変更機能は、一つまたは二つ以上の複数のマーカに対してそれぞれ最適なアッテネータを自動的に選択設定して所定値以上のＳＮ比が得られるように測定レベルを変更して測定し、一つのマーカの場合には測定レベルの変更の前後の測定波形を表示する機能、二つ以上の複数のマーカの場合にはそれぞれの測定波形を合成処理して表示する機能、さらには複数のマーカに対するそれぞれのアッテネータ（ＡＴＴ）値を設定する際に測定波形のレベル変動に応じて測定頻度に差を持たせる機能を含んでいる。

そして、本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される具体的な実施形態としての光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、上記測定レベル変更機能を実現するため、図１に示すように、図９に示される従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９の基本的な構成であるタイミング発生部５２、駆動回路５３、光源５４、光方向性結合器５５、受光器５６、増幅部５７、加算平均処理部５８、対数変換部５９、表示部６０に加えて、マーカ指定部２、制御部３、波形合成部４、マーカレベル取得部５、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件算出部７、レベル比較部８、アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０、レベル変動検出部１２、測定頻度設定部１３、測定頻度記憶部１４、波形メモリ６２、マーカ設定部６３及び操作部６４を備えている。

この場合、操作部６４は、少なくともマーカ設定部６３、マーカ指定部２、測定頻度記憶部１４及びリアルタイム測定開始の指示に関連した操作部材が搭載されており、それらの操作部材の操作に応じて制御部３を介して後述するようにマーカ設定部６３によるマーカの設定、マーカ指定部２によるマーカの指定、測定頻度記憶部１４に対する測定頻度の設定及び光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１によるリアルタイム測定開始を指示するようになされている。

また、制御部３は、ＣＰＵ，ＲＯＭ．ＲＡＭ等を含んで構成され、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１による後述するようなリアルタイム測定のための自動的な制御を含む光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１全体の制御を司る。

なお、図１において、図９に示される従来の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）４９と同じ構成部分については同一の参照符号を付して、それらの詳細な説明を省略する。

また、図１において、前述したように、増幅部５７と平均加算処理部５８との組み合わせを等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１と表現し、増幅部５７の利得ａ及び周波数特性を得られるハード設定と平均加算処理部５８で実行される平均加算回数ｍとの組み合わせをアッテネータ（ＡＴＴ）値と表現している。

具体的には、光源５４から出射された光パルスは、光方向性結合器５５を通過した後、被測定光ファイバ６１に入射される。

そして、被測定光ファイバ６１からの戻り光は、光方向性結合器５５を介して受光器５６へ送られ、この受光器５６によって電気信号に変換される。

この受光器５６によって変換された電気信号は、後述するようにしてアッテネータ（ＡＴＴ）値が設定されるアッテネータ（ＡＴＴ）１１において、増幅部５７によって利得ａで増幅された後、平均加算処理部５８で内蔵のＡ／Ｄ変換器によりディジタル信号に変換されてｍ回加算平均される。

アッテネータ（ＡＴＴ）１１の平均加算処理部５８でｍ回加算平均された出力信号は、対数変換部５９で対数変換された後、アッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定されるアッテネータ（ＡＴＴ）値毎に異なる波形データとして波形メモリ６２に記憶される。

この波形メモリ６２にアッテネータ（ＡＴＴ）値毎に記憶された波形データは、必要に応じて波形合成部４で波形合成された後、表示部６０の画面上に測定波形として表示される。

マーカ設定部６３は、前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とする。

この場合、マーカ設定部６３は、測定者によってマーカ設定の操作がなされる操作部６４から制御部３を介して前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定するようになされている。

マーカ指定部２は、測定波形上に設定された複数のマーカが設定されたとき、その測定波形上に設定された複数のマーカうちから、波形レベルを測定する対象とするマーカを指示する。

この場合、マーカ指定部２は、測定者によってマーカ指定の操作がなされる操作部６４から制御部３を介して前記表示部６０の画面上に表示される測定波形上に任意に設定されている複数のマーカのうちから波形レベルを測定する対象とするマーカを指定することが可能となされていると共に、後述するように複数のマーカに対して付されているマーカ番号ｉに基づいて制御部３により自動的に波形レベルを測定する対象とするマーカを指定することが可能となされている。

図６は、マーカが設定された測定波形を表示する測定画面を説明するために例示する図である。

この例では、測定波形上に表示されている６個のマーカに対し、測定画面上の一番左側に設定されたマーカ（測定地点からの距離が最も近端に位置するマーカ）をｉ＝１として、マーカ番号ｉ（ｉ＝１〜６）が付されている。

アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６には、前記表示部６０の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する前記増幅部５７の利得（ａ）と前記平均加算処理部５８の加算回数（ｍ）の組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉが記憶されている。

具体的には、図７に例示するように、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６には、マーカ番号ｉ毎に、マーカ番号ｉ（ｉ＝１〜６）に対応したアッテネータ（ＡＴＴ）値として設定されるアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成している増幅部５７の利得ａと平均加算処理部５８の平均加算回数ｍの組合せ、及び、アッテネータ（ＡＴＴ）値として設定される利得ａと平均加算回数ｍの組合せ毎に予め設定されるマーカ番号ｉ（ｉ＝１〜６）毎の有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）が記憶されている。

この場合、マーカ番号ｉ＝１のマーカには、増幅部５７の利得ａとして２００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^８が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−２５〜−４５が設定されている。

また、マーカ番号ｉ＝２のマーカには、増幅部５７の利得ａとして１００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^８が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−１０〜−３０が設定されている。

また、マーカ番号ｉ＝３のマーカには、増幅部５７の利得ａとして３００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^８が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−４０〜−６０が設定されている。

また、マーカ番号ｉ＝４のマーカには、増幅部５７の利得ａとして４００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^８が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−５５〜−７５が設定されている。

また、マーカ番号ｉ＝５のマーカには、増幅部５７の利得ａとして３００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^８が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−４０〜−６０が設定されている。

また、マーカ番号ｉ＝６のマーカには、増幅部５７の利得ａとして５００が設定され、平均加算処理部５８の平均加算回数ｍとして２^１０が設定され、有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として−７０〜−９０が設定されている。

すなわち、このような図７に示されているマーカ番号ｉ（ｉ＝１〜６）毎のアッテネータ（ＡＴＴ）値として設定される利得ａと平均加算回数ｍの組合せ毎に予め設定されるマーカ番号ｉ（ｉ＝１〜６）毎の有効測定レベル範囲ΔＬｉ（ｄＢｍ）として設定される数値は、図６に示されているように、マーカ１〜６の設定位置が測定地点からの距離として順次に遠ざかっていると共に、それらの波形レベルも順次に低下していることに対応して設定される数値となっている。

但し、この場合、マーカ番号ｉ＝２のマーカ及びマーカ番号ｉ＝５のマーカは、それぞれ隣接するマーカに比して高レベルの測定波形となっているので、その点を考慮した数値として設定されている。

なお、これらの各マーカに対して設定する数値は、図６の縦軸のレベル値及び横軸の測定地点からの距離値毎に予め区分けして割り当てておくことができる。

図１に戻って、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０は、マーカ指定部２で指示されたマーカ番号ｉに対応して、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶された利得ａと平均加算回数ｍの組合せの情報に基づいて、アッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する増幅部５７の利得ａと平均加算処理部５８の平均加算回数ｍを設定する。

マーカレベル取得部５は、マーカ指定部２の指示を受けて、マーカ番号ｉに対応したアッテネータ（ＡＴＴ）値の設定条件で測定されて波形メモリ６２に記憶されている波形データから、マーカ指定部２で選択されたマーカ番号ｉの波形レベルを取得する。

レベル比較部８は、マーカレベル取得部５によって取得されたマーカ番号ｉの波形レベルが、マーカ番号ｉに対応して現在アッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定されているアッテネータ（ＡＴＴ）値に対応する有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれているか否かをレベル比較によって判定する。

アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９は、レベル比較部８によるレベル比較による判定結果に基づき、現在アッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定されているアッテネータ（ＡＴＴ）値の設定条件の変更が必要か否かを判定している。

この場合、アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９は、前記レベル比較部８により、前記取得された波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内にないと判定されたときに、現在アッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定されているアッテネータ（ＡＴＴ）値の設定条件の変更が必要であると判定する。

そして、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部７は、アッテネータ（ＡＴＴ）値変更判定部９により現在アッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定されているアッテネータ（ＡＴＴ）値の設定条件の変更が必要であると判定されたとき、それまでのアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件をマーカレベル取得部５が取得した波形レベルが前記有効測定レベル範囲ΔＬｉ内に含まれる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件に変更する。

このアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部７によって変更された新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件は、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に更新記憶されると共に、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０により測定対象であるマーカｉに対応するアッテネータ（ＡＴＴ）１１のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件が変更される。

なお、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部７は、前述した特許文献１のように測定波形からＳ／Ｎを算出して有効測定レベル範囲を求めるようにしても良い。

あるいは、アッテネータ（ＡＴＴ）値毎に波形が飽和するレベルを計算し、そのレベルから１つ低いレベルの波形を測定できるアッテネータ（ＡＴＴ）値での波形が飽和するレベルまでを有効測定レベル範囲とするようにしても良い。

あるいは、予め実験等で求めたアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件（ａ，ｍ）と有効測定レベル範囲をアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６等のメモリに記憶しておき、その中からアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を選択するようにしても良い。

また、上記いずれの場合でも、アッテネータ（ＡＴＴ）値毎の有効測定レベル範囲の境界で一部重複するように設定することにより、有効測定レベル範囲の境界付近でアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件（ａ，ｍ）の変更が頻繁に起こらないようにしても良い。

測定頻度記憶部１４は、マーカ番号ｉ毎に、対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件で連続して測定する回数を示す測定頻度（Ｎｉｍａｘ）を記憶している。

図８は、測定頻度記憶部１４の記憶内容の一例を説明するために示す図である。

図８において、マーカ番号ｉは、図６に示される測定波形上のマーカと同じマーカ番号を示している。

次に、この図８の測定頻度による測定動作を説明する。

本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、制御部３の制御の下に、マーカ番号１のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件で２回連続して測定と画面表示を行なった後、マーカ番号２のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件で５回連続して測定と画面表示を行い、次に、マーカ番号３のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件で１回のみ測定と画面表示を行い、以後、同様にマーカ番号４、５、６について、順次、測定と画面表示を行う。

そして、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、制御部３の制御の下に、マーカ番号１〜６の測定を１サイクルとして前述したような測定を繰り返す。

レベル変動検出部１２は、マーカレベル取得部５によって取得されたマーカの波形レベルの変動の有無を、例えば、前回の測定時に取得されたマーカの波形レベルとの比較により検出する。

測定頻度設定部１３は、レベル変動検出部１２によるマーカの波形レベルの変動の有無に応じて、測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度を最適な回数に増減して変更する。

この場合、測定頻度設定部１３は、例えば、レベル変動検出部１２によるマーカの波形レベルの変動量が大きいときには、測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度を増やし、変動量が小さいときは測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度を少なくするようになされている。

