JP4637966B1 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
電子デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4637966B1 JP4637966B1 JP2010030124A JP2010030124A JP4637966B1 JP 4637966 B1 JP4637966 B1 JP 4637966B1 JP 2010030124 A JP2010030124 A JP 2010030124A JP 2010030124 A JP2010030124 A JP 2010030124A JP 4637966 B1 JP4637966 B1 JP 4637966B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- film
- alloy component
- manufacturing
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
Abstract
【解決手段】複数枚の基板WF1〜WFrのそれぞれは、縦導体31と、接続導体4とを有している。複数枚の基板WF1〜WFrのうち、隣接する基板WF1、WF2は、一方の基板WF2の接続導体(縦導体)31が、他方の基板WF1の接続導体4と、接合膜5によって接合されている。接合膜5は、第1金属または合金成分と、それよりも融点の高い第2金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第1金属または合金成分の融点よりも高くなっている。
【選択図】図1
Description
[実施例]
本発明を実施するための最も良い形態に係る電子回路の実施例について以下に説明する。
2 機能層
31 縦導体
4 接続導体
5 接合膜
Claims (6)
- 複数枚の基板を積層した電子デバイスを製造する方法であって、
前記基板のそれぞれは、厚み方向に向かう縦導体と、接続導体とを有しており、
前記複数枚の基板のうち、隣接する基板は、前記縦導体及び前記接続導体が、接合膜によって互いに接合されており、
前記接合膜は、第1金属または合金成分と、融点が前記第1金属または合金成分よりも高い第2金属または合金成分とを含み、溶融温度が前記第1金属または合金成分の融点よりも高くなっており、
前記第1金属または合金成分は、Sn及びBiを含んでおり、
前記第2金属または合金成分は、Ag、Cu、Ni又はNi合金の群から選択された少なくとも1種を含んでおり、
前記縦導体は、Ga、Sb、Ag、Cu、Geの群から選択された少なくとも一種と、Sn、In又はBiの群から選択された少なくとも1種とを含んでおり、
前記電子デバイスの製造に当たり、
隣接する基板の前記縦導体及び前記接続導体の間に、前記第1金属または合金成分よりなる第1の膜と、前記第1の膜に積層され前記第2金属または合金成分よりなる第2の膜とを含む接合材を供給し、
次に、熱処理して前記接合材を溶融させ、凝固させて前記接合膜とする、
工程を含む、製造方法。 - 請求項1に記載された製造方法であって、前記接合膜と前記接続導体との間に、貴金属膜が介在する、製造方法。
- 請求項2に記載された製造方法であって、前記貴金属膜は、Ag,Au,Pd,Ptの群から選択された少なくとも一種を含む、製造方法。
- 請求項2又は3に記載された製造方法であって、前記貴金属膜は、膜厚が100nm以下である、製造方法。
- 請求項1乃至4の何れかに記載された製造方法であって、前記電子デバイスは、三次元システム・パッケージ(3D-SiP)である、製造方法。
- 請求項1乃至5の何れかに記載された製造方法であって、前記電子デバイスは、システムLSI、メモリLSI、イメージセンサ、又はMEMSの何れかである製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010030124A JP4637966B1 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010030124A JP4637966B1 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 電子デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010260199A Division JP2011166115A (ja) | 2010-11-22 | 2010-11-22 | 電子デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4637966B1 true JP4637966B1 (ja) | 2011-02-23 |
JP2011166066A JP2011166066A (ja) | 2011-08-25 |
Family
ID=43768691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010030124A Expired - Fee Related JP4637966B1 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4637966B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105575929A (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 成功大学 | 电性连接结构及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06177135A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-06-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体部品の接合方法 |
JP2002327279A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品の接合方法 |
JP2004047941A (ja) * | 2002-05-20 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体製造装置 |
JP2007036184A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、その製造方法および電子機器 |
JP2007180593A (ja) * | 2007-03-30 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007229801A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Toyota Motor Corp | 接合部材、接合部材の製造方法、及び接合方法 |
JP2009044065A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Napura:Kk | 基板配線用導電性組成物、回路基板及び電子デバイス |
JP2009065603A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子とその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7674651B2 (en) * | 2006-12-26 | 2010-03-09 | International Business Machines Corporation | Mounting method for semiconductor parts on circuit substrate |
-
2010
- 2010-02-15 JP JP2010030124A patent/JP4637966B1/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06177135A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-06-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体部品の接合方法 |
JP2002327279A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品の接合方法 |
JP2004047941A (ja) * | 2002-05-20 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに半導体製造装置 |
JP2007036184A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、その製造方法および電子機器 |
JP2007229801A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Toyota Motor Corp | 接合部材、接合部材の製造方法、及び接合方法 |
JP2007180593A (ja) * | 2007-03-30 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009044065A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Napura:Kk | 基板配線用導電性組成物、回路基板及び電子デバイス |
JP2009065603A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子とその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105575929A (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-11 | 成功大学 | 电性连接结构及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011166066A (ja) | 2011-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9337165B2 (en) | Method for manufacturing a fan-out WLP with package | |
KR100772604B1 (ko) | 집적화된 전자 칩 및 상호접속 디바이스와 그 제조프로세스 | |
US7573139B2 (en) | Packed system of semiconductor chips having a semiconductor interposer | |
US9472483B2 (en) | Integrated circuit cooling apparatus | |
US7420814B2 (en) | Package stack and manufacturing method thereof | |
TWI458070B (zh) | 具有連接主動晶片之內插物之堆疊微電子組件 | |
TW201701432A (zh) | 具有高佈線密度補片的半導體封裝 | |
CN111357102A (zh) | 用于多芯片模块的非嵌入式硅桥芯片 | |
CN104377170B (zh) | 半导体封装件及其制法 | |
JP2003258189A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN104347528B (zh) | 半导体封装件及其制法 | |
TW200904278A (en) | Circuitized substrate assembly with internal stacked semiconductor chips, method of making same, electrical assembly utilizing same and information handling system utilizing same | |
US8901751B2 (en) | Semiconductor device, electronic device, and semiconductor device manufacturing method | |
TW200901435A (en) | Apparatus for packaging semiconductor devices, packaged semiconductor components, methods of manufacturing apparatus for packaging semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor components | |
TW201222721A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US8525338B2 (en) | Chip with sintered connections to package | |
TW201240040A (en) | Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips | |
JP2008294367A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN102386157A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
US8580581B2 (en) | Substrate for electronic device, stack for electronic device, electronice device, and method for manufacturing the same | |
JP4637966B1 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP2011166115A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP4580027B1 (ja) | 回路基板及び電子デバイス | |
JP2011124523A (ja) | 電子デバイス用基板、電子デバイス用積層体、電子デバイス及びそれらの製造方法 | |
JP2012174826A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4637966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |