JP4683852B2 - 光アイソレータ - Google Patents

Description

本発明は、光源から出射した光が各種光学素子や光ファイバに入射した際に生じる戻り光を除去する光アイソレータに関するものである。

光通信用モジュール等において、レーザ光源等の光源から出射した光は、各種光学素子や光ファイバに入射されるが、入射光の一部は各種光学素子や光ファイバの端面や内部で反射されたり散乱されたりする。この反射や散乱した光の一部は、戻り光として光源に戻ろうとするが、この戻り光を防止するために光アイソレータが用いられる。

従来、この種の光アイソレータは、２枚の偏光子の間に平板状のファラデー回転子を配置し、これら３つの部品を筒状の磁石内に部品ホルダを介して収納する構成であった。通常、ファラデー回転子は飽和磁界内において所定の波長をもつ光の偏光面を４５度回転する厚みに調整され、また２つの偏光子はそれぞれの透過偏光方向が４５度回転方向に相対的にずれるように回転調整されている。

このような構成の光アイソレータは、ファラデー回転子と２つの偏光子が別部品で素子ごとにホルダが必要であり、そのため部品点数が多くなり組立工数が多くなるばかりか各部品間の光学上の調整作業も煩雑で、コスト高を招くばかりか小型化も難しかった。また、光源モジュールに組み込む際に、飽和磁界を形成するための磁石の位置についての調整、すなわち、光アイソレータの偏波面の調整も必要となり実装が煩雑であった。

このため、ファラデー回転子と偏光子の光アイソレータ素子と、直方体の磁石を、平板状の基板に設置した光アイソレータが各種提案されている。

例えば、特許文献１には、図５に示すように従来の光アイソレータ１８が示されており、光アイソレータ１８はファラデー回転子１２、偏光子１３、１４の各光アイソレータ素子と直方体の磁石１７が、一枚の平板状の基板１６上に配置したものである。ここで偏光子１３、１４は、透過する光の一方向の偏波成分を吸収し、その偏波成分に直交する偏波成分を透過する機能を有し、また、ファラデー回転子１２は飽和磁界強度において所定波長の光の偏波面を約４５度回転する機能を有する。また２つの偏光子１３、１４は、基板１６に接するそれぞれの面を基準面とし、この基準面に対し透過偏波方向が０度および４５度となるように切り出されている。
特開平１３−９１８９９号公報

しかしながら特許文献１には光アイソレータ素子１１と基板１６や磁石１７と基板１６との接合方法については具体的な記載がなく、それらの接合方法によってはファラデー回転子１２、偏光子１３、１４の各光アイソレータ素子１１と磁石１７とを、一枚の基板１６上に配置すると、光アイソレータ素子１１の脱落、クラック接合強度の低下、光学特性の劣化が発生するという問題があった。

即ち、一枚の基板１６に光アイソレータ素子１１及び磁石７を配置させる場合には、ファラデー回転子１２は適切な飽和磁界強度を示す中に置く必要があることから、磁界を形成する磁石１７の大きさを最適に設計した上で磁石７の側面が光アイソレータ素子１１の各構成部品の側面に対峙して近接配置させなければならず、近接配置した場合には、磁石１７を基板１６に固定する接合材１５ｂが、光アイソレータ素子１１及び光アイソレータ素子１１を接合する接合材１５ａに接触してしまうものであった。

これは、近年、光部品の小型化の要求に伴って光アイソレータが小型化されてきたためであり、磁石７の適切な飽和磁界強度を得るために小さくすることに限界があるので、小型化するためには磁石７と光アイソレータ素子１１の互いの側面同士の距離を短くしなければならないからである。

従って、基板１６に接合材１５を付着させて光アイソレータ素子１１、磁石１７を配置した後、高温で溶融固着し、その後に冷却すると、磁石１７は、一般的に光アイソレータを構成する部材の熱膨張係数が最も大きく、かつ、接合面積の割合も大きいので、体積収縮の影響が、隣接する光アイソレータ素子１１に大きく作用し、特にファラデー回転子１２は磁石１７と熱膨張係数が大きく異なるビスマス置換ガーネット単結晶を用いるため、磁石１７が高温下で接合後に冷却されると、その体積収縮が著しく、接合材１５や基板１６を介して光アイソレータ素子１１、特にファラデー回転子に応力を与え、光アイソレータ素子１１を基板１６から脱落させ、又は光アイソレータ素子１１にクラックを引き起こしたり、光アイソレータ１８のアイソレーション特性を劣化させたりする場合があった。こうした背景から、小型化したとしても簡易で高性能な構造が望まれていた。

本発明はこれらの課題に鑑みて案出されたものであり、基板上に、平板状のファラデー回転子と偏光子からなる光アイソレータ素子と、該光アイソレータ素子と互いの側面が対峙して近接配置するとともに前記ファラデー回転子に磁界を与える磁石とを接合材を介して固定してなる光アイソレータにおいて、前記磁石は、前記磁石の固定面の一部から突出した凸部が前記基板に接合されて固定されており、前記凸部は、前記光アイソレータ素子と対峙する前記磁石の側面と反対側の第２の側面寄りに、前記光アイソレータ素子と隔てて形成されているとともに、前記第２の側面と隣接する一対の端面側に沿わせて形成されており、該一対の端面側に沿わせた部分と前記第２の側面寄り部分との間の屈曲部が曲面に形成されていることを特徴とする。

さらに、本発明の光アイソレータは、前記光アイソレータ素子と基板との間には、前記光アイソレータ素子の熱膨張係数に近似したコア基板が介在していることを特徴とする。

本発明の構成によれば、磁石の基板と対向する面に、その一部が突出した凸部が前記基板に接合されているので、磁石を小型化することなく適切な飽和磁界強度を示しながら基板の接合面積を小さくすることができるので、磁石の冷却収縮による応力が基板や接合材に与える影響を低減させることができる。

また、磁石に形成される凸部の側面と、その側面に対峙する光アイソレータ素子の側面との距離が磁石及び光アイソレータ素子の互いに対峙する側面間の距離よりも長くなるように形成されているので、光アイソレータ素子を接合する接合材と、一般的な光アイソレータの構成部品の中で熱膨張係数が最も高い磁石を接合する接合材とを隔離して接合させることができるため、磁石の接合材を介して光アイソレータ素子に応力を加えることを有効に阻止することができる。

この場合、前記磁石の固定面に形成される凸部を第２の側面よりに形成すると、基板上でそれぞれの接合材同士が完全に離間させることができ、接合時の磁石により顕著に発生する応力が光アイソレータ素子、特にファラデー回転子２に、より一層伝わりにくくなり、良好な光学特性が得られるものである。

また、前記磁石の固定面に形成される凸部は、前記第２の側面と隣接する一対の端面側に形成することで、接合時の磁石により発生する応力を光アイソレータ素子に伝わりにくくするだけでなく、基板上の磁石が安定して配置させることが可能となる。

さらに光アイソレータ素子と基板との間に光アイソレータ素子の熱膨張係数に近似したコア基板が介在しているので、応力による影響を無視でき、これにより、光アイソレータ素子と磁石との距離を更に小さくすることができ、小型化が可能となるばかりか、基板の熱膨張係数を半導体モジュールのサブマウントなど実装相手の材質に合わせることが可能となり材料選択の範囲を増やすことができる。

以上のように、本発明では、小型化に設計しても、接合後に光アイソレータ素子が基板から脱落せず、光アイソレータ素子に割れや欠けが発生せず、ファラデー回転子の光学特性が劣化しない光アイソレータの製造が可能になる。

以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。

図１は、本発明の光アイソレータの実施形態を示す斜視図である。

図に示すように、光アイソレータ９は基板６上に光アイソレータ素子１及び磁石７の互いの側面１０ａ、７０ｂが対峙して近接配置させており、光アイソレータ素子１と磁石７はそれぞれ接合材５ａと５ｂで基板６に固定される。

基板６は、平面が長方形状の板状体からなり、その材質は、光アイソレータ９を半導体レーザモジュールに実装する実装方法によって選択され、たとえばＹＡＧ溶接で半導体レーザモジュールのサブマウントに固定する場合は、ステンレス、コバール、パーマロイ等の金属が選択され、また、半田による固定の場合は、前記金属、あるいはセラミック、ガラス等の実装面にたとえばＣｒ−Ｐｔ−ＡｕもしくはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕのメタライズ処理を施こした材料でも良い。