また、測定波形上に表示されたマーカであっても、操作部６４及び制御部３を介して指示される測定者の指示等により測定が不要とされたマーカ番号ｉに対応して測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度を０回とすることにより、必要なマーカ（例えば、後述するフレネル反射をリアルタイム測定するときのように、２点間のレベル差を測定する場合のその２点を示すマーカ）の波形レベルをリアルタイムで測定することができる。

次に、上記構成による光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１による具体的な測定例として表示部６０の画面上に設定されている一つのマーカが移動された場合の波形観測について図５Ａ，Ｂを参照しながら説明する。

図５Ａは、表示部６０の画面上に表示されているにおけるフレネル反射の頂点の位置に一つのマーカがマーカ設定部６３によって設定されている状態を示している。

そして、この状態から、図５Ｂに示すように、当該マーカがマーカ設定部６３によってフレネル反射の頂点の位置からフレネル反射の直前の裾部分の位置に移動された場合を想定する。

この場合、上述したように、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１では、移動されたマーカの位置に対応する最適のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件でリアルタイム測定が行われる。

この結果、図５Ｂに示すように、当該移動されたマーカの位置に対応する部分のＳＮ比が所定値以上となるように改善された測定波形が表示される。

従って、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１では、マーカ設定部６３によって、前記測定波形上の第１の位置に設定されているマーカが前記測定波形上でＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカに対応するアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を最適値に設定して測定を行うことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記波形データに基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことが可能となる。

次に、本発明に係る光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１でフレネル反射をリアルタイム測定するときの波形合成例を図５Ｃ，Ｄ，Ｅを参照して説明する。

図５Ｃは、マーカ番号１のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件でリアルタイム測定した測定波形を示している。

図５Ｄは、マーカ番号２のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件でリアルタイム測定した測定波形を示している。

図５Ｅは、図５Ｃと図５Ｄのそれぞれの有効測定範囲にある波形データを波形合成部４で合成して表示部６０の画面上に表示した測定波形を示している。

図５Ｃに示される測定波形では、フレネル反射の頂点のレベル（マーカ１）が飽和していることにより、正しく測定することができない。

また、図５Ｄに示される測定波形では、フレネル反射の直前の裾部分のレベル（マーカ２）がノイズに埋もれていることにより、正しく測定することができない。

これに対し、図５Ｅに示される合成された測定波形では、フレネル反射（マーカ１とマーカ２のレベル差）を正確に測定することができる。

なお、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅにおいて、ΔＬ１、ΔＬ２は、波形合成の理解を助けるため便宜上、それぞれ有効測定範囲のレンジを示したもので、実際の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１の表示部６０の画面上には表示されない。

また、このような波形合成は、全測定範囲を対象とするアベレージ測定と異なり、必要最小限の測定範囲（ΔＬ１とΔＬ２）のみを対象としてアッテネータ（ＡＴＴ）値を設定してそれぞれリアルタイム測定した波形を合成するので、ほぼリアルタイムに近い測定でレベル差の大きな波形の評価を行うことができる。

従って、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１では、マーカ設定部６３によって前記測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカと、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカとを含むとき、前記第１のマーカ及び第２のマーカに対応する各アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を順次設定して測定を繰返すことにより、前記表示部６０の画面上に表示される前記合成された各波形データに基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルとを所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測することが可能となる。

次に、上記構成による光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１の動作について図２乃至図４Ａ，Ｂ，Ｃを参照しながら説明する。

上記構成による光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１では、操作部６４を介して測定者によるリアルタイム測定開始が指示されると、制御部３の制御の下に、図２に示すようにリアルタイム測定がスタートされる。

但し、説明の都合上、リアルタイム測定のスタートに先立ってマーカ設定部６３によって測定波形上に複数のマーカ（マーカ番号ｉ＝１〜６が付されている６個のマーカ）が予め設定されているか、または前回のリアルタイム測定の際に設定された複数のマーカ（マーカ番号ｉ＝１〜６が付されている６個のマーカ）が設定されているものとする。

また、これにより、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６には、マーカ設定部６３によって測定波形上に設定される複数のマーカ（マーカ番号ｉ＝１〜６が付されている６個のマーカ）のそれぞれに対応して、等価的なアッテネータ（ＡＴＴ）１１を構成する増幅部５７の利得ａと平均加算処理部５８の加算回数ｍの組合わせからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件、及び、該複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件毎に対応して予め設定される有効測定レベル範囲ΔＬｉが記憶されているものとする。

まず、制御部３は、マーカ指定部２を介してマーカ番号ｉを１に初期化する（ステップＳＴ１）。

次に、制御部３は、後述するようにマーカ番号ｉの変更が自動的になされるか、または操作部６４を介してマーカ指定部２によるマーカ番号ｉの変更（またはマーカ設定部６３によるマーカの移動操作）がなされると（ステップＳＴ２）、図３のマーカ番号ｉのマーカ位置に測定レベルを合わせた測定処理（マーカ位置測定処理）のサブルーチンに移行する（ステップＳＴ３）。

図３に示すマーカ位置測定処理のサブルーチンでは、制御部３は、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定部１０により、ステップＳＴ２のマーカ番号ｉの変更に対応してアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されているマーカ番号ｉに対応するリアルタイム測定のためのアッテネータ（ＡＴＴ）値設定値（増幅部利得ａ、平均加算回数ｍ）をアッテネータ（ＡＴＴ）１１に設定させる（ステップＳＴ１１）。

そして、制御部３は、光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１によるリアルタイム測定を実施させることにより、波形データを取得させると共に、この取得したマーカ番号ｉにおける波形データを波形メモリ６２に記憶させる（ステップＳＴ１２）。

次に、制御部３は、波形メモリ６２に記憶されているマーカ番号ｉのマーカ位置の波形レベルをマーカレベル取得部５により取得させる（ステップＳＴ１３）。

そして、制御部３は、取得した波形レベルと、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に記憶されたマーカ番号ｉの有効測定レベル範囲ΔＬｉとをレベル比較部８により比較させる（ステップＳＴ１４）。

