JP4670317B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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このように、シリコン単結晶基板の結晶方位〔001〕を示すためにオリエンテーションフラット又はオリエンテーションノッチが形成されるが、これらが水平方向を向くようにシリコン単結晶基板を載置すれば、機械的強度の高い結晶方位に該当する外周位置を容易にかつ確実に下端支持位置とすることができ、容易かつ確実にSFやスリップ転位の発生を抑制することができる。
結晶面(110)のアンチモンドープシリコン単結晶基板では抵抗率が下がり難いので、シリコン単結晶基板にアンチモンを多量に熱拡散させてドープする場合が多いが、この場合アンチモンに起因するローゼットと呼ばれるSFの起源が発生しやすい。しかし本発明では結晶方位〔−110〕または〔1−10〕に該当する外周位置を下端支持位置として前記サセプタに載置するので、スリップ転位の発生が抑制され、SFの起源が発生していてもSFの発生を抑制することができる。
また、このような方法で製造されたシリコンエピタキシャルウェーハは、スリップ転位及びSFの発生が抑制されるので高品質であり、またSFの発生による不良が少なく製造歩留まりも高いので低コストなシリコンエピタキシャルウェーハとなる。
前述のように、気相エピタキシャル成長装置内でシリコン単結晶基板をサセプタ上に垂直または傾斜させて載置した状態で加熱条件下でエピタキシャル成長を行う場合、サセプタは前記単結晶基板の外周部の下端に接触して支持するが、この場合、外周下端位置にスリップ転位やSFが発生する場合がある。
すなわち、単結晶基板は、結晶面における結晶方位により機械的強度が異なると考えられ、機械的強度の低い結晶方位に該当する外周位置を下端のサセプタと接触する位置に持ってくると、結晶格子によりスリップ転位が入りやすいと思われる。具体的には、シリンダー型の気相エピタキシャル成長装置で結晶面(110)の単結晶基板を、結晶方位〔001〕〔00−1〕に該当する外周位置を下端の支持位置として、垂直にまたは傾斜させてサセプタに載置した場合、このように基板の自重による応力が集中する下端支持位置にスリップ転位が入りやすく、スリップ転位の近くにSFの発生原因である起源があると、そのスリップ転位上にSFが発生すると考えられる。また結晶面(110)の単結晶基板は抵抗を下げ難いため、ゲッタリングサイトの形成等のために基板にアンチモンを多量に熱拡散させてドープする場合があるが、この場合アンチモン起因のローゼットと呼ばれる起源が発生しやすい。
図1は本発明の製造方法において用いる気相成長装置の一例を示す概略図である。この気相成長装置10はいわゆるシリンダー(バレル)型の気相成長装置である。
本発明においては、上記サセプタ載置時にシリコン単結晶基板3の結晶方位〔−110〕または〔1−10〕に該当する外周位置を下端支持位置とする。このようにすれば、シリコン単結晶基板下端の支持する位置は結晶方位が〔−110〕または〔1−10〕に該当するので機械的強度が十分に高い。したがってシリコン単結晶基板の自重によって下端支持位置に応力が集中しても、これに起因するスリップ転位の発生を抑制することができ、SFの起源があってもSFの発生を抑制することができる。
従来、図3(a)のように、結晶面(110)のシリコン単結晶基板3は、結晶方位〔001〕を示すオリエンテーションフラット12を上方向にしてサセプタの座ぐり4に載置していた(線14は劈開方向を表している)。この場合下端支持位置は結晶方位〔00−1〕に該当し、機械的強度が十分でないため、シリコン単結晶基板の自重による応力に起因するスリップ転位が発生することにより、位置13にSFが発生していた。
しかし、本発明に従い、図3(b)のようにオリエンテーションフラット12が水平方向を向くように載置すれば、結晶方位〔001〕と垂直であり、機械的強度の高い結晶方位〔−110〕または〔1−10〕に該当する外周位置を容易にかつ確実に下端支持位置とすることができ、容易かつ確実にスリップ転位及びSFの発生を抑制することができる。
(実施例1、比較例1)
CZ法により製造したシリコン半導体単結晶から結晶面(110)で切り出されたシリコン単結晶基板を用意した。このシリコン単結晶基板は直径100mmであり、ボロンをドープして導電型をP型、抵抗率を10〜20Ω・cmとしたものである。また、このシリコン単結晶基板には、結晶方位〔001〕を示すオリエンテーションフラットを形成した。
CZ法により製造したシリコン半導体単結晶から結晶面(110)で切り出されたシリコン単結晶基板を用意した。このシリコン単結晶基板は直径100mmであり、アンチモンをドープして導電型をN型、抵抗率を0.01〜0.03Ω・cmとしたものである。また、このシリコン単結晶基板には、結晶方位〔001〕を示すオリエンテーションフラットを形成した。
3b…下端支持位置 4…座ぐり、 6…気相成長用ガス導入管、 7…加熱装置、
8…排気管、 9…パージガス導入管、 10…気相成長装置、 11…軸、
12…オリエンテーションフラット、 13…SF発生位置、 14…劈開方向。
Claims (1)
- シリコン単結晶から結晶面(110)で切り出されたシリコン単結晶基板を、サセプタ上に垂直または傾斜させて載置して下端にて支持し、原料ガスを供給しつつ加熱し、前記シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶基板としてアンチモンをドープしたものを用い、前記シリコン単結晶基板の結晶方位〔001〕を示すオリエンテーションフラット又はオリエンテーションノッチが水平方向を向くように載置し、前記シリコン単結晶基板の結晶方位〔−110〕または〔1−10〕に該当する外周位置を下端支持位置として前記サセプタに載置して、前記エピタキシャル層の成長を行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP4670317B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5375768B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2013-12-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0158929U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | ||
JPH09199381A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造法 |
JPH11106287A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ処理方法及び装置 |
JP2001253797A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
-
2004
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0158929U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | ||
JPH09199381A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造法 |
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JP2001253797A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006137632A (ja) | 2006-06-01 |
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