光アイソレータ素子１は、平板状のファラデー回転子２と、平板状の偏光子３、４とから構成される。配列順序としては１段型と呼ばれる光アイソレータの場合、周知の如く、光の出射方向に向かって偏光子３、ファラデー回転子２、偏光子４の順序で基板６の幅方向に配列されている。

偏光子３の透過偏波方向は、基板６の上面と平行な１辺（これを基準辺と呼ぶ）に対し平行な方向に設定されており、他方の偏光子４の透過偏波方向は、その基準辺に対して４５度の方向に設定されている。ここで、基板６の上面と偏光子３と偏光子４の基準辺を略一致させ固定することにより、偏光子３と偏光子４の透過偏波方向は回転調整することなく互いに４５度ずれた状態となり、ファラデー回転子２のファラデー回転角が略４５度の場合、最良の挿入損失特性とアイソレーション特性を得ることができる。

偏光子３、４は、入射する光の１方向の偏光成分を吸収する機能を有する吸収型偏光子、あるいは入射する光の１方向の偏光成分を分離または合成する複屈折性偏光子で構成される。吸収型偏光子は例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。例えば楕円体形の金属粒子がガラス内に分散された構造の偏光ガラスからなる。この偏光ガラスは長く延伸された金属粒子をガラス自身の中に一方向に配列させることにより偏光特性を持たせたガラスであり、金属粒子の延伸方向に垂直な偏波面を持つ光が透過し、平行な偏波面を持つ光は吸収される。

ファラデー回転子２は常温において入射した光の偏波方向が４５度回転する厚みに調整されている。また、光アイソレータ９に高いアイソレーションが要求される場合は、ファラデー回転子２の偏波回転角度４５＋α度に対し、偏光子３と偏光子４の回転ズレを４５−α度に精密に調整する必要があり、光を逆方向から（偏光子４側から）入射し、透過してくる光が最も小さくなるように偏光子２を回転調整する方法がある。そこであらかじめ偏光子３と偏光子４の透過偏波方向を４５−α度ずらして切り出し、例えば偏光子４の透過偏波方向を基準辺に対して４５−α度とすることも可能である。また、ファラデー回転子の偏波回転角の精度±αは光アイソレータの特性上、１度程度とすることが望ましく、また基板６の上面に精度良く設置する。

ファラデー回転子２は、例えば、ビスマス置換ガーネット結晶等で、その厚みは所定の波長をもつ入射光線の偏光面が４５度回転する様に設定する。一般に、偏波面を回転させるためには、入射光線の光軸方向に十分な磁界を印可することが必要であり、磁石７がファラデー回転子２の側面の両脇に配置されている。

ここでファラデー回転子２、偏光子３および偏光子４の両面は、屈折率ｎ＝１に対する反射防止膜が両面に施されており、偏光子３および偏光子４とファラデー回転子２が密着している場合は、偏光子が空気と接する入出射面には屈折率ｎ＝１に対する反射防止膜を施し、ファラデー回転子の両面には対偏光子の反射防止膜を施してある。

磁石７は、本発明の特徴部である磁石７の固定面の一部から突出した凸部７ａを形成している。そして、この凸部７ａが基板６に接合されている。これにより、磁石７を小型化することなく適切な飽和磁界強度を示しながら基板６との接合面積を小さくすることができる。

実際は、凸部７ａの面と基板６の表面とが接合材５ａを介して接合されているが、これに限定されず、基板６に凹部を形成し、凸部７ａと嵌合させることで接合するような構成にしても良い。これにより、充分な接合強度を維持させることが可能である。

また、磁石７の凸部７ａは、その側面７０ａと光アイソレータ素子の側面１０ａとの距離が磁石７の側面７０ｂ及び光アイソレータ素子１の側面１０ａの距離よりも長くなる位置に形成されている。従って、凸部７ａと光アイソレータ素子１との間には余裕空間が形成されており、この空間により、磁石７の接合材５ａと光アイソレータ素子１の接合材５ｂとに機能分離させて接合できるために、硬化の際に磁石の接合材７を介して光アイソレータ素子１に応力が加わることを有効に阻止することができる。