そして、制御部３は、取得したマーカ番号ｉのマーカ位置の波形レベルが有効測定レベル範囲内のレベルであるとレベル比較部８により判断されたとき（ステップＳＴ１４−ＯＫ）、このサブルーチンを終了させて、図２のマーカ番号ｉの変更有無判別処理（ステップＳＴ４）に移行させる。

なお、マーカ番号ｉの変更有無判別処理（ステップＳＴ４）は、マーカ番号ｉの変更有無判定処理としてサブルーチン化されているが、これについては図４Ａ，Ｂ，Ｃを参照して後述するものとする。

これに対し、制御部３は、レベル比較部８によりマーカ番号ｉのマーカ位置の波形レベルが、マーカ番号ｉの有効測定レベル範囲内に含まれないと判断されたとき（ステップＳＴ１４−ＮＧ）、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件変更部７により、その波形レベルが有効測定レベル範囲内に含まれることになる新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件（増幅部利得ａ、平均加算回数ｍ）に変更させると共に、この新たなアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件（増幅部利得ａ、平均加算回数ｍ）をアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件記憶部６に更新記憶させ（ステップＳＴ１６）た後、このサブルーチンを終了させて、図２のマーカ番号ｉの変更有無判別処理（ステップＳＴ４）に移行させる。

そして、制御部３は、図２のマーカ番号ｉの変更有無判別処理（ステップＳＴ４）において、マーカ番号ｉの変更の必要なしと判断すると（ステップＳＴ４−Ｎｏ）、波形メモリ６２に記憶されているマーカ番号ｉ毎の測定波形を読み出して、波形合成部４に対し読み出された複数の測定波形の合成処理をさせる（ステップＳＴ５）。

そして、制御部３は、この合成処理された測定波形を表示部６０の画面上に表示させ（ステップＳＴ６）た後、上記マーカ番号ｉのマーカ位置に測定レベルを合わせた測定処理（マーカ位置測定処理）（ステップＳＴ３）のサブルーチンに移行して、上述したような処理を繰り返す。

また、制御部３は、ステップＳＴ４において、マーカ番号ｉの変更が必要であると判断すると（ステップＳＴ４−Ｙｅｓ）、マーカ番号ｉをｉ＝ｉ＋１にインクリメントし（ステップＳＴ７）、そのインクリメントされたマーカ番号ｉが測定波形上に設定されているマーカの個数（この例では６個）を超えているか否かを判別する（ステップＳＴ８）。

そして、制御部３は、ステップＳＴ８において、インクリメントされたマーカ番号ｉがマーカの設定個数を超えていると判断すると（ステップＳＴ８−Ｙｅｓ）、マーカ番号ｉをｉ＝１に書き替え（ステップＳＴ９）た後、波形メモリ６２に記憶されているマーカ番号ｉ毎の測定波形を読み出して、波形合成部４に対し読み出された複数の測定波形の合成処理をさせる（ステップＳＴ５）。

そして、制御部３は、この合成処理された測定波形を表示部６０の画面上に表示させ（ステップＳＴ６）た後、上記マーカ番号ｉのマーカ位置に測定レベルを合わせた測定処理（マーカ位置測定処理）（ステップＳＴ３）のサブルーチンに移行して、上述したような処理を繰り返す。

なお、制御部３は、ステップＳＴ８において、インクリメントされたマーカ番号ｉがマーカの設定個数を超えていないと判断すると（ステップＳＴ８−Ｎｏ）、波形メモリ６２に記憶されているマーカ番号ｉ毎の測定波形を読み出して、波形合成部４に対し読み出された複数の測定波形の合成処理をさせる（ステップＳＴ５）。

そして、制御部３は、この合成処理された測定波形を表示部６０の画面上に表示させ（ステップＳＴ６）た後、上記マーカ番号ｉのマーカ位置に測定レベルを合わせた測定処理（マーカ位置測定処理）（ステップＳＴ３）のサブルーチンに移行して、上述したような処理を繰り返す。

ここで、上述したステップＳＴ４におけるマーカ番号ｉの変更有無判別処理は、以下の３つの場合に分別される。

（１）マーカ番号ｉ（ｉ＝１，２，３，…）の順に測定波形を交互に測定する場合。

（２）いずれのマーカの波形レベルにも、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要な程度のレベル変動がない場合に、マーカ番号ｉを順に変更して測定波形を交互に測定し、いずれかのマーカ番号ｉの波形レベルに、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要な大きさのレベル変動がある場合において、そのマーカ番号ｉについて連続して測定する場合。

（３）いずれのマーカ番号ｉの波形レベルにも、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件のアッテネータの設定変更が必要な程度のレベル変動がない場合に、予め指定された特定のマーカ番号ｉの測定頻度を上げて測定し（その特定のマーカ番号ｉ以外のマーカ番号については、特定マーカ番号ｉの測定回数に対して１回の割合で測定を行う）、いずれかのマーカ番号ｉの波形レベルにアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要となる大きさのレベル変動がある場合において、そのマーカ番号ｉについて連続して測定する場合。

そこで、本発明が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１では、上記（１）〜（３）の場合について、選択的な対応を可能とするために、図４Ａ，Ｂ，Ｃに示すマーカ番号ｉの変更有無判別処理を選択的に実行可能とするようにしている。

図４Ａは、上記（１）の場合についてのマーカ番号ｉの変更有無判別処理を示すフローチャートである。

すなわち、図４Ａは、マーカ番号ｉ（ｉ＝１，２，３，…）の順にマーカ番号ｉを自動的に変更して測定波形を交互に測定する場合であるので、このマーカ番号ｉの変更有無処理（ステップＳＴ４）では、制御部３は、直ちにマーカ番号ｉの変更が必要（ステップＳＴ４１）として、処理を終了する。

図４Ｂは、上記（２）の場合についてのマーカ番号ｉの変更有無判別処理を示すフローチャートである。

すなわち、図４Ｂは、いずれのマーカの波形レベルにも、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要な程度のレベル変動がない場合に、マーカ番号ｉを順に変更して測定波形を交互に測定し、いずれかのマーカ番号ｉの波形レベルに、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要な大きさのレベル変動がある場合において、そのマーカ番号ｉについて連続して測定する場合であるので、このマーカ番号ｉの変更有無処理（ステップＳＴ４）では、制御部３は、まず、上述したようにして波形メモリ６２からマーカレベル取得部５を介して取得されたマーカ番号ｉの波形レベルに変動が有るか否かをレベル変動検出部１２により判別させる（ステップＳＴ２１）。

そして、制御部３は、レベル変動検出部１２によりレベル変動有りと判断されると（ステップＳＴ２１−Ｙｅｓ）、測定頻度設定部１３を介して測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度（測定回数）ｎi をｎi ＝１に書き換え（ステップＳＴ２２）た後、マーカ番号ｉの変更は不要と判断し（ステップＳＴ２３）、マーカ番号ｉの変更有無判別処理を終了する。

これに対し、制御部３は、レベル変動検出部１２によりマーカ番号ｉの波形レベルに変動がないと判断されると（ステップＳＴ２１−Ｎｏ）、マーカ番号ｉの変更が必要と判断し（ステップＳＴ２４）、マーカ番号ｉの変更有無判別処理を終了する。

図４Ｃは、上記（３）の場合についてのマーカ番号ｉの変更有無判別処理を示すフローチャートである。

すなわち、図４Ｃは、いずれのマーカ番号ｉの波形レベルにも、アッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件のアッテネータの設定変更が必要な程度のレベル変動がない場合に、予め指定された特定のマーカ番号ｉの測定頻度を上げて測定し（その特定のマーカ番号ｉ以外のマーカ番号については、特定マーカ番号ｉの測定回数に対して１回の割合で測定を行う）、いずれかのマーカ番号ｉの波形レベルにアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の変更が必要となる大きさのレベル変動がある場合において、そのマーカ番号ｉについて連続して測定する場合であるので、このマーカ番号ｉの変更有無処理（ステップＳＴ４）では、制御部３は、まず、上述したようにして波形メモリ６２からマーカレベル取得部５を介して取得されたマーカ番号ｉの波形レベルに変動が有るか否かをレベル変動検出部１２により判別させる（ステップＳＴ３１）。

そして、制御部３は、レベル変動検出部１２によりレベル変動有りと判断されると（ステップＳＴ３１−Ｙｅｓ）、測定頻度設定部１３を介して測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度（測定回数）ｎi をｎi ＝１に書き換え（ステップＳＴ３２）た後、マーカ番号ｉの変更は不要と判断し（ステップＳＴ３３）、マーカ番号ｉの変更有無判別処理を終了する。

これに対し、制御部３は、レベル変動検出部１２によりマーカ番号ｉの波形レベルに変動がないと判断されると（ステップＳＴ３１−Ｎｏ）、測定頻度設定部１３を介して測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度（測定回数）ｎi をｎi ＝ｎi ＋１に書き換え（ステップＳＴ３５）、その測定回数が測定頻度Ｎｉｍａｘを超えているか否かを判断する（ステップＳＴ３６）。

そして、制御部３は、測定回数ｎi が測定頻度Ｎｉｍａｘを超えていないと判断した場合には（ステップＳＴ３６−Ｎｏ）、マーカ番号ｉの変更は不要と判断し（ステップＳＴ３２）、マーカ番号ｉの変更有無判別処理を終了する。

これに対し、制御部３は、測定回数ｎi が測定頻度Ｎｉｍａｘを超えていると判断した場合には（ステップＳＴ３６−Ｙｅｓ）、測定頻度設定部１３を介して測定頻度記憶部１４に記憶されている測定頻度（測定回数）ｎi をｎi ＝１に書き換え（ステップＳＴ３７）た後、マーカ番号ｉの変更が必要であると判断して（ステップＳＴ３４）、マーカ番号ｉの変更有無判別処理を終了する。

ここで、測定頻度Ｎｉｍａｘは、図８に例示するように、マーカ番号ｉ毎に設定されて測定頻度記憶部１４に記憶されている。

そして、この測定頻度Ｎｉｍａｘは、測定者が操作部６４の対応する操作部材を操作することによって、制御部３を介して測定頻度記憶部１４に任意の値としてに設定することができる。

そして、この測定頻度Ｎｉｍａｘについては、制御部３により、レベル変動があったマーカ番号ｉについて、重点的に監視するため、そのマーカ番号ｉの測定頻度Ｎｉｍａｘを一時的に上げるように自動的に設定することもできる。

図８の例では、フレネル反射のレベル変動を重点的に測定するために、フレネル反射の頂点と近傍のマーカ番号ｉ（ｉ＝１，２，４，５）の測定頻度Ｎｉｍａｘを、他のマーカ番号よりも大きく設定している。