さらに、図１に示すように、磁石７に形成される凸部７ａが、固定面の側面７０ｃよりに形成されている。これによっても上述と同様に光アイソレータ素子１、特にファラデー回転子２に応力が加わることをほぼ完全に阻止することができる。

磁石７の凸部７ａの高さｈ（図２（ａ）で説明）は、接合材５ａの厚みが接合材材質により０．０３ｍｍ〜０．１ｍｍであることから０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍであれば好適である。これ以上高さｈを大きく取ると今度はファラデー回転子２に加わる磁界強度が不足する恐れがあるためである。

磁石７の材料としては、例えばサマリウムコバルト焼結磁石からなる材料が適している。また、磁石７は光アイソレータ素子１の両側に配置されており、磁石７には、ファラデー回転子２を通過する光軸方向の磁力線が最大になるような向きに磁極が配置されており、ファラデー回転子２が所定の波長をもつ入射光線の偏光面を４５度回転させるだけの磁界強度を有する。また、磁石７の形状はこれに限ることもなく、ファラデー回転子に所定の磁界強度を満足すれば、１個でも良く、基板６との当接面以外の形状は限定されない。

なお、磁石７は材料粉体をプレス加工の後、焼結され、表面には耐食性や耐衝撃性を向上させるために通常Ｎｉメッキが施される。サマリウムコバルト焼結磁石の場合は耐食性に優れているが、接合材に応じて適宜Ｎｉメッキが施される。

かくして、本発明の構成によれば、ファラデー回転子２の熱膨張係数は、一般的にビスマス置換ガーネットを用いるために約１０×１０^−６／℃、偏光子３、４は一般的にポーラコア（コーニング社の製品名）を用いるために熱膨張係数は約６．５×１０^−６／℃、また、磁石７は一般的にサマリウムコバルト焼結磁石を用いるために熱膨張係数は約１３×１０^−６／℃である。これら熱膨張係数の異なる部材を単一の基板６に堅固に実装したとしても磁石７の当接面に凸部７ａでのみ基板６が接合しているため、基板６上で接合材５ａと接合材５ｂとが互いに接触せず、磁石７により顕著に発生する応力が光アイソレータ素子１、特にファラデー回転子２に伝わりにくくなり、良好な光学特性が得られるものである。

図２は本発明の効果について説明した断面図である。

図２（ａ）は光アイソレータの平面図であり、磁石７とファラデー回転子２を通るＡ−Ａ断面の位置を表している。図２（ｂ）は従来の光アイソレータにおける接合時の収縮挙動を示す図を上述のＡ−Ａ断面の位置で切った場合の縦断面図である。図２（ｃ）は本発明の光アイソレータにおける部材収縮の様子を上述のＡ−Ａ断面の位置で切った場合の縦断面図である。

図２（ａ）では基板６の上面全面に接合材５が載っており、磁石７とファラデー回転子２が接合材５により固着されている様子を示す。図２（ｂ）は接合材５ａ、５ｂが基板６上で互いに接触せずに別領域に形成され、磁石７が接合材５ａによって、光アイソレータ素子１が接合材５ｂにより固着されている様子を示す。

物体は温度の上昇により膨張し、温度の降下により収縮する。温度１℃の変化によって生じる単位長さあたりの収縮量を熱膨張係数といい、これをαで表す。各接合部における応力は接合材の融点付近で発生し始め、ここから温度が下がるほど各残留応力は大きくなる。図中の磁石７、ファラデー回転子２内の矢印は各部材が温度降下時に収縮する方向を示している。

また、光アイソレータ素子１の内、ファラデー回転子２はその残留応力、特に引っ張り応力により、その消光比が大幅に低下することがわかっている。ファラデー回転子２の消光比とは、入射した直線偏波の光のうち、どれだけの光が直線偏波を保持したまま回転するかをパワーの比で表したものである。