そして、制御部３は、上記マーカ番号ｉの変更有無判別処理によってマーカ番号ｉの変更が不要であると判断したときには、図２のステップＳＴ５の処理に移行する。

これに対し、制御部３は、マーカ番号ｉの変更が必要であると判断したときには、図２のステップＳＴ７（マーカ番号ｉをｉ＝ｉ＋１に書き替え）の処理に移行する。

以上のように、本発明の一実施形態によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法が適用される光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、リアルタイム測定時において、マーカ番号ｉによって測定位置が指定されたときに、そのマーカ番号ｉの波形レベルが現在選択されているアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件の有効測定レベル範囲内にあるか否かを判別し、有効測定レベル範囲内にないと判断したときには有効測定レベル範囲内に収まる最適なアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を自動的に設定し、所定値以上のＳＮ比が良い状態で波形観測が可能となるようにしている。

また、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）は、リアルタイム測定時において、波形上に設定された複数のマーカに対して、各マーカの位置する波形レベルに応じてそれぞれ最適なアッテネータ（ＡＴＴ）値を、測定毎に、自動的に設定し、それぞれの測定波形を合成処理して表示するようにしている。

さらには、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、複数のマーカについて、各々のマーカの波形レベルの変動量に応じて自動的に、あるいは、測定者による設定に基づいて、各々のマーカの測定頻度を独立して可変できるようにすることにより、マーカ間の測定頻度に差を持たせるようにしている。

これにより、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、リアルタイム測定時においても、複数のマーカ（少なくとも２つのマーカ）を設定すれば、各マーカのそれぞれに連動して最適なアッテネータを自動的に選択設定して測定レベルを変更するので、広範囲にわたって所定値以上のＳＮ比の良い状態で測定波形を観測することができる。

そして、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、特にフレネル反射の直前の波形レベルと、フレネル反射の頂点のレベルとが所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測することが可能となり、反射減衰量の変化をほぼリアルタイムで観察することができる。

その結果、測定対象のレベル差の大きい反射減衰量の測定をリアルタイムで容易に行なうことができる。

しかも、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、測定波形のレベルに合わせて手動でアッテネータ（利得や平均加算回数）を適宜調節する必要も無く、ユーザが表示画面上のマーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形を所定値以上のＳＮ比の良い状態で観測することができる。

さらに、以上のような本発明の光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１は、複数のマーカについて、各々のマーカの波形レベルの変動量に応じて、各々のマーカの測定頻度を独立して可変できるようにし、マーカ間の測定頻度に差を持たせることによって、フレネル反射のようにレベル差の大きな反射減衰量の測定であっても、レベル変動が生じたマーカについて一時的に測定頻度を上げることで、測定波形の変化に迅速に対応したリアルタイム測定を実現することができる。

なお、本発明は、上記し且つ図示した実施の形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が適用が可能であることはいうまでもない、
例えば、上記し且つ図示した実施の形態による光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１のように、リアルタイム測定時において、複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件を時間的に切り替えて複数回の測定を行うのでなく、複数のアッテネータ（ＡＴＴ）値設定条件が各別に設定されている複数のアッテネータ（ＡＴＴ）を設けて同時に１回の測定を行うことにより、上述したような測定レベル変更機能を有する光パルス試験器（ＯＴＤＲ）１を実現することも可能である。

また、表示部の画面上に表示される測定波形上に設定するマーカは、図示のような矢印状のマーカに限らず、測定波形を垂直方向に横切る直線状のマーカを含む任意の形状のマーカを適宜採用することができる。

従って、以上詳述したような本発明によれば、リアルタイム測定において、表示部に表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、アッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことができるようにすると共に、被測定光ファイバ光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うことができるようにしたオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法を提供することができる。

本発明によるオプチカルタイムドメインリフレクトメータ及び光パルスを用いる光ファイバの試験方法は、リアルタイム測定において、表示部に表示させる測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、アッテネータ（ＡＴＴ）値を最適値に設定して被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、マーカを目的位置に移動するだけで所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことができるようにすると共に、被測定光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うことができるので、被測定光ファイバの状況・変化を観察するための測定に適しており、特に、光ファイバの敷設工事において、例えば、コネクタ接続や融着による光ファイバの接続を行いながら、その光ファイバの接続状態の善し悪しをチェックする場合のように、即応性が必要な用途に用いることができる。

Claims (12)