以上から、図２（ａ）の構成では、熱膨張係数が大きい磁石７が接合材の融点温度から常温への温度降下にともない大きく収縮し、図中の矢印Ｆの方向に接合材５を介してファラデー回転子２を引っ張るため、ファラデー回転子の消光比の低下や、接合材５にクラックが発生するという問題が生じる。これに対し本発明の図２（ｂ）では接合材５ａと５ｂが分離しているため、磁石７の収縮にともなう影響をファラデー回転子が受けにくい構成となっており、ファラデー回転子の特性低下や接合材のクラックが発生しにくくなる。

図３は、本発明の光アイソレータの第２の実施形態を示す斜視図である。

本実施の形態の光アイソレータ１０は、図１の光アイソレータ９と比べて、基板６と光アイソレータ素子１との間にコア基板８を介在させている点が異なるものである。例えば基板６としてアルミナセラミックスを用い、ファラデー回転子としてビスマス置換ガーネット単結晶を用い、偏光子としてキューポ（ＨＯＹＡ株式会社の製品名）を用い、磁石としてサマリウムコバルト磁石を用いた条件においては、それらの部材の熱膨張係数が一番ガーネット結晶に近いジルコニアセラミックスをコア基板８として用いるのが適当である。

本構成によれば、コア基板８の熱膨張係数をファラデー回転子２に近いものを選択することにより、応力による影響を無視できるために、光アイソレータ素子１と磁石７との距離を更に小さくすることができ、小型化が可能となるばかりか、基板６の熱膨張係数を半導体モジュールのサブマウントなど実装相手の材質に合わせることが可能であり、材料選択の範囲が増えることになる。

本実施例も第一の実施例と同様の効果を有し、磁石７からの引っ張り応力を光アイソレータ素子１がさらに受けにくい構成である。

図４は、本発明の第３の実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大平面図である。本実施の形態の特徴は、突起部７ａが光アイソレータ素子１を取り囲むようにコ字状、逆コ字状に形成されているところにある。即ち、凸部７ａが、磁石７の固定面において、光アイソレータ素子１と対峙する磁石７の側面７０ｂとは反対側の側面７０ｃ側よりに形成され、かつ、側面７０ｃと隣接する磁石７の一対の端面７０ｄ側に形成されている。

これにより、光アイソレータ素子１のファラデー回転子に応力が加わることを阻止することができるだけでなく、基板６に磁石７を配置したとしても磁石７と基板６との接合面積を極めて小さくしながらファラデー回転子２との距離を大きくできるため基板６に対して磁石７が安定して配置され、アイソレータ素子１に発生する応力を低減させることができる。この場合、（ｂ）のように突出部７ａの屈曲部がＲに形成されている。これによって磁石７自体の屈曲部に集中して増大しやすい応力を低減させることができる。

本発明の実施例として図１に示した光アイソレータを試作し、特性の評価および信頼性試験を行った。各部品と構成について以下に説明する。

偏光子は、コーニング社製のポーラコア（製品名）を用い、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．２ｍｍのものを、互いの透過偏波方向は４５度ずらして光学調整の後に、１ｍｍ角に切り出した。このときの熱膨張係数が６．３４×１０^−６（１／℃）のものを用いた。

ファラデー回転子はビスマス置換ガーネットを用い、サイズは１０ｍｍ角で厚み０．４ｍｍのものを、１ｍｍ角に切り出した。この場合の飽和磁界強度中における偏波回転角は４５度であった。このときの熱膨張係数が１０．０×１０^−６（１／℃）のものを用いた。

偏光子、ファラデー回転子のいずれも波長１．５５μｍの光に対して動作する素子であり、偏光子、ファラデー回転子の両面には対空気（ｎ＝１）の反射防止膜を施す。また、偏光子とファラデー回転子の接合面となる一辺にはＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの多層金属膜を成膜した。

基板の材料にはジルコニアセラミックスを用い、その表面にもあらかじめＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの多層金属膜を成膜した。ジルコニアセラミックスの熱膨張係数は１０．５×１０^−６／℃で、ファラデー回転子の熱膨張係数とほぼ同じであり、ファラデー回転子に基板からの応力の影響を受けない構成とした。