1. 被測定光ファイバに入射させる光パルスを出射する光源と、
   前記光源から出射される光パルスに応じて、前記被測定光ファイバから戻ってくる後方散乱光を受光する受光部と、
   前記受光部からの出力信号を所定の利得で増幅する増幅部及び該増幅部によって増幅された出力信号を所定回数加算して平均化処理する平均加算処理部から構成される等価的なアッテネータと、
   前記等価的なアッテネータからの出力信号を対数変換する対数変換部と、
   前記対数変換部からの出力信号を波形データとして記憶する波形メモリと、
   前記波形メモリに記憶された波形データを読み出して測定波形として画面上に表示する表示部と、
   前記表示部の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを設定すると共に、当該マーカの設定位置を移動可能とするマーカ設定部と、
   前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータを構成する前記増幅部の利得と前記平均加算処理部の加算回数の組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ値設定条件、及び、該複数のアッテネータ値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲を記憶するアッテネータ値設定条件記憶部と、
   前記表示部の画面上に表示される測定波形上に前記マーカ設定部によって移動可能に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリに記憶された波形データから取得するマーカレベル取得部と、
   前記マーカレベル取得部によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記有効測定レベル範囲内にあるか否かを判定するレベル比較部と、
   前記レベル比較部により、前記マーカレベル取得部によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記有効測定レベル範囲内にないと判定されたときに、前記アッテネータ値設定条件の変更を決定するアッテネータ値変更判定部と、
   前記アッテネータ値変更判定部からの変更決定を受けて、前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記アッテネータ値設定条件を前記マーカレベル取得部によって取得された前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲内に含まれる新たなアッテネータ値設定条件に変更するアッテネータ値設定条件変更部と、
   前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ値設定条件を前記等価的なアッテネータに設定するアッテネータ値設定部と、
   前記アッテネータ値設定部によって前記等価的なアッテネータに設定される前記アッテネータ値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバに対する測定を行わせることにより、前記波形メモリに記憶された波形データを読み出して前記表示部の画面上に逐次表示させることにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形を逐次更新するリアルタイム測定を可能とする制御部とを具備し、
   前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータに設定するアッテネータ値を最適値に設定して前記被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、前記マーカ設定部によって前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部の画面上に表示される測定波形に基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上の信号対雑音比（ＳＮ比）の良い状態で行うことを可能するオプチカルタイムドメインリフレクトメータにおいて、
   前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上における測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するマーカ指定部をさらに具備し、
   前記アッテネータ値設定条件記憶部には、前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータを構成する前記増幅部の利得と前記平均加算処理部の加算回数の組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ値設定条件、及び、該複数のアッテネータ値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲が記憶され、
   前記マーカレベル取得部は、前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記マーカ指定部によって指定された測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリに記憶された波形データから取得し、
   前記レベル比較部は、前記マーカレベル取得部によって取得される前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する有効測定レベル範囲内にあるか否かを判定し、
   前記アッテネータ値変更判定部は、前記レベル比較部により、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲内にないと判定されたときに、前記アッテネータ値設定条件の変更を決定し、
   前記アッテネータ値設定条件変更部は、前記アッテネータ値変更判定部からの変更決定を受けて、前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記アッテネータ値設定条件を前記マーカレベル取得部によって取得される前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲内に含まれる新たなアッテネータ値設定条件に変更し、
   前記アッテネータ値設定部は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ値設定条件を前記等価的なアッテネータに設定し、
   前記制御部は、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ値設定部によって前記等価的なアッテネータに設定される前記アッテネータ値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバに対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリに記憶された波形データを読み出して前記表示部の画面上に逐次表示することにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形を逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
   前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ値設定部によって前記等価的なアッテネータに設定された前記アッテネータ値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリから読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部の画面上に表示させる波形合成部をさらに具備し、
   前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上に設定される測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの各波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータに設定するアッテネータ値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定光ファイバに対する測定を繰返すことにより、前記表示部の画面上に表示される前記合成された各波形データの測定波形に基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うこと可能とするオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
2. 前記マーカ設定部によって、前記表示部の画面上における測定波形上の第１の位置に設定されたマーカが前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカに対応するアッテネータ値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形に基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする請求項１に記載のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
3. 前記マーカ設定部によって前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカが前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカと前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカとを含むとき、前記第１のマーカ及び前記第２のマーカに対応する各アッテネータ値設定条件を順次設定して前記被測定光ファイバに対する測定を繰返すことにより、前記表示部の画面上に表示される前記合成された各波形データの測定波形に基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルと、を所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うこと可能とする請求項１に記載のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
4. 前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度を記憶した測定頻度記憶部をさらに具備し、
   前記測定頻度記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度に基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ値設定条件により当該マーカに対する測定を繰り返し行った後、前記測定頻度記憶部に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度に基づいて、前記次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ値設定条件により前記次のマーカに対する測定を繰り返し行う請求項１に記載のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