基板のサイズは幅Ｗ＝３ｍｍ、長さＤ＝１．５ｍｍ、厚みｔ＝０．３ｍｍとした。また、基板上のほぼ中央部に幅Ｗ＝０．８ｍｍ、長さＤ＝１．２ｍｍのＡｕ／２０Ｓｎ箔ロウ材からなる接合材を置き、その接合材の両側に幅Ｗ＝０．７ｍｍ、長さＤ＝１．２ｍｍのＡｕ／２０Ｓｎ箔ロウ材からなる同じ接合材を置いた。２つの接合材は約０．５ｍｍの幅で分離させた。

磁石はサマリウムコバルトの材料が用いられ、幅Ｗ＝０．８ｍｍ、長さＤ＝１．４ｍｍ、厚みｔ＝１．４ｍｍの略直方体に形成したものを２個用いた。ロウ材の厚みは０．０３ｍｍを選択し、磁石の接合面の段差高さは０．２ｍｍとした。このときの熱膨張係数が光軸方向を６．５×１０^−６（１／℃）、光軸と垂直な方向を１３．０×１０^−６（１／℃）のものを用いた。

次に、図１に示すように基板上に光アイソレータ素子を配置するとともに、磁石を基板に載置し、３ｇの押圧を加えた状態のまま窒素雰囲気２８０℃で加熱溶融して光アイソレータ素子と磁石を基板に固定した。

このようにして５０個の光アイソレータを作製し、特性を測定した。その結果、すべての光アイソレータは、挿入損失が０．３ｄＢ以下、アイソレーションが３５ｄＢ以上の、良好で均一な特性を有することを確認した。従来の構成で試作した場合にアイソレーション特性の平均値が２３ｄＢと非常に低いのに対し、本発明による構成では平均値が４２ｄＢと高く良好な結果が得られた。

次に作製した光アイソレータの信頼性評価を行った。

試験は、Ｔｅｌｃｏｒｄｉａ１２２１に示される振動試験、衝撃試験、温度サイクル試験、高温保持試験、低温保持試験、高温高湿試験を実施し、すべての試験において、挿入損失の変化量が±０．２ｄＢ以下、アイソレーションの変化量が±３ｄＢ以下と良好な結果を得ることができた。

以上の試作により、磁石の体積収縮に起因する応力の影響が少なく、光学特性が安定し、かつ、組み立てが容易で工数が少なく、光アイソレータ素子の脱落、クラック、特性劣化がない信頼性に優れた光アイソレータを提供することができる。

本発明の光アイソレータの実施形態１を示す図である。 （ａ）は光アイソレータの平面図であり、（ｂ）は従来の光アイソレータにおける接合時の収縮挙動を示す図を（ａ）のＡ−Ａ断面の位置で切った場合の縦断面図である。（ｃ）は本発明の光アイソレータにおける部材収縮の様子を（ａ）のＡ−Ａ断面の位置で切った場合の縦断面図である。 本発明の光アイソレータの実施形態２を示す図である。 本発明の光アイソレータの実施形態３を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大平面図である。 従来の光アイソレータの構成を示す図である。

符号の説明

１、１１ 光アイソレータ素子
２、１２ ファラデー回転子
３、４、１３、１４ 偏光子
５、１５ 接合材
５ａ、５ｂ、５ｃ 接合材
６、１６ 基板
７、１７ 磁石
７ａ 凸部
８ コア基板
９、１０、１８ 光アイソレータ
ｈ 段差高さ

Claims (2)

1. 基板上に、平板状のファラデー回転子と偏光子からなる光アイソレータ素子と、該光アイソレータ素子と互いの側面が対峙して近接配置するとともに前記ファラデー回転子に磁界を与える磁石とを接合材を介して固定してなる光アイソレータにおいて、前記磁石は、前記磁石の固定面の一部から突出した凸部が前記基板に接合されて固定されており、前記凸部は、前記光アイソレータ素子と対峙する前記磁石の側面と反対側の第２の側面寄りに、前記光アイソレータ素子と隔てて形成されているとともに、前記第２の側面と隣接する一対の端面側に沿わせて形成されており、該一対の端面側に沿わせた部分と前記第２の側面寄り部分との間の屈曲部が曲面に形成されていることを特徴とする光アイソレータ。
2. 前記光アイソレータ素子と基板との間には、前記光アイソレータ素子の熱膨張係数に近似したコア基板が介在していることを特徴とする請求項１記載の光アイソレータ。
   

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