5. 前記マーカレベル取得部によって取得された前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するレベル変動検出部と、
   前記レベル変動検出部によって検出される前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更する測定頻度設定部とをさらに具備する請求項４に記載のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
6. 前記波形合成部は、前記繰返し測定によって得られる波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レベル範囲内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、前記各波形データの合成を行う請求項４に記載のオプチカルタイムドメインリフレクトメータ。
7. 被測定光ファイバに光パルスを入射させるステップと、
   前記被測定光ファイバから戻ってくる後方散乱光を受光して電気信号に変換するステップと、
   前記電気信号を増幅部によって所定の利得で増幅するステップと、
   前記増幅部によって増幅された出力信号を前記増幅部と共に等価的なアッテネータを構成する平均加算処理部によって所定回数加算して平均化処理するステップと、
   前記等価的なアッテネータからの出力信号を対数変換部によって対数変換するステップと、
   前記対数変換部からの出力信号を波形データとして波形メモリに記憶するステップと、
   前記波形メモリに記憶された波形データを読み出して測定波形として表示部の画面上に表示するステップと、
   前記表示部の画面上に表示される測定波形上に任意にマーカを移動可能に設定するステップと、
   前記表示部の画面上における測定波形上に設定される前記マーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータを構成する前記増幅部の利得と前記平均加算処理部の加算回数の組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ値設定条件、及び、該複数のアッテネータ値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲をアッテネータ値設定条件記憶部に記憶するステップと、
   前記表示部の画面上に表示される測定波形上に任意に設定されるマーカの設定位置における波形レベルを前記波形メモリに記憶された波形データから取得するステップと、
   前記波形メモリに記憶された波形データから取得される前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記有効測定レベル範囲内にあるか否かを判定するステップと、
   前記マーカの設定位置における波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記有効測定レベル範囲内にないと判定されたときに、前記アッテネータ値設定条件の変更を決定するステップと、
   前記アッテネータ値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記アッテネータ値設定条件を前記マーカの設定位置における波形レベルが前記有効測定レベル範囲内に含まれる新たなアッテネータ値設定条件に変更するステップと、
   前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ値設定条件を前記等価的なアッテネータに設定するステップと、
   前記等価的なアッテネータに設定される前記アッテネータ値設定条件に基づいて前記被測定光ファイバに対する測定を行わせることにより、前記波形メモリに記憶された波形データを前記表示部の画面上に逐次表示することにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形を逐次更新するリアルタイム測定を可能とするステップとを具備し、
   前記表示部の画面上に設定される測定位置指定手段であるマーカの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータに設定するアッテネータ値を最適値に設定して前記被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、前記マーカを目的位置に移動するだけで前記表示部の画面上に表示される測定波形に基づいて所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする光パルスを用いる光ファイバの試験方法において、
   前記測定波形上に複数のマーカが任意に設定されたとき、前記複数のマーカの中から測定対象とするマーカを指定するステップをさらに具備し、
   前記アッテネータ値設定条件記憶部には、前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの設定位置毎に対応して予め設定されるもので、前記等価的なアッテネータを構成する前記増幅部の利得と前記平均加算処理部の加算回数の組合せからなるリアルタイム測定のための複数のアッテネータ値設定条件、及び、該複数のアッテネータ値設定条件毎に予め設定される有効測定レベル範囲が記憶されており、
   前記マーカの設定位置における波形レベルを取得するステップは、前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカの中から前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルを前記波形メモリに記憶された波形データから取得し、
   前記マーカの波形レベルを判定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲内にあるか否かを判定し、
   前記アッテネータ値設定条件の変更を決定するステップは、前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する有効測定レベル範囲内にないと判定されたときに、前記アッテネータ値設定条件の変更を決定し、
   前記アッテネータ値設定条件を変更するステップは、前記アッテネータ値設定条件の変更決定を受けて、前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている前記アッテネータ値設定条件を前記測定対象とするマーカの設定位置に対応する波形レベルが前記有効測定レベル範囲内に含まれる新たなアッテネータ値設定条件に変更し、
   前記等価的なアッテネータに設定するステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ値設定条件記憶部に記憶されている変更しなかった前記アッテネータ値設定条件または変更した前記新たなアッテネータ値設定条件を設定し、
   前記リアルタイム測定を可能とするステップは、前記測定対象とするマーカに対応して前記等価的なアッテネータに設定される前記アッテネータ値設定条件に基づいて前記被測定用光ファイバに対する測定を行わせることにより、前記測定対象とするマーカに対応して前記波形メモリに記憶された波形データを読み出して前記表示部の画面上に逐次表示することにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形を逐次更新するリアルタイム測定を可能とし、
   前記測定対象とするマーカに対応して前記アッテネータ値設定部によって前記等価的なアッテネータに設定された前記アッテネータ値設定条件に基づいた測定によって得られる前記測定対象とするマーカに対応する各波形データを前記波形メモリから読み出して合成し、合成された各波形データを前記表示部の画面上に表示させるステップをさらに具備し、
   前記表示部の画面上に表示させる測定位置指定手段である複数のマーカのそれぞれの波形レベルが予め設定される有効測定レベル範囲内にあるか否かの判定結果に基づいて、前記等価的なアッテネータに設定するアッテネータ値を前記複数のマーカのそれぞれに対応して最適値に順次設定して前記被測定用光ファイバに対する測定を繰返すことにより、前記表示部の画面上に表示される前記合成された各波形データの測定波形に基づいて広範囲にわたって所望の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とすると共に、前記被測定用光ファイバの状態変化に伴うレベル変動に自動的に追従して、測定波形のレベル差が大きい反射減衰量であっても容易に測定を行うこと可能とする光パルスを用いる光ファイバの試験方法。
8. 前記表示部の画面上における測定波形上の第１の位置に設定されたマーカが前記測定波形上で所定値以下のＳＮ比の悪い第２の位置に移動されたとき、前記第２の位置におけるマーカに対応するアッテネータ値設定条件を最適値に設定して前記被測定光ファイバに対する測定を行うことにより、前記表示部の画面上に表示される測定波形に基づいて前記第２の位置の波形観測を所定値以上のＳＮ比の良い状態で行うことを可能とする請求項７に記載の光パルスを用いる光ファイバの試験方法。
9. 前記表示部の画面上における測定波形上に設定される複数のマーカが、前記測定波形におけるフレネル反射の直前の位置に設定される第１のマーカと、前記測定波形におけるフレネル反射の頂点の位置に設定される第２のマーカとを含むとき、前記第１のマーカ及び第２のマーカに対応する各アッテネータ値設定条件を順次設定して前記被測定用光ファイバに対する測定を繰返すことにより、前記表示部の画面上に表示される前記合成された各波形データの測定波形に基づいて前記フレネル反射の直前の波形レベルと、前記フレネル反射の頂点のレベルと、を所定値以上のＳＮ比の良い状態で同時に観測を行うことを可能とする請求項７に記載の光パルスを用いる光ファイバの試験方法。
10. 前記複数のマーカ毎における連続繰り返し測定回数を示す測定頻度を測定頻度記憶部に記憶するステップをさらに具備し、
    前記測定頻度記憶部に記憶されている前記測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度に基づいて、前記測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ値設定条件により当該マーカに対する測定を繰り返し行った後、前記測定頻度記憶部に記憶されている次の測定対象とするマーカに対応する前記測定頻度に基づいて、前記次の測定対象とするマーカに対応する前記アッテネータ値設定条件により前記次のマーカに対する測定を繰り返し行う請求項７に記載の光パルスを用いる光ファイバの試験方法。
11. 前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動を検出するステップと、
    前記測定対象とするマーカに対応する波形レベルの変動の有無に応じて前記測定頻度記憶部に記憶されている該マーカに対応した測定頻度を変更するステップとをさらに具備する請求項１０に記載の光パルスを用いる光ファイバの試験方法。
12. 前記合成された各波形データを前記表示部の画面上に表示させるステップは、前記繰返し測定によって得られる波形データのうち前記測定対象とするマーカに対応する前記有効測定レベル範囲内に含まれる波形レベルの波形データのみを選択して、各波形データの合成を行う請求項１０に記載の光パルスを用いる光ファイバの試験方法。

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